CN220887664U - 一种多弧离子镀镀膜装置 - Google Patents
一种多弧离子镀镀膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN220887664U CN220887664U CN202420721592.5U CN202420721592U CN220887664U CN 220887664 U CN220887664 U CN 220887664U CN 202420721592 U CN202420721592 U CN 202420721592U CN 220887664 U CN220887664 U CN 220887664U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- fixing frame
- target fixing
- side wall
- target
- vacuum chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本实用新型涉及电弧离子镀技术领域，具体公开了一种多弧离子镀镀膜装置，包括真空室，真空室的侧壁构成八边形，设置在真空室侧壁上的靶材固定框以及设置在靶材固定框的多个靶材。本实用新型使得靶材更加紧凑，使得等离子体能够更加均匀地撞击到基材上，且此种设置方式可以减小涂层中的缺陷和应力，提高涂层的力学性能和耐腐蚀性，有利于提高涂层的均匀性。
Description
技术领域
本实用新型涉及电弧离子镀技术领域，特别涉及一种多弧离子镀镀膜装置。
背景技术
随着工业的不断发展，材料表面处理的需求日益增加，电弧离子镀作为一种先进的薄膜制备技术，具有沉积速率高、涂层附着力强等优点，因此广泛应用于各种需要高性能、高均匀性涂层的领域，如航空航天、汽车、电子、刀具等。
近年来，多靶材离子镀设备的研发取得了一定的进展，一些设备采用了多列靶材设计，以提高涂层制备的效率和均匀性，然而，这些设备通常存在一些问题，如靶材位排列方式不合理的情况，当靶材位列方式不合理时，在对产品进行涂层制备时，存在涂层不均匀的情况产生。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种多弧离子镀镀膜装置，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
一种多弧离子镀镀膜装置，包括：
真空室，所述真空室的侧壁构成八边形；
第一靶材固定框，所述第一靶材固定框设置在所述侧壁的第一侧壁上，所述第一靶材固定框设置有多个第一靶材；
第二靶材固定框，所述第二靶材固定框沿着所述真空室的内部中心与所述第一靶材固定框相对称地设置在所述侧壁的第二侧壁上，所述第二靶材固定框设置有多个第二靶材；
第三靶材固定框，所述第三靶材固定框设置在所述侧壁的第三侧壁上，所述第三靶材固定框设置有多个第三靶材；
第四靶材固定框，所述第四靶材固定框沿着所述真空室的内部中心与所述第三靶材固定框相对称地设置在所述侧壁的第四侧壁上，所述第四靶材固定框设置有多个第四靶材。
优选的，所述第一靶材固定框、所述第二靶材固定框、所述第三靶材固定框和所述第四靶材固定框的高度为h，所述真空室的高度为H，所述真空室的相对称的两个侧壁之间的间距为1~1.2m，其中，1m≤H≤1.2m，0.8H≤h≤0.95H。
优选的，所述第一靶材固定框、所述第二靶材固定框、所述第三靶材固定框和所述第四靶材固定框分别具有四个靶位用于容纳靶材，各靶位上的靶材直径为d，相邻靶位上的靶材间距从上向下依次为d1、d2和d3，其中，10cm≤d≤11cm，d≤d1=d2=d3≤1.5d。
优选的，在所述真空室的顶端和底端之间悬挂设置有用于限制离子移动方向的挡板，所述挡板包括多个第一挡板、多个第二挡板、多个第三挡板和多个第四挡板，所述多个第一挡板与所述第一靶材固定框相邻，所述多个第二挡板与所述第二靶材固定框相邻，所述多个第三挡板与所述第三靶材固定框相邻，所述多个第四挡板与所述第四靶材固定框相邻。
优选的，所述真空室设置有用于加热真空室内部空间的加热器，所述加热器包括第一加热器和第二加热器，所述第一加热器设置在所述第一侧壁和所述第三侧壁之间的侧壁上，所述第二加热器设置在所述第二侧壁和所述第四侧壁之间的侧壁上。
优选的，所述真空室设置有用于将所述真空室内部空间进行抽真空的真空抽口，所述真空抽口设置在所述第一侧壁和所述第四侧壁之间的侧壁上。
优选的，所述第一靶材固定框设置有多个第一引弧针，所述第二靶材固定框设置有多个第二引弧针，所述第三靶材固定框设置有多个第三引弧针，所述第四靶材固定框设置有多个第四引弧针。
优选的，所述真空室设置有霍尔离子源，所述霍尔离子源设置在所述第二侧壁和所述第三侧壁之间的侧壁上，和悬挂设置在所述真空室的顶端和底端之间用于限制离子移动方向的多个霍尔离子源挡板，所述多个霍尔离子源挡板与所述霍尔离子源相邻。
