CN2593371Y - 氮化镓基led的发光装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种氮化镓基LED的发光装置,系利用光的来回共振,刺激量子井内电子与电洞再结合的速率,以提升氮化镓基LED的发光效率;包括一基板、一n-GaN基的磊晶沉积层、一多量子井的活性层、一p-型布拉格反射镜(DBR)、一p-GaN基的磊晶沉积层、一n型金属电极、及一p型金属电极,且基板底部并设有一金属反射层,具有成本较低及易于制造等特性。
Description
所属技术领域:
本实用新型涉及一种氮化镓基LED的发光装置,尤指一种适用于氮化镓基(GaN-based)III-V族材料的发光二极管者(light-emitting diode简称LED),主要系利用光的来回共振,刺激量子井(Quantum Well)内电子与电洞再结合(recombine)的速率,以提升氮化镓基LED的发光效率(Luminous Efficiency);该发光装置包括一基板、一n-GaN基的磊晶沉积层、一多量子井(Multi-Quantum Well,简称MQW)的活性层(Activelayer)、一p-型布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflector,简称DBR)、一p-GaN基的磊晶沉积层、一n型金属电极(n-type metal contact)、及一p型金属电极(p-type metal contact),且基板底部并设有一金属反射层(metal Reflector),具有成本较低及易于制造等特性。
背景技术:
按,传统的LED皆系由P-N结(Junction)中的活性层产生光,由于公知的氮化镓基LED,光在产生后即直接发散,因此,在本身材料的吸收及折射率(refractive index)的影响下,发光效率仍未尽理想,实用上应有再予精进改善的需要。再者,因市场的因素,LED的制造成本亦为重要的考量,业界虽亟欲获致高发光效率的LED,惟,实务上仍需兼顾成本,方能具有竞争力。
实用新型内容:
本实用新型的主要目的,即为提供一种氮化镓基LED的发光装置,系利用光的来回共振,刺激量子井内电子与电洞再结合的速率,以提升氮化镓基LED的发光效率;包括一基板、一n-GaN基的磊晶沉积层、一多量子井(MQW)的活性层、一p-型布拉格反射镜(DBR)、一p-GaN基的磊晶沉积层、一n型金属电极、及一p型金属电极,且基板底部并设有一金属反射层,而具有成本较低及易于制造等特性。
本实用新型所采取的技术方案为:
一种氮化镓基LED的发光装置,包括一基板、一n-GaN层、一MQW活性层、一p-型DBR、一接触层、一n型金属电极、及一p型金属电极等构成;其中:
该基板,系可为蓝宝石(sapphire)材质,基板的上表面可成长一缓冲层,且基板的下表面可镀有一金属反射层;
该n-GaN层、MQW活性层、及p-型DBR,系为依序磊晶成长于缓冲层上的磊晶沉积层,且通电后,MQW活性层为由「电产生光」的光产生层,波长(λ)可在380nm至600nm间;
该接触层,系为p-GaN系(p-GaN-based)的磊晶沉积层,且成长在p-型DBR上;
该n型金属电极,系设置在n-GaN层的露出面上;
该p型金属电极,系设置在p-GaN层上;由此,以构成一氮化镓基(GaN-based)LED的发光装置。
一种氮化镓基LED的发光装置,包括一基板、一n-型DBR、一n-GaN层、一MQW活性层、一p-型DBR、一接触层、一n型金属电极、及一p型金属电极等构成;其中:
该基板,系可为蓝宝石(sapphire)材质,基板的上表面可成长一缓冲层;
该n-型DBR、n-GaN层、MQW活性层、及p-型DBR,系为依序磊晶成长于缓冲层上的磊晶沉积层,且通电后,MQW活性层为由「电产生光」的光产生层,波长(λ)可在380nm至600nm间;
该接触层,系为p-GaN系(p-GaN-based)的磊晶沉积层,且成长在p-型DBR上;
该n型金属电极,系设置在n-GaN层的露出面上;
该p型金属电极,系设置在p-GaN层上;由此,以构成一氮化镓基(GaN-based)LED的发光装置。
本实用新型所具有的有益效果为:
1、本实用新型系适用于氮化镓基LED,使聚集在量子井内的电子与电洞,因光的来回共振而受到刺激,以提高电子与电洞的再结合(recombine)速率,故可增益发光效率;
2、本实用新型可在兼顾成本的考量下,提升氮化镓基LED的发光效率,尤其,以金属反射层作为共振腔(Resonant Cavity)的下方镜面,成本较低;
3、本实用新型可在兼顾制造难易度的考量下,提升氮化镓基LED的发光效率,尤其,以金属反射层作为共振腔的下方镜面,制造上较为简单,且若以蓝宝石(sapphire)作为基板,更可获致较高的反射率。
本实用新型的特征、技术手段、具体功能、以及具体的实施例,继以图式、图号详细说明如后。
附图说明:
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1为本实用新型较佳实施例的立体示意图;
图2为本实用新型较佳实施例的结构示意图;
图3及图4为图2磊晶结构的一特例;
图5为本实用新型第二实施例的结构示意图;
图6为图5磊晶结构的一特例;
图7为本实用新型第三实施例的立体示意图;
图8为本实用新型第三实施例的结构示意图;
图9及图10为图8磊晶结构的一特例;
图11为本实用新型第四实施例的结构示意图;
图12为图11磊晶结构的一特例。
具体实施方式:
请参阅图1至图3所示,在较佳实施例中,本实用新型的发光装置包括一基板10、一n-GaN层13、一MQW活性层14、一p-型DBR15、一接触层16、一n型金属电极17、及一p型金属电极18等构成;其中:
该基板10,系可为蓝宝石(sapphire)、或碳化硅(SiC)、或氮化镓(GaN)等材质,基板10的上表面10a可成长一缓冲层11,基板10的下表面10b可镀有一金属反射层19,且金属反射层19的反射率可在90%以上;
该n-GaN层13及MQW活性层14,系为依序磊晶成长于缓冲层11上的磊晶沉积层,且通电后,MQW活性层14为由「电产生光」的光产生层(lightgenerating layer),波长(λ)可在380nm至600nm间;
该p-型DBR15,系为成长于MQW活性层14上,反射率(ReflectiveIndex)可在50%至80%间;
该接触层,系为p-GaN系(p-GaN-based,例如:p-GaN、p-InGaN、p-AlInGaN)的磊晶沉积层16,且成长在p-型DBR15上;
该n型金属电极17,系设置在n-GaN层13的露出面13a上;
该p型金属电极18,系设置在p-GaN层16上;由此,可经由后续的晶粒加工、设置、接线、及树脂灌膜封装,而构成一氮化镓基(GaN-based)的发光二极管。
此间应予以说明者,乃在于:在较佳实施例中,该发光装置的制成方式如下:先在基板10的上表面10a形成一缓冲层11,基板10可为蓝宝石(sapphire)、或碳化硅(SiC)、或氮化镓(GaN)等材质;再于缓冲层11上形成一层n-GaN系磊晶沉积层13;再于n-GaN系磊晶沉积层13上形成一MQW活性层14,且MQW活性层14产生光的波长(λ)可在380nm至600nm间;再于MQW活性层14上形成一p-型布拉格反射镜(DBR)15;再于p-型布拉格反射镜(DBR)15上形成一层p-GaN系(p-GaN-based,例如:p-GaN、p-InGaN、p-AlInGaN)的磊晶沉积层16,且以蚀刻法(Etching)将部份n-GaN层13表面、部份MQW活性层14、部份p-型布拉格反射镜15、及部份p-GaN层16移除,使n-GaN层13具有一露出面13a,且可在露出面13a上设置一n型金属电极17,并在p-GaN层16上设置一p型金属电极18;最后,基板10的底部可由电镀或溅镀(sputtering)的方式设有一金属反射层19;由此,即可构成一氮化镓基(GaN-based)LED的发光装置。
此间拟提出说明者,乃在于:根据国际照明委员会所制定的CIE色品图(CIE Chromaticity diagram),一般若本实用新型的MQW活性层14,在通电后产生光的波长(λ)在465nm至485nm间,则本实用新型装置即可构成一蓝色光系LED的发光装置;若本实用新型的MQW活性层14,在通电后产生光的波长(λ)在495nm至540nm间,则本实用新型装置即可构成一绿色光系LED的发光装置;而若本实用新型的MQW活性层14,在通电后产生光的波长(λ)在560nm至580nm间,则本实用新型装置即可构成一黄色光系LED的发光装置;当然,本实用新型可适用的范围在380nm至600nm间,除了前述三个特定波长区段所构成的较纯色系LED的发光装置外,亦可构成其它过渡色系LED的发光装置。
如图3及图4所示,为该发光装置的磊晶结构特例,其中:
第一、二层111,可为LT-GaN/HT-GaN的缓冲层,LT-GaN系为先成长在基板101上的低温缓冲层,厚度可在30至500,HT-GaN系为成长在LT-GaN上的高温缓冲层,厚度可在0.5至6μm;
第三层131,可为n-GaN的半导体层,厚度可在2至6μm;
第四层141,可为InGaN/GaN的MQW;
第五层151,可为p-AlGaN/GaN的DBR;
第六层161,可为p+-GaN-based的半导体层,厚度可在0.2至0.5μm;
且磊晶结构系成长在基板101上,该基板101,可为蓝宝石(sapphire)、或碳化硅(SiC)、或氮化镓(GaN)的基板,制造上,一般基板101系先以300至500μm的厚度进行磊晶,俟磊晶完成后,再由基板101的底部研磨成50至300μm的厚度,并于底部以电镀或溅镀的方式镀上金属反射层191;该金属反射层191,可为Ag/Al材质(即先镀上银,再于镀上铝,使银不致外露),或为Ag材质,或任何金属材质,厚度可在50至10μm
请参阅图5所示,在第二实施例中,该发光装置,进一步可在蚀刻后剩余的p-GaN层16上,以磊晶的方式成长一适当厚度且可透光的金属氧化层20,而作为窗口层;其中,该金属氧化层20,可为具有较佳的可见光透光性范围(transparency in visible range)的金属氧化层者,例如:范围约在380nm至600nm者。
请参阅图6所示,为该发光装置第二实施例的磊晶结构特例,其中:
第一、二层111、第二层121、第三层131、第四层141、第五层151、第六层161、基板101、及金属反射层191等,与较佳实施例相同;
第七层201,系可为ZnO材质的金属氧化层,或ZnO掺杂Al的金属氧化层,厚度可在50至50μm。
此间应再予以说明者,乃在于:该金属氧化层20,进一步可为InxZn1-xO、或SnxZn1-xO、或InxSnyZn1-x-yO等材质所构成的金属氧化层者,且0≤X≤1,且0≤Y≤1,且0≤X+Y≤1;或可为折射率(refractive index)至少在1.5的金属氧化层者;或可为n型传导(n-type conduction)或p型传导(p-type conduction)的金属氧化层者;或可为掺杂有稀土元素(rareearth-doped)的金属氧化层者。
此间应再予以说明者,乃在于:该发光装置,进一步可在金属氧化层20的裸露表面(即金属氧化层20表面不含与p型金属电极18接触的部份),施予表面处理,而具有粗糙表面(Rough Surface)21或压花纹路,以增益光的逃脱放出。
请参阅图7至图9所示,在第三实施例中,本实用新型的发光装置包括一基板30、一n-型DBR32、一n-GaN层34、一MQW活性层35、一p-型DBR36、一接触层、一n型金属电极38、及一p型金属电极39等构成;其中:
该基板30,系可为蓝宝石(sapphire)、或碳化硅(SiC)、或氮化镓(GaN)等材质,基板30的上表面30a可成长一缓冲层31;
该n-型DBR32、n-GaN层34、MQW活性层35、及p-型DBR36,系为依序磊晶成长于缓冲层31上的磊晶沉积层,且通电后,MQW活性层35为由「电产生光」的光产生层,波长(λ)可在380nm至600nm间,n-型DBR32及p-型DBR36的反射率(Reflective Index)并低于90%以下;
该接触层,系为p-GaN系(p-GaN-based,例如:p-GaN、p-InGaN、p-AlInGaN)的磊晶沉积层37,且成长在p-型DBR36上;
该n型金属电极38,系设置在n-GaN层34的露出面34a上;
该p型金属电极39,系设置在p-GaN层37上;由此,可经由后续的晶粒加工、设置、接线、及树脂灌膜封装,而构成一氮化镓基(GaN-based)的发光二极管。
此间应予以说明者,乃在于:在第三实施例中,该发光装置的制成方式如下:先在基板30的上表面30a形成一缓冲层31,基板30可为蓝宝石(sapphire)、或碳化硅(SiC)、或氮化镓(GaN)等材质;再于缓冲层31上形成一n-型布拉格反射镜(DBR)32;再于n-型DBR32上形成一n-GaN系磊晶沉积层34;再于n-GaN系磊晶沉积层34上形成一MQW活性层35,且MQW活性层35产生光的波长(λ)可在380nm至600nm间;再于MQW活性层35上形成一p-型布拉格反射镜(DBR)36;再于p-型布拉格反射镜(DBR)36上形成一层p-GaN系(p-GaN-based,例如:p-GaN、p-InGaN、p-AlInGaN)的磊晶沉积层37,且以蚀刻法将部份n-GaN层34表面、部份MQW活性层35、部份p-型布拉格反射镜36、及部份p-GaN层37移除,使n-GaN层34具有一露出面34a,且可在露出面34a上设置一n型金属电极38,并在p-GaN层37上设置一p型金属电极39;由此,即可构成一氮化镓基(GaN-based)LED的发光装置。
