CN221149956U - 湿制程处理设备 - Google Patents
湿制程处理设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN221149956U CN221149956U CN202322980641.5U CN202322980641U CN221149956U CN 221149956 U CN221149956 U CN 221149956U CN 202322980641 U CN202322980641 U CN 202322980641U CN 221149956 U CN221149956 U CN 221149956U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- reaction
- container
- solution
- microbubble generator
- stationary
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 396
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 288
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 85
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 76
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 76
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 61
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000005273 aeration Methods 0.000 claims description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 6
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 76
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 62
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 58
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 57
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 23
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 21
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 9
- 239000002101 nanobubble Substances 0.000 description 7
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 238000005276 aerator Methods 0.000 description 3
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 3
- 240000002853 Nelumbo nucifera Species 0.000 description 2
- 235000006508 Nelumbo nucifera Nutrition 0.000 description 2
- 235000006510 Nelumbo pentapetala Nutrition 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
本实用新型提供了一种湿制程处理设备。该湿制程处理设备包括:至少一个微气泡发生器,具有液体注入口和气体注入口,液体注入口用于注入液体至微气泡发生器,气体注入口用于注入气体至微气泡发生器,微气泡发生器用于根据液体和气体产生微气泡;至少一个静置容器,具有第一注入口和第一排出口,第一注入口与微气泡发生器的出口连接,静置容器用于盛放反应溶液,并使微气泡自微气泡发生器进入反应溶液中,形成目标反应溶液;至少一个反应容器,具有第二注入口,第二注入口与第一排出口连接,用于使目标反应溶液自静置容器流入反应容器。通过本申请,解决了气泡在溶液中上升速度太快,且气泡太大的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种湿制程处理设备。
背景技术
现有技术对电池片进行刻蚀或抛光的过程中,通常采用通过一根圆管,然后在圆管上设置直径约为1mm左右的孔,圆管的一端与气源(氮气)连接,通过在池内鼓入气泡(例如,气泡的直径为3mm至5mm),将刻蚀或抛光溶液与电池片反应产生的气泡加速排出,从而加大刻蚀或抛光深度,使得电池片表面有更大、更深的绒面或更光亮的抛光面。
然而,上述方法中使用的气泡在溶液中存在上升速度太快,且气泡大小远大于反应产生的气泡,从而被鼓入的气泡中只有少量的气泡能够用于排出反应产生的气泡,较少的气泡限制了对电池片表面气泡的排除效果,且在反应时间较长的情况下,甚至还会导致电池片出现气泡缺陷的问题,从而影响电池片效率。
另外,由于在刻蚀或抛光过程中,被鼓入的气泡中只有少量的气泡能够用于排出反应产生的气泡,从而导致电池片的表面基本上均被溶液包裹,从而电池片表面的凹凸刻蚀或抛光效果不明显,会导致部分区域未抛光干净的情况,或导致绒面金字塔结构比较粗大,未形成纳米结构的凸起(荷叶效应),从而造成电池片低效。为了避免上述情况出现,采用加长刻蚀或抛光的时间的措施,但是加长刻蚀或抛光的时间又会导致电池片的减重减薄量较大,电池片的力学性能会被减弱,使得电池片容易出现隐裂缺陷。
因此,亟需一种能解决气泡在溶液中上升速度太快,且气泡太大的反应装置。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种湿制程处理设备,以解决现有技术中气泡在溶液中上升速度太快,且气泡太大的问题。
为了实现上述目的,根据本实用新型的一个方面,提供了一种湿制程处理设备,包括:至少一个微气泡发生器,具有液体注入口和气体注入口,所述液体注入口用于注入液体至所述微气泡发生器,所述气体注入口用于注入气体至所述微气泡发生器,所述微气泡发生器用于根据所述液体和所述气体产生微气泡;至少一个静置容器,具有第一注入口和第一排出口,所述第一注入口与所述微气泡发生器的出口连接,所述静置容器用于盛放反应溶液,并使所述微气泡自所述微气泡发生器进入所述反应溶液中,形成目标反应溶液;至少一个反应容器,具有第二注入口,所述第二注入口与所述第一排出口连接,用于使所述目标反应溶液自所述静置容器流入所述反应容器。
