CN220732737U - 薄膜体声波谐振器、滤波器及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例涉及一种薄膜体声波谐振器、滤波器及电子设备，其中，薄膜体声波谐振器包括：衬底；依次层叠在衬底上的第一电极、压电层和第二电极；空腔结构，位于衬底和第一电极之间；绝缘导热结构，穿越空腔结构，一端与第一电极、压电层和第二电极连接，另一端与衬底连接，以将第一电极、压电层和第二电极产生的热量传导至衬底；如此，提高了器件的功率容量。

Description

薄膜体声波谐振器、滤波器及电子设备

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种薄膜体声波谐振器、滤波器及电子设备。

背景技术

薄膜体声波谐振器(Flim BulkAcoustic Resonator，FBAR)因具有体积小、频率高、功率容量大、灵敏度高等优点，在通信、传感器等领域发挥着重要作用，在射频前端领域，尤其是在射频滤波器市场占据的份额越来越大，同时在生物传感、医学测量等领域也有着较大的发展优势。

而在薄膜体声波谐振器工作过程中总是不可避免的产生热能，随着滤波器使用场景的增多，所施加的功率也逐渐增加，使得谐振器的自发热现象严重。由于薄膜体声波谐振器的关键组成部分(即压电层、第一电极和第二电极)的厚度较小，热量在其中的积累会带来显著的负面效应，如导致谐振器温度上升引起谐振器频率发生漂移恶化性能；同时薄膜体声波谐振器有效谐振区下方是空腔结构，空气的导热性能较差，所以薄膜体声波谐振器在横向上具有较大的温度梯度，影响薄膜体声波器件的滤波性能，或引起加速压电结构老化或直接导致其损坏，从而影响谐振器的可靠性和寿命。

因此，如何提高薄膜体声波谐振器的散热能力是本领域始终致力解决的技术问题。

实用新型内容

有鉴于此，本申请实施例为解决背景技术中存在的至少一个问题而提供一种薄膜体声波谐振器、滤波器及电子设备。

第一方面，本申请实施例提供了一种薄膜体声波谐振器，所述薄膜体声波谐振器包括：

衬底；

依次层叠在所述衬底上的第一电极、压电层和第二电极；

空腔结构，位于所述衬底和所述第一电极之间；

绝缘导热结构，穿越所述空腔结构，一端与所述第一电极、所述压电层和所述第二电极连接，另一端与所述衬底连接，以将所述第一电极、所述压电层和所述第二电极产生的热量传导至所述衬底。

结合本申请的第一方面，在一可选实施方式中，所述绝缘导热结构贯穿所述第一电极、所述压电层和所述第二电极。

结合本申请的第一方面，在一可选实施方式中，对应于一所述空腔结构，所述绝缘导热结构的数量为多个。

结合本申请的第一方面，在一可选实施方式中，所述第二电极包括朝向所述衬底的第一表面和背离所述衬底的第二表面，以及延伸在所述第一表面和所述第二表面之间的侧壁；

多个所述绝缘导热结构中的至少部分绝缘导热结构在所述第二电极的所述侧壁处与所述第二电极连接且凸出于所述第二电极的所述第二表面。

结合本申请的第一方面，在一可选实施方式中，所述至少部分绝缘导热结构凸出所述第二电极的所述第二表面的高度是所述第二电极厚度的0.2～1倍。

结合本申请的第一方面，在一可选实施方式中，所述绝缘导热结构的所述另一端贯穿所述衬底。

结合本申请的第一方面，在一可选实施方式中，所述绝缘导热结构呈柱状，所述绝缘导热结构的轴向与所述衬底的厚度方向平行。

结合本申请的第一方面，在一可选实施方式中，所述绝缘导热结构的材料包括金刚石。

第二方面，本申请实施例提供了一种滤波器，包括上述第一方面中任意一项所述的薄膜体声波谐振器。

第三方面，本申请实施例提供了一种电子器件，所述电子器件包括上述第一方面中任意一项所述的薄膜体声波谐振器，或者上述第二方面所述的滤波器。

本申请实施例所提供的薄膜体声波谐振器、滤波器以及电子器件，通过采用绝缘导热结构，将第一电极、压电层和第二电极产生的热量尽可能地传导至衬底，从而加强了通过衬底进行散热的效果，降低了薄膜体声波谐振器的关键组成部分的温度；绝缘导热结构穿越空腔结构，改善了由于空腔导热性能差所引起的薄膜体声波谐振器在横向上温度梯度大的问题，最终降低了因自热效应产生的高温对器件性能的影响，避免了频率偏移及性能恶化，提高了器件的功率容量；此外，绝缘导热结构还能够对悬置于空腔结构之上的第一电极、压电层和第二电极产生很好的支撑作用。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为本申请实施例一提供的薄膜体声波谐振器的剖面示意图；

图2为图1中所示薄膜体声波谐振器的俯视示意图；

图3为本申请实施例二提供的薄膜体声波谐振器的剖面示意图；

图4为图3中所示薄膜体声波谐振器的俯视示意图；

图5为本申请实施例三提供的薄膜体声波谐振器的剖面示意图；

图6为图5中所示薄膜体声波谐振器的俯视示意图；

图7为本申请实施例四提供的薄膜体声波谐振器的剖面示意图；

图8为图7中所示薄膜体声波谐振器的俯视示意图；

图9为本申请实施例五提供的薄膜体声波谐振器的剖面示意图；

图10为对比例提供的薄膜体声波谐振器的剖面示意图；

图11为图10所示对比例中薄膜体声波谐振器在应用到滤波器中的温度分布仿真结果；

图12为本申请实施例二中薄膜体声波谐振器在应用到滤波器中的温度分布仿真结果。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本申请公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本申请的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本申请，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本申请更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本申请可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本申请发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。

在附图中，为了清楚，层、区、元件的尺寸以及其相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，当元件或层被称为“在……上”、“与……相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在……上”、“与……直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本申请教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。而当讨论的第二元件、部件、区、层或部分时，并不表明本申请必然存在第一元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在……下”、“在……下面”、“下面的”、“在……之下”、“在……之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在……下面”和“在……下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本申请的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

为了彻底理解本申请，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本申请的技术方案。本申请的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本申请还可以具有其他实施方式。

图1为本申请实施例一提供的薄膜体声波谐振器的剖面示意图。

如图1所示，薄膜体声波谐振器，包括：衬底110；依次层叠在衬底110上的第一电极120、压电层130和第二电极140；空腔结构160，位于衬底110和第一电极120之间；绝缘导热结构150，穿越空腔结构160，一端与第一电极120、压电层130和第二电极140连接，另一端与衬底110连接，以将第一电极120、压电层130和第二电极140产生的热量传导至衬底110。

在薄膜体声波谐振器的工作过程中，施加电流到第一电极120和第二电极140上，压电层130由于逆压电效应，产生形变，形变又会产生压电效应，使压电层130内的电荷极性不再对称，产生极化。当输入交流电压信号的频率等于压电层130的机械变化频率时，就会在第一电极120和第二电极140表面形成机械波驻波，从而形成机械波谐振，也就是声波谐振。由此，薄膜体声波谐振器完成电能和机械能的转换。在转换过程中，薄膜体声波谐振器不可避免的产生热能，而压电层130、第一电极120和第二电极140的厚度较小，且底部是空腔结构，热量不能很好的传导至衬底110，热量在其中积累会带来显著的负面效应，如谐振器温度上升引起谐振器频率发生漂移恶化性能。

第一电极120、压电层130和第二电极140的三层完整结构用于作为有效谐振的功能层，下文将压电层130、第一电极120和第二电极140统称为谐振结构。谐振结构在横向上一部分与衬底110接触，一部分悬空在空腔结构160之上，其中，空腔结构160的导热性能差，而衬底110的导热性能优于空腔结构160的导热性能。因此，在谐振结构中堆积的热量主要通过第一电极120与衬底110的接触部分传递至衬底110，从而使得薄膜体声波谐振器在横向上产生较大的温度梯度，导致谐振频率附近出现两个谐振峰，影响薄膜体声波器件的滤波性能，或引起加速压电结构老化或直接导致其损坏，从而影响谐振器的可靠性和寿命。

可以理解地，本申请实施例通过采用绝缘导热结构150，将第一电极120、压电层130和第二电极140产生的热量尽可能地传导至衬底110，从而加强了通过衬底110进行散热的效果，降低了薄膜体声波谐振器的关键组成部分的温度；绝缘导热结构150穿越空腔结构160，改善了由于空腔导热性能差所引起的薄膜体声波谐振器在横向上温度梯度大的问题，最终降低了因自热效应产生的高温对器件性能的影响，避免了频率偏移及性能恶化，提高了器件的功率容量。

此外，绝缘导热结构150还能够对悬置于空腔结构160之上的第一电极120、压电层130和第二电极140产生很好的支撑作用。

在本实施例中，衬底110可以为任意合适的半导体衬底，例如体硅衬底，其还可以是以下所提到的材料中的至少一种：SiGe、SiGe、Sic、SiGeC、TnAs、GaAs、Inp或者其它Ⅲ族和Ⅴ族化合物半导体，还包括这些半导体形成的多层结构等，或者为绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上层叠硅(SSOI)、绝缘体上层叠锗化硅(S-SiGeO I)、绝缘体上锗化硅(SiGe01)以及绝缘体上锗(GeOI)，或者还可以为双面抛光硅片(Double Side PolishedWafers，DSP)，也可为氧化铝等的陶瓷基底、石英或玻璃基底等。

在本实施例中，衬底110可以包括用于形成薄膜体声波谐振器的顶表面以及与所述顶表面相对的底表面，在忽略顶表面和底表面的平整度的情况下，定义垂直衬底110顶表面和底表面的方向为第三方向。第三方向也为后续在衬底110上形成各材料层的层叠方向，或称器件的高度方向。在垂直第三方向的平面上定义两彼此相交的第一方向和第二方向；第一方向和第二方向具体可以为彼此垂直的两个方向。

可选地，还可以包括位于衬底110上的种子层(图中未示出)。种子层可以诱导后续形成的功能层中的各膜层在垂直方向上的晶向生长，使膜层形成良好的晶向，从而提升体声波谐振器的有效机电耦合系数，以优化体声波谐振器的性能。种子层的材料包括但不限于氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、单晶锆钛酸铅(PZT)等材料的至少一种，或者是包含上述材料的一定原子比的稀土元素掺杂材料。种子层的材料可以与后续形成的功能层中的压电层的材料相同。

可选地，可以通过物理气相沉积的方式溅射而形成所述种子层。

在本实施例中，第一电极120位于衬底110上方，跨越空腔结构160，与衬底110形成接触面。

在本实施例中，第一电极120的材料为导电材料或半导体材料。其中，导电材料可以为具有导电性能的金属材料，例如：Al、Cu、Pt、Au、Ir、Os、Re、Pd、Rh、Ru、Mo和W中的一种或多种；半导体材料可以为Si、Ge、SiGe、SiC或SiGeC等。

在本实施例中，压电层130位于第一电极120上方。

在本实施例中，压电层130的材料为压电材料，例如：ZnO、AlN、GaN、锆钛酸铝或钛酸铅中的一种或多种。

在本实施例中，压电层130的厚度大于第一电极120的厚度，压电层130的厚度大于第二电极140的厚度。

在本实施例中，第二电极140位于压电层130上方。

具体地，第二电极140的横截面面积小于或等于空腔结构160的横截面面积。如前所述，第一电极120、压电层130和第二电极140的三层完整结构用于作为有效谐振的功能层，因此，可以通过第二电极140的图案来定义有效谐振的区域边缘，也就是有效工作区。

在一些具体的实施方式中，压电层130、第一电极120和第二电极140的厚度为微米或纳米级别。

在本实施例中，空腔结构160位于衬底110和第一电极120之间。具体地，衬底110上具有凹槽，第一电极120密封该凹槽的顶部，从而在衬底110与第一电极120之间围成空腔结构160。

在本实施例中，绝缘导热结构150的材料可以包括金刚石。金刚石的热导率较高，有利于传导薄膜体声波谐振器在工作过程中产生的热量，并且，金刚石还具有良好的绝缘性能，在其与第一电极120、压电层130和第二电极140进行连接时，可以避免发生电路短接。在实际应用中，绝缘导热结构150的材料具体可以为金刚石。可以理解的，本申请并不排除绝缘导热结构150选择其他热导率高且绝缘的材料的情况。

在本实施例中，绝缘导热结构150的呈柱状，绝缘导热结构150的轴向与衬底110的厚度方向平行。绝缘导热结构150也可以称为导热柱。

进一步地，绝缘导热结构150可以为圆柱体。更进一步地，绝缘导热结构150的直径在1μm～5μm之间。发明人在研究中发现，绝缘导热结构150的直径小于1μm时，导热效果较差，不能提升器件整体的功率容量；而直径大于5μm时，影响了器件的性能；因此，优选绝缘导热结构150的直径在1μm～5μm之间。

应当理解，本申请实施例中，绝缘导热结构150并不限于为圆柱体结构，其也可以为立方柱、长方柱等其他合适形状。

请继续参考图1，在本实施例中，绝缘导热结构150一端与第一电极120、压电层130和第二电极140连接，具体可以为绝缘导热结构150贯穿第一电极120、压电层130和第二电极140；从而更有利于第一电极120、压电层130和第二电极140的热量散出。

绝缘导热结构150可以位于第一电极120、压电层130和第二电极140的有效工作区的中心(空腔结构160的中心)，或者至少包括位于第一电极120、压电层130和第二电极140的有效工作区的中心的部分。具体地，参考图2，有效工作区中心积累的热量较高且散热效率较低，绝缘导热结构150位于薄膜体声波谐振器的中心，可以有效提高散热效率，减小自发热现象带来的负面效应，提高薄膜体声波谐振器的可靠性。

请继续参考图1，在本实施例中，绝缘导热结构150从空腔结构160中穿过，延伸至衬底110的顶表面。通过绝缘导热结构150可以将第一电极120、压电层130和第二电极140产生的热量直接传导至衬底110的顶表面的部分区域，该部分区域再将热量传导至衬底110中进行散热。

图3为本申请实施例二提供的薄膜体声波谐振器的剖面示意图；图4为图3中所示薄膜体声波谐振器的俯视示意图；

实施例二与前述实施例一的主要区别在于，在实施例二中，绝缘导热结构150的另一端与衬底110连接，具体为绝缘导热结构150的另一端贯穿了衬底110。具体地，绝缘导热结构150从空腔结构160中穿过，连接到衬底110的顶表面，并进一步从顶表面延伸经过衬底110内，直至延伸至衬底110的底表面。绝缘导热结构150将热量直接传导至衬底110的底表面进行散发，降低了散热过程中部分热量在衬底110中积累的可能，提高了散热效率。

接下来请参考图5和图6，其中，图5为本申请实施例三提供的薄膜体声波谐振器的剖面示意图；图6为图5中所示薄膜体声波谐振器的俯视示意图。

实施例三与前述实施例一的主要区别在于，在实施例三中，对应于一空腔结构160，绝缘导热结构150的数量可以为多个。具体地，参考图5，在薄膜体声波谐振器中设置三个绝缘导热结构150。通过增加绝缘导热结构150的数量，使第一电极120、压电层130和第二电极140中的热量通过各绝缘导热结构传导至衬底110，增加了热量传导的路径，加强了导热效果。可以理解的，本实施例仅示意性地示出了绝缘导热结构150的数量为三个的方案，但在一些实施方案中绝缘导热结构150的数量可以根据实际情况合理设置。

作为可选的具体示例，对应于一空腔结构160，绝缘导热结构150的数量为2至5个。绝缘导热结构150的数量过少，导热效果有限；绝缘导热结构150的数量超过5个，容易影响器件的性能。

请参考图6，在本实施例中，绝缘导热结构150可以相对于空腔结构160的中心对称分布。

接下来请参考图7和图8，其中，图7为本申请实施例四提供的薄膜体声波谐振器的剖面示意图；图8为图7中所示薄膜体声波谐振器的俯视示意图。

在实施例四中，绝缘导热结构150的另一端与衬底110连接，具体为绝缘导热结构150的另一端贯穿了衬底110；并且，绝缘导热结构151的数量为多个。如此，进一步有利于将压电层130、第一电极120和第二电极140中产生的热量散出，提高器件的功率容量。

接下来请参考图9，图9为本申请实施例五提供的薄膜体声波谐振器的剖面示意图。如图所示，第二电极140包括朝向衬底110的第一表面和背离衬底110的第二表面，以及延伸在第一表面和第二表面之间的侧壁。可以理解地，第一表面即为图中下表面，也为与压电层130相邻的表面；第二表面即为图中上表面。

在实施例五中，对应于一空腔结构160，绝缘导热结构150的数量可以为多个。多个绝缘导热结构150中的至少部分绝缘导热结构在第二电极140的侧壁处与第二电极140连接且凸出于第二电极140的第二表面。如此，进一步增加了声反射，提高了器件的Q值。

具体可选地，至少部分绝缘导热结构150凸出第二电极140的第二表面的高度是第二电极140厚度的0.2～1倍。通过合理设置凸出高度，以使提高Q值的效果最好。

以下，将上述至少部分绝缘导热结构150(即多个绝缘导热结构150中满足以下条件的绝缘导热结构：在第二电极140的侧壁处与第二电极140连接且凸出于第二电极140的第二表面)称作第一绝缘导热结构，将多个绝缘导热结构150中除第一绝缘导热结构以外的其他绝缘导热结构称作第二绝缘导热结构。

第一绝缘导热结构的数量可以为多个。多个第一绝缘导热结构在第二电极140的侧壁处均匀分布。

第二绝缘导热结构的数量可以为一个或多个。第二绝缘导热结构不凸出于第二电极140的第二表面。

第一绝缘导热结构可以与空腔结构160的内侧壁接触，也可以不接触，本申请对此并不作具体限定。

如图9所示，绝缘导热结构150的另一端与衬底110连接，具体为绝缘导热结构150的另一端贯穿了衬底110。从而降低了散热过程中部分热量在衬底110中积累的可能，提高了散热效率。当然，本实施例并不限于此，绝缘导热结构150的另一端也可以仅延伸至衬底110的顶表面。

图10为对比例提供的薄膜体声波谐振器的剖面示意图，图11为图10所示对比例中薄膜体声波谐振器在应用到滤波器中的温度分布仿真结果；图12为本申请实施例二中薄膜体声波谐振器在应用到滤波器中的温度分布仿真结果。图10所示对比例与图3所示实施例二的区别仅在于，对比例中没有设置绝缘导热结构150。通过在2.41GHz下输入相同的功率，对两滤波器进行温度检测，可以发现，实施例一中的薄膜体声波谐振器的温度明显低于对比例的温度。

传统提升功率容量的办法就是将耗散密度较大的谐振器拆分，使其面积变大，降低耗散功率密度。但是，这样往往会使得器件尺寸变大。而本申请各实施例可以在不改变面积的情况下，有效地将谐振器中心的热量通过绝缘导热结构传导至衬底，降低谐振器整体的温度，从而减小因高温导致的频率偏移及性能恶化，提高器件的功率容量。

在此基础上，本申请实施例还提供了一种滤波器，包括如上所述任一实施例中的薄膜体声波谐振器。

具体地，通过至少两个薄膜体声波谐振器串联，可以形成一个高通或低通滤波器，此时，当输入信号的频率与薄膜体声波谐振器的共振频率相同时，薄膜体声波谐振器会产生共振，此时输入信号的能量会被传递到下一个薄膜体声波谐振器，而不会被滤波器所阻挡。当输入信号的频率不在薄膜体声波谐振器的共振频率范围内时，薄膜体声波谐振器会对信号进行衰减，从而实现对特定频率的信号进行滤波。

具体地，通过至少两个薄膜体声波谐振器并联，可以形成一个带通滤波器。当输入信号的频率与薄膜体声波谐振器的共振频率相同时，薄膜体声波谐振器会产生共振，此时输入信号的能量会被传递到输出端口，从而实现对特定频率的信号进行放大。当输入信号的频率不在薄膜体声波谐振器的共振频率范围内时，薄膜体声波谐振器会对信号进行衰减，从而实现对特定频率的信号进行滤波。

当然，本申请也不排除滤波器包括多个薄膜体声波谐振器，且多个薄膜体声波谐振器中部分薄膜体声波谐振器之间串联，另外部分薄膜体声波谐振器之间并联的情况。

具体地，当滤波器至少包括两个薄膜体声波谐振器时，至少有一个是如上所述任意一项实施例的薄膜体声波谐振器。可以理解的，在一些实施方案中，可以全部应用如上任一实施例中的薄膜体声波谐振器。

在此基础上，本申请实施例还提供了一种电子设备，包括如上任一实施例中的薄膜体声波谐振器，或者如上实施例中的滤波器。

这里的电子设备，包括但不限于射频前端、滤波放大模块等中间产品，以及手机、WIFI、无人机等终端产品。

需要说明的是，本申请提供的薄膜体声波谐振器实施例、滤波器实施例和电子设备实施例属于同一构思；各实施例所记载的技术方案中各技术特征之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。

应当理解，以上实施例均为示例性的，不用于包含权利要求所包含的所有可能的实施方式。在不脱离本公开的范围的情况下，还可以在以上实施例的基础上做出各种变形和改变。同样的，也可以对以上实施例的各个技术特征进行任意组合，以形成可能没有被明确描述的本申请的另外的实施例。因此，上述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，不对本申请专利的保护范围进行限制。

Claims (10)

1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：

衬底；

依次层叠在所述衬底上的第一电极、压电层和第二电极；

空腔结构，位于所述衬底和所述第一电极之间；

绝缘导热结构，穿越所述空腔结构，一端与所述第一电极、所述压电层和所述第二电极连接，另一端与所述衬底连接，以将所述第一电极、所述压电层和所述第二电极产生的热量传导至所述衬底。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述绝缘导热结构贯穿所述第一电极、所述压电层和所述第二电极。

3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，对应于一所述空腔结构，所述绝缘导热结构的数量为多个。

4.根据权利要求3所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第二电极包括朝向所述衬底的第一表面和背离所述衬底的第二表面，以及延伸在所述第一表面和所述第二表面之间的侧壁；

多个所述绝缘导热结构中的至少部分绝缘导热结构在所述第二电极的所述侧壁处与所述第二电极连接且凸出于所述第二电极的所述第二表面。

5.根据权利要求4所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述至少部分绝缘导热结构凸出所述第二电极的所述第二表面的高度是所述第二电极厚度的0.2～1倍。

6.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述绝缘导热结构的所述另一端贯穿所述衬底。

7.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述绝缘导热结构呈柱状，所述绝缘导热结构的轴向与所述衬底的厚度方向平行。

8.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述绝缘导热结构的材料包括金刚石。

9.一种滤波器，其特征在于，包括权利要求1至8中任意一项所述的薄膜体声波谐振器。

10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1至8中任一项所述的薄膜体声波谐振器，或者包括权利要求9所述的滤波器。