CN2255100Y - 安装面绝缘型功率器件 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及一种半导体器件,它主要是在现有结构中设置了导热绝缘层及底板,导热绝缘层位于热沉与底板之间,热沉钎焊在该导热绝缘层上,而导热绝缘层则钎焊在底板上,从而使本实用新型具有结构设计合理、热阻值低、可靠性高及使用寿命长等优点。

Description

安装面绝缘型功率器件
本实用新型涉及一种半导体器件,特别是一种安装面绝缘型功率器件,它只适用于功率为80瓦至300瓦的器件。
在目前公开使用的大功率器件(半导体器件)中,其封装置主要采用塑封或金属封装形式,其结构如图1、图2所示,该功率器件主要由一块芯片1′、热沉2′、引脚3′、铅丝4′及外壳5′组成,芯片1′通过钎焊固定于热沉2′上,该热沉2′是一块具有必要重量的高导热率金属。同时,利用超声波,将铅丝4′焊接在芯片1′和引脚3′之间,从而完成电极引出功能,引脚3′为三只以下,可以是三只,也可以是两只,最后,通过外壳5′将所有部件封固起来,并造出所需的外型,该外壳5′即模塑料。使用时,引脚3′按功能需要被连接到所需的电路中去,器件本身则通过安装孔固定到表面积足够大的散热器上,由于热沉2′是和芯片1′某一电极相连的,故在大多数情况下,需采取辅助的绝缘措施,用40至75微米的云母片(导热率为0.0059瓦/厘米.开尔文)或涤纶薄膜(导热率为0.0025瓦/厘米.开尔文)涂覆导热硅脂后贴装于功率管与散热器之间,这样做虽然解决了绝缘问题,但在界面处引入了额外的接触和传导热阻,理论及实践都证明,其增额可达30%-70%不等,这导致了实际耗散功率下降,可靠性降低;此外,要求散热器表面平直高较高,否则不易于降低接触热阻;又由于绝缘片要以人工方式安装,并暴露在外,易损坏,产生击穿漏电等故障。
本实用新型的目的是克服现有技术中所存在的上述不足,而提供一种结构设计合理、热阻值低、可靠性高且不易损坏的安装面绝缘型功率器件。
本实用新型所提出的目的可以通过以下技术方案来实现:本实用新型在外壳内还设置有导热绝缘层及底板,导热绝缘层位于热沉及底板之间,热沉钎焊在该导热绝缘层上,而导热绝缘层则钎焊在底板上。
附图说明如下:
图1为现有技术中功率器件的主视(局部剖)图。
图2为现有技术中功率器件的侧视(剖视)图。
图3为本实用新型的主视图(局部剖)。
图4为本实用新型的侧视图(剖视)。
下面本实用新型将结合附图、并通过实施例来进一步详述。
参见图3、图4,本实用新型主要是在现有技术的基础上,为降低器件的总热阻及增大器件的实际耗散功率,并提高器件的可靠性和简化操作,增加了导热绝缘层6,其封装在外壳5内,并将其置于底板7上。本实用新型包括一块芯片1、热沉2、引脚3、铅丝4、导热绝缘层6和底板7,导热绝缘层6位于热沉2与底板7之间,热沉2钎焊在该导热绝缘层6上,而导热绝缘层6则钎焊在底板7上。芯片1钎焊在热沉2上,该芯片1只有一块,铅丝4完成芯片1和引脚4间的电连接,从而完成电极的引出功能,引脚4为三只以下,可以是两只,也可以是三只;在此外,底板7的作用类似于热沉2,但由于该底板7是导热绝缘层6、热沉2及芯片1的共同承载体,所以取之为底板。
工作时,芯片1中产生的热量被热沉2迅速吸收并沿平面横向扩散开去,然后穿过导热绝缘层6至底板2,底板2再次将热量沿横向扩散,以最大表面积的形式通过安装界面,以便很好地导热,但底板7都是电绝缘的。
本实用新型的芯片1可采用双极型晶体管、场效应晶体管、肖特基二极管芯片及正或负温度系数热敏电阻;热沉2可采用铜及铜合金,厚度可在1-4毫米之间,面积约为1-6厘米2;导热绝缘层6的面积与所使用的热沉2的面积相当,厚度在0.4-1毫米之间,可以是氧化铝陶瓷薄片、氮化铝薄片,莫来石薄片等;底板7材料可选用铜合金、铁、铝等,其面积比所用热沉2大20%-60%。
本实用新型与现有技术相比,具有以下优点:1、结构设计合理,由于采用了导热绝缘层及底板结构,无需用额外的绝缘手段,可将器件本身直接固定到外散热器上,工艺简单、可靠性高;2、热阻对比测试表明,在稳态条件上,本实用新型结构比现有结构的热阻值低30%左右,使用效果好;3、由于设计的结构合理,故其散热好、使用寿命长。

Claims (1)

1、一种安装面绝缘型功率器件,包括芯片、热沉、引脚、铝丝及外壳,芯片钎焊固定于热沉上,铝丝固定在芯片与引脚之间,其中芯片只有一块,引脚为三只以下,其特征在于:在外壳(5)内还设置有导热绝缘层(6)及底板(7),导热绝缘层(6)位于热沉(2)与底板(7)之间,热沉(2)钎焊在该导热绝缘层(6)上,而导热绝缘层(6)则钎焊在底板(7)上。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN107611108A (zh) * 2017-08-31 2018-01-19 西安龙腾新能源科技发展有限公司 功率半导体单管的封装方法

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