进一步地,所述静置容器包括第二排出口,所述第二排出口与所述液体注入口连接,用于使所述反应溶液自所述静置容器进入所述微气泡反应器。
进一步地,所述微气泡发生器包括:水路系统,具有所述具有液体注入口,用于注入所述液体至所述微气泡发生器;气路系统,具有所述气体注入口,用于注入所述气体至所述微气泡发生器;溶气电机泵,具有第一入口和第二入口,所述第一入口与所述水路系统的出口连通,所述第二入口与所述气路系统的出口连通,所述溶气电机泵用于根据所述液体和所述气体生成水气混合物;微气泡生成系统,所述微气泡生成系统的入口与所述溶气电机泵的出口连通,所述微气泡生成系统的出口与所述第一注入口连接,所述微气泡生成系统用于基于所述水气混合物,以形成微气泡。
进一步地,所述微气泡发生器包括微纳米曝气头,所述微纳米曝气头设置在所述静置容器中。
进一步地,所述湿制程处理设备还包括:控制部,所述控制部设置于所述静置容器和所述反应容器之间,用于控制所述静置容器中的所述目标反应溶液流入所述反应容器的流量。
进一步地,所述微气泡发生器、所述静置容器和所述反应容器均包括多个,且多个所述微气泡发生器、多个所述静置容器和多个所述反应容器一一对应。
进一步地,所述静置容器中设置有第一活动盖板,所述第一活动盖板上设置有溶液注入口,所述反应容器中设置有第二活动盖板,其中:所述第一活动盖板放置在所述静置容器上,以密封所述静置容器;所述第二活动盖板放置在所述反应容器上,以密封所述反应容器。
进一步地,所述湿制程处理设备与真空泵连接,所述第二活动盖板设置有贯穿所述的第二活动盖板的抽真空管,所述抽真空管用于连接所述真空泵。
进一步地,所述湿制程处理设备还包括:夹取装置,用于夹取目标器件并放置所述目标器件至所述反应容器。
为了实现上述目的,根据本实用新型的一个方面,提供了一种电池片的刻蚀方法,采用如上述的湿制程处理设备进行刻蚀,所述刻蚀方法包括:注入刻蚀溶液至所述湿制程处理设备的静置容器中;注入所述刻蚀溶液和气体至所述湿制程处理设备的微气泡发生器中,生成微气泡;将所述微气泡注入所述静置容器内的所述刻蚀溶液中,在所述刻蚀溶液中微气泡达到饱和的情况下,以在所述静置容器中形成第一目标反应溶液;将所述第一目标反应溶液注入所述湿制程处理设备的反应容器中,以通过所述第一目标反应溶液对放置在所述反应容器中的电池片进行刻蚀处理。
根据本实用新型的另一方面,提供了一种电池片的抛光方法,采用如上述的湿制程处理设备进行抛光,所述抛光方法包括:注入抛光溶液至所述湿制程处理设备的静置容器中;注入所述抛光溶液和气体至所述湿制程处理设备的微气泡发生器中,生成微气泡;将所述微气泡注入所述静置容器的所述抛光溶液中,以使所述微气泡充满所述抛光溶液至饱和,以在所述静置容器中形成第二目标反应溶液;将所述第二目标反应溶液持续注入所述湿制程处理设备的反应容器中,以通过所述第二目标反应溶液对放置在所述反应容器中的电池片进行抛光处理。
应用本实用新型的技术方案,提供一种湿制程处理设备,该湿制程处理设备包括至少一个微气泡发生器、至少一个静置容器以及至少一个反应容器,且微气泡发生器和静置容器连接,静置容器和反应容器连接,因此在静置容器中盛放反应溶液的情况下,能够通过微气泡发生器产生微气泡,并将产生的微气泡注入至静置容器中,使得在静置容器中能够形成目标反应溶液,进而能够将目标反应溶液注入至反应容器中,使得该反应容器中具有上述目标反应溶液。即本申请能够通过上述湿制程处理设备的微气泡发生器产生微气泡,该微气泡相比于现有技术中通过圆管上设置的孔产生的普通气泡具有更小的直径,从而使其在溶液中受到的浮力远远小于普通气泡在溶液中所受到的浮力,所以相比于现有技术中的气泡,微气泡的上升速度缓慢,且该微气泡受到表面张力的影响更大并且会促使微气泡收缩,难以长大,在溶液中停留的时间更长,进而解决了气泡在溶液中上升速度太快,且气泡太大的问题。
附图说明
构成本实用新型的一部分的说明书附图用来提供对本实用新型的进一步理解,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
图1示出了根据本实用新型一个实施例的湿制程处理设备的结构示意图;
图2示出了根据本实用新型另一个实施例的湿制程处理设备的结构示意图;
图3示出了根据本实用新型实施例的湿制程处理设备中,微气泡发生器和静置容器的连接关系示意图;
图4示出了根据本实用新型实施例的湿制程处理设备中,反应容器的结构示意图。
其中,上述附图包括以下附图标记:
10、微气泡发生器;20、静置容器;30、反应容器;40、控制部;50、夹取装置;101、液体注入口;102、气体注入口;103、微气泡;201、第二排出口;202、第一排出口;301、第二活动盖板;302、抽真空管;303、第二溶液排出口;110、微纳米曝气头;120、溶气电机泵;130、微气泡生成系统;210、第一注入口;220、第一活动盖板;230、溶液注入口;240、第一溶液排出口;310、第二注入口。
具体实施方式
需要说明的是,在不冲突的情况下,本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。
为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本实用新型保护的范围。
需要说明的是,本实用新型的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本实用新型的实施例。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
为了方便理解,首先对本申请中的微气泡发生器和微气泡进行说明。
本申请中的微气泡发生器用于产生微气泡。例如,该微气泡的气泡直径可以在100μm以下。又例如,该微气泡的气泡直径可以在50μm以下。
当然,随着产生的微气泡直径的不断缩小,该微气泡也可以称为纳米气泡(例如,气泡直径在100nm以下)、微纳米气泡(气泡直径在微米气泡与纳米气泡之间)等。相应地,该微气泡发生器也可以称为纳米气泡发生器、微纳米气泡发生器等。
正如背景技术中所提到的,现有技术中通过采用一根圆管,然后在圆管上设置直径约为1mm左右的孔,圆管的一端与气源(氮气)连接,进而在池内鼓入气泡,将刻蚀或抛光溶液与电池片反应产生的气泡加速排出,从而达到对电池片表面进行刻蚀和抛光的目的,然而,现有技术中使用的气泡在溶液中存在上升速度太快,且气泡大小远大于反应产生的气泡,从而被鼓入的气泡中只有少量的气泡能够用于排出反应产生的气泡,较少的气泡限制了对电池片表面气泡的排除效果,且在反应时间较长的情况下,甚至还会导致电池片出现气泡缺陷的问题,从而影响电池片效率。
此外,在刻蚀或抛光过程中,被鼓入的气泡中只有少量的气泡能够用于排出反应产生的气泡,电池片的表面基本上均被溶液包裹,从而电池片表面的凹凸刻蚀或抛光效果不明显,例如,会出现部分区域未抛光干净、金字塔结构比较粗大、金字塔结构的间距较大、未形成纳米结构的凸起等情况。如果增加刻蚀或抛光的时长,电池片减重减薄量较大,减弱了电池片的力学性能,导致电池片容易出现隐裂缺陷。
为了解决上述技术问题,本申请的申请人提供给了一种湿制程处理设备。
根据本申请的一个实施例,提供了一种湿制程处理设备,如图1所示,包括:至少一个微气泡发生器10,具有液体注入口101和气体注入口102,液体注入口101用于注入液体至微气泡发生器10,气体注入口102用于注入气体至微气泡发生器10,微气泡发生器10用于根据液体和气体产生微气泡;至少一个静置容器20,具有第一注入口210和第一排出口202,第一注入口210与微气泡发生器10的出口连接,静置容器20用于盛放反应溶液,并使微气泡自微气泡发生器10进入反应溶液中,形成目标反应溶液;至少一个反应容器30,具有第二注入口310,第二注入口310与第一排出口202连接,用于使目标反应溶液自静置容器20流入反应容器30。
上述实施方式中,能够通过上述湿制程处理设备的微气泡发生器10产生微气泡,该微气泡相比于现有技术中通过圆管上设置的孔产生的普通气泡,微气泡的直径远远小于现有技术中的气泡,在溶液中受到的浮力远远小于普通气泡在溶液中所受到的浮力,所以微气泡的上升速度缓慢,且该微气泡受到表面张力的影响更大并且会促使微气泡收缩,不会长大,在溶液中停留的时间更长,从而解决了气泡在溶液中上升速度太快,且气泡太大的问题。可选地,上述微气泡的直径可以为0.05~5μm。
可选地,参考图2,在另一些可选的实施方式中,上述至少一个微气泡发生器可以包括有微纳米曝气头110,该微纳米曝气头110可以直接设置在上述静置容器20中,微气泡可以直接在静置容器中通过微纳米曝气头生成。作为一种方式,经微纳米曝气头110处理后,微气泡的直径可以进一步减小。
可以理解的是,由于从微气泡发生器10中跑出的微气泡中可以含有少量直径大于微气泡直径的大气泡,因此在上述微气泡发生器10和反应容器30之间设置有上述静置容器20,使得微气泡发生器10中跑出的气泡(可能包括微气泡和大气泡)首先在该静置容器20中静置一段时间,从而使得静置容器20中大气泡的数量减少,进而减少进入反应容器30中的大气泡。
其中,上述反应溶液可以为化学剂,上述湿制程处理设备可以应用于采用化学剂对目标器件进行相应处理的相关领域,示例性地,上述相应处理包括但不限于采用化学剂对目标器件进行刻蚀,或采用化学剂对目标器件进行清洗、或采用化学剂对目标器件进行抛光等,上述目标器件包括但不限于电池片以及应用于半导体领域内的各种晶片或晶圆等,本领域技术人员可以根据实际需要选择合理的化学剂注入上述静置容器20中,以及根据实际需要选择合理的目标器件放置在上述反应容器30中,使得通过上述湿制程处理设备得到目标反应溶液之后,能够将目标器件放置在反应容器30中,且由于该目标反应溶液中充满微气泡,从而使得目标器件与目标反应溶液反应能够更加充分从而达到通过上述湿制程处理设备生成的目标反应溶液对目标器件进行相应处理的目的。
示例性地,上述反应溶液或化学剂可以为刻蚀溶液,上述目标器件可以为电池片,从而为了对电池片进行刻蚀,在上述静置容器20中放置刻蚀溶液,在微气泡发生器10中生成微气泡,其中,上述微气泡可以通过液体注入口101注入的液体和气体注入口102注入的气体生成,由于上述静置容器20的第一注入口210和微气泡发生器10的出口连接,从而产生的微气泡能够通过第一注入口210直接注入刻蚀溶液中,并在静置容器20的溶液中的微气泡稳定(或饱和)后,能够在静置容器20中形成目标刻蚀溶液(即目标反应溶液),进而由于反应容器30的第二注入口310和静置容器20的第一排出口202连接,静置容器20中的目标刻蚀溶液能够注入至反应容器30中,从而在将电池片放置在反应容器30中时,该电池片能够和反应容器30中的目标刻蚀溶液进行反应,达到通过目标刻蚀溶液对电池片的表面进行刻蚀的目的。可选地,上述刻蚀溶液可以为氢氧化钾(KOH)、氢氟酸(HF)或者水(H2O)等。
可选地,可以通过观察静置容器20的溶液的状态判断该溶液中的微气泡是否饱和或稳定。示例性地,在静置容器20的溶液中的微气泡饱和时,该溶液呈现为乳浊状。可选地,还可以通过取样该静置容器20的溶液进行分析以判断该溶液中的微气泡是否达到饱和。关于此,下文不再赘述。
进一步地,由于该目标刻蚀溶液中充满微气泡,且微气泡表面带有负电荷(微气泡本身的性质决定的),所以该微气泡能够吸附在电池片的表面,从而电池片表面的目标刻蚀溶液能够被吸附在电池片表面的微气泡隔开,从而使得电池片的部分表面与目标刻蚀溶液接触,并被目标刻蚀溶液刻蚀,另一部分被微气泡隔开的表面不与目标刻蚀溶液接触,从而不会被目标刻蚀溶液刻蚀,且由于微气泡的直径较小,从而在选择刻蚀之后,电池片的表面会形成间距较小的凸起或凹坑,从而能够使得电池片表面的制绒效果更好,且不会造成电池片表面的刻蚀量过多的问题,从而相比于现有技术,不仅解决了电池片表面的凹凸刻蚀不明显的问题,还避免了刻蚀造成的电池片减重减薄量较大的问题,从而使得电池片的效率得到提升,且不会造成电池片的力学性能减弱,以及避免了电池片的力学性能减弱导致的电池片容易出现隐裂缺陷的问题。
示例性地,上述反应溶液或化学剂可以为清洗溶液,上述目标器件可以为电池片,从而为了对电池片进行清洗,在上述静置容器20中放置清洗溶液,在微气泡发生器10中生成微气泡,其中,上述微气泡可以通过液体注入口101注入的液体和气体注入口102注入的气体生成,由于上述静置容器20的第一注入口210和微气泡发生器10的出口连接,从而产生的微气泡能够通过第一注入口210直接注入清洗溶液中,并在静置溶液中的微气泡稳定(或饱和)后,能够在静置容器20中形成目标清洗溶液(即目标反应溶液),进而由于反应容器30的第二注入口310和静置容器20的第一排出口202连接,静置容器20中的目标清洗溶液能够注入至反应容器30中,从而在将电池片放置在反应容器30中时,该电池片能够和反应容器30中的目标清洗溶液进行反应,达到通过目标清洗溶液对电池片的表面进行清洗的目的。可选地,上述清洗溶液可以为氢氧化钾(KOH)、氢氟酸(HF)或者水(H2O)等。
可以理解的是,由于微气泡表面带有负电荷,使得微气泡能够吸附水中的有机物,可以有效去除电池片表面的指纹和皮带印等,清除电池片的污染物,提高电池片的效率和生产良率。
示例性地,上述反应溶液或化学剂可以为抛光溶液,上述目标器件可以为电池片,从而为了对电池片进行抛光,在上述静置容器20中放置抛光溶液,在微气泡发生器10中生成微气泡,其中,上述微气泡可以通过液体注入口101注入的液体和气体注入口102注入的气体生成,由于上述静置容器20的第一注入口210和微气泡发生器10的出口连接,从而产生的微气泡能够通过第一注入口210直接注入抛光溶液中,并在静置溶液中的微气泡稳定(或饱和)后,能够在静置容器20中形成目标抛光溶液(即目标反应溶液),进而由于反应容器30的第二注入口310和静置容器20的第一排出口202连接,静置容器20中的目标抛光溶液能够注入至反应容器30中,从而在将电池片放置在反应容器30中时,该电池片能够和反应容器30中的目标抛光溶液进行反应,达到通过目标抛光溶液对电池片的表面进行抛光的目的。可选地,上述抛光溶液可以为氢氧化钾(KOH)、氢氟酸(HF)或者水(H2O)等。
在另一些可选地实施方式中,该反应装置也可以不包括静置容器20,即可以提供一种湿制程处理设备,该湿制程处理设备包括至少一个微气泡发生器10和至少一个反应容器30,微气泡发生器10具有液体注入口101和气体注入口102,液体注入口101用于注入液体至微气泡发生器10,气体注入口102用于注入气体至微气泡发生器10,微气泡发生器10用于根据液体和气体产生微气泡,反应容器30具有第二注入口310,第二注入口310与微气泡发生器10的出口连接,用于将微气泡注入至反应容器30。可选地,在上述微气泡发生器10和反应容器30均包括有多个的情况下,多个微气泡发生器10和多个反应容器30一一对应。同理,可选地,上述微气泡发生器10可以包括微纳米曝气头,该微纳米曝气头可以直接设置在上述反应容器30中,微气泡可以直接在反应容器30中通过微纳米曝气头生成。示例性地,本实施方式中的湿制程处理设备可以应用于电池片的抛光处理,即上述湿制程处理设备的反应容器30中可以注入有抛光溶液。
在一些可选的实施方式中,如图2和图3所示,静置容器20包括第二排出口201,第二排出口201与液体注入口101连接,用于使反应溶液自静置容器20进入微气泡反应器。
上述实施方式中,由于微气泡发生器10产生的微气泡103用于充满反应溶液,因此该静置容器20中的反应溶液也可以作为微气泡发生器10所需的液体,从而为了使得静置容器20内的反应溶液能够被注入至上述微气泡发生器10,在静置容器20上设置了第二排出口201,并使得第二排出口201与微气泡发生器10的液体注入口101连接,从而在静置容器20和微气泡发生器10之间形成循环回路,使得静置容器20中的反应溶液能够更容易通过上述第二排出口201和液体注入口101进入微气泡发生器10,同时在微气泡发生器10通过气体注入口102注入气体的情况下,生成微气泡103,并将微气泡103注入至静置容器20中的反应溶液,以形成目标反应溶液。
在一些可选的实施方式中,参考图1至图2,微气泡发生器10包括:水路系统,具有液体注入口101,用于注入液体至微气泡发生器10;气路系统,具有气体注入口102,用于注入气体至微气泡发生器10;溶气电机泵120,具有第一入口和第二入口,第一入口与水路系统的出口连通,第二入口与气路系统的出口连通,溶气电机泵120用于根据液体和气体生成水气混合物;微气泡生成系统130,微气泡生成系统130的入口与溶气电机泵的出口连通,微气泡生成系统130的出口与第一注入口210连接,微气泡生成系统130用于形成微气泡103。
为了使得微气泡发生器10根据液体和气体生成微气泡103,首先该微气泡发生器10需要具有水路系统和气路系统,且该水路系统具有液体注入口101,且该气路系统具有气体注入口102,从而使得液体能够通过水路系统进入微气泡发生器10,使得气体能够通过气路系统进入微气泡发生器10。进一步地,为了将上述液体和气体生成水气混合物,设置了上述溶气电机泵120,由于该溶气电机泵120能够将气体和液体吸进电机并充分溶解,形成水气混合物。进一步地,为了使得上述水气混合物形成微气泡103,在溶气电机泵120的出口处还设置了微气泡生成系统130,可选地该微气泡发生器10还设置有微纳米曝气头110,该水气混合物能在上述溶气电机泵120的高速旋转下被运输至微气泡生成系统130,在经过上述微纳米曝气头110喷涌而出之后,能够形成微气泡103。作为一种方式,经微纳米曝气头110处理后,微气泡的直径可以进一步减小。可选地,上述气体可以包括氮气或氧气等,上述水路系统和上述气路系统可以为管道。可选地,该微纳米曝气头110可以直接设置在上述静置容器20中,即微气泡103直接在静置容器中通过微纳米曝气头生成。
在一些可选的实施方式中,如图1所示,湿制程处理设备还包括:控制部40,控制部40设置于静置容器20和反应容器30之间,用于控制静置容器20中的目标反应溶液流入反应容器30的流量。
上述实施方式中,为了控制静置容器20注入至反应容器30中的反应溶液的流量,在该静置容器20和反应容器30之间设置了上述控制部40,使得通过该控制部40的开关控制注入至反应容器30中的目标反应溶液的量。其中,上述控制部40可以包括控制阀门或泵等。上述静置容器20和上述反应容器30通过管道连通,上述控制部40设置于该静置容器20和反应容器30之间的管道上,用于保持该管道流通或保持该管道闭合。
在一些可选的实施方式中,微气泡发生器10、静置容器20和反应容器30均包括多个,且多个微气泡发生器10、多个静置容器20和多个反应容器30一一对应。
上述实施方式中,为了使得湿制程处理设备中的不同反应容器30用于进行不同的反应,在湿制程处理设备中设置了多个反应容器30,且每个反应容器30具有对应设置的微气泡发生器10,可选地还具有对应设置的静置容器20,从而形成多组反应装置。以每组反应装置均包括有一个微气泡发生器10,一个静置容器20和一个反应容器30为例,微气泡发生器10的出口与静置容器20的第一注入口210连接,静置容器20的第一排出口202与反应容器30的第二注入口310连接。
示例性地,上述微气泡发生器10包括第一微气泡发生器10和第二微气泡发生器10,上述静置容器20包括第一静置容器20和第二静置容器20,上述反应容器30包括第一反应容器30和第二反应容器30。即,以两个微气泡发生器10、两个静置容器20、两个反应容器30为例。其中,第一微气泡发生器10的出口与第一静置容器20的第一注入口连接,第一静置容器20的第一排出口202与第一反应容器30的第二注入口连接,且该第一静置容器20中盛放有刻蚀溶液;第二微气泡发生器10的出口与第二静置容器20的第一注入口连接,第二静置容器20的第一排出口202与第二反应容器30的第二注入口连接,且该第二静置容器20中盛放有清洗溶液。可选地,在上述实施例用于电池片的刻蚀步骤时,上述第一反应容器30用于刻蚀电池片,上述第二反应容器30用于对电池片表面进行清洗。
在一些可选的实施方式中,参考图2,静置容器20中设置有第一活动盖板220,反应容器30中设置有第二活动盖板301,其中:第一活动盖板220放置在静置容器20上,以密封静置容器20;第二活动盖板301放置在反应容器30上,以密封反应容器30。
上述实施方式中,为了使得湿制程处理设备在密封条件下进行反应,在静置容器20和反应容器30上分别对应设置了第一活动盖板220和第二活动盖板301。可选地,为了注入反应溶液至静置容器20,可以在第一活动盖板220上设置贯穿第一活动盖板220的溶液注入口,以将反应溶液注入至静置容器20中。当然,该溶液注入口还可以设置在静置容器20的其他位置,例如,如图2所示,溶液注入口230可以设置在静置容器20的侧面。可选地,如图4所示,在静置容器20上还可以设置第一溶液排出口240,在反应容器30上还可以设置第二溶液排出口303。
在一些可选的实施方式中,如图4所示,湿制程处理设备与真空泵连接,第二活动盖板301设置有贯穿第二活动盖板301的抽真空管302,抽真空管302用于连接真空泵。
上述实施方式中,由于反应容器30中的目标反应溶液充满微气泡,因此当目标器件与目标反应溶液进行反应之后,可能在目标器件的表面残留有微气泡,该微气泡会携带有目标反应溶液,从而不利于目标器件,因此为了避免上述问题,在上述第二活动盖板301设置了贯穿第二活动盖板301的抽真空管302,使得该抽真空管302与湿制程处理设备之外的真空泵连接的情况下,真空泵能够通过该抽真空管302破坏掉目标器件表面携带的微气泡,进而能够去除掉微气泡携带的目标反应溶液。
示例性地,上述目标器件为电池片,上述反应容器30中的目标反应溶液为酸碱溶液,该酸碱溶液用于清洗电池片,为了在该湿制程处理设备清洗电池片之后,去除电池片表面的微气泡以及微气泡携带的酸碱溶液,在第二活动盖板301上设置了贯穿第二活动盖板301的抽真空管302,该抽真空管302与真空泵连接,从而在电池片清洗时,真空泵能够通过抽真空管302将电池片内的气泡破坏,从而实现更好的清除电池片表面的酸碱溶液的目的。
在一些可选的实施方式中,参考图2,湿制程处理设备还包括:夹取装置50,用于夹取目标器件并放置目标器件至反应容器30。
上述实施方式中,为了避免人为操作过程中对目标器件造成污染(例如指纹污染、皮带印等),设置了夹取装置50,使得通过夹取装置50夹取目标器件,并将该目标器件放置在反应容器30中,进而使得目标器件与反应容器30中的目标反应溶液进行反应,并在反应完成之后,通过该夹取装置50从上述反应容器30中夹取目标器件,并从反应容器30中拿出。
在另一些可选的实施方式中,本申请的申请人还提供了一种电池片的刻蚀方法,采用上述湿制程处理设备进行刻蚀,刻蚀方法包括:注入刻蚀溶液至湿制程处理设备的静置容器中;注入刻蚀溶液和气体至湿制程处理设备的微气泡发生器中,生成微气泡;将微气泡注入静置容器内的刻蚀溶液中,在刻蚀溶液中微气泡达到饱和的情况下,以在静置容器中形成第一目标反应溶液;将第一目标反应溶液注入湿制程处理设备的反应容器中,以通过第一目标反应溶液对放置在反应容器中的电池片进行刻蚀处理。可选地,在形成第一目标反应溶液后,可以停止注入刻蚀溶液和气体至微气泡发生器。
其中,在上述湿制程处理设备包括一个微气泡发生器,一个静置容器以及一个反应容器的情况下,该静置容器中放置有刻蚀溶液,由于微气泡发生器包括水路系统,气路系统,溶气电机泵和微气泡生成系统,且水路系统和静置容器连接,从而通过上述溶气电机泵能够将刻蚀溶液通过上述水路系统吸进电机,且上述溶气电机泵能够通过气路系统吸进反应气体至电机,可选地,该反应气体为氮气,从而使得上述吸进上述溶气电机泵的刻蚀溶液和氮气历经溶气电机泵的转动充压形成水气混合物,进而该水气混合物的气泡在高速回转充压下愈来愈小,历经溶气电机泵工作压力运输至微气泡生成系统。
进而上述水气混合物经微气泡生成系统,可选地还可以经过微纳米曝气头,形成微气泡,从而使得形成的微气泡具有比表面积大,高界面活性、带能带负电等特殊的理化特性。可选地,可以基于旋回物理切割碰撞技术,形成直径0.05~5μm的微纳米气泡(微气泡)。
进而由于上述微气泡生成系统和静置容器连通,从而形成的微气泡会进入静置容器的刻蚀溶液中,并将微气泡充满上述刻蚀溶液之后形成的目标刻蚀溶液通入反应容器中,并将反应容器和静置容器中之间的控制部关闭,进而将电池片放置在反应容器中的目标刻蚀溶液中,以对电池片进行刻蚀。可选地,在反应容器中对电池片的刻蚀原理为:由于微气泡的作用,微气泡会吸附在电池片的表面,因此电池片附近的目标刻蚀溶液会被微气泡隔开,电池片的表面会被上述目标刻蚀溶液选择刻蚀。然后在电池片刻蚀完成后,取出反应容器中的电池片,可见,通过上述刻蚀步骤刻蚀得到的电池片的表面形成了间距为0.05~5μm的凸起,从而达到了电池片表面制绒的目的,且相比于现有技术的刻蚀方法,由于减少了电池片表面的刻蚀量,从而增加了电池片的力学性能,进而减少了电池片隐裂的风险。并且,采用现有技术中的刻蚀方法在电池片表面形成的凸起的间距通常为5~15μm,从而相比于现有技术中的凸起间距,本申请中的凸起部分的间距明显小于现有技术中的凸起间距,从而电池片表面的制绒效果更好,能够进一步减少电池片表面的光反射率,有利于提高电池片的效率。同时,由于凸起间距减小,甚至形成纳米结构的凸起,从而还能够提升电池片表面的防污(参考荷叶效应)及防划伤性能。
可选地,上述湿制程处理设备还可以包括另外多组反应装置,每组反应装置均包括一个微气泡发生器,一个静置容器以及一个反应容器,该静置容器和反应容器中放置有反应溶液。示例性地,上述湿制程处理设备可以包括八个反应装置,分别为第一反应装置、第二反应装置、第三反应装置、第四反应装置、第五反应装置、第六反应装置、第七反应装置和第八反应装置,其中,该第一反应装置中包括有第一微气泡发生器、第一静置容器以及第一反应容器,该第一静置容器中放置有第一反应溶液,该第一反应溶液可以包括KOH,在第一微气泡发生器输送微气泡至第一静置容器,并以使第一静置容器中充满上述微气泡形成第一目标反应溶液(微气泡达到饱和状态)之后,输送第一目标反应溶液至第一反应容器中,并将电池片放置在该第一反应容器中,以通过上述第一目标反应溶液去除电池片的损伤层,并从上述第一反应容器中取出上述电池片。
进一步地,将该电池片放置在第二反应装置中,该第二反应装置中包括有第二微气泡发生器、第二静置容器以及第二反应容器,该第二反应容器中放置有第二反应溶液,该第二反应溶液可以为清洗溶液,该第二反应溶液可以包括H2O,在第二微气泡发生器输送微气泡至第二静置容器,并以使第二静置容器中充满上述微气泡形成第二目标反应溶液(微气泡达到饱和状态)之后,输送第二目标反应溶液至第二反应容器中,以通过上述第二目标反应溶液去除上一个步骤中的KOH,并在清洗完成之后,将电池片从上述第二反应容器中取出。
进一步地,将该电池片放置在第三反应装置中,该第三反应装置中包括有第三微气泡发生器、第三静置容器以及第三反应容器,该第三反应容器中放置有第三反应溶液,该第三反应溶液可以包括KOH和H2O2,在第三微气泡发生器输送微气泡至第三静置容器,并以使第三静置容器中充满上述微气泡形成第三目标反应溶液(微气泡达到饱和状态)之后,输送第三目标反应溶液至第三反应容器中,以通过上述第三目标反应溶液去除电池片表面的脏污,并在去除脏污的步骤之后,从上述第三反应容器中取出上述电池片。
进一步地,将该电池片放置在第四反应装置中,该第四反应装置中包括有第四微气泡发生器、第四静置容器以及第四反应容器,该第四反应容器中放置有第四反应溶液,该第四反应溶液可以为清洗溶液,示例性地,该第四反应溶液可以包括H2O,在第四微气泡发生器输送微气泡至第四静置容器,并以使第四静置容器中充满上述微气泡形成第四目标反应溶液(微气泡达到饱和状态)之后,输送第四目标反应溶液至第四反应容器中,以通过上述第四目标反应溶液去除电池片表面的KOH和H2O2,并在清洗完成之后,从上述第四反应容器中取出上述电池片。
进一步地,将该电池片放置在第五反应装置中,该第五反应装置中包括有第五微气泡发生器、第五静置容器以及第五反应容器,该第五反应容器中放置有第五反应溶液,示例性地,该第五反应溶液可以为包括KOH和添加剂的刻蚀溶液,在第五微气泡发生器输送微气泡至第五静置容器,并以使第五静置容器中充满上述微气泡形成目标刻蚀溶液(微气泡达到饱和状态)之后,输送目标刻蚀溶液至第五反应容器中,以通过上述目标刻蚀溶液刻蚀上述电池片,并停止微气泡的生成以及关闭第五静置容器和第五反应容器之间的流通路径,进而在刻蚀完成的步骤之后,从上述第五反应容器中取出上述电池片。
进一步地,将该电池片放置在第六反应装置中,该第六反应装置中包括有第六微气泡发生器、第六静置容器以及第六反应容器,该第六静置容器中放置有第六反应溶液,该第六反应溶液可以包括H2O2,在第六微气泡发生器输送微气泡至第六静置容器,并以使第六静置容器中充满上述微气泡形成第六目标反应溶液(微气泡达到饱和状态)之后,输送第六目标反应溶液至第六反应容器中,以通过上述第六目标反应溶液去除电池片表面的目标刻蚀溶液(KOH和添加剂),并在去除目标刻蚀溶液的步骤完成之后,从上述第六反应容器中取出上述电池片。
进一步地,将该电池片放置在第七反应装置中,该第七反应装置中包括有第七微气泡发生器、第七静置容器以及第七反应容器,该第七反应容器中放置有第七反应溶液,该第七反应溶液包括HF和HCl,在第七微气泡发生器输送微气泡至第七静置容器,并以使第七静置容器中充满上述微气泡形成第七目标反应溶液(微气泡达到饱和状态)之后,输送第七目标反应溶液至第七反应容器中,以通过上述第七目标反应溶液去除电池片氧化硅及金属物等,并在去除上述氧化硅和金属物的步骤之后,从上述第七反应容器中取出上述电池片。
进一步地,将该电池片放置在第八反应装置中,该第八反应装置中包括有第八微气泡发生器、第八静置容器以及第八反应容器,该第八反应容器中放置有第八反应溶液,示例性地,该第八反应溶液可以包括H2O,在第八微气泡发生器输送微气泡至第八静置容器,并以使第八静置容器中充满上述微气泡形成第八目标反应溶液(微气泡达到饱和状态)之后,输送第八目标反应溶液至第八反应容器中,以通过上述第八目标反应溶液去除上个步骤中的第七目标反应溶液(HF和HCl),并在去除HF和HCl的步骤之后,进而打开第八反应容器的抽真空管,以使抽真空泵通过抽真空管将第八反应容器抽至真空,进而关闭微气泡发生器,以停止输送微气泡至静置容器,以及停止输送第八目标反应溶液至第八反应容器,进而关闭抽真空管,从上述第八反应容器中取出电池片,并风干电池片,完成刻蚀步骤,使得对电池片进行下一步工序。
在另一可选的实施方式中,本申请的申请人还提供了一种电池片的抛光方法,采用如上述湿制程处理设备进行抛光,抛光方法包括:注入抛光溶液至湿制程处理设备的静置容器中;注入抛光溶液和气体至湿制程处理设备的微气泡发生器中,生成微气泡;将微气泡注入静置容器的抛光溶液中,以使微气泡充满抛光溶液至饱和,以在静置容器中形成第二目标反应溶液;将第二目标反应溶液持续注入湿制程处理设备的反应容器中,以通过第二目标反应溶液对放置在反应容器中的电池片进行抛光处理。作为一种方式,第二目标反应溶液在反应容器中可以流动,通过第二目标反应溶液冲刷电池片的表面,可以更好地去除电池片表面凹凸不平的膜层,减少电池片的抛光时间,有更好的抛光效果。
其中,在上述湿制程处理设备包括一个微气泡发生器,一个静置容器以及一个反应容器的情况下,该静置容器中放置有抛光溶液,由于微气泡发生器包括水路系统,气路系统,溶气电机泵和微气泡生成系统,且水路系统和静置容器连接,从而通过上述溶气电机泵能够将抛光溶液通过上述水路系统吸进电机,且上述溶气电机泵能够通过气路系统吸进反应气体至电机,可选地,该反应气体为氮气,从而使得上述吸进上述溶气电机泵的抛光溶液和氮气历经溶气电机泵的转动充压形成水气混合物,历经溶气电机泵工作压力运输至微气泡生成系统,最终经微气泡生成系统,可选地还可以经过微纳米曝气头,形成微气泡。可选地,可以根据旋回物理切割碰撞技术形成直径0.05~5μm的微纳米气泡(微气泡),从而使得形成的微气泡具有比表面积大,高界面活性、带能带负电等特殊的理化特性。
进而由于上述微气泡生成系统和静置容器连通,从而形成的微气泡会进入静置容器的抛光溶液中,并在微气泡充满上述抛光溶液之后形成的目标抛光溶液通入反应容器中,并保持静置容器和反应容器之间的控制部开启,进而将电池片放置在反应容器中的目标抛光溶液中,以对电池片进行抛光,可选地,该目标抛光溶液包括KOH和添加剂等,从而在反应容器中,由于保持静置容器和反应容器之间的控制部开启,因此流动的目标抛光溶液中微气泡的高速流动,能够携带目标抛光溶液对电池片表面进行不同的冲刷,从而使得电池片表面上的凹凸不平的膜层能更好的去除,从而减少电池片抛光时间,有更好的抛光效果,且由于微气泡表面常带有负电荷,使得微气泡能够吸附水中有机物,可以有效的去除电池片表面的指纹,皮带印等,保证清除电池片的污染物,保证电池片的效率及生产良率。
即需要注意的是,采用上述湿制程处理设备对电池片进行刻蚀或抛光的步骤时,刻蚀步骤中湿制程处理设备的反应容器中的目标反应溶液是静置的,而抛光步骤中的湿制程处理设备的目标反应溶液是流动的。示例性地,上述湿制程处理设备在应用于电池片的刻蚀方法时,将电池片置于反应容器中,并且在将目标反应溶液流入反应容器后,可以关闭静置容器和反应容器之间的控制部,并且关闭第二溶液排出口,可选地,还可以关闭微气泡发生器。而在上述湿制程处理设备在应用于电池片的抛光方法时,当电池片处于反应容器中,静置容器和反应容器之间的控制部控制静置容器中的目标反应溶液持续性流入反应容器,第二溶液排出口也可以保持开启,可选地,保持微气泡发生器处于开启状态,以使得微气泡发生器持续性生成微气泡,以在静置容器中持续得到目标反应溶液。
同理,上述湿制程处理设备还可以包括另外多组反应装置,每组反应装置均包括一个微气泡发生器,一个静置容器以及一个反应容器,该静置容器和反应容器中放置有反应溶液。
示例性地,上述湿制程处理设备可以包括八个反应装置,分别为第一反应装置、第二反应装置、第三反应装置、第四反应装置、第五反应装置、第六反应装置、第七反应装置和第八反应装置,其中,该第一反应装置中包括有第一微气泡发生器、第一静置容器以及第一反应容器,该第一静置容器中放置有第一反应溶液,该第一反应溶液可以包括KOH,在第一微气泡发生器输送微气泡至第一静置容器,并以使第一静置容器中充满上述微气泡形成第一目标反应溶液(微气泡达到饱和状态)之后,输送第一目标反应溶液至第一反应容器中,并将电池片放置在该第一反应容器中,以通过上述第一目标反应溶液去除电池片的损伤层,并从上述第一反应容器中取出上述电池片。可选地,该抛光方法中该第一反应溶液的KOH的浓度与上述刻蚀方法中该第一反应溶液的KOH的浓度可以不同。
进一步地,将该电池片放置在第二反应装置中,该第二反应装置中包括有第二微气泡发生器、第二静置容器以及第二反应容器,该第二反应容器中放置有第二反应溶液,该第二反应溶液可以为清洗溶液,该第二反应溶液可以包括H2O,在第二微气泡发生器输送微气泡至第二静置容器,并以使第二静置容器中充满上述微气泡形成第二目标反应溶液(微气泡达到饱和状态)之后,输送第二目标反应溶液至第二反应容器中,以通过上述第二目标反应溶液去除上一个步骤中的KOH,并在清洗完成之后,将电池片从上述第二反应容器中取出。
进一步地,将该电池片放置在第三反应装置中,该第三反应装置中包括有第三微气泡发生器、第三静置容器以及第三反应容器,该第三反应容器中放置有第三反应溶液,该第三反应溶液可以包括KOH和H2O2,在第三微气泡发生器输送微气泡至第三静置容器,并以使第三静置容器中充满上述微气泡形成第三目标反应溶液(微气泡达到饱和状态)之后,输送第三目标反应溶液至第三反应容器中,以通过上述第三目标反应溶液去除电池片表面的脏污,并在去除脏污的步骤之后,从上述第三反应容器中取出上述电池片。可选地,该抛光方法中该第三反应溶液的KOH和H2O2的浓度与上述刻蚀方法中该第三反应溶液的KOH和H2O2的浓度可以不同。
进一步地,将该电池片放置在第四反应装置中,该第四反应装置中包括有第四微气泡发生器、第四静置容器以及第四反应容器,该第四反应容器中放置有第四反应溶液,该第四反应溶液可以为清洗溶液,示例性地,该第四反应溶液可以包括H2O,在第四微气泡发生器输送微气泡至第四静置容器,并以使第四静置容器中充满上述微气泡形成第四目标反应溶液(微气泡达到饱和状态)之后,输送第四目标反应溶液至第四反应容器中,以通过上述第四目标反应溶液去除电池片表面的KOH和H2O2,并在清洗完成之后,从上述第四反应容器中取出上述电池片。
进一步地,将该电池片放置在第五反应装置中,该第五反应装置中包括有第五微气泡发生器、第五静置容器以及第五反应容器,该第五反应容器中放置有第五反应溶液,示例性地,该第五反应溶液可以为包括KOH和添加剂的抛光溶液,在第五微气泡发生器输送微气泡至第五静置容器,并以使第五静置容器中充满上述微气泡形成目标抛光溶液(微气泡达到饱和状态)之后,输送目标抛光溶液至第五反应容器中,以通过上述目标抛光溶液刻蚀上述电池片,并保持在第五静置容器中生成微气泡以及保持第五静置容器和第五反应容器之间的流通路径开启,进而在抛光完成的步骤之后,从上述第五反应容器中取出上述电池片。可选地,该抛光方法中该第五反应溶液的KOH和添加剂的浓度或比例与上述刻蚀方法中该第五反应溶液的KOH和添加剂的浓度或比例可以不同。
进一步地,将该电池片放置在第六反应装置中,该第六反应装置中包括有第六微气泡发生器、第六静置容器以及第六反应容器,该第六静置容器中放置有第六反应溶液,该第六反应溶液可以包括H2O2,在第六微气泡发生器输送微气泡至第六静置容器,并以使第六静置容器中充满上述微气泡形成第六目标反应溶液(微气泡达到饱和状态)之后,输送第六目标反应溶液至第六反应容器中,以通过上述第六目标反应溶液去除电池片表面的目标抛光溶液(KOH和添加剂),并在去除目标抛光溶液的步骤完成之后,从上述第六反应容器中取出上述电池片。可选地,该抛光方法中该第六反应溶液的H2O2的浓度与上述刻蚀方法中第六反应溶液的H2O2的浓度可以不同。
进一步地,将该电池片放置在第七反应装置中,该第七反应装置中包括有第七微气泡发生器、第七静置容器以及第七反应容器,该第七反应容器中放置有第七反应溶液,该第七反应溶液包括HF和HCl,在第七微气泡发生器输送微气泡至第七静置容器,并以使第七静置容器中充满上述微气泡形成第七目标反应溶液(微气泡达到饱和状态)之后,输送第七目标反应溶液至第七反应容器中,以通过上述第七目标反应溶液去除电池片氧化硅及金属物等,并在去除上述氧化硅和金属物的步骤之后,从上述第七反应容器中取出上述电池片。可选地,该抛光方法中该第七反应溶液的HF和HCl的浓度与上述刻蚀方法中第七反应溶液的HF和HCl的浓度可以不同。
进一步地,将该电池片放置在第八反应装置中,该第八反应装置中包括有第八微气泡发生器、第八静置容器以及第八反应容器,该第八反应容器中放置有第八反应溶液,示例性地,该第八反应溶液可以包括H2O,在第八微气泡发生器输送微气泡至第八静置容器,并以使第八静置容器中充满上述微气泡形成第八目标反应溶液(微气泡达到饱和状态)之后,输送第八目标反应溶液至第八反应容器中,以通过上述第八目标反应溶液去除上个步骤中的第七目标反应溶液(HF和HCl),并在去除HF和HCl的步骤之后,进而打开第八反应容器的抽真空管,以使抽真空泵通过抽真空管将第八反应容器抽至真空,进而关闭微气泡发生器,以停止输送微气泡至第八静置容器,以及停止输送第八目标反应溶液至第八反应容器,进而关闭抽真空管,从上述第八反应容器中取出电池片,并风干电池片,完成刻蚀步骤,使得对电池片进行下一步工序。
从以上的描述中,可以看出,本实用新型上述的实施例实现了如下技术效果:
通过上述湿制程处理设备的微气泡发生器产生微气泡,该微气泡相比于现有技术中通过圆管上设置的孔产生的普通气泡具有更小的直径,从而使其在溶液中受到的浮力远远小于普通气泡在溶液中所受到的浮力,所以相比于现有技术中的气泡,微气泡的上升速度缓慢,且该微气泡受到表面张力的影响更大并且会促使微气泡收缩,难以长大,在溶液中停留的时间更长,进而解决了气泡在溶液中上升速度太快,且气泡太大的问题。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,对于本领域的技术人员来说,本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种湿制程处理设备,其特征在于,包括:
至少一个微气泡发生器,具有液体注入口和气体注入口,所述液体注入口用于注入液体至所述微气泡发生器,所述气体注入口用于注入气体至所述微气泡发生器,所述微气泡发生器用于根据液体和气体产生微气泡;
至少一个静置容器,具有第一注入口和第一排出口,所述第一注入口与所述微气泡发生器的出口连接,所述静置容器用于盛放反应溶液,并使所述微气泡自所述微气泡发生器进入所述反应溶液中,形成目标反应溶液;
至少一个反应容器,具有第二注入口,所述第二注入口与所述第一排出口连接,用于使所述目标反应溶液自所述静置容器流入所述反应容器。
2.根据权利要求1所述的湿制程处理设备,其特征在于,所述静置容器包括第二排出口,所述第二排出口与所述液体注入口连接,用于使所述反应溶液自所述静置容器进入所述微气泡反应器。
3.根据权利要求1或2所述的湿制程处理设备,其特征在于,所述微气泡发生器包括:
水路系统,具有所述液体注入口,用于注入液体至所述微气泡发生器;
气路系统,具有所述气体注入口,用于注入气体至所述微气泡发生器;
溶气电机泵,具有第一入口和第二入口,所述第一入口与所述水路系统的出口连通,所述第二入口与所述气路系统的出口连通,所述溶气电机泵用于根据所述液体和所述气体生成水气混合物;
微气泡生成系统,所述微气泡生成系统的入口与所述溶气电机泵的出口连通,所述微气泡生成系统的出口与所述第一注入口连接,所述微气泡生成系统用于基于所述水气混合物,以形成微气泡。
4.根据权利要求3所述的湿制程处理设备,其特征在于,所述微气泡发生器包括微纳米曝气头,所述微纳米曝气头设置在所述静置容器中。
5.根据权利要求1或2所述的湿制程处理设备,其特征在于,还包括:
控制部,所述控制部设置于所述静置容器和所述反应容器之间,用于控制所述静置容器中的所述目标反应溶液流入所述反应容器的流量。
6.根据权利要求1或2所述的湿制程处理设备,其特征在于,所述微气泡发生器、所述静置容器和所述反应容器均包括多个,且多个所述微气泡发生器、多个所述静置容器和多个所述反应容器一一对应。
7.根据权利要求1或2所述的湿制程处理设备,其特征在于,所述静置容器中设置有第一活动盖板,所述反应容器中设置有第二活动盖板,其中:
所述第一活动盖板放置在所述静置容器上,以密封所述静置容器;
所述第二活动盖板放置在所述反应容器上,以密封所述反应容器。
8.根据权利要求7所述的湿制程处理设备,其特征在于,所述湿制程处理设备与真空泵连接,所述第二活动盖板设置有贯穿所述第二活动盖板的抽真空管,所述抽真空管用于连接所述真空泵。
9.根据权利要求1或2所述的湿制程处理设备,其特征在于,所述湿制程处理设备还包括:
夹取装置,用于夹取目标器件并放置所述目标器件至所述反应容器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202322980641.5U CN221149956U (zh) | 2023-11-03 | 2023-11-03 | 湿制程处理设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202322980641.5U CN221149956U (zh) | 2023-11-03 | 2023-11-03 | 湿制程处理设备 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN221149956U true CN221149956U (zh) | 2024-06-14 |
Family
ID=91387205
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202322980641.5U Active CN221149956U (zh) | 2023-11-03 | 2023-11-03 | 湿制程处理设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN221149956U (zh) |
-
2023
- 2023-11-03 CN CN202322980641.5U patent/CN221149956U/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN117276139A (zh) | 湿制程处理设备、电池片的刻蚀方法及电池片的抛光方法 | |
US20060148267A1 (en) | Apparatus and method for single-or double-substrate processing | |
US7392814B2 (en) | Substrate processing apparatus and method | |
TWI415694B (zh) | Substrate processing device and processing method thereof | |
CN100541730C (zh) | 半导体基板表面的化学处理方法及其装置 | |
EP1274963A1 (en) | Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying | |
TW200818283A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
US20090029560A1 (en) | Apparatus and method for single substrate processing | |
AU5304600A (en) | Method and system for cleaning a semiconductor wafer | |
WO2001040124A9 (en) | Apparatus for providing ozonated process fluid and methods for using same | |
KR102139679B1 (ko) | 복합 방식을 이용한 폐수의 암모니아 제거장치 | |
CN102284447A (zh) | 清洗方法和清洗装置 | |
CN221149956U (zh) | 湿制程处理设备 | |
JP5189121B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体 | |
CN103418574A (zh) | 超声清洁方法以及超声清洁装置 | |
CN1974431A (zh) | 含表面活性剂的水的处理方法及处理装置 | |
KR101286373B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
US20030116174A1 (en) | Semiconductor wafer cleaning apparatus and cleaning method using the same | |
US8083857B2 (en) | Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus | |
JP2003040649A5 (zh) | ||
WO2021044724A1 (ja) | 構造体の製造方法および製造装置 | |
JPH0795541B2 (ja) | 処理方法 | |
JPH10340876A (ja) | 洗浄処理方法および洗浄処理装置 | |
KR101035051B1 (ko) | 버블을 이용한 기판 세정장치 및 방법 | |
JP2002102649A (ja) | ガス処理方法及びガス処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |