CN2567836Y - 波段可调谐的微腔激光器结构 - Google Patents

波段可调谐的微腔激光器结构 Download PDF

Info

Publication number
CN2567836Y
CN2567836Y CN 02247762 CN02247762U CN2567836Y CN 2567836 Y CN2567836 Y CN 2567836Y CN 02247762 CN02247762 CN 02247762 CN 02247762 U CN02247762 U CN 02247762U CN 2567836 Y CN2567836 Y CN 2567836Y
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
heavily doped
microcavity
wavelength
bragg reflector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN 02247762
Other languages
English (en)
Inventor
蒋红
金亿鑫
缪国庆
宋航
周天明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS
Original Assignee
Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS filed Critical Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS
Priority to CN 02247762 priority Critical patent/CN2567836Y/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN2567836Y publication Critical patent/CN2567836Y/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本实用新型是一种能够实现波长可调谐的微腔激光器结构,包括电极1、衬底2、布喇格反射镜3、8、激活层4、过渡层5、重掺杂层6、非线性光学层7及重掺杂层9,本实用新型的特点就是在InP/InGaAsP微腔结构中引入非线性光学层,利用其电光效应实现微腔的波长调制,即在外加电场的作用下通过改变电场强度使非线性光学层的折射率发生变化,可以实现波长可调谐。该结构的制备过程非常方便,且可一次完成,从而保证结构的完整性。InP/InGaAsP微腔结构光电器件的重要应用是在光通讯网络中,要求具有波长选择性、高带宽、高响应速度等特性的半导体激光器和探测器,是新一代光通讯系统中实现波长分隔多路传输方式所必须的元件。

Description

波段可调谐的微腔激光器结构
技术领域:本实用新型属于一种激光器结构,特别是一种能够实现波长可调谐的微腔激光器结构。
背景技术中:GaInAsP四元系半导体材料带隙和晶格常数可独立调节,且与商品化的InP单晶衬底晶格匹配,带隙可调范围在0.75eV-1.35eV。由于这一能带范围覆盖了目前光通讯中石英光纤信号传输低损耗波段1.33um和1.55um,使得GaInAsP半导体材料、半导体激光器及光电探测器备受重视,并得到迅速发展。
从半导体激光器及探测器的研究历程来看,进一步降低阈值、降低噪声、提高量子效率一直是人们追求的目标。把光电器件激活区置于谐振微腔内的新型结构光电子器件不仅兼有以往器件的绝大部分功能,同时其波长的选择性及共振光场增强等特性受制于微腔效应。因此,具有微腔结构的光电子器件可以大大提高在谐振波长附近光电器件的量子效率,提高器件的响应速度,使发射光谱窄化,改善光发射的方向性等特点。如何实现波长选择与调谐成为微腔结构材料与器件研究中的重要课题。
如图1所示:激光器的结构包括电极1、衬底2、布喇格反射镜3、激活层4、过渡层5、重掺杂层6、布喇格反射镜7、重掺杂层8,它的缺点是波段不可调谐。
本实用新型的目的就是要解决背景技术不能实现微腔的波长调制,其制备过程复杂,且不能一次完成激光器结构的制备的问题,本实用新型将提供一种波段可调谐的激光器结构。
详细内容:包括电极1、衬底2、布喇格反射镜3、激活层4、过渡层5、重掺杂层6、非线性光学层7、布喇格反射镜8、重掺杂层9,在衬底2上制备有交替生长的下分布布喇格反射镜3,布喇格反射镜3和布喇格反射镜8构成腔体;在布喇格反射镜3的腔体层上制备有激活层4;为调整晶格失配,在激活层4上制备有组份渐变的过渡层5和重掺杂层6,在重掺杂层6上制备有非线性光学层7,在非线性光学层7上制备布喇格反射镜层8,在布喇格反射镜层8上制备重掺杂层9。上述结构中的层与层之间利用半导体外延技术使其紧密连接,从而完成波长可调的微腔结构的制备。
本实用新型工作时:在外加电场的作用下通过改变电场强度使非线性光学层7的折射率发生变化,因此实现波长的可调谐。
本实用新型的特点就是采用微腔结构,在InP/InGaAsP微腔结构中引入非线性光学层,利用其电光效应实现微腔的波长调制,该结构的制备过程非常方便,且可一次完成,从而保证结构的完整性。InP/InGaAsP微腔结构光电器件的重要应用是在光通讯网络中,要求具有波长选择性、高带宽、高响应速度等特性的半导体激光器和探测器,是新一代光通讯系统中实现波长分隔多路传输方式所必须的元件,本实用新型提供了波长可调谐对称或非对称微腔激光器的结构。
附图说明:
图1是背景技术的结构剖视图
图2是本实用新型的结构剖视图
具体实施方式如图2:电极1采用金制成电极;衬底2采用InP做衬底;布喇格反射镜3采用InP/InGaAsP交替生长层做布喇格反射镜;激活层4采用多量子阱结构的激活层;过渡层5采用InGaAsP材料做过渡层;重掺杂层6采用InGaAsP掺杂材料做重掺杂层;非线性光学层7采用GaAs材料制成;布喇格反射镜8采用InP/InGaAsP交替生长层做布喇格反射镜;重掺杂层9采用InGaAsP掺杂材料做重掺杂层,则制成对称微腔激光器的结构。当布喇格反射镜8采用光学膜等材料做布喇格反射镜时可制成非对称微腔激光器的结构。调制电源10与驱动电源11共地连接,彼此独立调节又不影响器件的正常工作。

Claims (1)

1、波段可调谐微腔激光器的结构,包括电极1和衬底2,其特征在于还包括布喇格反射镜3、激活层4、过渡层5、重掺杂层6、非线性光学层7、布喇格反射镜8及重掺杂层9,在衬底2上制备有交替生长的下分布布喇格反射镜3,布喇格反射镜3和布喇格反射镜8构成腔体,在布喇格反射镜3的腔体层上制备有激活层4,为调整晶格失配,在激活层4上制备有组份渐变的过渡层5和重掺杂层6,在重掺杂层6上制备有非线性光学层7,在非线性光学层7上制备布喇格反射镜层8,在布喇格反射镜层8上制备重掺杂层9。
CN 02247762 2002-08-29 2002-08-29 波段可调谐的微腔激光器结构 Expired - Fee Related CN2567836Y (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 02247762 CN2567836Y (zh) 2002-08-29 2002-08-29 波段可调谐的微腔激光器结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 02247762 CN2567836Y (zh) 2002-08-29 2002-08-29 波段可调谐的微腔激光器结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN2567836Y true CN2567836Y (zh) 2003-08-20

Family

ID=33718569

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 02247762 Expired - Fee Related CN2567836Y (zh) 2002-08-29 2002-08-29 波段可调谐的微腔激光器结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN2567836Y (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009152658A1 (zh) * 2008-06-19 2009-12-23 中兴通讯股份有限公司 可调谐激光器模块及其控制方法
CN104242057A (zh) * 2014-09-22 2014-12-24 山东华光光电子有限公司 具有低工作电压及高功率转换效率的半导体激光器
CN106299011A (zh) * 2015-06-09 2017-01-04 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 基于InP衬底的五结太阳能电池及其制备方法
CN110297132A (zh) * 2019-07-25 2019-10-01 北京无线电计量测试研究所 一种量子电场探测模块及电场强度测量方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009152658A1 (zh) * 2008-06-19 2009-12-23 中兴通讯股份有限公司 可调谐激光器模块及其控制方法
CN102017473A (zh) * 2008-06-19 2011-04-13 中兴通讯股份有限公司 可调谐激光器模块及其控制方法
CN104242057A (zh) * 2014-09-22 2014-12-24 山东华光光电子有限公司 具有低工作电压及高功率转换效率的半导体激光器
CN104242057B (zh) * 2014-09-22 2017-08-04 山东华光光电子股份有限公司 具有低工作电压及高功率转换效率的半导体激光器
CN106299011A (zh) * 2015-06-09 2017-01-04 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 基于InP衬底的五结太阳能电池及其制备方法
CN110297132A (zh) * 2019-07-25 2019-10-01 北京无线电计量测试研究所 一种量子电场探测模块及电场强度测量方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103091870B (zh) 一种谐振腔增强型石墨烯电吸收调制器
CN103885267B (zh) 基于三重晶格光子晶体的三波长太赫兹波调制器及调制方法
CN110911950A (zh) 高速高线性的硅-铌酸锂外腔调频激光器
CN102062987B (zh) 复式结构光子晶体可调谐振腔的太赫兹波调制器及调制方法
CN105048282B (zh) 单片集成电泵浦布拉格反射波导太赫兹激光器
CN101840126B (zh) 一种可降低功耗的硅基级联谐振腔全光逻辑与门结构
CN101867148B (zh) 带有光子晶体反射面和垂直出射面的fp腔激光器
CN109378707A (zh) 一种硅基可调谐激光器
CN108233177A (zh) 一种可调谐半导体激光器
CN105207057A (zh) 波长快速调谐的单片集成外腔振荡激光器
JP2008124287A (ja) 波長変換素子
CN105404028B (zh) 一种微腔耦合多模干涉仪的硅基电光调制器
CN108803090A (zh) 基于硅和二氧化钒复合波导的电光调制器
CN2567836Y (zh) 波段可调谐的微腔激光器结构
CN102338940B (zh) 基于环腔的电吸收调制器
CN105490164A (zh) 一种分布反馈激光器
Devaux et al. Full polarization insensitivity of a 20 Gb/s strained-MQW electroabsorption modulator
CN107069432B (zh) 环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器的制备方法
Dai et al. Hybrid silicon lasers for optical interconnects
Okumura et al. Continuous wave operation of thin film lateral current injection lasers grown on semi-insulating InP substrate
CN113608371B (zh) 一种基于ii类断带能隙量子阱的红外电吸收调制器
CN113013727B (zh) 一种基于可调谐振腔的量子点单光子源
CN115598871A (zh) 基于微环结构的硅基电光调制器及其调制方法
CN114256736A (zh) 一种快速可调谐半导体激光器
CN111934196B (zh) 一种电驱动的片上集成掺铒波导放大器及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C19 Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee