CN220753313U - 一种控制继电器以及继电器控制装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种控制继电器以及继电器控制装置，属于继电器保护技术领域。该控制继电器包括控制模块以及继电器模块，其中，控制模块包括光耦合器或金属‑氧化物半导体场效应晶体管。控制模块的第一输入端接入继电器控制信号，控制模块的第二输入端连接电源的正极，控制模块的输出端与继电器模块的第一输入端连接；继电器模块的第二输入端连接电源的负极；控制模块用于在继电器控制信号的作用下，控制继电器模块的通断。本申请可以达到增加继电器的隔离或快速控制保护功能，且中央处理器可以直接控制继电器的通断的效果。

Description

一种控制继电器以及继电器控制装置

技术领域

本申请涉及继电器保护技术领域，具体而言，涉及一种控制继电器以及继电器控制装置。

背景技术

继电器是一种具有隔离功能的自动开关元件，继电器被广泛应用于遥控、遥测、通讯以及自动控制等机电一体化的电子设备中。继电器作为一种重要的电子控制元件之一，如何保护继电器以延长电子设备的使用寿命是当前的重要突破点。

目前，传统的继电器线圈的吸合电压通常为额定电压的70％-80％，针对继电器的驱动需要设置额外的驱动电路，以使得中央控制器(Central Processing Unit，简称CPU)的输入/输出(Input/Output，简称IO)端口的控制信号可以作用于继电器的供电电路，进而控制继电器的吸合与释放。

然而，基于上述方案进行继电器保护时，继电器自身的吸合电压较高，CPU的IO端口无法直接控制继电器的吸合与释放，且继电器不具备隔离或快速控制的能力，一旦继电器中的线圈发生短路，无法快速断开继电器的供电电路，使得继电器的供电电路烧毁。因此，上述方案存在缺少继电器的隔离或快速控制保护，且CPU无法直接控制继电器的通断电的问题。

实用新型内容

本申请的目的在于提供一种控制继电器以及继电器控制装置，可以达到增加继电器的隔离或快速控制保护功能，且中央处理器可以直接控制继电器的通断的效果。

本申请的实施例是这样实现的：

本申请实施例的第一方面，提供一种控制继电器，该控制继电器包括：控制模块以及继电器模块，其中，控制模块包括光耦合器或金属-氧化物半导体场效应晶体管；

控制模块的第一输入端接入继电器控制信号，控制模块的第二输入端连接电源正极，控制模块的输出端与继电器模块的第一输入端连接；

继电器模块的第二输入端连接电源负极；

控制模块用于在继电器控制信号的作用下，控制继电器模块的通断。

可选地，控制继电器还包括第一电阻，第一电阻的第一端与控制模块的第一输入端连接，第一电阻的第二端接入继电器控制信号。

可选地，在控制模块为光耦合器时，光耦合器包括光电三极管和光敏二极管，光电三极管与光敏二极管之间光电耦合；光敏二极管的输入端与第一电阻的第一端连接，光敏二极管的输出端连接电源负极；光电三极管的输入端连接电源正极，光电三极管的输出端与继电器模块的第一输入端连接。

可选地，在控制模块为光耦合器时，光耦合器的导通电压为1V～1.5V。

可选地，在控制模块为金属-氧化物半导体场效应晶体管时，金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极与第一电阻的第一端连接，金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极连接电源正极，金属-氧化物半导体场效应晶体管的漏极与继电器模块的第一输入端连接。

可选地，在控制模块为金属-氧化物半导体场效应晶体管时，金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极导通压降为2V～4V。

可选地，继电器模块包括电磁线圈以及开关单元，控制模块的输出端与电磁线圈的第一端连接，电磁线圈的第二端连接电源负极。

本申请实施例的第二方面，提供了一种继电器控制装置，该继电器控制装置包括：控制器、电源、检测单元以及上述第一方面所述的控制继电器，其中，检测单元以及控制继电器分别与控制器连接；

控制继电器与电源连接；

控制器用于基于检测单元发送的检测信号对控制继电器进行控制。

可选地，检测单元与控制继电器的电磁线圈的两端连接；

检测单元用于对流经电磁线圈的电流进行检测。

可选地，检测单元包括第二电阻，第二电阻的两端分别与电磁线圈的两端连接。

本申请实施例的有益效果包括：

在本申请实施例中，通过将光耦合器或金属-氧化物半导体场效应晶体管集合在控制继电器中，使得控制继电器在光耦合器或金属-氧化物半导体场效应晶体管的导通或截止状态下，实现控制继电器的中电磁线圈的吸合与释放，进而使得控制继电器进入通断状态。其中，控制继电器由控制模块和继电器模块组成，控制模块的第一输入端接入继电器控制信号，使得将中央控制器的继电器控制信号接入控制继电器的供电电路，控制继电器直接基于中央控制器的继电器控制信号进入通断状态，控制模块的第二端与电源正极连接，用于将电源的正极电信号接入控制继电器，控制模块基于中央控制器的继电器控制信号以及电源正极电信号进入导通或截止状态，并输出相应的信号至继电器模块，继电器模块的第二输入端与电源负极连接，使得流经继电器的电信号形成闭合回路。另外，通过将光耦合器或金属-氧化物半导体场效应晶体管集合在控制继电器中，使得控制继电器增加继电器的隔离或快速控制保护功能，且控制继电器中的控制模块直接接入中央控制器的继电器控制信号，使得中央控制器的继电器控制信号可以直接控制继电器模块的通断。如此，可以达到增加继电器的隔离或快速控制保护功能，且中央处理器可以直接控制继电器的通断的效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请实施例提供的一种控制继电器的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的第二种控制继电器的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的一种控制模块的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的另一种控制模块的结构示意图；

图5为本申请实施例提供的第三种控制继电器的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的一种继电器控制装置的结构示意图；

图7为本申请实施例提供的一种检测单元的结构示意图。

附图标识：100：控制继电器；101：控制模块；102：继电器模块；200：电源；103：第一电阻；1011：光耦合器；10111：光敏二极管；10112：光电三极管；1012：金属-氧化物半导体场效应晶体管；1021：电磁线圈；1022：开关单元；300：继电器控制装置；400：控制器；500：检测单元；501：第二电阻。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

此外，术语“水平”、“竖直”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。

在本申请的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

如下依次结合附图，对本申请实施例提供的一种控制继电器进行详细说明。图1为本申请实施例提供的一种控制继电器的结构示意图，如图1所示，该控制继电器100包括：控制模块101以及继电器模块102，其中，控制模块101包括：光耦合器1011或金属-氧化物半导体场效应晶体管1012。

控制模块101的第一输入端接入继电器控制信号，控制模块101的第二输入端连接电源200正极，控制模块101的输出端与继电器模块102的第一输入端连接。

可选地，继电器控制信号是由中央控制器根据业务需求发出的逻辑电平信号，继电器控制信号可以是高电平逻辑信号，也可以是低电平逻辑信号，控制模块101的第一输入端接入继电器控制信号，控制模块101用于将中央控制器的继电器控制信号引入继电器模块102的供电电路中，控制模块101基于中央控制器的继电器控制信号控制继电器模块102的通断，即使得继电器模块102可以在中央控制器的继电器控制信号选择工作模式，继电器模块102的工作模式分为两种，继电器模块102导通，继电器模块102断开。

可选地，控制模块101的第二输入端与电源200正极连接，电源200用于为控制模块101以及继电器模块102供电，控制模块101基于电源200输入的电流以及中央控制器输入的继电器控制信号进入导通或截断状态，若控制模块101基于电源200输入的电流以及中央控制器输入的继电器控制信号进入导通状态，则控制模块101的输出端输出电信号，以使得为继电器模块102供电；若控制模块101基于电源200输入的电流以及中央控制器输入的继电器控制信号进入截断状态，则控制模块101阻止电源200的电信号流通，控制模块101的输出端无电信号输出，以使得继电器模块102关闭。

可选地，控制模块101的输出端与继电器模块102的第一输入端连接，即将控制模块101的输出信号作为继电器模块102的输入信号，用于控制继电器模块102的通断。

继电器模块102的第二输入端连接电源200负极。

可选地，继电器模块102的第二输入端与电源200负极连接，用于将电源200的负极电信号接入继电器模块102中，使得继电器模块102的供电电路形成闭合回路,只有当继电器模块102的第一输入端接收的控制模块101导通后的电信号以及继电器模块102的第二输入端接入电源200的负极电信号，继电器模块102中才有电流流经，继电器模块102导通。

控制模块101用于在继电器控制信号的作用下，控制继电器模块102的通断。

可选地，控制模块101在继电器控制信号的作用下以及电源200的正极电信号，使得控制模块101进入导通状态或截断状态，控制模块101可以控制继电器模块102的通断，其中，控制模块101导通则控制继电器模块102导通，控制模块101截断则控制继电器模块102关闭。

在本申请实施例中，通过将光耦合器或金属-氧化物半导体场效应晶体管集合在控制继电器中，使得控制继电器在光耦合器或金属-氧化物半导体场效应晶体管的导通或截止状态下，实现控制继电器的中电磁线圈的吸合与释放，进而使得控制继电器进入通断状态。其中，控制继电器由控制模块和继电器模块组成，控制模块的第一输入端接入继电器控制信号，使得将中央控制器的继电器控制信号接入控制继电器的供电电路，控制继电器直接基于中央控制器的继电器控制信号进入通断状态，控制模块的第二端与电源正极连接，用于将电源的正极电信号接入控制继电器，控制模块基于中央控制器的继电器控制信号以及电源的正极电信号进入导通或截止状态，并输出相应的信号至继电器模块，继电器模块的第二输入端与电源负极连接，使得流经继电器的电信号形成闭合回路。另外，通过将光耦合器或金属-氧化物半导体场效应晶体管集合在控制继电器中，使得控制继电器增加继电器的隔离或快速控制保护功能，且控制继电器中的控制模块直接接入中央控制器的继电器控制信号，使得中央控制器的继电器控制信号可以直接控制继电器模块的通断。如此，可以达到增加继电器的隔离或快速控制保护功能，且中央处理器可以直接控制继电器的通断的效果。

图2为本申请实施例提供的第二种控制继电器的结构示意图，如图2所示，该控制继电器100还包括：第一电阻103。

第一电阻103的第一端与控制模块101的第一输入端连接，第一电阻103的第二端接入继电器控制信号。

可选地，第一电阻103主要用于限流，限制继电器控制信号进入控制继电器100的电流，控制模块101的第一输入端与第一电阻103的第一端连接，第一电阻103的第二端接入继电器控制信号。

图3为本申请实施例提供的一种控制模块的结构示意图，如图3所示，控制模块101为光耦合器1011时，光耦合器1011包括光敏二极管10111和光电三极管10112，其中，光电三极管10112与光敏二极管10111之间光电耦合。

光敏二极管10111的输入端与第一电阻103的第一端连接，光敏二极管10111的输出端连接电源200负极。

可选地，光敏二极管10111的输入端与第一电阻103的第一端连接，用于将第一电阻103限流后的继电器控制信号引入控制继电器100，同时光敏二极管10111与光电三极管10112之间具有光电耦合效应，光敏二极管10111可以将光信号转换成电信号，光敏二极管10111中光信号的传递为单向传递不会对控制继电器100的供电产生任何影响，光敏二极管10111基于光敏二极管10111与光电三极管10112之间的光电耦合效应可将接收的继电器控制信号转换成光电三极管10112的另一输入信号，用于控制光电三极管10112的导通与截止。

可选地，光敏二极管10111的输入端与第一电阻103的第一端连接，光敏二极管10111的输出端与电源200负极连接，用于使得光敏二极管10111的电信号传递形成单独的闭合回路，不对继电器模块102的供电产生影响。

光电三极管10112的输入端连接电源200正极，光电三极管10112的输出端与继电器模块102的第一输入端连接。

可选地，光电三极管10112的输入端与电源200正极连接，光电三极管10112用于将电源200的正极电信号接入继电器模块102，光电三极管10112的输出端与继电器模块102的第一输入端连接，在光耦合器1011导通时，光耦合器1011中的光电三极管10112输出电信号至继电器模块102，继电器模块102基于接收的电信号进入对应的工作状态。

在本申请实施例中，通过将光耦合器集成在控制继电器中，中央控制器可将继电器控制信号施加在光耦合器中光敏二极管的输入端，用于控制光耦合器的导通与截止，光耦合器中光电三极管的输入端接入电源的正极电信号，只有当光耦合器导通时，光耦合器的光电三极管的输出端才会输出电信号至继电器模块，继电器模块基于接收的电信号进入工作状态。如此，可以达到增加继电器的隔离或快速控制保护功能，且中央处理器可以直接控制继电器的通断的效果。

在控制模块101为光耦合器1011时，光耦合器1011的导通电压为1V～1.5V。

可选地，在控制模块101为光耦合器1011时，光耦合器1011的导通电压为1V～1.5V，光耦合器1011的光耦隔离性能好，光耦合器1011的光敏二极管10111与光电三极管10112之间的光电耦合效应可以将光信号转换成电信号，光耦合器1011的输入端与输出端可以完全实现电隔离，即光耦合器1011截止时，与其连接的继电器模块102中无电信号通过。光耦合器1011的绝缘电阻很高，绝缘耐压使得光耦合器1011在任何低压状况下均可以满足使用需求，高耐压的光耦合器1011的高耐压可以超过1KV，甚至可以超过10KV。

值得说明的是，光耦合器1011通过光敏二极管10111的光信号是单向传输的，光耦合器1011的输出信号对输入信号无任何信号反馈的影响，可以有效阻断电路之间的电联系，但是不阻断电路之间的信号传播，光耦合器1011的光信号传递不受电磁信号的干扰。

可选地，若控制模块101中的光耦合器1011损坏时，中央控制器发出的继电器控制信号可以直接控制继电器模块102，进而保护继电器模块102不被损坏。

图4为本申请实施例提供的另一种控制模块的结构示意图，如图4所示，控制模块101为金属-氧化物半导体场效应晶体管1012时，金属-氧化物半导体场效应晶体管1012的栅极与第一电阻103的第一端连接，金属-氧化物半导体场效应晶体管1012的源极连接电源200正极，金属-氧化物半导体场效应晶体管1012的漏极与继电器模块102的第一输入端连接。

可选地，控制模块101可以为金属-氧化物半导体场效应晶体管1012，当控制模块101为金属-氧化物半导体场效应晶体管1012时，金属-氧化物半导体场效应晶体管1012的栅极与第一电阻103的第一端连接，金属-氧化物半导体场效应晶体管1012的栅极用于接入经第一电阻103限流处理后的中央控制器输入的继电器控制信号，即中央控制器的继电器控制信号可以控制金属-氧化物半导体场效应晶体管1012的通断，金属-氧化物半导体场效应晶体管1012的源极与电源200正极连接，电源200用于为控制继电器100供电，只有当中央控制器输入的继电器控制信号大于金属-氧化物半导体场效应晶体管1012栅极的导通电压时，金属-氧化物半导体场效应晶体管1012导通，金属-氧化物半导体场效应晶体管1012的漏极输出电信号至继电器模块102，继电器模块102将金属-氧化物半导体场效应晶体管1012漏极输出的电信号作为第一输入信号。

可选地，将金属-氧化物半导体场效应晶体管1012集成在控制继电器100中，通过中央控制器的继电器控制信号控制金属-氧化物半导体场效应晶体管1012的导通或截止，进而控制继电器模块102的工作模式。

在本申请实施例中，通过将金属-氧化物半导体场效应晶体管集成在控制继电器中，中央控制器可将继电器控制信号施加在金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极，用于控制金属-氧化物半导体场效应晶体管的导通与截止，金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极接入电源的正极电信号，只有当金属-氧化物半导体场效应晶体管导通时，金属-氧化物半导体场效应晶体管的漏极才会输出电信号至继电器模块，继电器模块基于接收的电信号进入工作状态。如此，可以达到增加继电器的隔离或快速控制保护功能，且中央处理器可以直接控制继电器的通断的效果。

在控制模块101为金属-氧化物半导体场效应晶体管1012时，金属-氧化物半导体场效应晶体管1012的栅极导通压降为2V～4V。

可选地，在控制模块101为金属-氧化物半导体场效应晶体管1012时，金属-氧化物半导体场效应晶体管1012的栅极用于接入中央控制器发送的继电器控制信号，若中央控制器发送的继电器控制信号经第一电阻103限流后输入金属-氧化物半导体场效应晶体管1012的栅极，中央控制器发送的继电器控制信号经第一电阻103限流后的电信号在2V～4V时，金属-氧化物半导体场效应晶体管1012进入导通状态，金属-氧化物半导体场效应晶体管1012经由漏极输出电信号至继电器模块102，使得继电器模块102进入导通状态；若中央控制器发送的继电器控制信号经第一电阻103限流后输入金属-氧化物半导体场效应晶体管1012的栅极的电信号小于2V或大于4V时，金属-氧化物半导体场效应晶体管1012进入截止状态，金属-氧化物半导体场效应晶体管1012的漏极无电信号输出，继电器模块102进入关断状态。

可选地，金属-氧化物半导体场效应晶体管1012的栅极导通压降为2V～4V，金属-氧化物半导体场效应晶体管1012栅极输入阻抗很高，可以达到几百兆欧姆，金属-氧化物半导体场效应晶体管1012具有控制电流小、响应速度快等优点，响应速度可以达到纳秒级别，即无论经第一电阻103限流后输入金属-氧化物半导体场效应晶体管1012的栅极的电信号多小都可以精确地控制金属-氧化物半导体场效应晶体管1012的导通与截断，从而实现高精度的电路控制。如此，实现了电路供电电压与控制电压的解耦，控制电压范围较大，驱动电流较小。

图5为本申请实施例提供的第三种控制继电器的结构示意图，如图5所示，继电器模块102包括：电磁线圈1021以及开关单元1022，控制模块101的输出端与电磁线圈1021的第一端连接，电磁线圈1021的第二端连接与电源200负极。

可选地，继电器模块102可以为一个电磁继电器，也可以为其他类型的继电器，继电器模块102包括电磁线圈1021和开关单元1022，电磁线圈1021可以基于控制模块101的导通状态进入电磁感应状态，产生电磁感应电流；电磁线圈1021还可以基于控制模块101的截止状态退出电磁感应状态，电磁线圈1021退出电磁感应状态；开关单元为一种具有多个触点的开关单元，触点可以是常闭触点，也可以是常开触点，本申请对此不做具体限定。

可选地，控制模块101的输出端与电磁线圈1021的第一端连接，控制模块101可以控制电磁线圈1021的第一端电信号的输出，即电磁线圈1021将控制模块101的输出信号作为电磁线圈1021的正极输入信号；电磁线圈1021的第二端与电源200负极连接，电磁线圈1021将电源200的负极电信号作为电磁线圈1021的负极输入信号，进而使得电磁线圈1021内流经的电信号形成闭合回路。

值得说明的是，控制模块101可以将中央控制器输入的继电器控制信号转换成对应的电信号输出至继电器模块102中，控制继电器模块102中电磁线圈1021的电信号流经情况。

如下依次结合附图，对本申请实施例提供的继电器控制装置进行详细地解释说明。

图6为本申请实施例提供的一种继电器控制装置的结构示意图，如图6所示，继电器控制装置300包括：控制器400、电源200、检测单元500以及上述控制继电器100，其中，检测单元500以及控制继电器100分别与控制器400连接。

可选地，控制器400用于发送继电器控制信号，电源200用于为继电器控制装置300供电，检测单元500用于检测控制继电器100的两端电信号的大小，检测单元500将采集到的控制继电器100的两端电信号发送至控制器400，控制器400基于接收的控制继电器100的两端电信号判断控制继电器100中流经的电信号的大小是否处于故障状态，并基于检测单元500采集的控制继电器100的两端电信号发出控制信号。

可选地，检测单元500与控制器400连接，即检测单元500可以将检测的控制继电器100的两端电信号发送给控制器400，控制器400基于检测单元500发送的控制继电器100的两端电信号对控制继电器100发送继电器控制信号，如检测单元500检测到控制继电器100的两端的电压值或电流值过大，检测单元500将检测到的控制继电器100两端的电压值或电流值发送给控制器400，控制器400基于检测单元500发送的控制继电器100两端的电压值或电流值判断控制继电器100内流经的电信号的情况，若根据控制继电器100的两端电压值或电流值过大，则判断控制继电器100发生短路，控制器400基于判断结果向控制继电器100发送低电平信号，使得控制继电器100关断，进而达到保护控制继电器的作用。

可选地，控制器400与控制继电器100连接，控制器400可以直接向控制继电器100发送继电器控制信号，控制器400可以直接控制控制继电器100的通断。

控制继电器100与电源200连接。

可选地，控制继电器100与电源200连接，电源200用于为控制继电器100供电。

控制器400用于基于检测单元500发送的检测信号对控制继电器100进行控制。

可选地，检测单元500可以检测控制继电器100内流经的电信号的大小，检测单元500将采集的控制继电器100的两端的电信号发送至控制器400，检测信号可以是控制继电器100的两端电压值或控制继电器100的两端电流值等，本申请对此不做具体限定。

可选地，控制器400基于检测单元500发送的检测信号向控制继电器100发送继电器控制信号，控制继电器100基于控制器400发送的继电器控制信号进入相应的工作状态，如导通状态或截止状态。

在本申请实施例中，通过控制器、电源、检测单元以及控制继电器组成继电器控制装置，其中，电源用于为继电器控制装置供电，检测单元用于检测控制继电器内流经的电信号的大小，检测单元将采集的控制继电器两端的电信号发送至控制器，控制器基于检测单元采集的控制继电器两端的电信号的大小向控制继电器发送继电器控制信号，控制继电器基于继电器控制信号进入通断状态。如此，可以达到增加继电器的隔离或快速控制保护功能，且中央处理器可以直接控制继电器的通断的效果。

检测单元500与控制继电器100的电磁线圈1021的两端连接，检测单元500用于对流经电磁线圈1021的电流进行检测。

可选地，检测单元500与控制继电器100的电磁线圈1021的两端连接，检测单元500用于获取控制继电器100内电磁线圈1021两端的电信号，检测单元500将采集的控制继电器100内电磁线圈1021两端的电信号发送给控制器400，控制器400基于检测单元500采集的控制继电器100内电磁线圈1021两端的电信号差值确定控制继电器100内电磁线圈1021内流经情况。

图7为本申请实施例提供的一种检测单元的结构示意图，如图7所示，检测单元500包括：第二电阻501，第二电阻501的两端分别与电磁线圈1021的两端连接。

可选地，检测单元500用于获取控制继电器100内电磁线圈1021两端的电信号，检测单元500是第二电阻501，第二电阻501的两端分别与电磁线圈1021的两端连接，第二电阻501用于采集控制继电器100的两端的电信号。

上仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种控制继电器，其特征在于，包括：控制模块以及继电器模块，其中，所述控制模块包括光耦合器或金属-氧化物半导体场效应晶体管；

所述控制模块的第一输入端接入继电器控制信号，所述控制模块的第二输入端连接电源正极，所述控制模块的输出端与所述继电器模块的第一输入端连接；

所述继电器模块的第二输入端连接电源负极；

所述控制模块用于在所述继电器控制信号的作用下，控制所述继电器模块的通断。

2.根据权利要求1所述的控制继电器，其特征在于，所述控制继电器还包括第一电阻，所述第一电阻的第一端与所述控制模块的第一输入端连接，所述第一电阻的第二端接入所述继电器控制信号。

3.根据权利要求2所述的控制继电器，其特征在于，在所述控制模块为所述光耦合器时，所述光耦合器包括光电三极管和光敏二极管，所述光电三极管与所述光敏二极管之间光电耦合；

所述光敏二极管的输入端与所述第一电阻的第一端连接，所述光敏二极管的输出端连接所述电源负极；

所述光电三极管的输入端连接所述电源正极，所述光电三极管的输出端与所述继电器模块的第一输入端连接。

4.根据权利要求1所述的控制继电器，其特征在于，在所述控制模块为所述光耦合器时，所述光耦合器的导通电压为1V～1.5V。

5.根据权利要求2所述的控制继电器，其特征在于，在所述控制模块为所述金属-氧化物半导体场效应晶体管时，所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极与所述第一电阻的第一端连接；

所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极连接所述电源正极；

所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述继电器模块的第一输入端连接。

6.根据权利要求1所述的控制继电器，其特征在于，在所述控制模块为所述金属-氧化物半导体场效应晶体管时，所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极导通压降为2V～4V。

7.根据权利要求1-6任一项所述的控制继电器，其特征在于，所述继电器模块包括电磁线圈以及开关单元，所述控制模块的输出端与所述电磁线圈的第一端连接，所述电磁线圈的第二端连接所述电源负极。

8.一种继电器控制装置，其特征在于，所述继电器控制装置包括：控制器、电源、检测单元以及权利要求1-7任一项所述的控制继电器，其中，所述检测单元以及所述控制继电器分别与所述控制器连接；

所述控制继电器与所述电源连接；

所述控制器用于基于所述检测单元发送的检测信号对所述控制继电器进行控制。

9.根据权利要求8所述的继电器控制装置，其特征在于，所述检测单元与所述控制继电器的电磁线圈的两端连接；

所述检测单元用于对流经所述电磁线圈的电流进行检测。

10.根据权利要求9所述的继电器控制装置，其特征在于，所述检测单元包括第二电阻，所述第二电阻的两端分别与所述电磁线圈的两端连接。