CN2240374Y - 半导体激光血管内照射治疗仪 - Google Patents

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施良顺
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Abstract

本实用新型提供了一种半导体激光血管内照射治疗仪。其由电源、半导体激光器、激光准直器、耦合连接器和带耦合头的光纤及光针组成。由于本实用新型采用工作波长为633nm的半导体激光器代替了现有技术中的气体He-Ne激光器，使仪器体积大大减小，重量减轻100多倍、而工作电压由现有技术的～1500V降低到直流3～6V，避免了操作、使用过程中可能发生的危险，并且能够达到同样的输出激光功率1.5～2mW，在临床使用上达到同样的治疗效果。

Description

半导体激光血管内照射治疗仪
本实用新型涉及一种激光血管内照射治疗仪，特别是涉及半导体激光血管内照射治疗仪。
目前，用于临床的激光血管内照射治疗仪只有气体He-Ne激光器，如专利号为94229151.4的JNZ型低能量He-Ne激光血管内照射治疗仪。由于这种治疗仪采用的是气体He-Ne激光器，工作波长为633nm。所以，存在以下不足：(1)气体He-Ne激光管体积较大，造成治疗仪体积也较大，在使用过程中不太方便。(2)气体He-Ne激光管的工作电压为～1500V，启辉电压高达～5000V，在安装和使用中存在着不安全因素。
本实用新型的任务是克服上述技术中的不足，提供一种半导体激光血管内照射治疗仪。半导体激光器的工作波长为633nm，工作电压低，体积小，所制成的治疗仪安全可靠，便于携带和使用。
解决的方案是将半导体激光器前装有激光准直器，采用耦合连接器将激光器和激光准直器与带耦合头的光纤和光针相连接，即组成半导体激光血管内照射治疗仪。
本实用新型比现有技术具有以下优点：
1、由于采用了半导体激光器，工作电压降为3～6V，而气体He-Ne激光管的启辉电压为～5000V，工作电压为～1500V，这大大降低了操作使用过程中的危险性。
2、由于采用了工作波长为633nm的半导体激光器，所制出的治疗仪与气体He-Ne激光血管内照射治疗仪相比，重量减轻了约100倍，体积也大大缩小，便于携带和使用。
以下结合附图对本实用新型的实施例进行叙述。
图1为本实用新型的主剖视图。
参照图1，本实用新型由外壳(1)、电源(2)、开关(3)、半导体激光器(4)、激光准直器(5)、耦合连接器(6)、带有耦合头的光纤(7)、光针耦合头(8)、光针(9)。其中的技术关键是耦合连接器，它将半导体激光器和激光准直器与带耦合头的光纤相连接，必须保持机械中心和光束中心相一致。本实用新型的最佳实施例采用的是HL6312型半导体激光器或功率为3～10mW的半导体激光器，它们的工作波长为633nm，电源是交直流稳压电源，其输入电压为～220V，输出直流电压为3～6V，也可采用3～6V的干电池。由于本实用新型采用了半导体激光器，在操作使用中工作电压由现有技术的工作电压～1500V降低到直流电压3～6V，大大降低了危险性，并且，仪器的体积和重量也大大减小，方便了操作和使用，并且能够达到临床使用的效果。

Claims (6)

1、一种半导体激光血管内照射治疗仪，其特征在于该治疗仪是由电源、半导体激光器、激光准直器、耦合连接器、带耦合头的光纤和光针等组成。
2、根据权利要求1所述的半导体激光血管内照射治疗仪，其特征在于电源可采用交直流稳压电源。
3、根据权利要求2所述的半导体激光血管内照射治疗仪，其特征在于交直流稳压电源的输入电压为～220V，输出直流电压为3～6V。
4、根据权利要求1所述的半导体激光血管内照射治疗仪，其特征在于电源可采用直流电压为3～6V的干电池。
5、根据权利要求1所述的半导体激光血管内照射治疗仪，其特征在于半导体激光器为HL6312型激光器，工作波长为633nm。
6、根据权利要求1所述的半导体激光血管内照射治疗仪，其特征在于半导体激光器的输出激光功率为3～10mW。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1056777C (zh) * 1997-06-20 2000-09-27 吴小光 血液激光治疗的体外照射治疗仪
CN103170023A (zh) * 2011-12-22 2013-06-26 张涛 一种艾滋病治疗仪及制造方法

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