CN220774756U - 一种电磁波吸波结构及毫米波雷达 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种电磁波吸波结构及毫米波雷达,基板的下端面设有金属接地板;多个贴片单元呈阵列排布,各贴片单元包括外环片、内补片和连接片,外环片套设于内补片的外部,内补片与外环片之间限定出宽度均匀的间隙,外环片设于基板的上端面,连接片位于间隙内且分别与内补片和外环片连接,以使得间隙在基板上的投影呈局部断开的环状设置。通过在基板的上端面设置呈阵列排布的多个贴片单元,以形成电磁波吸波结构,以使得电磁波吸波结构对电磁波极化不敏感,以在来波方向±40°范围内对横电波、横磁波的吸收能力基本一致,并且吸收效果和中心频率都没有剧烈恶化,如此,将电磁波吸波结构应用于毫米波雷达后,以能够提高毫米波雷达的整体性能。
Description
技术领域
本实用新型涉及毫米波雷达技术领域,具体涉及一种电磁波吸波结构及毫米波雷达。
背景技术
毫米波雷达因其尺寸小、成本低、空间分辨率高等特性,在汽车高级驾驶辅助系统(ADAS系统)中已被较为广泛的使用,而天线作为毫米波雷达的必备元件之一,主要起到电流与电磁波高效转化的作用,目前,毫米波雷达多采用PCB集成的微带天线,随着雷达通道数增加PCB尺寸增大,电磁波在雷达天线罩与PCB板之间的反射路径也会显著增多,导致直达波相位受反射波干扰明显,严重影响毫米波雷达的整体性能。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是提出一种电磁波吸波结构及毫米波雷达,旨在解决现有微带天线存在的直达波相位受反射波干扰明显的问题。
为实现上述目的,本实用新型提出一种电磁波吸波结构,包括:
基板,所述基板的下端面设有金属接地板;以及,
多个贴片单元,呈阵列排布,各所述贴片单元包括外环片、内补片和连接片,所述外环片套设于所述内补片的外部,所述内补片与所述外环片之间限定出宽度均匀的间隙,所述外环片设于所述基板的上端面,所述连接片位于所述间隙内、且分别与所述内补片和所述外环片连接,以使得所述间隙在所述基板上的投影呈局部断开的环状设置。
可选地,所述外环片的外轮廓呈圆形设置、且其外圈周长的理论值和实际值分别为C和C1,且|C-C1|≤0.1mm,其中,C=c/f-h*2*PI,c为光速,f为中心频率,h为所述基板的厚度,PI为圆周率;或,
所述外环片的外轮廓呈方形设置、且其外圈周长的理论值和实际值分别为C和C1,且|C-C1|≤0.1mm,其中,C=c/f-h*4,c为光速,f为中心频率,h为所述基板的厚度。
可选地,所述间隙在所述基板上的投影的轮廓总长为L,所述外环片的内孔为方孔,所述内补片的外形与所述外环片的内孔形状相适配;
所述外环片的内孔边长的理论值和实际值分别为S1和s1,所述内补片的外圈边长的理论值和实际值分别为S2和s2,且|S1-s1|≤0.06mm,|S2-s2|≤0.06mm,L=(s1+s2)*4,其中:
且c为光速,f为中心频率,εr为所述基板的介电常数,ω1为所述间隙的宽度。
可选地,所述间隙在所述基板上的投影的轮廓总长为L,所述外环片的内孔为圆孔,所述内补片的外形与所述外环片的内孔形状相适配;
所述外环片的内孔半径的理论值和实际值分别为R1和r1,所述内补片的外圈半径的理论值和实际值分别为R2和r2,且|R1-r1|≤0.06mm,|R2-r2|≤0.06mm,L=2PI*(r1+r2),其中:
且c为光速,f为中心频率,εr为所述基板的介电常数,ω1为所述间隙的宽度,PI为圆周率。
可选地,所述间隙的宽度为ω1,且0.12mm≤ω1≤0.13mm。
可选地,所述外环片的内孔为圆孔,所述内补片的外形与所述外环片的内孔形状相适配;
所述连接片设置为长方形片,且其长度方向上的两边分别与所述内补片和所述外环片连接,其中,所述连接片的宽度为ω2,且ω2=ω1。
可选地,所述外环片的内孔为方孔,所述内补片的外形与所述外环片的内孔形状相适配;
所述连接片设置为长方形片,且其长度方向上的两边分别与所述内补片和所述外环片连接,其中,所述连接片的宽度为ω2,且
可选地,每相邻的两个所述贴片单元之间的中心距为所述电磁波吸波结构的中心频率波长的0.35~0.5倍;和/或
各所述贴片单元的材质包括铜;和/或,
所述接地板的材质包括铜。
可选地,所述连接片为长方形片,且在水平面内倾斜设置,所述连接片在所述基板上的投影形成第三投影区域,所述第三投影区域的延伸方向所在的直线与所述基板的延展方向所在的直线之间的夹角为45°。
本实用新型还提出一种毫米波雷达,所述毫米波雷达包括电磁波吸波结构,所述电磁波吸波结构包括:
基板,所述基板的下端面设有金属接地板;以及,
多个贴片单元,呈阵列排布,各所述贴片单元包括外环片、内补片和连接片,所述外环片套设于所述内补片的外部,所述内补片与所述外环片之间限定出宽度均匀的间隙,所述外环片设于所述基板的上端面,所述连接片位于所述间隙内、且分别与所述内补片和所述外环片连接,以使得所述间隙在所述基板上的投影呈局部断开的环状设置。
本实用新型的技术方案中,所述电磁波吸波结构包括基板和多个贴片单元,所述基板的下端面设有金属接地板;多个所述贴片单元呈阵列排布,各所述贴片单元包括外环片、内补片和连接片,所述外环片套设于所述内补片的外部,所述内补片与所述外环片之间限定出宽度均匀的间隙,所述外环片设于所述基板的上端面,所述连接片位于所述间隙内、且分别与所述内补片和所述外环片连接,以使得所述间隙在所述基板上的投影呈局部断开的环状设置。通过在所述基板的上端面设置呈阵列排布的多个所述贴片单元,以形成电磁波吸波结构,以使得所述电磁波吸波结构对电磁波极化不敏感,以在来波方向±40°范围内对横电波(TE模)、横磁波(TM模)的吸收能力基本一致,并且吸收效果和中心频率都没有剧烈恶化,如此,将所述电磁波吸波结构应用于毫米波雷达后,以能够提高毫米波雷达的整体性能,其中,所述接地板无接地通孔,因此尺寸精度和位置精度控制难度低,可通过成熟的PCB加工工艺实现,降低生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本实用新型提供的电磁波吸波结构的一实施例的结构示意图;
图2为图1中电磁波吸波结构的俯视图;
图3为图1中贴片单元的结构示意图;
图4为图1中电磁波吸波结构TE和TM两种电磁波的正入射反射系数的示意图;
图5为图1中电磁波吸波结构在0°-60°入射角情况下对TE电磁波的吸收率的示意图;
图6为图1中电磁波吸波结构在0°-60°入射角情况下对TM电磁波的吸收率;
图7为本实用新型提供的电磁波吸波结构的另一实施例的结构示意图;
图8为图7中电磁波吸波结构TE和TM两种电磁波的正入射反射系数的示意图;
图9为图7中电磁波吸波结构在0°-60°入射角情况下对TE电磁波的吸收率的示意图;
图10为图7中电磁波吸波结构在0°-60°入射角情况下对TM电磁波的吸收率。
附图标号说明:
标号 | 名称 | 标号 | 名称 |
100 | 电磁波吸波结构 | 21 | 外环片 |
1 | 基板 | 22 | 内补片 |
11 | 接地板 | 23 | 间隙 |
2 | 贴片单元 |
本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
需要说明,若本实用新型实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……),则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。
另外,若本实用新型实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述,则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外,全文中出现的“和/或”的含义,包括三个并列的方案,以“A和/或B”为例,包括A方案、或B方案、或A和B同时满足的方案。另外,各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本实用新型要求的保护范围之内。
毫米波雷达因其尺寸小、成本低、空间分辨率高等特性,在汽车高级驾驶辅助系统(ADAS系统)中已被较为广泛的使用,而天线作为毫米波雷达的必备元件之一,主要起到电流与电磁波高效转化的作用,目前,毫米波雷达多采用PCB集成的微带天线,随着雷达通道数增加PCB尺寸增大,电磁波在雷达天线罩与PCB板之间的反射路径也会显著增多,导致直达波相位受反射波干扰明显,严重影响毫米波雷达的整体性能。
鉴于此,本实用新型提出一种电磁波吸波结构,通过在所述基板的上端面设置呈阵列排布的多个所述贴片单元,以形成电磁波吸波结构,以使得所述电磁波吸波结构对电磁波极化不敏感,以在来波方向±40°范围内对横电波(TE模)、横磁波(TM模)的吸收能力基本一致,并且吸收效果和中心频率都没有剧烈恶化,如此,将所述电磁波吸波结构应用于毫米波雷达后,以能够提高毫米波雷达的整体性能。图1至图3所示,为本实用新型提出的电磁波吸波结构的一实施例;图7为本实用新型提供的电磁波吸波结构的另一实施例的结构示意图。
如图1至图3所示,为本实用新型提出的所述电磁波吸波结构100包括基板1和多个贴片单元2,所述基板1的下端面设有金属接地板11;多个所述贴片单元2呈阵列排布,各所述贴片单元2包括外环片21、内补片22和连接片,所述外环片21套设于所述内补片22的外部,所述内补片22与所述外环片21之间限定出宽度均匀的间隙23,所述外环片21设于所述基板1的上端面,所述连接片位于所述间隙23内、且分别与所述内补片22和所述外环片21连接,以使得所述间隙23在所述基板1上的投影呈局部断开的环状设置。
本实用新型的技术方案中,所述电磁波吸波结构100包括基板1和多个贴片单元2,所述基板1的下端面设有金属接地板11;多个所述贴片单元2呈阵列排布,各所述贴片单元2包括外环片21、内补片22和连接片,所述外环片21套设于所述内补片22的外部,所述内补片22与所述外环片21之间限定出宽度均匀的间隙23,所述外环片21设于所述基板1的上端面,所述连接片位于所述间隙23内、且分别与所述内补片22和所述外环片21连接,以使得所述间隙23在所述基板1上的投影呈局部断开的环状设置。通过在所述基板1的上端面设置呈阵列排布的多个所述贴片单元2,以形成电磁波吸波结构,以使得所述电磁波吸波结构100对电磁波极化不敏感,以在来波方向±40°范围内对横电波(TE模)、横磁波(TM模)的吸收能力基本一致,并且吸收效果和中心频率都没有剧烈恶化,如此,将所述电磁波吸波结构100应用于毫米波雷达后,以能够提高毫米波雷达的整体性能,其中,所述接地板11无接地通孔,因此尺寸精度和位置精度控制难度低,可通过成熟的PCB加工工艺实现,降低生产成本。
需要说明的是,所述基板1采用介电常数为3±0.1的材料制成,可选但不限于PTFE、碳氢树脂和PPO树脂及其改性材料,具体地,在本实例中所述基板1由PTFE+陶瓷复合材料制成,所述基板1的厚度为0.127mm,而由多个所述贴片单元2呈阵列排布形成的电磁波吸波结构的中心频率为76.5GHz。
在本实施例中,如图2和图3所示,所述外环片121的外轮廓呈圆形设置、且其外圈周长的理论值和实际值分别为C和C1,且|C-C1|≤0.1mm,其中,C=c/f-h*2*PI,c为光速,f为中心频率,h为所述基板1的厚度,PI为圆周率。通过限定所述外环片121的外圈的周长,以使得所述电磁波吸波结构100的工作频段在中心频率附近,从而保证其在中心频率附近的吸波效果。需要说明的是,在实际应用中,所述外环片121外圈周长的实际值可在所述外环片121外圈周长的理论值的上下偏差为0.1mm的范围内选取。
进一步地,在本实施例中,如图2和图3所示,所述间隙23在所述基板1上的投影的轮廓总长为L,所述外环片1的内孔为方孔,所述内补片22的外形与所述外环片1的内孔形状相适配;所述外环片1的内孔边长的理论值和实际值分别为S1和s1,所述内补片22的外圈边长的理论值和实际值分别为S2和s2,且|S1-s1|≤0.06mm,|S2-s2|≤0.06mm,L=(s1+s2)*4,其中:且c为光速,f为中心频率,εr为所述基板1的介电常数,ω1为所述间隙23的宽度。如此,在限定所述外环片121的外圈的周长的同时,进一步限定所述间隙23在所述基板11上的投影的轮廓总长,以使得所述电磁波吸波结构100的工作频段在中心频率附近,从而保证其在中心频率附近的吸波效果。需要说明的是,在实际应用中,所述外环片121内孔边长的实际值可在所述外环片121内孔边长的理论值的上下偏差为0.06mm的范围内选取,所述内补片22的外圈边长实际值可在内补片22的外圈边长的的理论值的上下偏差为0.06mm的范围内选取。
在另一实施例中,如图7所示,所述外环片121的外轮廓呈方形设置、且其外圈周长的理论值和实际值分别为C和C1,且|C-C1|≤0.1mm,其中,C=c/f-h*4,c为光速,f为中心频率,h为所述基板1的厚度。通过限定所述外环片121的外圈的周长,以使得所述电磁波吸波结构100的工作频段在中心频率附近,从而保证其在中心频率附近的吸波效果。需要说明的是,在实际应用中,所述外环片121外圈周长的实际值可在所述外环片121外圈周长的理论值的上下偏差为0.1mm的范围内选取。
进一步地,在本实施例中,如图7所示,所述间隙23在所述基板1上的投影的轮廓总长为L,所述外环片1的内孔为圆孔,所述内补片22的外形与所述外环片1的内孔形状相适配;所述外环片1的内孔半径的理论值和实际值分别为R1和r1,所述内补片22的外圈半径的理论值和实际值分别为R2和r2,且|R1-r1|≤0.06mm,|R2-r2|≤0.06mm,L=2PI*(r1+r2),其中:
且c为光速,f为中心频率,εr为所述基板1的介电常数,ω1为所述间隙23的宽度,PI为圆周率。如此,在限定所述外环片121的外圈的半径的同时,进一步限定所述间隙23在所述基板11上的投影的轮廓总长,以使得所述电磁波吸波结构100的工作频段在中心频率附近,从而保证其在中心频率附近的吸波效果。需要说明的是,在实际应用中,所述外环片121内孔半径的实际值可在所述外环片121内孔半径的理论值的上下偏差为0.06mm的范围内选取,所述内补片22的外圈半径实际值可在内补片22的外圈半径的的理论值的上下偏差为0.06mm的范围内选取。
需要说明的是,所述外环片1的外轮廓呈圆形设置时,所述外环片1的内孔可以为方孔,也可以是圆孔,同样地,所述外环片1的外轮廓呈方形设置时,所述外环片1的内孔可以为方孔,也可以是圆孔,根据实际需要设置即可。
在本实施例中,所述间隙23的宽度为ω1,且0.12mm≤ω1≤0.13mm。通过限定所述间隙23的宽度ω1的取值范围,以保证由多个所述贴片单元2呈阵列排布形成的电磁波吸波结构的吸波效果。
所述间隙23在所述基板1上的投影呈局部断开的环状设置,具体地,在本实施例中,如图2和图3所示,所述外环片21的内孔为方孔,所述内补片22的外形与所述外环片21的内孔形状相适配;所述连接片设置为长方形片,且其长度方向上的两边分别与所述内补片22和所述外环片21连接,其中,所述连接片的宽度为ω2,且ω2=ω1。在所述外环片21的内孔为方孔时,使得所述间隙23的宽度ω2等于ω1,以保证所述电磁波吸波结构100的带宽。在本实施例中,如图4所示为由多个所述贴片单元2呈阵列排布形成的电磁波吸波结构对于TE和TM两种电磁波的正入射反射系数,图5为0°-60°入射角情况下对TE电磁波的吸收率,图6为0°-60°入射角情况下对TM电磁波的吸收率。可见不同极化的入射电磁波在0°-40°内吸收率均能达到90%以上,频段覆盖75.7GHz-77.4GHz,并且中心频率无较大偏差,此性能可以满足大多数车载毫米波雷达应用。
在一实施例中,如图7所示,所述外环片21的内孔为圆孔,所述内补片22的外形与所述外环片21的内孔形状相适配;所述连接片设置为长方形片,且其长度方向上的两边分别与所述内补片22和所述外环片21连接,其中,所述连接片的宽度为ω2,且ω2=ω1。同样地,在所述外环片21的内孔为方孔时,使得所述间隙23的宽度ω2等于ω1,以保证所述电磁波吸波结构100的带宽。图8所示为此电磁波吸波结构对于TE和TM两种电磁波的正入射反射系数,图9为0°-60°入射角情况下对TE电磁波的吸收率,图10为0°-60°入射角情况下对TM电磁波的吸收率。同样可见,不同极化的入射电磁波在0°-40°内吸收率均能达到90%以上,频段覆盖75.7GHz-77.5GHz,并且中心频率最大偏差不足140MHz,此性能同样可以满足大多数车载毫米波雷达应用。
在本实施例中,每相邻的两个所述贴片单元2之间的中心距为所述电磁波吸波结构100的中心频率波长的0.35~0.5倍。如此,通过限定每相邻的两个所述贴片单元2之间的中心距,以保证多个所述贴片单元2呈阵列排布形成的电磁波吸波结构的电磁波吸波结构性能。
在本实施例中,所述连接片为长方形片,且在水平面内倾斜设置,所述连接片在所述基板1上的投影形成第三投影区域,所述第三投影区域的延伸方向所在的直线与所述基板1的延展方向所在的直线之间的夹角为45°。如此,通过使所述第三投影区域的延伸方向所在的直线与所述基板1的延展方向所在的直线之间的夹角45°,以使得多个所述贴片单元2呈阵列排布形成的电磁波吸波结构对不同电磁波极化具有更好的极化吸收效果。
在本实施例中,各所述贴片单元2的材质包括铜。所述贴片单元2和所述接地板11均由铜制成,如此,可采用成熟的印制电路板(PCB)加工制造所述电磁波吸波结构100,节约生产成本。
在本实施例中,如图1至图6所示,所述电磁波吸波结构100的中心频率为76.5GHz,所述基板1的介电常数εr为3.0,所述基板1的厚度h为0.127mm,所述外环片21的外轮廓呈圆形设置、且其外圈周长的实际值C1为3.4mm,所述外环片21的内孔边长的实际值s1为0.61mm,所述内补片22的外圈边长的实际值s2为0.37mm,所述间隙23的宽度ω1为0.12mm,所述连接片的宽度ω2为0.17mm,每相邻的两个所述贴片单元2之间的中心距为1.5mm。如此,可得到如图4所示为所述电磁波吸波结构100对于TE和TM两种电磁波的正入射反射系数,如图5所示为0°-60°入射角情况下对TE电磁波的吸收率,如图6所示为0°-60°入射角情况下对TM电磁波的吸收率。可见不同极化的入射电磁波在0°-40°内吸收率均能达到90%以上,频段覆盖75.7GHz-77.4GHz,并且中心频率无较大偏差,此性能可以满足大多数车载毫米波雷达应用。
在另一实施例中,如图7至图10所示,所述电磁波吸波结构100的中心频率为76.5GHz,所述基板1的介电常数εr为3.0,所述基板1的厚度h为0.127mm,所述外环片21的外轮廓呈圆形设置、且其外圈周长的实际值C1为3.2mm,所述外环片21的内孔半径的实际值r2为0.34mm,所述内补片22的外圈半径的实际值r2为0.22mm,所述间隙23的宽度ω1为0.12mm,所述连接片的宽度ω2为0.17mm,每相邻的两个所述贴片单元2之间的中心距为1.5mm。如此,可得到如图8所示为此电磁波吸波结构100对于TE和TM两种电磁波的正入射反射系数,如图9为0°-60°入射角情况下对TE电磁波的吸收率,如图10为0°-60°入射角情况下对TM电磁波的吸收率。同样可见,不同极化的入射电磁波在0°-40°内吸收率均能达到90%以上,频段覆盖75.7GHz-77.5GHz,并且中心频率最大偏差不足140MHz,此性能同样可以满足大多数车载毫米波雷达应用。
本实用新型还提出一种毫米波雷达,所述毫米波雷达包括电磁波吸波结构100,所述电磁波吸波结构100的具体结构,参照上述实施例,所述电磁波吸波结构100的具体结构如图1至图3所示,可以理解的是,由于本实用新型所述毫米波雷达采用了上述所有实施例的全部技术方案,因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果,在此不再一一赘述。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是在本实用新型的构思下,利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种电磁波吸波结构,其特征在于,包括:
基板,所述基板的下端面设有金属接地板;以及,
多个贴片单元,呈阵列排布,各所述贴片单元包括外环片、内补片和连接片,所述外环片套设于所述内补片的外部,所述内补片与所述外环片之间限定出宽度均匀的间隙,所述外环片设于所述基板的上端面,所述连接片位于所述间隙内、且分别与所述内补片和所述外环片连接,以使得所述间隙在所述基板上的投影呈局部断开的环状设置。
2.如权利要求1所述的电磁波吸波结构,其特征在于,所述外环片的外轮廓呈圆形设置、且其外圈周长的理论值和实际值分别为C和C1,且|C-C1|≤0.1mm,其中,C=c/f-h*2*PI,c为光速,f为中心频率,h为所述基板的厚度,PI为圆周率;或,
所述外环片的外轮廓呈方形设置、且其外圈周长的理论值和实际值分别为C和C1,且|C-C1|≤0.1mm,其中,C=c/f-h*4,c为光速,f为中心频率,h为所述基板的厚度。
3.如权利要求2所述的电磁波吸波结构,其特征在于,所述间隙在所述基板上的投影的轮廓总长为L,所述外环片的内孔为方孔,所述内补片的外形与所述外环片的内孔形状相适配;
所述外环片的内孔边长的理论值和实际值分别为S1和s1,所述内补片的外圈边长的理论值和实际值分别为S2和s2,且|S1-s1|≤0.06mm,|S2-s2|≤0.06mm,L=(s1+s2)*4,其中:
且c为光速,f为中心频率,εr为所述基板的介电常数,ω1为所述间隙的宽度。
4.如权利要求2所述的电磁波吸波结构,其特征在于,所述间隙在所述基板上的投影的轮廓总长为L,所述外环片的内孔为圆孔,所述内补片的外形与所述外环片的内孔形状相适配;
所述外环片的内孔半径的理论值和实际值分别为R1和r1,所述内补片的外圈半径的理论值和实际值分别为R2和r2,且|R1-r1|≤0.06mm,|R2-r2|≤0.06mm,L=2PI*(r1+r2),其中:
且c为光速,f为中心频率,εr为所述基板的介电常数,ω1为所述间隙的宽度,PI为圆周率。
5.如权利要求1所述的电磁波吸波结构,其特征在于,所述间隙的宽度为ω1,且0.12mm≤ω1≤0.13mm。
6.如权利要求5所述的电磁波吸波结构,其特征在于,所述外环片的内孔为方孔,所述内补片的外形与所述外环片的内孔形状相适配;
所述连接片设置为长方形片,且其长度方向上的两边分别与所述内补片和所述外环片连接,其中,所述连接片的宽度为ω2,且
7.如权利要求5所述的电磁波吸波结构,其特征在于,所述外环片的内孔为圆孔,所述内补片的外形与所述外环片的内孔形状相适配;
所述连接片设置为长方形片,且其长度方向上的两边分别与所述内补片和所述外环片连接,其中,所述连接片的宽度为ω2,且ω2=ω1。
8.如权利要求1所述的电磁波吸波结构,其特征在于,每相邻的两个所述贴片单元之间的中心距为所述电磁波吸波结构的中心频率波长的0.35~0.5倍;和/或
各所述贴片单元的材质包括铜;
所述接地板的材质包括铜。
9.如权利要求1所述的电磁波吸波结构,其特征在于,所述连接片为长方形片,且在水平面内倾斜设置,所述连接片在所述基板上的投影形成第三投影区域,所述第三投影区域的延伸方向所在的直线与所述基板的延展方向所在的直线之间的夹角为45°。
10.一种毫米波雷达,其特征在于,包括如权利要求1-9任意一项所述的电磁波吸波结构。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202322556821.0U CN220774756U (zh) | 2023-09-19 | 2023-09-19 | 一种电磁波吸波结构及毫米波雷达 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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CN220774756U true CN220774756U (zh) | 2024-04-12 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN202322556821.0U Active CN220774756U (zh) | 2023-09-19 | 2023-09-19 | 一种电磁波吸波结构及毫米波雷达 |
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