CN2586586Y - 聚合物复合石墨氧化物超薄膜 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种聚合物复合石墨氧化物超薄膜，在石英基片上通过化学沉积，以静电吸引的方式形成由聚丙烯胺和石墨氧化物构成的复合超薄膜，该薄膜属于纳米级超薄膜，薄膜与基片基体的结合强度高，并且，具有低摩擦、抗磨损的优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种聚合物复合石墨氧化物超薄膜，属于材料工程技术领域。
背景技术
摩擦、磨损是微型机电系统及磁存储系统润滑中的需要解决的一个重要问题，研制实用的超薄膜是解决这一问题的重要途径。目前业界对此问题的解决主要集中在对分子自组装薄膜、LB(Langmuir-Blodgett)膜以及这两种薄膜的复合进行的研究上，而这两种薄膜的耐磨性比较差，因此研制一种具有良好摩擦学性能的分子超薄膜具有重要意义。
90年代以来有人制备了PDDA(Poly-diallyldimethyammonium，聚二丙烯二甲胺)复合石墨氧化物超薄膜，用于锂电池的电极；但在摩擦学中的应用比较少见，其原因是：薄膜中的结合强度小。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种聚合物复合石墨氧化物超薄膜，以解决微型机电系统及磁存储系统的摩擦、磨损问题。
本发明是通过以下技术方案实现的：
一种聚合物复合石墨氧化物超薄膜，依次由基片、聚丙烯胺和石墨氧化物叠设构成。
该超薄膜为一层或一层以上的石墨氧化物和聚合物交替沉积而成，且该超薄膜的层间通过静电吸引结合。所述的基片至少为石英基片或玻璃基片或硅片基片。
通过以上技术方案，本发明具有如下优点：
该薄膜属于纳米级超薄膜，薄膜与基片基体的结合强度高，并且，具有低摩擦、抗磨损的优点。
附图说明
图1为该薄膜的结构示意图；
图2为该薄膜的多层结构示意图；
图3为该薄膜的紫外光谱实验结果图；
图4为该薄膜的摩擦实验结果图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明：
如图1所示，为该超薄膜的结构示意图，该超薄膜依次由石英基片1、聚丙烯胺2和石墨氧化物3叠设构成，层间通过静电吸引相互结合。如图2所示，为该超薄膜的多层结构示意图，从图中可知，根据需要还可以得到石墨氧化物3和聚丙烯胺2交替沉积的多层复合超薄膜。
图3所示为不同层数薄膜的紫外光谱谱图，可以看出，薄膜对紫外光的吸收强度随层数的增大而增加，证明薄膜在石英玻璃上有良好的均匀分布。
本实用新型所涉及的薄膜具有良好的摩擦性能，用原子力显微镜(AFM)对样品表面的硬度及摩擦力进行测定，得到如图4所示的实验结果。
最后所应说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (4)
1、一种聚合物复合石墨氧化物超薄膜，其特征在于：该超薄膜依次由基片、聚丙烯胺和石墨氧化物叠设构成。
2、根据权利要求1所述的聚合物复合石墨氧化物超薄膜，其特征在于：所述的超薄膜可以是一层或一层以上的石墨氧化物和聚合物交替沉积复合超薄膜。
3、根据权利要求1或2所述的聚合物复合石墨氧化物超薄膜，其特征在于：所述的超薄膜的层间通过静电吸引结合。
4、根据权利要求1所述的聚合物复合石墨氧化物超薄膜，其特征在于：所述的基片至少为石英基片或玻璃基片或硅片基片。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 02288987 CN2586586Y (zh) | 2002-11-29 | 2002-11-29 | 聚合物复合石墨氧化物超薄膜 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN 02288987 CN2586586Y (zh) | 2002-11-29 | 2002-11-29 | 聚合物复合石墨氧化物超薄膜 |
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| CN2586586Y true CN2586586Y (zh) | 2003-11-19 |
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Family Applications (1)
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| CN 02288987 Expired - Fee Related CN2586586Y (zh) | 2002-11-29 | 2002-11-29 | 聚合物复合石墨氧化物超薄膜 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN2586586Y (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1950728B (zh) * | 2004-05-07 | 2012-04-18 | 埃西勒国际通用光学公司 | 偏极化的抗磨损的光学制品及其制备方法 |
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2002
- 2002-11-29 CN CN 02288987 patent/CN2586586Y/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1950728B (zh) * | 2004-05-07 | 2012-04-18 | 埃西勒国际通用光学公司 | 偏极化的抗磨损的光学制品及其制备方法 |
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