CN2418487Y - 单相电能表防窃电装置 - Google Patents

Abstract

单相电能表防窃电装置,属于一种电能表防窃电装置。常见的防窃电器;当窃电行为发生时,靠继电器工作切断供电电源,继电器长时间运行易过热损坏。本实用新型在继电器控制回路设计了间歇振荡电路,当窃电行为发生时,继电器间歇通电,供电电源间歇断电,能有效的防止窃电行为,不会过热损坏,且线路简单,成本低,体积小,适宜批量生产。

Description

单相电能表防窃电装置

本实用新型属于测量电变量技术领域的单相电能表防窃电装置。

为防止电能表“摘掉电压勾”、“短路电流线圈”、“越表”、“一火一地”等诸多窃电手段，目前已研制多种单相电能表防窃电装置，但无论有无窃电行为发生，这些装置的部分或全部电路均要通电工作，一则消耗电能或影响电能表的计量，再者反窃电装置长期通电容易过热烧毁，一些窃电者也可利用反防窃电手段损坏防窃电装置，所以付诸实际应用时，存在一定同题。

本实用新型目的，为提供一种新型防窃电装置，由于仅在窃电行为发生时，间歇短暂工作，不影响电能表计量不会过热烧毁，能有效防止窃电，且成本低，体积小。

本实用新型基本技术解决方案是：将可控硅控制继电器执行电路；电流及电压信号控制电路；可控硅控制极间歇振荡电路，全都装于电度表内；

电流互感器L及电阻R1串联后一端接电能表1端，另一端接二极管D1正极，二极管负极接可控硅控制极，构成电流及电压信号控制电路；当窃电行为发生时，L或R1上将产生电压，经二级管D1整流后可触发可控硅导通；

继电器的常闭触点J11联接在电能表的4端和5端之间，继电器的常开触点J12联接电能表的4端及间歇振荡电路二级管D2正极，构成防窃电执行回路，当窃电行为发生时，继电器得电工作，继电器的常闭触点J11断开电能表4端及5端同时，切断负载电源；

晶体管T2发射极接电能表1端，集电极接可控硅控制极，基极接晶体管T1发射极及电阻R2，晶体管T1基极接于R3，C3串联的阻容充电回路中点，构成可控硅控制极间歇振荡电路；

窃电行为发生时，继电器常开触点J12闭合，间歇振荡电路得电工作；T2截止时，允许可控硅导通，T2导通时，可以将导通的可控硅截止，从而使继电器间歇通断，电源向负载提供的为断续导通电源，常时间使用可能烧毁用电设备，从而促使窃电者必须立即取消窃电行为。

本实用新型防窃电装置有如下优点：

1、防窃电原理构思奇巧，且实施防窃电手段前有警告，预留拆除窃电装置预备时间，防窃电有礼有节，不能使窃电者有持无恐。

2、防窃电装置仅在窃电行为发生时，周期短暂工作，无过热及烧毁危险，能有效防止窃电行为。

3、原理简单，体积小，成本低，可以安放在普通电能表内部，且对现有电能表不作改动，便于实施。

附图1：为本实用新型实施例的外型图；

附图2：为本实用新型在单相电能表内标准接线图；

附图3：为本实用新型电器控制原理图。

附图3中，方框1部分可控硅控制继电器防窃电执行回路；方框2部分为电流及电压信号检测电路；方框3部分为可控硅控制极间歇振荡电路。

下面结合附图对本实用新型的实施例作进一步说明：

附图1表示附图3中所述的方框1中可控硅控制继电器防窃电执行回路；方框2中电压及电流信号检测电路；方框3中可控硅控制极间歇振荡电路，均封装在FJDU小盒内；电流互感器L与电能表1、2、4、5四个接线端子及FJDU小盒通过导线相互连接，FJDU小盒及电流互感器L均可装在电能表内。

附图2中，FJDU表示装于电能表内的防窃电装置小盒，L表示电互感器，各标号表示的是电能表的接线端子，其中1、3为电流线圈，2、4为电压线图，电源进线为1、4，输出为3、5，电能表1、2间有一小钩相连，其作用是得到一个电压线圈电源，1、2之间小钩摘掉后，电压线圈失电，电能表不转。

附图2中，电流互感器L初级穿过两条电线；一条由电源经电度表1端，电度表电流线圈，电度表3端流向负载；另一条由负载经电度表5端，电度表4端流向电源。

附图3为防窃电装置电原理图，继电器J的通断由可控硅控制，正常供电时，可控硅控制极间串联的电流互感器线圈L次级及电阻R1上均无电压，可控硅截止，继电器不工作，当窃电行为发生时，由于电流或电压不平衡，电流互感器或电阻R1上将产生电压，此电压经二级管D1整流后使可控硅导通，继电器通电，供电停止。

窃电行为发生时，继电器J动作，切断供电电源的同时，继电器常开触点J12闭合，使可控硅控制极间歇振荡电路通电工作，电容C3经R3电阻充电，电压上升，当C3电压大于1．2伏时，晶体管T1导通，T1导通同时，晶体管T2基极获得电流导通，T2导通后T2集电极电压，即可控硅控制极电压降至近似0伏，可控硅截止，继电器断电，供电电源再次经继电器的常闭触点向负载供电。

C3上电压由0伏充电至1．2伏的几十秒时间内，电源停止，构成对窃电行为的第一次警告。

此后，C3上电压经T1基极，发射极，电阻R2及晶体管T2基极放电，放电电流逐渐减少，当不足以维持T2导通时，T2截止，由二级管D2整流的可控硅控制极电压使可控硅再次导通，继电器通电运作，供电电源再次停止，此段时间即为容留窃电者放弃窃电行为预备时间。

如窃电行为仍不停止，间歇振荡电路继续通电工作，C3继续充电，直至T2导通，可控硅截止，继电器断电周而复始，继续进行，直至窃电行为停止，不过此时因C3上有残余电压，充放电时间比第一次要缩短一些。

由于窃电行为存在时，供电电源周期通断，长时间使用会烧毁用电设备，故窃电行为不能得逞。

本实用新型已成功地安装在DD862，DD28等电能表上，实际运行效果良好，被有关单位选定为首选防窃电装置。

Claims (4)

1、一种单相电能表防窃电装置，由可控硅控制继电器执行电路，电流及电压信号控制电路，可控硅控制极是歇振荡电路组成，其特征在于：全部电路可装于普遍电能表内；

2、根据权利要求1所述，其特征在于：继电器的常闭触点J11联接在电能表的4端和5端之间，继电器的常开触点J12联接电能表的4端及间歇振荡电路二极管D2正极，构成防窃电执行回路；

3、根据权利要求1所述，其特征在于：电流互感器L及电阻R1串联后一端接电能表1端，另一端接二极管D1正极，二极管D1负极接可控硅控制极，构成电流及电压信号控制电路；

4、根据权利要求1所述，其特征在于：晶体管T2发射极接电能表1端，集电极接可控硅控制极，基极接晶体管T1，发射极及电阻R2，晶体管T1基极接于R3，C3串联的阻容充电回路中点，构成可控硅控制极间歇振荡电路。

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