CN2531458Y

CN2531458Y - 感应距离增强的非接触式ic卡

Info

Publication number: CN2531458Y
Application number: CN 02216068
Authority: CN
Inventors: 闵昊
Original assignee: Shanghai Huahong Integrated Circuit Co Ltd
Current assignee: Shanghai Huahong Integrated Circuit Co Ltd
Priority date: 2002-03-11
Filing date: 2002-03-11
Publication date: 2003-01-15
Anticipated expiration: 2012-03-11

Abstract

一种非接触式IC卡包括：位于IC卡最外层的顶层和底层覆盖薄膜，用以保护IC卡内部的各个部分；位于底层覆盖薄膜上的承载薄膜；由承载薄膜所承载的IC卡芯片部分和天线部分；位于IC卡芯片部分上方的填充物；以及位于天线部分上方的薄膜，该薄膜通常是通过冲压形成的。通过在承载薄膜上未被IC卡芯片部分及天线部分所覆盖的区域上添加一定数量的增强磁导率的材料，可增强天线部分线圈的磁场强度，继而IC卡的感应距离也相应增加。

Description

感应距离增加的非接触式IC卡

技术领域

本实用新型涉及一种非接触式IC卡，尤其涉及一种与IC卡读写器之间的感应距离可增加的非接触式IC卡。

背景技术

目前，在地铁、公交等服务行业中普遍使用的非接触式IC卡正逐步替代着传统的纸质票证。该非接触式IC卡在外观上是一个塑料卡，该卡的内部结构基本上如图1所示。

图1所示的非接触式IC卡主要包括两部分。一个部分是IC卡芯片部分1，用于与IC卡读写器进行通信，还可进行数据处理。另一个部分是天线部分2，用于与IC卡读写器耦合，以给IC卡芯片部分1提供电源和来自IC卡读写器的信号。

在图2中示出非接触式IC卡20与其读写器10之间的通信情况。

如图2所示，非接触式IC卡20本身不带电池，通过读写器10与非接触式IC卡20之间的线圈感应(如图2中虚线所示)所获得的电能来给IC卡20供电。此外，IC卡20与读写器10之间的信号传送也是通过电感耦合的方式来实现的。

因此，如果IC卡20与读写器10之间的感应距离太小，则IC卡20的使用者必须使IC卡20与读写器10足够靠近，才能保证IC卡20获得足够的电能并与读写器10准确通信。这样，既给使用者带来了麻烦，也使得通信质量难以保证。因此，IC卡20与读写器10之间的感应距离就成为衡量非接触式IC卡性能好坏的一个重要因素。

通常，IC卡与读写器之间的感应距离主要由IC卡内线圈的磁场强度来确定。可通过增加IC卡的线圈来增强磁场强度。但是，如此增强磁场强度所产生的效果非常有限，且成本较高，由此获得的感应距离的增加也不是很明显。

因此，非常想要一种能明显增加其与读写器之间的感应距离的非接触式IC卡。

发明内容

因此，本实用新型的一个目的是提供这样一种非接触式IC卡，该IC卡与读写器之间的感应距离有明显提高。

依据本实用新型的一个方面，一种非接触式IC卡，包括IC卡芯片部分和天线部分，在形成所述天线部分的线圈所包围的空间内部分或全部地添加有增强磁导率的材料。

依据本实用新型的另一个方面，一种非接触式IC卡，包括IC卡芯片部分、天线部分、上覆盖薄膜和承载薄膜，其中在所述上覆盖薄膜和/或承载薄膜中对应于形成所述天线部分的线圈所包围的空间的区域内部分或全部地添加有增强磁导率的材料。

附图概述

从以下对本实用新型较佳实施例的描述并结合附图，将使本实用新型的目的、特征和优点变得更加明显起来，其中：

图1是示出非接触式IC卡的内部结构的示意图；

图2是示出非接触式IC卡与IC卡读写器之间的通信情况的示意图；

图3是示出依据本实用新型的一个实施例填充有磁性和/或金属介质的非接触式IC卡的内部结构的示意图；

图4是示出沿图3中的A-A线获得的非接触式IC卡的剖面图。

本实用新型的较佳实施方式

以下，将参考附图3和4来具体描述依据本实用新型的非接触式IC卡。

图4是依据本实用新型一个实施例的非接触式IC卡的剖面图。如图3所示，目前所使用的非接触式IC卡一般包括位于IC卡最外层的顶层和底层覆盖薄膜3和6，用以保护IC卡内部的各个部分；位于底层覆盖薄膜6上的承载薄膜5；由承载薄膜5所承载的IC卡芯片部分1和天线部分2；位于顶层覆盖薄膜3以下的上覆盖薄膜4，该薄膜4通常可通过冲压形成；以及填充在上覆盖薄膜4中的IC卡芯片部分2上方的填充物7，用以保护该芯片部分。通过在顶层和底层覆盖薄膜3和6上加温和加压，就可形成一般的非接触式IC卡。

如图4所示，依据本实用新型的一个实施例，在形成IC卡前，在承载薄膜5上由形成天线部分2的线圈所包围的空间中添加可增强磁导率的材料，该空间未被IC卡芯片部分1及天线部分2所覆盖，从而可增强天线部分2的线圈的磁场强度。这样，可相应地增加IC卡的感应距离。

虽然图4中示意性地示出了添加增强磁导率的材料的区域，但本实用新型不限于此。可根据所需的感应距离，在所述区域中部分或全部地添加增强磁导率的材料。此外，还可根据所需的感应距离来调整加到承载薄膜上的增强磁导率的材料的数量，可理解其数量不必是均匀的。用以提高磁场强度的磁导率增强材料可以是磁导率高的铁氧体等磁性材料或本领域内所公知的金属材料，还可使用本领域内所公知的其他材料。

图3是通过剥离图4所示非接触式IC卡的顶层覆盖薄膜3、填充物7和上覆盖薄膜4而得到的平面图，用以示出依据本实用新型的一个实施例添加增强磁导率的材料的空间。如图3的阴影部分所示，可在被天线部分所包围但未被IC卡芯片部分1及天线部分2所覆盖的空间中添加增强磁导率的材料。本领域内的技术人员可理解，例如，可在天线部分2的各匝线圈之间的区域和/或天线部分2的线圈所围绕的中心区域中添加增强磁导率的材料。从而可增强天线部分2的线圈的磁场强度，这样，可相应地增加IC卡的感应距离。

此外，虽然在图中未示出，但可理解的是还可在上覆盖薄膜4和/或承载薄膜5中对应于天线部分2的线圈所包围的空间的区域内添加增强磁导率的材料，以增加IC卡的感应距离。例如，可把增强磁导率的材料添加到上覆盖薄膜4中位于天线部分2上方的区域内，也可添加到承载薄膜5中位于天线部分下方的区域中。可在这些区域部分或全部地添加增强磁导率的材料。

如上所述，通过在非接触式IC卡的天线部分所包围的区域中添加增强磁导率的材料，使得磁场强度的增强非常明显，且成本较低，由此获得的感应距离的增加也不是很明显。

很明显，根据以上的说明，对本实用新型还可以进行不少的改变和变化。因此不难理解，在所附权利要求书的范围内，可以与说明书特定的描述有所不同来实施本实用新型。

Claims

1.一种非接触式IC卡，包括IC卡芯片部分和天线部分，

其特征在于在形成所述天线部分的线圈所包围的空间内部分或全部地添加有增强磁导率的材料。

2.如权利要求2所述的非接触式IC卡，其特征在于在所述线圈所包围的中央区域内添加有所述增强磁导率的材料。

3.如权利要求1或2所述的非接触式IC卡，其特征在于在所述线圈各匝之间的区域内添加有所述增强磁导率的材料。

4.如权利要求1或2所述的非接触式IC卡，其特征在于还包括上覆盖薄膜和承载薄膜，其中在所述上覆盖薄膜和/或承载薄膜中对应于所述线圈所包围的空间的区域内部分或全部地添加有所述增强磁导率的材料。

5.如权利要求3所述的非接触式IC卡，其特征在于还包括上覆盖薄膜和承载薄膜，其中在所述上覆盖薄膜和/或承载薄膜中对应于所述线圈所包围的空间的区域内部分或全部添加有所述增强磁导率的材料。

6.如权利要求1、2和5中任一项所述的非接触式IC卡，其特征在于所述增强磁导率的材料包括从铁氧体、金属中选出的至少一种材料。

7.如权利要求3所述的非接触式IC卡，其特征在于所述增强磁导率的材料包括从铁氧体、金属中选出的至少一种材料。

8.如权利要求4所述的非接触式IC卡，其特征在于所述增强磁导率的材料包括从铁氧体、金属中选出的至少一种材料。

9.一种非接触式IC卡，包括IC卡芯片部分、天线部分、上覆盖薄膜和承载薄膜，其特征在于在所述上覆盖薄膜和/或承载薄膜中对应于形成所述天线部分的线圈所包围的空间的区域内部分或全部地添加有增强磁导率的材料。

10.如权利要求9所述的非接触式IC卡，其特征在于所述增强磁导率的材料包括从铁氧体、金属中选出的至少一种材料。