如图9及图10所示,系为该发光装置第三实施例的磊晶结构特例,其中:
第一、二层311,可为LT-GaN/HT-GaN的缓冲层,LT-GaN系为先成长在基板301上的低温缓冲层,厚度可在30至500,HT-GaN系为成长在LT-GaN上的高温缓冲层,厚度可在0.5至6μm;
第三层321,可为n-AlGaN/GaN的DBR;
第四层341,可为n-GaN的半导体层,厚度可在2至6μm;
第五层351,可为InGaN/GaN的MQW;
第六层361,可为p-AlGaN/GaN的DBR;
第七层371,可为p+-GaN-based的半导体层,厚度可在0.2至0.5μm;
且磊晶结构系成长在基板301上,该基板301,可为蓝宝石(sapphire)、或碳化硅(SiC)、或硅(Si)、或氮化镓(GaN)的基板,厚度可在300至500μm。
请参阅图11所示,在第四实施例中,该发光装置,进一步可在蚀刻后剩余的p-GaN层37上,以磊晶的方式成长一适当厚度且可透光的金属氧化层40,而作为窗口层;其中,该金属氧化层40,可为具有较佳的可见光透光性范围的金属氧化层者,例如:范围约在380至600nm者。
请参阅图12示,系为该发光装置第四施例的磊晶结构特例,其中:
第一、二层311、第三层321、第四层341、第五层351、第六层361、第七层371、及基板301等,与第四实施例相同;
第八层401,系可为ZnO材质的金属氧化层,或ZnO掺杂Al的金属氧化层,厚度可在50至50μm。
此间应再予以说明者,乃在于:该金属氧化层40,进一步可为InxZn1-xO、或SnxZn1-xO、或InxSnyZn1-x-yO等材质所构成的金属氧化层者,且0≤X≤1,且0≤Y≤1,且0≤X+Y≤1;或可为折射率(refractive index)至少在1.5的金属氧化层者;或可为n型传导(n-type conduction)或p型传导(p-type conduction)的金属氧化层者;或可为掺杂有稀土元素(rareearth-doped)的金属氧化层者。
此间应再予以说明者,乃在于:该发光装置,进一步可在金属氧化层40的裸露表面(即金属氧化层40表面不含与p型金属电极39接触的部份),进一步施予表面处理,而具有粗糙表面41或压花纹路,以增益光的逃脱放出。
再者,本实用新型的磊晶结构,系可由溅镀自我组织(self-texturing by sputtering)法所形成,或可由物理气相沉积(physical vapor deposition)法所形成,或可由离子电镀(ionplating)法所形成,或可由脉冲雷射蒸镀(pulsed laser evaporation)法所形成,或可由化学气相沉积(chemical vapor deposition)法所形成,或可由分子束磊晶成长(molecular beam epitaxy)法所形成。
Claims (13)
1.一种氮化镓基LED的发光装置,包括一基板、一n-GaN层、一MQW活性层、一p-型DBR、一接触层、一n型金属电极、及一p型金属电极等构成;其特征在于:
该基板,系可为蓝宝石(sapphire)材质,基板的上表面可成长一缓冲层,且基板的下表面可镀有一金属反射层;
该n-GaN层、MQW活性层、及p-型DBR,系为依序磊晶成长于缓冲层上的磊晶沉积层,且通电后,MQW活性层为由「电产生光」的光产生层,波长(λ)可在380nm至600nm间;
该接触层,系为p-GaN系(p-GaN-based)的磊晶沉积层,且成长在p-型DBR上;
该n型金属电极,系设置在n-GaN层的露出面上;
该p型金属电极,系设置在p-GaN层上;由此,以构成一氮化镓基(GaN-based)LED的发光装置。
2.根据权利要求1所述的氮化镓基LED的发光装置,其特征在于:该发光装置的磊晶结构特例,系为:
一LT-GaN/HT-GaN的缓冲层,LT-GaN系为先成长在基板上的低温缓冲层,厚度可在30至500,HT-GaN系为成长在LT-GaN上的高温缓冲层,厚度可在0.5至6μm;
一n-GaN的半导体层,厚度可在2至6μm;
一InGaN/GaN的MQW层;
一p-AlGaN/GaN的DBR;
一p+-GaN-based的半导体层,厚度可在0.2至0.5μm;
且该基板,可为蓝宝石(sapphire)材质,先以300至500μm的厚度进行磊晶,磊晶完成后,再由底部研磨成50至300μm的厚度,并于底部以电镀或溅镀的方式,镀上厚度为50至10μm材质为Ag/Al的金属反射层。
3.根据权利要求1所述的氮化镓基LED的发光装置,其特征在于:该基板,亦可为碳化硅(SiC)、或氮化镓(GaN)等材质;该金属反射层,亦可为Ag材质,或任何金属材质,反射率可在90%以上;该p-型DBR的反射率,可在50%至80%间;该接触层,亦可为p-InGaN、或p-AlInGaN的磊晶沉积层。
4.根据权利要求1所述的氮化镓基LED的发光装置,其特征在于:该接触层上,进一步可成长有一ZnO、或ZnO掺杂Al的金属氧化层,或InxZn1-xO、SnxZn1-xO、InxSnyZn1-x-yO的金属氧化层,厚度可在50至50μm,且0≤X≤1,且0≤Y≤1,且0≤X+Y≤1。
5.根据权利要求4所述的氮化镓基LED的发光装置,其特征在于:该金属氧化层,亦可为折射率至少在1.5的金属氧化层,或掺杂有稀土元素(rare earth-doped)的金属氧化层,或具有较佳的可见光透光性范围(约在380nm至600nm间)的金属氧化层,或n型传导或p型传导的金属氧化层者。
6.根据权利要求4所述的氮化镓基LED的发光装置,其特征在于:该金属氧化层的厚度,可在50至50μm间,且进一步可在裸露表面上施予表面处理,而具有粗糙表面或压花纹路。
7.根据权利要求1所述的氮化镓基LED的发光装置,其特征在于:该发光装置亦可由一基板、一n-型DBR、一n-GaN层、一MQW活性层、一p-型DBR、一接触层、一n型金属电极、及一p型金属电极等所构成。
8.根据权利要求7所述的氮化镓基LED的发光装置,其特征在于:该基板,系可为蓝宝石(sapphire)材质,基板的上表面可成长一缓冲层;
该n-型DBR、n-GaN层、MQW活性层、及p-型DBR,系为依序磊晶成长于缓冲层上的磊晶沉积层,且通电后,MQW活性层为由「电产生光」的光产生层,波长(λ)可在380nm至600nm间;
该接触层,系为p-GaN系(p-GaN-based)的磊晶沉积层,且成长在p-型DBR上;
该n型金属电极,系设置在n-GaN层的露出面上;且该p型金属电极,系设置在p-GaN层上。
9.根据权利要求8所述的氮化镓基LED的发光装置,其特征在于:该发光装置的磊晶结构特例,系为:
一LT-GaN/HT-GaN的缓冲层,LT-GaN系为先成长在基板上的低温缓冲层,厚度可在30至500,HT-GaN系为成长在LT-GaN上的高温缓冲层,厚度可在0.5至6μm;
一n-AlGaN/GaN的DBR;
一n-GaN的半导体层,厚度可在2至6μm;
一InGaN/GaN的MQW层;
一p-AlGaN/GaN的DBR;
一p+-GaN-based的半导体层,厚度可在0.2至0.5μm;
且该基板,可为蓝宝石(sapphire)材质,厚度可在300至500μm。
10.根据权利要求7所述的氮化镓基LED的发光装置,其特征在于:该基板,亦可为碳化硅(SiC)、或硅(Si)、或氮化镓(GaN)等材质;该n-型DBR及p-型DBR,系为反射率低于90%以下者;该接触层,亦可为p-InGaN、或p-AlInGaN的磊晶沉积层。
11.根据权利要求7所述的氮化镓基LED的发光装置,其特征在于:该接触层上,进一步可成长有一ZnO、或ZnO掺杂Al的金属氧化层,或InxZn1-xO、SnxZn1-xO、InxSnyZn1-x-yO的金属氧化层,厚度可在50至50μm,且0≤X≤1,且0≤Y≤1,且0≤X+Y≤1。
12.根据权利要求11所述的氮化镓基LED的发光装置,其特征在于:该金属氧化层,亦可为折射率至少在1.5的金属氧化层,或掺杂有稀土元素(rare earth-doped)的金属氧化层,或具有较佳的可见光透光性范围(约在380nm至600nm间)的金属氧化层,或n型传导或p型传导的金属氧化层者。
13.根据权利要求11所述的氮化镓基LED的发光装置,其特征在于:该金属氧化层的厚度,可在50至50μm间,且进一步可在裸露表面上施予表面处理,而具有粗糙表面或压花纹路。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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