优选的，所述真空室设置有多个气管，所述多个气管分别与所述第一靶材固定框、所述第二靶材固定框、所述第三靶材固定框和所述第四靶材固定框相邻。
本实用新型的技术效果和优点：
本实用新型中提供一种多弧离子镀镀膜装置，包括真空室，真空室的侧壁构成八边形，设置在真空室侧壁上的靶材固定框以及设置在靶材固定框的多个靶材，本实用新型使得靶材更加紧凑，使得等离子体能够更加均匀地撞击到基材上，且此种设置方式可以减小涂层中的缺陷和应力，提高涂层的力学性能和耐腐蚀性，有利于提高涂层的均匀性。
附图说明
图1为本实用新型多弧离子镀镀膜装置俯视剖面结构示意图。
图2为本实用新型多弧离子镀镀膜装置侧视剖面结构示意图。
图3为本实用新型第一靶材固定框侧视结构示意图。
图4为本实用新型第二靶材固定框侧视结构示意图。
图中：1-真空室，201-第一靶材固定框，301-第一侧壁，401-第一靶材，202-第二靶材固定框，302-第二侧壁，402-第二靶材，203-第三靶材固定框，303-第三侧壁，403-第三靶材，204-第四靶材固定框，304-第四侧壁，404-第四靶材，12-靶位，13-靶材，501-第一挡板，502-第二挡板，503-第三挡板，504-第四挡板，601-第一加热器，602-第二加热器，7-真空抽口，801-第一引弧针，802-第二引弧针，803-第三引弧针，804-第四引弧针，9-霍尔离子源，10-霍尔离子源挡板，1101、1102、1103、1104-气管。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型提供了如图1-4所示的一种多弧离子镀镀膜装置，包括真空室1，所述真空室1的侧壁构成八边形；第一靶材固定框201，所述第一靶材固定框201设置在所述侧壁的第一侧壁301上，所述第一靶材固定框201设置有多个第一靶材401；第二靶材固定框202，所述第二靶材固定框202沿着所述真空室1的内部中心与所述第一靶材固定框201相对称地设置在所述侧壁的第二侧壁302上，所述第二靶材固定框202设置有多个第二靶材402；第三靶材固定框203，所述第三靶材固定框203设置在所述侧壁的第三侧壁303上，所述第三靶材固定框203设置有多个第三靶材403；第四靶材固定框204，所述第四靶材固定框204沿着所述真空室1的内部中心与所述第三靶材固定框203相对称地设置在所述侧壁的第四侧壁304上，所述第四靶材固定框204设置有多个第四靶材404。本实用新型的分布方式使得靶材更加紧凑，使得等离子体能够更加均匀地撞击到基材上，且此种设置方式可以减小涂层中的缺陷和应力，提高涂层的力学性能和耐腐蚀性，有利于提高涂层的均匀性；
在一个实施例中，所述第一靶材固定框201、所述第二靶材固定框202、所述第三靶材固定框203和所述第四靶材固定框204的高度为h，所述真空室1的高度为H，所述真空室1的相对称的两个侧壁之间的间距为1~1.2m，其中，1m≤H≤1.2m，0.8H≤h≤0.95H。
在一个实施例中，所述第一靶材固定框201、所述第二靶材固定框202、所述第三靶材固定框203和所述第四靶材固定框204分别具有四个靶位12用于容纳靶材13，各靶位上的靶材直径为d，相邻靶位上的靶材间距从上向下依次为d1、d2和d3，其中，10cm≤d≤11cm，d≤d1=d2=d3≤1.5d。
在一个实施例中，在所述真空室1的顶端和底端之间悬挂设置有用于限制离子移动方向的挡板，所述挡板包括多个第一挡板501、多个第二挡板502、多个第三挡板503和多个第四挡板504，所述多个第一挡板501与所述第一靶材固定框201相邻，所述多个第二挡板502与所述第二靶材固定框202相邻，所述多个第三挡板503与所述第三靶材固定框203相邻，所述多个第四挡板504与所述第四靶材固定框204相邻。
在一个实施例中，所述真空室1设置有用于加热真空室内部空间的加热器，所述加热器包括第一加热器601和第二加热器602，所述第一加热器601设置在所述第一侧壁301和所述第三侧壁303之间的侧壁上，所述第二加热器602设置在所述第二侧壁302和所述第四侧壁304之间的侧壁上。
在一个实施例中，所述真空室1设置有用于将所述真空室1内部空间进行抽真空的真空抽口7，所述真空抽口7设置在所述第一侧壁301和所述第四侧壁304之间的侧壁上。
在一个实施例中，所述第一靶材固定框201设置有多个第一引弧针801，所述第二靶材固定框202设置有多个第二引弧针802，所述第三靶材固定框203设置有多个第三引弧针803，所述第四靶材固定框204设置有多个第四引弧针804。
在一个实施例中，所述真空室1设置有霍尔离子源9，所述霍尔离子源9设置在所述第二侧壁302和所述第三侧壁303之间的侧壁上，和悬挂设置在所述真空室1的顶端和底端之间用于限制离子移动方向的多个霍尔离子源挡板10，所述多个霍尔离子源挡板10与所述霍尔离子源9相邻。
在一个实施例中，所述真空室1设置有多个气管1101、1102、1103、1104，所述多个气管1101、1102、1103、1104分别与所述第一靶材固定框201、所述第二靶材固定框202、所述第三靶材固定框203和所述第四靶材固定框204相邻。
本实用新型多弧离子镀镀膜装置在使用时，首先将产品放入至真空室1的内部，再启动真空泵，从真空抽口7将真空室1内的气体抽出，使之达到一定的真空度，同时，启动第一加热器601和第二加热器602对真空室1进行加热，使真空室1保持恒温状态。然后霍尔离子源9使气体离化，离化后的离子撞击基材，从达到清洗基材表面的目的。之后用以触发的引弧针（801、802、803、804）在撞击靶材（401、402、403、404）时起弧，弧斑在靶材（401、402、403、404）表面稳定的运动，将靶材（401、402、403、404）不断离化，为涂层制备提供充足的离子源，靶材离子在向基材运动过程中与其它气体分子结合，最终在基材表面沉积形成涂层。本实用新型使得靶材更加紧凑，使得等离子体能够更加均匀地撞击到基材上，且此种设置方式可以减小涂层中的缺陷和应力，提高涂层的力学性能和耐腐蚀性，有利于提高涂层的均匀性。
最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种多弧离子镀镀膜装置，其特征在于，包括：
真空室（1），所述真空室（1）的侧壁构成八边形；
第一靶材固定框（201），所述第一靶材固定框（201）设置在所述侧壁的第一侧壁（301）上，所述第一靶材固定框（201）设置有多个第一靶材（401）；
第二靶材固定框（202），所述第二靶材固定框（202）沿着所述真空室（1）的内部中心与所述第一靶材固定框（201）相对称地设置在所述侧壁的第二侧壁（302）上，所述第二靶材固定框（202）设置有多个第二靶材（402）；
第三靶材固定框（203），所述第三靶材固定框（203）设置在所述侧壁的第三侧壁（303）上，所述第三靶材固定框（203）设置有多个第三靶材（403）；
第四靶材固定框（204），所述第四靶材固定框（204）沿着所述真空室(1)的内部中心与所述第三靶材固定框（203）相对称地设置在所述侧壁的第四侧壁（304）上，所述第四靶材固定框（204）设置有多个第四靶材（404）。
2.根据权利要求1所述的多弧离子镀镀膜装置，其特征在于，所述第一靶材固定框（201）、所述第二靶材固定框（202）、所述第三靶材固定框（203）和所述第四靶材固定框（204）的高度为h，所述真空室(1)的高度为H，所述真空室（1）的相对称的两个侧壁之间的间距为1~1.2m，其中，1m≤H≤1.2m，0.8H≤h≤0.95H。
3.根据权利要求1所述的多弧离子镀镀膜装置，其特征在于，所述第一靶材固定框（201）、所述第二靶材固定框（202）、所述第三靶材固定框（203）和所述第四靶材固定框（204）分别具有四个靶位（12）用于容纳靶材（13），各靶位上的靶材直径为d，相邻靶位上的靶材间距从上向下依次为d1、d2和d3，其中，10cm≤d≤11cm，d≤d1=d2=d3≤1.5d。
4.根据权利要求1所述的多弧离子镀镀膜装置，其特征在于，在所述真空室（1）的顶端和底端之间悬挂设置有用于限制离子移动方向的挡板，所述挡板包括多个第一挡板（501）、多个第二挡板（502）、多个第三挡板（503）和多个第四挡板（504），所述多个第一挡板（501）与所述第一靶材固定框（201）相邻，所述多个第二挡板（502）与所述第二靶材固定框（202）相邻，所述多个第三挡板（503）与所述第三靶材固定框（203）相邻，所述多个第四挡板（504）与所述第四靶材固定框（204）相邻。
5.根据权利要求1所述的多弧离子镀镀膜装置，其特征在于，所述真空室（1）设置有用于加热真空室内部空间的加热器，所述加热器包括第一加热器（601）和第二加热器（602），所述第一加热器（601）设置在所述第一侧壁（301）和所述第三侧壁（303）之间的侧壁上，所述第二加热器（602）设置在所述第二侧壁（302）和所述第四侧壁（304）之间的侧壁上。
6.根据权利要求1所述的多弧离子镀镀膜装置，其特征在于，所述真空室（1）设置有用于将所述真空室（1）内部空间进行抽真空的真空抽口（7），所述真空抽口（7）设置在所述第一侧壁（301）和所述第四侧壁（304）之间的侧壁上。
7.根据权利要求1所述的多弧离子镀镀膜装置，其特征在于，所述第一靶材固定框（201）设置有多个第一引弧针（801），所述第二靶材固定框（202）设置有多个第二引弧针（802），所述第三靶材固定框（203）设置有多个第三引弧针（803），所述第四靶材固定框（204）设置有多个第四引弧针（804）。
8.根据权利要求1所述的多弧离子镀镀膜装置，其特征在于，所述真空室（1）设置有霍尔离子源（9），所述霍尔离子源（9）设置在所述第二侧壁（302）和所述第三侧壁（303）之间的侧壁上，和悬挂设置在所述真空室（1）的顶端和底端之间用于限制离子移动方向的多个霍尔离子源挡板（10），所述多个霍尔离子源挡板（10）与所述霍尔离子源（9）相邻。
9.根据权利要求1所述的多弧离子镀镀膜装置，其特征在于，所述真空室（1）设置有多个气管（1101、1102、1103、1104），所述多个气管（1101、1102、1103、1104）分别与所述第一靶材固定框（201）、所述第二靶材固定框（202）、所述第三靶材固定框（203）和所述第四靶材固定框（204）相邻。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202420721592.5U CN220887664U (zh) | 2024-04-09 | 2024-04-09 | 一种多弧离子镀镀膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202420721592.5U CN220887664U (zh) | 2024-04-09 | 2024-04-09 | 一种多弧离子镀镀膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN220887664U true CN220887664U (zh) | 2024-05-03 |
Family
ID=90838041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202420721592.5U Active CN220887664U (zh) | 2024-04-09 | 2024-04-09 | 一种多弧离子镀镀膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN220887664U (zh) |
-
2024
- 2024-04-09 CN CN202420721592.5U patent/CN220887664U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6436252B1 (en) | Method and apparatus for magnetron sputtering | |
| CN110337170B (zh) | 一种基于电流驱动技术反场位形结构的高密度等离子体射流发生装置 | |
| CN220887664U (zh) | 一种多弧离子镀镀膜装置 | |
| TW201903181A (zh) | 成膜裝置 | |
| CN1156603C (zh) | 大面积等离子体源 | |
| CN1718849A (zh) | 多功能复合磁控等离子体溅射装置 | |
| CN113817999B (zh) | 一种用于制备压电陶瓷的真空镀膜设备 | |
| US20080023146A1 (en) | Inductively coupled plasma system with internal coil | |
| US6390020B1 (en) | Dual face shower head magnetron, plasma generating apparatus and method of coating substrate | |
| Wei et al. | Linear plasma sources for large area film deposition: A brief review | |
| JP2013049884A (ja) | スパッタリング装置 | |
| CN112695301A (zh) | 一种气流旋转均匀的气相沉积装置 | |
| CN210928112U (zh) | 一种微波等离子体发生装置 | |
| CN208414537U (zh) | 一种在真空环境中进行离子溅射镀膜工艺中使用的挡板 | |
| CN111586958A (zh) | 一种推拉式线性等离子源及其应用 | |
| CN213925000U (zh) | 一种微波离子源辅助的磁控溅射离子镀装置 | |
| CN205152320U (zh) | 阳极场辅磁控溅射镀膜装置 | |
| WO2021109814A1 (zh) | 镀膜设备及其电极装置和应用 | |
| CN106622716A (zh) | 一种多源小功率低温等离子体聚合涂层装置及方法 | |
| CN111383883B (zh) | 超大面积扫描式反应离子刻蚀机及刻蚀方法 | |
| CN206215404U (zh) | 一种多源小功率低温等离子体聚合涂层装置 | |
| CN113652674A (zh) | 一种基于磁约束等离子体超双疏膜层的制备装置及方法 | |
| CN206304928U (zh) | 一种管状大容积等离子体聚合涂层装置 | |
| CN216253322U (zh) | 一种用于在真空状态下对镀层作出改性的离子源 | |
| CN219603679U (zh) | 一种板式镀膜工艺腔室 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |