CN220855416U - 显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种显示面板及显示装置。显示面板包括阵列基板和对置基板。阵列基板包括基底层、像素电极层以及透明公共电极层。像素电极层设置于基底层上，且包括像素电极。像素电极包括开口和分别位于开口不同侧的多个分支区，每个分支区设置有多个分支电极。分别位于相邻两个分支区中的分支电极的延伸方向相交。开口沿像素电极层的厚度方向上贯穿像素电极。透明公共电极位于像素电极层与基底层之间。透明公共电极在基底层上的正投影至少与开口在基底层上的正投影重叠。对置基板与阵列基板相对设置。对置基板包括对置基底层和公共电极层。公共电极层设置于对置基底层朝向阵列基板的表面上。

Description

显示面板及显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

液晶显示装置具有分辨率高、体积小以及质量轻等优点，其广泛应用于高分辨率和高刷新率的显示装置。目前，为了提升液晶显示装置的视角，液晶显示装置的像素电极会采用多畴设计。然而，对于包括多畴像素电极的液晶显示装置，存在暗态下漏光的问题，导致液晶显示装置在暗态下存在对比度降低的问题。

因此，如何提高液晶显示装置在暗态下的对比度是需要解决的技术问题。

实用新型内容

鉴于此，本申请提供一种显示面板及显示装置，以提高液晶显示装置在暗态下的对比度。

第一方面，本申请提供一种显示面板，包括：

阵列基板，包括：

基底层；

像素电极层，设置于所述基底层上，且包括像素电极，所述像素电极包括开口和分别位于所述开口不同侧的多个分支区，每个所述分支区设置有多个分支电极，分别位于相邻两个所述分支区中的所述分支电极的延伸方向相交，所述开口沿所述像素电极层的厚度方向上贯穿所述像素电极；以及

透明公共电极，位于所述像素电极层与所述基底层之间，所述透明公共电极在所述基底层上的正投影至少与所述开口在所述基底层上的正投影重叠；以及

对置基板，与所述阵列基板相对设置，所述对置基板包括：

对置基底层；以及

公共电极层，设置于所述对置基底层朝向所述阵列基板的表面上。

在一些实施例中，一个所述分支区的相邻两个所述分支电极之间设置有间隙，至少部分所述间隙与所述开口连通。

在一些实施例中，所述开口的宽度等于相邻两个所述分支区之间的间距，所述分支电极的宽度等于一个所述分支区中相邻两个所述间隙之间的间距，所述开口的宽度大于所述分支电极的宽度。

在一些实施例中，所述开口包括相交且连通的第一开口和第二开口，所述第一开口与所述第二开口限定出多个所述分支区。

在一些实施例中，所述第一开口的延伸方向与所述分支电极的延伸方向之间的夹角为锐角或钝角，所述第二开口的延伸方向与所述分支电极的延伸方向之间的夹角为锐角或钝角。

在一些实施例中，所述显示面板还包括：数据线，位于所述透明公共电极与所述基底层之间，所述数据线在所述基底层上的正投影与所述透明公共电极在所述基底层上的正投影重叠。

在一些实施例中，所述显示面板还包括：色阻层，位于所述数据线与所述基底层之间。

在一些实施例中，所述分支电极在所述基底层上的正投影与所述透明公共电极在所述基底层上的正投影重叠。

在一些实施例中，所述像素电极还包括：连接电极，与多个所述分支电极远离所述开口的一端连接，且所述连接电极在所述基底层上的正投影与所述透明公共电极在所述基底层上的正投影重叠。

在一些实施例中，所述像素电极和所述透明公共电极均包括透明导电材料。

第二方面，本申请提供一种显示装置，所述显示装置包括上述任意一些实施例的显示面板。

在本申请的一些实施例中，像素电极包括开口和分别位于开口不同侧的多个分支区，每个分支区设置有多个分支电极。分别位于相邻两个分支区中的分支电极的延伸方向相交。开口沿像素电极层的厚度方向上贯穿像素电极。采用这种设置，现有技术中主干区的像素电极被去除。显示装置显示时，对应主干区设置的液晶分子基本不会受电场的作用，对应主干区设置的液晶分子基本不会偏转，改善显示面板显示时暗态漏光的问题，进而提高液晶显示装置在暗态下的对比度。

附图说明

图1为本申请的一些实施例的显示装置的剖面结构示意图；

图2为本申请的一些实施例的显示面板的剖面结构示意图；

图3为本申请的一些实施例的阵列基板的局部平面示意图。

附图标记如下：

100，显示装置；10，显示面板；20，背光模组；

11，阵列基板；12，基底层；13，像素电极层；131，像素电极；13a，主干区；13a1，第一主干区；13a2，第二主干区；13b，分支区；132，开口；1321，第一开口；1322，第二开口；133，分支电极；134，间隙；135，连接电极；136，桥接电极；14，透明公共电极；15，源漏极金属层；151，数据线；152，源极；153，漏极；16，色阻层；17，栅极金属层；171，栅极；172，公共电极线；18，半导体层；191，栅极绝缘层；192，钝化层；

193，平坦化层；

21，对置基板；22，对置基底层；23，公共电极层；24，黑色矩阵；

31，液晶层。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

请参照图1所示，其为本申请的一些实施例的显示装置的剖面结构示意图。显示装置100包括显示面板10和背光模组20。显示面板10位于背光模组20的出光侧。

请参照图2所示，其为本申请的一些实施例的显示面板的剖面结构示意图。显示面板10包括阵列基板11、对置基板21以及液晶层31。阵列基板11与对置基板21相对设置。液晶层31设置于阵列基板11与对置基板21之间。

阵列基板11包括基底层12、像素电极层13以及透明公共电极14。像素电极层13以及透明公共电极14设置于基底层12上。对置基板21包括对置基底层22以及公共电极层23。公共电极层23设置于对置基底层22朝向阵列基板11的表面上。

在对显示装置100的液晶层31进行配向，使得液晶层31的多个液晶分子形成预倾角时，需要对公共电极层23加载第一公共配向电压。在显示装置100显示时，需要对公共电极层23加载公共显示电压。如此，公共电极层23在液晶配向和显示时均加载电压。公共电极层23的材料包括透明导电材料，透明导电材料包括但不限于氧化铟锡以及氧化铟锌中的至少一种。

对置基板21还包括黑色矩阵24。黑色矩阵24设置于公共电极层23与对置基底层22之间。黑色矩阵24包括透光开口241。

透明公共电极14位于像素电极层13与基底层12之间。在显示装置100显示时，透明公共电极14加载第二公共配向电压。在显示装置100显示时，透明公共电极14也加载公共显示电压，即透明公共电极14加载的公共显示电压与公共电极层23加载的公共显示电压相同。透明公共电极14的材料包括透明导电材料，透明导电材料包括但不限于氧化铟锡以及氧化铟锌中的至少一种。

请参照图2和图3所示，阵列基板11还包括源漏极金属层15。源漏极金属层15包括源极152、漏极153和多条数据线151。源漏极金属层15位于透明公共电极14与基底层12之间。多条数据线151在基底层12上的正投影与透明公共电极14在基底层12上的正投影重叠。如此，显示装置100显示时，透明公共电极14能对多条数据线151传输的数据信号起到屏蔽作用，透明公共电极14起到屏蔽电极的作用。透明公共电极14能替代相关技术中与像素电极131同层设置的屏蔽电极，有利于增加像素电极131的布设面积，提高显示面板10的开口率，进而改善显示装置100的显示效果。

在一些实施例中，阵列基板11还包括色阻层16。色阻层16的至少部分位于源漏极金属层15与透明公共电极14之间。如此，由于色阻层16的厚度较厚，能降低透明公共电极14与源漏极金属层15之间的寄生电容，改善寄生电容对显示装置100显示效果的不利影响。

在一些实施例中，色阻层16的厚度大于或等于1.8微米且小于或等于2.5微米。

在另一些实施例中，色阻层16也可以设置于对置基板21上。例如，色阻层16设置于对置基底层22与公共电极层23之间。

像素电极层13设置于基底层12上。像素电极层13包括多个阵列排布的像素电极131和桥接电极136。每个像素电极131在基底层12上的正投影与透光开口241在基底层12上的正投影重叠。每个像素电极131为多畴像素，以增大显示装置100的视角。像素电极131可以为二畴像素、四畴像素、六畴像素以及八畴像素电极131中的任意一种。像素电极131的材料包括透明导电材料，透明导电材料包括但不限于氧化铟锡以及氧化铟锌中的至少一种。

如图3所示，像素电极131具有主干区13a以及位于主干区13a不同侧的多个分支区13b。主干区13a将多个分支区13b分开。像素电极131包括分别位于多个分支区13b的多个分支电极133，每个分支区13b设置有多个分支电极133。分别位于相邻两个分支区13b的分支电极133的延伸方向相交。一个分支区13b的相邻两个分支电极133之间设置有间隙134。

在一些实施例中，多个分支电极133在基底层12上的正投影与透明公共电极14在基底层12上的正投影重叠。如此，分支电极133与透明公共电极14之间形成透明存储电容的两个电极板的同时，提高显示面板10对背光的透过率。因此，在本申请中，透明公共电极14不仅作为屏蔽电极，还作为透明电容器的电极板，简化了显示面板10的制造工艺的同时，提高背光穿过显示面板10的透过率。

像素电极131还包括位于主干区13a的开口132。透明公共电极14在基底层12上的正投影至少与开口132在基底层12上的正投影重叠。如此，主干区13a的至少部分像素电极131被去除。在显示装置100显示时，透明公共电极14与公共电极层23加载的电压相同，透明公共电极14与公共电极层23之间的电压差为0。主干区13a的至少像素电极131被去除而不会对液晶层加载电压。对应主干区13a的开口132设置的液晶分子基本不会受电场的作用。对应主干区13a的开口132设置的液晶分子基本不会偏转，改善显示面板10显示时暗态漏光的问题，进而提高液晶显示装置100在暗态下的对比度。

需要说明的是，主干区13a的至少部分像素电极131被去除包括两种情况。第一种情况是，去除像素电极131位于主干区13a的一部分。第二种情况是，去除像素电极131位于主干区13a的所有部分。另外，透明公共电极14在基底层12上的正投影至少与开口132在基底层12上的正投影重叠意味着，透明公共电极14在基底层12上的正投影完全覆盖开口132在基底层12上的正投影。

在一些实施例中，至少部分间隙134与开口132连通。如此，以完全去除连接相邻两个分支区13b中的分支电极133的至少部分主干电极，一个分支区13b中相邻两个分支电极133之间断开连接，并形成开口132，明显地改善显示面板10显示时出现暗态漏光的问题，进而提高液晶显示装置100在暗态下的对比度。在一个具体的实施例中，所有间隙134与开口132连通。如此，以进一步提高背光穿过显示面板10的透过率。在另一些实施例中，也可以部分间隙134与开口132连通，部分相邻的分支电极133靠近开口132的一端连接。

在一些实施例中，开口132的宽度d1等于相邻两个分支区13b之间的间距，分支电极133的宽度d2等于一个分支区13b中相邻两个间隙134之间的间距，开口132的宽度d1大于分支电极133的宽度d2。如此，完全去除相关技术中相邻两个分支区13b之间的主干电极，且开口132的尺寸较大，进一步地改善显示面板10显示时出现暗态漏光的问题，进而提高液晶显示装置100在暗态下的对比度，降低开口132的制造难度。

在一些实施例中，如图3所示，主干区13a包括第一主干区13a1和第二主干区13a2。第一主干区13a1的延伸方向与第二主干区13a2的延伸方向相交。第一主干区13a1和第二主干区13a2限定出多个分支区13b。开口132包括位于第一主干区13a1的第一开口1321和位于第二主干区13a2的第二开口1322，第一开口1321与第二开口1322相交且连通。举例而言，一个第一主干区13a1和一个第二主干区13a2限定出四个分支区13b，多个分支电极133分别位于四个分支区13b，但不限于此。

在一些实施例中，第一开口1321的延伸方向与一个分支电极133的延伸方向之间的夹角为锐角或钝角，第二开口1322的延伸方向与一个分支电极133的延伸方向之间的夹角为锐角或钝角。因此，多个分支电极133相对于第一开口1321和第二开口1322倾斜设置，以扩大显示装置的显示视角。其中，锐角的取值范围为大于或等于10度且小于或等于80度，钝角的取值范围为大于或等于100度且小于或等于170度。举例而言，至少一个分支电极133的延伸方向与第一开口1321的延伸方向之间的夹角为45度，至少一个分支电极133的延伸方向与第一开口1321的延伸方向之间的夹角为135度。至少一个分支电极133的延伸方向与第二开口1322的延伸方向之间的夹角为45度，至少一个分支电极133的延伸方向与第二开口1322的延伸方向之间的夹角为135度。

在一些实施例中，第一开口1321与第二开口1322垂直相交。第一开口1321的长度(第一开口1321在第一开口1321延伸方向上的尺寸)等于第一主干区13a1的长度(第一主干区13a1在第一主干区13a1延伸方向上的尺寸)。第二开口1322的长度等于第二主干区13a2的长度。即像素电极131对应第一主干区13a1的部分被完全去除。同样的，像素电极131对应第二主干区13a2的部分也被完全去除。

像素电极131还包括连接电极135，连接电极135与多个分支电极133远离开口132的一端连接，且连接电极135在基底层12上的正投影与透明公共电极14在基底层12上的正投影重叠。如此，进一步地增加像素电极131与透明公共电极14之间的重叠面积，进而增大透明存储电容的电容值。具体地，连接电极135在基底层12上的正投影位于透明公共电极14在基底层12上的正投影内，整个连接电极135与透明公共电极14重叠。

具体地，连接电极135围绕一个像素电极131的多个分支区13b设置。如此，连接电极135连接一个像素电极131的多个分支电极133。举例而言，连接电极135呈框形。

如图2所示，阵列基板11还包括栅极金属层17。栅极金属层17位于源漏极金属层15与基底层12之间。栅极金属层17包括间隔设置的栅极171和公共电极线172。桥接电极136桥接公共电极线172与透明公共电极14。

阵列基板11还包括半导体层18。半导体层18包括有源层，有源层在基底层12上的正投影与栅极171在基底层12上的正投影重叠。

阵列基板11还包括栅极绝缘层191、钝化层192以及平坦化层193。栅极绝缘层191位于半导体层18与栅极金属层17之间。半导体层18位于栅极金属层17上。源漏极金属层15位于半导体层18和栅极绝缘层191上。钝化层192覆盖源漏极金属层15、半导体层18以及栅极绝缘层191。色阻层16位于钝化层192上。透明公共电极14位于色阻层16和钝化层192。平坦化层193覆盖色阻层16、钝化层192以及透明公共电极14。像素电极层13设置于平坦化层193上。像素电极131通过贯穿平坦化层193、色阻层16以及钝化层192的第一过孔与漏极153连接。桥接电极136通过对应公共电极线172设置的第二过孔与公共电极线172连接，第二过孔贯穿栅极绝缘层191、钝化层192以及平坦化层193。桥接电极136通过对应透明公共电极14设置的第三过孔与透明公共电极14连接，第三过孔贯穿平坦化层193。

以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

阵列基板，包括：

基底层；

像素电极层，设置于所述基底层上，且包括像素电极，所述像素电极包括开口和分别位于所述开口不同侧的多个分支区，每个所述分支区设置有多个分支电极，分别位于相邻两个所述分支区中的所述分支电极的延伸方向相交，所述开口沿所述像素电极层的厚度方向上贯穿所述像素电极；

透明公共电极，位于所述像素电极层与所述基底层之间，所述透明公共电极在所述基底层上的正投影至少与所述开口在所述基底层上的正投影重叠；以及

对置基板，与所述阵列基板相对设置，所述对置基板包括：

对置基底层；以及

公共电极层，设置于所述对置基底层朝向所述阵列基板的表面上。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，一个所述分支区的相邻两个所述分支电极之间设置有间隙，至少部分所述间隙与所述开口连通。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述开口的宽度等于相邻两个所述分支区之间的间距，所述分支电极的宽度等于一个所述分支区中相邻两个所述间隙之间的间距，所述开口的宽度大于所述分支电极的宽度。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述开口包括相交且连通的第一开口和第二开口，所述第一开口与所述第二开口限定出多个所述分支区。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一开口的延伸方向与一个所述分支电极的延伸方向之间的夹角为锐角或钝角，所述第二开口的延伸方向与一个所述分支电极的延伸方向之间的夹角为锐角或钝角。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：

数据线，位于所述透明公共电极与所述基底层之间，所述数据线在所述基底层上的正投影与所述透明公共电极在所述基底层上的正投影重叠。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：色阻层，位于所述数据线与所述基底层之间。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述分支电极在所述基底层上的正投影与所述透明公共电极在所述基底层上的正投影重叠。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电极还包括：

连接电极，与多个所述分支电极远离所述开口的一端连接，且所述连接电极在所述基底层上的正投影与所述透明公共电极在所述基底层上的正投影重叠。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1-9任一项所述显示面板。