CN2492009Y - 双回路雷电波发生器的控制装置 - Google Patents

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CN2492009Y CN 01242540 CN01242540U CN2492009Y CN 2492009 Y CN2492009 Y CN 2492009Y CN 01242540 CN01242540 CN 01242540 CN 01242540 U CN01242540 U CN 01242540U CN 2492009 Y CN2492009 Y CN 2492009Y
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张锦旸
廖潮斌
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本实用新型涉及一种双回路雷电波发生器的控制装置,特点是:它包括一CPU控制器;一接收CPU控制器的输出信号并产生高压脉冲的左、右路高压脉冲发生装置;一分别接收左、右路脉冲高压发生装置的输出信号并将其输出的左、右路高压放电线圈;一可设置参数和检测信号的键盘,它将信号输到CPU控制器;一接收CPU控制器输出的设置参数及检测信号并显示的显示器。本实用新型具有控制精度高,能精确控制两组回路中的四个快速间隙的点火时间,使每个回路分别同步地产生相同的雷电冲击波,控制灵活,使用方便。

Description

双回路雷电波发生器的控制装置
本实用新型涉及一种双回路雷电波发生器的控制装置。
双回路雷电波发生器是一种新型的雷电波发生设备,具有良好的性能指标,在大容量的雷电波发生装置中使用这一结构有着明显的优点,是大型试验装置的理想结构形式。由于雷电波的形成受许多不确定因素的影响,如快速间隙接通的时间,接通时电路参数的状态等等,都会导致每一回路的雷电波波形存在一定的差异;被试验样品的电路参数也会影响到雷电波的形状。如何保证在试验中作用于试验样品上的雷电波波形符合相关标准要求且让设备发挥最大效益,是一个十分重要的问题。如果能在试验中通过精确控制两组回路中的四个快速间隙的点火时间,使每个回路分别同步地产生相同的雷电冲击波,对双回路设备正常发挥作用是十分重要的。传统的控制方式是采用电感、电容延迟网络,它存在着调试难度大,调试费时等缺点,很不方便。
本实用新型的目的是提供一种可预先设定双回路的控制精度,精确控制双回路中的四个快速间隙点火时间,使每个回路同步地产生相同的雷电冲击波,控制灵活,使用方便的双回路雷电波发生器的控制装置。
为了达到上述目的,本实用新型是这样实现的,它包括一CPU控制器;一接收CPU控制器的输出信号并产生高压脉冲的左、右路高压脉冲发生装置;一分别接收左、右路高压脉冲发生装置的输出信号并将其输出的左、右路高压放电线圈;一可设置参数和检测信号的键盘,它将该信号输到CPU控制器;一接收CPU控制器输出的设置参数及检测信号并显示的显示装置。
本实用新型的进一步的改进为,CPU控制器(3)的型号为:AT90S8535。左路高压脉冲发生装置包括变压器T0,桥式整流装置D901-D904、D905-D908、D921-D924,蓄能电容C1、C5,电解电容C9,双向可控硅SCR2、SCR3、SCR5、SCR6,单向可控硅SCR1、SCR4,光电耦合器U1、U2,电阻R1-R8,电容C2-C4,C6-C8;桥式整流装置D901-D904的输入端接变压器T0的高压输出端,其输出端通过电阻R1接双向可控硅SCR3的一端,双向可控硅SCR3的另一端接一左路高压放电线圈T1,以控制双回路中左路的一高压间隙开关;蓄能电容C1一端接电阻R1的输出端,另一端接地;电阻R2与电容C2并联后其一端接桥式整流装置D921-D924的输出端,另一端接光电耦合器U1的一输入端;桥式整流装置D921-D924的输入端接变压器T0的低压输出端;单向可控硅SCR1的一端接光电耦合器U1的另一输入端,其另一端接地,其的可控端接上述CPU控制器的22脚;电容C4与电阻R3并联后一端接电阻R1的输出端,另一端接光电耦合器U1的一输出端;光电耦合器U1的另一输出端接双向可控硅SCR2的控制端;电容C3与电阻R4并联后一端接电阻R1的输出端,另一端接双向可控硅SCR2的一端;双向可控硅SCR2的另一端接双向可控硅SCR3的可控端。整流装置D905-D908的输入端接变压器T0的高压输出端,其输出端通过电阻R5接双向可控硅SCR6的一端,双向可控硅SCR6的另一端接一左路高压放电线圈T2,以控制双回路中左路的另一高压间隙开关;电容C5-端接电阻R5的输出端,另一端接地;电阻R8与电容C6并联后其一端接桥式整流装置D921-D924的输出端,另一端接光电耦合器U2的一输入端;单向可控硅SCR4的一端接光电耦合器U2的另一输入端,另一端接地,其的可控端接上述CPU控制器的23脚;电容C8与电阻R7并联后一端接电阻R5的输出端,另一端接光电耦合器U2的一输出端;光电耦合器U2的另一输出端接双向可控硅SCR5的控制端;电容C7与电阻R6并联后一端接电阻R5的输出端,另一端接双向可控SCR5的一端,双向可控硅SCR5的另一端接双向可控硅SCR6的可控端。
右路高压脉冲发生装置与左路高压脉冲装置的结构相同;左路高压放电线圈与右路高压放电线圈结构相同;右路高压放电线圈控制双回路中右路的两高压间隙开关。
本实用新型与现有技术相比,具有如下优点:
1、控制精度高,精确控制两组回路中的四个快速间隙的点火时间,使每个
回路分别同步地产生相同的雷电冲击波;
2、控制灵活,使用方便。
图1为本实用新型的电路方框图;
图2为图1的电路原理图。
下面将结合附图和实施例对本实用新型做进一步的详述:
如图1所示,它包括一CPU控制器(3);一接收CPU控制器(3)的输出信号并产生高压脉冲的左、右路高压脉冲发生装置(2)、(6);一分别接收左、右路高压脉冲发生装置(2)、(6)的输出信号并将其输出的左、右路高压放电线圈(5)、(7);一可设置参数和检测信号的键盘(4),它将该信号输到CPU控制器(3);一接收CPU控制器(3)输出的设置参数及检测信号并显示的显示装置(3)。
如图2所示,CPU控制器3的型号为:AT90S8535。左路高压放电线圈5包括高压放电线圈T1及T2。左路高压脉冲发生装置2包括变压器T0,桥式整流装置D901-D904、D905-D908、D921-D924,蓄能电容C1、C5,电解电容C9,双向可控硅SCR2、SCR3、SCR5、SCR6,单向可控硅SCR1、SCR4,光电耦合器U1、U2,电阻R1-R8,电容C2-C4,电容C6-C8;桥式整流装置D901-D904的输入端接变压器T0的高压输出端,其输出端通过电阻R1接双向可控硅SCR3的一端,双向可控硅SCR3的另一端接一左路高压放电线圈T1,以控制双回路中左路的一高压间隙开关;电容C1一端接电阻R1的输出端,另一端接地;电阻R2与电容C2并联后其一端接桥式整流装置D921-D924的输出端,另一端接光电耦合器U1的一输入端;桥式整流装置D921-D924的输入端接变压器T0的低压输出端;单向可控硅SCR1的一端接光电耦合器U1的另一输入端,另一端接地,其的可控端接上述CPU控制器3的22脚;电容C4与电阻R3并联后一端接电阻R1的输出端,另一端接光电耦合器U1的一输出端,光电耦合器U1的另一输出端接双向可控硅SCR2的控制端;电容C3与电阻R4并联后一端接电阻R1的输出端,另一端接双向可控硅SCR2的一端,双向可控硅SCR2的另一端接双向可控硅SCR3的可控端。桥式整流装置D905-D908的输入端接变压器T0的高压输出端,其输出端通过电阻R5接双向可控硅SCR6的一端,双向可控硅SCR6的另一端接一左路高压放电线圈T2,以控制双回路中左路的另一高压间隙开关;电容C5一端接电阻R5的输出端,另一端接地;电阻R8与电容C6并联后其一端接桥式整流装置D921-D924的输出端,另一端接光电耦合器U2的一输入端;单向可控硅SCR4的一端接光电耦合器U2的另一输入端,其另一端接地,其的可控端接上述CPU控制器3的23脚;电容C8与电阻R7并联后一端接电阻R5的输出端,另一端接光电耦合器U2的一输出端,光电耦合器U2的另一输出端接双向可控硅SCR5的控制端;电容C7与电阻R6并联后一端接电阻R5的输出端,另一端接双向可控硅SCR5的一端,双向可控硅SCR5的另一端接双向可控硅SCR6的可控端。
右路高压脉冲发生装置6与左路高压脉冲装置2的结构相同;左路高压放电线圈与右路高压放电线圈结构相同;在此就不再重复叙述。右路高压放电线圈7控制双回路中右路的两个高压间隙开关。
工作时,如CPU控制器3的22脚发出点火信号,单向可控硅SCR1导通,在电阻R2、电容C2的帮助下使光电耦合器U1快速导通;同样在电阻R3、电容C4及电阻R4、电容C3的帮助下,快速使双向可控硅SCR2和SCR3导通,蓄能电容C1通过可控硅SCR3向高压放电线圈T1放电,从而快速地向间隙开关点火。它点火速度快,能保证双回路中左、右路同时点火。
为了保持双回路雷电波发生装置的输出波形一致,我们对左、右路脉冲高压产生装置2、6的元件进行严格的老化处理和参数筛选;以电阻电容并联方式组成的高压脉冲驱动方式代替一般电路中使用的电平驱动方式,最大限度的降低动作时间的漂移程度;我们使用了光电耦合器有效的避免了强烈电磁干扰。

Claims (5)

1、一种双回路雷电波发生器的控制装置,其特征在于:它包括一CPU控制器(3);一接收CPU控制器(3)的输出信号并产生高压脉冲的左、右路高压脉冲发生装置(2)、(6);一分别接收左、右路高压脉冲发生装置(2)、(6)的输出信号并将其输出的左、右路高压放电线圈(5)、(7);一可设置参数和检测信号的键盘(4),它将该信号输到CPU控制器(3);一接收CPU控制器(3)输出的设置参数及检测信号并显示的显示装置(3)。
2、根据权利要求1所述的双回路雷电波发生器的控制装置,其特征在于:CPU控制器(3)的型号为:AT90S8535。
3、根据权利要求1所述的双回路雷电波发生器的控制装置,其特征在于:左路高压放电线圈(5)包括高压放电线圈T1及T2。
4、根据权利要求1或2或3所述的双回路雷电波发生器的控制装置,其特征在于:左路高压脉冲发生装置(2)包括变压器T0,桥式整流装置D901-D904、D905-D908、D921-D924,蓄能电容C1、C5,电解电容C9,双向可控硅SCR2、SCR3、SCR5、SCR6,单向可控硅SCR1、SCR4,光电耦合器U1、U2,电阻R1-R8,电容C2-C4,C6-C8;桥式整流装置D901-D904的输入端接变压器T0的高压输出端,其输出端通过电阻R1接双向可控硅SCR3的一端,双向可控硅SCR3的另一端接一左路高压放电线圈T1,以控制双回路中左路的一高压间隙开关;蓄能电容C1一端接电阻R1的输出端,另一端接地;电阻R2与电容C2并联后其一端接桥式整流装置D921-D924的输出端,另一端接光电耦合器U1的一输入端;桥式整流装置D921-D924的输入端接变压器T0的低压输出端;单向可控硅SCR1的一端接光电耦合器U1的另一输入端,另一端接地,其的可控端接上述CPU控制器的22脚;电容C4与电阻R3并联后一端接电阻R1的输出端,另一端接光电耦合器U1的一输出端;光电耦合器U1的另一输出端接双向可控硅SCR2的控制端;电容C3与电阻R4并联后一端接电阻R1的输出端,另一端接双向可控硅SCR2的一端;双向可控硅SCR2的另一端接双向可控硅SCR3的可控端;整流装置D905-D908的输入端接变压器T0的高压输出端,其输出端通过电阻R5接双向可控硅SCR6的一端,双向可控硅SCR6的另一端接一左路高压放电线圈T2,以控制双回路中左路的另一高压间隙开关;电容C5-端接电阻R5的输出端,另一端接地;电阻R8与电容C6并联后其一端接桥式整流装置D921-D924的输出端,另一端接光电耦合器U2的一输入端;单向可控硅SCR4的一端接光电耦合器U2的另一输入端,另一端接地,其的可控端接上述CPU控制器的23脚;电容C8与电阻R7并联后一端接电阻R5的输出端,另一端接光电耦合器U2的一输出端;光电耦合器U2的另一输出端接双向可控硅SCR5的控制端;电容C7与电阻R6并联后一端接电阻R5的输出端,另一端接双向可控SCR5的一端,双向可控硅SCR5的另一端接双向可控硅SCR6的可控端。
5、根据权利要求1所述的双回路雷电波发生器的控制装置,其特征在于:右路高压脉冲发生装置(6)与左路高压脉冲装置(2)的结构相同;左路高压放电线圈(5)与右路高压放电线圈(7)结构相同;右路高压放电线圈(7)控制双回路中右路的两间隙开关。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN102288932A (zh) * 2011-05-10 2011-12-21 山东电力研究院 一种输电线路雷击故障波形精确测量方法
CN102135575B (zh) * 2010-01-27 2013-06-19 中国电信股份有限公司 一种检验调制解调器终端雷电防护能力的装置和方法

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