CN220711118U - 一种能抑制启动瞬间浪涌大电流损坏升压芯片和mos管的电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种能抑制启动瞬间浪涌大电流损坏升压芯片和MOS管的电路，包括升压电路、MOS管瞬态电压抑制电路、开关电路、工作电路和RC缓起动电路。其中，工作电路的一端电性连接于电池，另一端电性连接于MOS管瞬态电压抑制电路；该MOS管瞬态电压抑制电路电性连接于该升压电路，该升压电路输出端用于连接至负载；常态下，该工作电路、MOS管瞬态电压抑制电路、升压电路均不工作，在开关电路的触发控制下通电从而工作。然而在工作电路和MOS管瞬态电压抑制电路接通的瞬间，会有较大的浪涌电流，因此通过增设RC缓起动电路，可以有效的抑制掉浪涌电流和浪涌电压，从而保护升压芯片和MOS管。

Description

一种能抑制启动瞬间浪涌大电流损坏升压芯片和MOS管的 电路

技术领域

本实用新型涉及电路领域技术，尤其是指一种能抑制启动瞬间浪涌大电流损坏升压芯片和MOS管的电路。

背景技术

随着电源技术的不断发展以及便携式电子产品的日常化，人们更喜欢采用电池对电子产品进行供电。常见的音响产品更是如此，当不需要电源线一直插接在供电接头上，而是采用电池供电时，音响产品的搬动和使用变得更为便捷。

采用电池对音响产品负载供电时，一般需要按下一个电源按键，按键按下瞬间电池供电电路接通供应至负载。传统开关电源电路在电源接通瞬间，会产生浪涌大电流。现有的开关电源电路设计重点一般放在电压转换等主电路上，对于防反接、浪涌抑制等保护电路研究尚且不多。

专利号为202111420282.7的中国实用新型专利公开一种用于开关电源的浪涌抑制电路，其包括过压浪涌抑制模块、欠压浪涌抑制模块、第一滤波稳压模块和第二滤波稳压模块，外部电源输入依次经过过压浪涌抑制模块、第一滤波稳压模块、欠压浪涌抑制模块以及第二滤波稳压模块后输出。此种浪涌抑制电路具有较高的可靠性以及较低的功耗，且具有较为宽泛的浪涌电压抑制范围，能够适应各种恶劣的过欠压浪涌用电环境，使设备更加可靠。

专利号为202122403071.4的中国实用新型专利公开一种车载电池电源稳压电路及新能源汽车充电插座，其包括：稳压模块，具有若干引脚；外围模块，包括：滤波电路，与稳压模块的输入引脚相连，用于接收车载电池电源，并过滤车载电池电源的杂讯波动，得到直流电压；脉冲开关电路，用于接收稳压模块的驱动引脚的导通信号，生成脉冲电压；耦合整流电路，与脉冲开关电路相连，用于将脉冲电压与直流电压耦合并整流为导引电压；分压电路，用于将导引电压分压后反馈至稳压模块的反馈引脚，稳压模块根据分压结果控制脉冲电压的占空比，至导引电压满足导引要求，通过反馈信号调整驱动引脚对于场效应管的通断，调整脉冲电压占空比，在对脉冲电压和车载电池电源耦合整流后，得到稳定的导引电压。

专利号为202220981865.0的中国实用新型专利公开一种软启动电源防反接电路，包括P型MOS管，并联在MOS管源极和栅极之间的稳压二极管、第三电容以及第二电阻，串联在MOS管栅极和输入端负极接线端子之间的第一电阻，用于连接直流电源的输入端，用于连接负载的输出端，并联在MOS管漏极和源极之间的第二电容与第三电阻，第二电容与第三电阻之间为串联连接，所述MOS管的漏极与输入端的正极接线端子连接，源极与输出端的正极接线端子连接，所述MOS管的寄生二极管的导通方向与所述直流电源接入极性正确时的电流方向一致，当所述直流电源接入极性正确时，所述MOS管的栅极与源极之间的电位差满足所述MOS管的开启电压条件，电源向负载供电。此专利技术可以实现在接通电源时对整个电路实现软启动和防反接的同时，有效防止电路热插拔导致的MOS管击穿问题，从而对电路中的元器件进行更好的保护。

以上三种专利技术，均通过不同的电路设计方式实现了对电路中的元件保护，然而均未针对升压式电路进行设计，也未提及如何基于带铅酸电池应用于升压类负载产品上、抑制启动瞬间浪涌大电流损坏升压芯片和MOS管进行有效防保护。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种能抑制启动瞬间浪涌大电流损坏升压芯片和MOS管的电路，其有效的抑制掉浪涌电流和浪涌电压，从而保护升压芯片和MOS管。

为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案：

一种能抑制启动瞬间浪涌大电流损坏升压芯片和MOS管的电路，包括升压电路以及

MOS管瞬态电压抑制电路，该MOS管瞬态电压抑制电路电性连接于该升压电路，该升压电路输出端用于连接至负载；

开关电路，由电池供电，经按键电路电性连接于开关电路，该开关电路另一端连接于MOS管瞬态电压抑制电路；

工作电路，其一端电性连接于电池，另一端电性连接于MOS管瞬态电压抑制电路；

RC缓起动电路，其第一端电性连接于工作电路、第二端电性连接于开关电路、第三端电性连接于MOS管瞬态电压抑制电路。

本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知，本实用新型结合实际操作和应用充分考虑了电路启动瞬间浪涌大电流和浪涌电压对MOS管瞬态电压抑制电路和升压电路的冲击进而损坏升压芯片和MOS管的现像，并在有浪涌电压和浪涌电流出现的地方增加RC缓启动电路有效的抑制掉浪涌电流和浪涌电压。

为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本实用新型进行详细说明。

附图说明

图1是本实用新型之实施例的电路原理结构框图。

图2是本实用新型之实施例的电路图。

图3是本实用新型之对比例的电路图。

附图标识说明：

1、升压电路 2、MOS管瞬态电压抑制电路

3、开关电路 4、工作电路

5、RC缓起动电路 6、复位电路

7、外部供电电路 8、第一电容滤波电路

9、第二电容滤波电路 10、高频滤波电路

11、RC滤波电路 12、分压电路

13、按键电路。

具体实施方式

实施例

请参照图1至图2所示，其显示出了本实用新型之较佳实施例的具体结构，是一种能抑制启动瞬间浪涌大电流损坏升压芯片和MOS管的电路，其应用于带铅酸电池和升压类音响产品，由带铅酸电池进行供电时，本实用新型的一种能抑制启动瞬间浪涌大电流损坏升压芯片和MOS管的电路进行升压滤波，最终可输出稳定可靠的电压至音响产品。当然此电路还可以应用于其它种类负载，例如风扇、照明灯等，在此不再一一列举。

本实用新型之一种能抑制启动瞬间浪涌大电流损坏升压芯片和MOS管的电路的构架包括升压电路1、MOS管瞬态电压抑制电路2、开关电路3、工作电路4和RC缓起动电路5。其中，工作电路4的一端电性连接于电池，另一端电性连接于MOS管瞬态电压抑制电路2；该MOS管瞬态电压抑制电路2电性连接于该升压电路1，该升压电路1输出端用于连接至负载；常态下，该工作电路4、MOS管瞬态电压抑制电路2、升压电路1均不工作，其工作需要得到开关电路3的触发，在开关电路3的触发控制下，该工作电路4、MOS管瞬态电压抑制电路2、升压电路1通电从而工作。所述开关电路3由电池供电，经按键电路13电性连接于开关电路3，该开关电路3另一端连接于MOS管瞬态电压抑制电路2。

然而在工作电路4和MOS管瞬态电压抑制电路2接通的瞬间，会有较大的浪涌电流，因此需要增加RC缓起动电路5，所述RC缓起动电路5的第一端电性连接于工作电路4、第二端电性连接于开关电路3、第三端电性连接于MOS管瞬态电压抑制电路2。

如图2所示，所述MOS管瞬态电压抑制电路2包括瞬态电压抑制MOS管AQ4，型号WPM3021，属于电源管理芯片，WPM3021是P通道增强MOS场效应晶体管。使用先进的壕沟技术和设计，提供优秀的R_DS(ON)极电荷低。这个装置适合使用在DC-DC转换，电源开关和便携设备的负载/电源切换电路。本实用新型之瞬态电压抑制MOS管AQ4具有8个引脚，其第1号引脚、第2号引脚和第3号引脚为源极S，第4号引脚为栅级G，第5号引脚、第6号引脚、第7号引脚、第8号引脚为漏极D。

如图2所示，所述开关电路3包括三极管AQ3，三极管AQ3有基极B、集电极C和发射极E。所述按键电路13包括按键S1、第6号电阻AR6、第231号电阻AR231。该按键S1接于电池BAT，由第6号电阻AR6、第231号电阻AR231并联形成分压电路12，该按键S1经第6号电阻和第231号电阻分压后接于三极管AQ3的基极B；所述三极管AQ3的集电极C与瞬态电压抑制MOS管AQ4的栅级G电连接；所述三极管AQ3的发射极E接地。当按下开机按键S1的时候，电池BAT的12V电压经过第6号电阻AR6和第231号电阻AR231分压后得到8.6V的电压加到三极管AQ3的基极，三极管AQ3导通。

如图2所示，本实用新型之能抑制启动瞬间浪涌大电流损坏升压芯片和MOS管的电路还包括复位电路6和外部供电电路7。该复位电路6一端连接于控制器(图未示出)的RSTET端，另一端通过串接第21号电阻AR21接于开关电路3；同时，复位电路6、按键电路13以及外部供电电路7均共同连接于第45号电容AC45后接地，同时还接于第73号电阻后接地。所述复位电路6低电平有效，当控制器的RSTET端信号启动时，第45号电容AC45放电，控制器复位。

所述外部供电电路7的一端连接于外部电源POWER-EN，另一端通过防逆流二极管AD3和第72号电阻AR72接于开关电路3。外部电源POWER-EN提供恒电电源，也即是，本电路可以选择外部电源POWER-EN供电，也可以采用电池供电，当采用电池供电时，按下按键S1。

如图2所示，所述工作电路4包括第7连接器ACON7、第1号电容AC1、第201号电阻AR201。所述第7连接器ACON7相接于电池引入15V/5A电源，第7连接器ACON7的1号负极引脚接地，第7连接器ACON7的2号正极引脚的电子线路接于瞬态电压抑制MOS管AQ4的源极S。第1号电容AC1接于第7连接器ACON7的2号正极引脚的电子线路与地之间；第201号电阻AR201的一端连接于第7连接器ACON7的2号正极引脚的电子线路，另一端接于瞬态电压抑制MOS管AQ4的栅级G。

所述RC缓起动电路5包括双向TVS二极管D1、第C1号电容C1、第1号电阻R1。所述双向TVS二极管D1接于第7连接器ACON7的2号正极引脚的电子线路与地之间；第C1号电容C1和第201号电阻AR201形成并联、再接于瞬态电压抑制MOS管AQ4的栅级G，第1号电阻R1串接三极管AQ3的集电极C与瞬态电压抑制MOS管AQ4的栅级G之间。

利用瞬态电压抑制MOS管AQ4的线性区，不让瞬态电压抑制MOS管突然从截止区跳到饱和区，让P沟道瞬态电压抑制MOS管Vgs栅源极电压缓慢变化而不是突变，这样P沟道瞬态电压抑制MOS管上电过程中相当于一个可变化的电阻，缓慢的给负载输出电压。

本实用新型在P沟道瞬态电压抑制MOS管AQ4的源极和地之间增加了1UF的第C1号电容C1和47K的第1号电阻R1组成一级RC缓启动电路。利用电容的特性：电容两端的电压不能突变，因为电容是有记忆性原件，满足u(t)＝(1/c)∫i(t)dt。故通电时第C1号电容C1两端电压都是0，相当于短路。当按下开机按键S1的瞬间，12V电压经过第6号电阻AR6、第231号电阻AR231分压后得到8.6V的电压加到三极管AQ3的基电极，三极管AQ3导通。

瞬态电压抑制MOS管AQ4的栅极电压通过47K的第1号电阻R1接地，由于瞬态电压抑制MOS管AQ4的栅极和源极接有1UF的第C1号电容C1，上电瞬间第C1号电容两端电压都是0，相当于短路一样。所以瞬态电压抑制MOS管AQ4的栅极和源极电压相等，瞬态电压抑制MOS管AQ4截止没有电压输出，随着第C1号电容充电过程，瞬态电压抑制MOS管AQ4的Vgs栅源极电压开始下降，瞬态电压抑制MOS管AQ4开始导通，上电过程瞬态电压抑制MOS管AQ4的栅极电流，源极电压是平滑缓慢下降而不是突然下陷的，这样就起到了减缓瞬态电压抑制MOS管AQ4的导通速度，从而达到降低输出电流的效果，瞬态电压抑制MOS管AQ4导通瞬间漏极电流由原来的81.4A的浪涌电流降低到了15.4A。

如图2所示，所述升压电路1包括升压芯片AU5，型号为SGM6614，SGM6614是一款15A开关电流、完全集成的同步升压转换器。集成开关FET和整流开关分别具有8.8mΩ的低侧导通电阻和12.2mΩ的高侧导通阻抗，为便携式应用提供了高转换效率。2.17V至18V的宽输入电压范围为各种输入电源提供了灵活性。SGM6614可支持高达18V的输出。以及，SGM6614采用固定频率峰值电流模式控制拓扑结构进行主开关FET PWM占空比控制。该器件在中等负载和重负载下以脉宽调制(PWM)模式工作，其中两个功率FET在一个开关周期内交替导通。它在轻负载时自动切换到脉冲频率调制(PFM)模式。PWM模式采用500kHz的开关频率。更有，SGM6614提供了各种保护功能，以提高设备的稳健性，如过电压保护、过电流保护和热关机。又，SGM6614具有11个引脚，其中1号引脚定义为FB；2号引脚定义为COMP，3号引脚定义为PGND，4号引脚定义为SW，5号引脚定义为VOUT，6号引脚定位为EN，7号引脚定位为VIN，8号引脚定位为BST，9号引脚定位为SW，10号引脚定位为AGND，11号引脚定位为VCC。

如图2所示，MOS管瞬态电压抑制电路2的输出分两路，一路通过储能电感AL8接于升压芯片AU5的4号引脚和9号引脚SW；另一路经过第16号电阻AR16和第55电容AC55、第56电容AC56后送到升压芯片AU5的7号引脚VIN，同时经过第87号电阻和第85号电阻分压后送到升压芯片AU5的6号引脚EN。

MOS管AQ4输出的电流一路经过储能电感AL8加在升压芯片AU5的SW脚，另一路电压经过第16号电阻AR16和第55号电阻AC55,第56号电阻AC56组成的RC滤波后送到升压芯片AU5的第7脚VIN供电脚，同时经过第87号电阻AR87和第85号电阻AR85分压后送到升压芯片AU5的第6脚EN使能脚，这时升压芯片开始启动有17.9V电压输出。本实施例中，第16号电阻AR16和第55号电阻AC55,第56号电阻AC56组成的RC滤波组成RC滤波电路1111。第87号电阻AR87和第85号电阻AR85组成分压电路1212。

本实施例中，所述升压芯片AU5的4号引脚SW和5号引脚VOUT间并联了一个肖特基二极管D2。

瞬态电压抑制MOS管AQ4导通瞬间15.4A的浪涌电流通过储能电感AL8加到升压芯片AU5的SW脚，由于升压芯片AU5内部LSFET管开关峰值是15A，此电流在升压芯片AU5启动时会直接冲击升压芯片内部LSFET管。由于本实用新型在升压芯片的SW脚和VOUT间并联了一个SS34型号的肖特基二极管D2，升压芯片启动瞬间，肖特基二极管D2能迅速将15.4A浪涌电流分流，这样加在升压芯片AU5内部LSFET管寄生二极管的浪涌电流只有5A左右，从而避免了开机瞬间浪涌电流损坏升压芯片内部LSFET管寄生二极管。

如图2所示，本实用新型之能抑制启动瞬间浪涌大电流损坏升压芯片和MOS管的电路还可以进一步包括第一电容滤波电路8、第二电容滤波电路9、高频滤波电路10；所述第一电容滤波电路8的一端相接于MOS管瞬态电压抑制电路2输出端与升压电路1之间的电子线路上，另一端接地；所述第二电容滤波电路9的一端相接于升压电路1输出端的电子线路上，另一端接地；高频滤波电路10相接于升压电路1。

更为具体的，高频滤波电路10包括第11号电阻AR11和第31号电容AC31，还包括第35号电容AC35以及第8号电阻AR8、第9号电阻AR9、第10号电阻AR10。其中，第31号电容AC31为3.3uF，第35号电容AC35为1uF。所述升压芯片AU5的2号引脚COMP串接第11号电阻AR11和第31号电容AC31后接地，起到防浪涌电压的作用。所述升压芯片AU5的1号引脚FB分两路，一路接入第35号电容AC35后接地，另一路接于第10号电阻AR10后接地，起到滤波作用。所述升压芯片AU5的5号引脚VOUT相接于第8号电阻AR8、第9号电阻AR9后分两路，一路接入第35号电容AC35后接地，另一路接于第10号电阻AR10后接地，起到滤波作用。

如图2所示，第一电容滤波电路8用于滤除瞬态电压抑制MOS管AQ4输出端的杂波，其包括第47号电容AC47、第26号电容AC26、第28号电容AC28和第71号电容AC71，各电容的一端相接于瞬态电压抑制MOS管AQ4的漏极D，另一端均接地。其中，第47号电容AC47为10uF，第26号电容AC26为22uF，第28号电容AC28为10uF，第71号电容AC71为100uF。

第二电容滤波电路9与第一电容滤波电路8的构架基本相同，第二电容滤波电路9用于滤除升压芯片AU5输出端VOUT的杂波。其包括第2号电容AC2、第79号电容AC79、第33号电容AC33和第18号电容AC18，各电容的一端相接于升压芯片AU5输出端VOUT，另一端均接地。其中，第2号电容AC2为22uF，第79号电容AC79为100uF，第33号电容AC33为10uF，第18号电容AC18为100uF。以及，还有第34号电解电容C34，第34号电解电容C34为470uF，其一端相接于升压芯片AU5输出端VOUT，另一端均接地。因此，除了各电容AC2、AC79、AC33和AC18起到滤波作用之外，还通过第34号电解电容C34起到去耦功能。

经过上面电路改良后：加在升压芯片AU5内部的浪涌电流基本限制在5A左右，这样当升压芯片AU5启动瞬间输出端第34号电解电容AC34对地短路的电流也被限制在5A，远远小于升压芯片内部LSFET管开关峰值15A电流。那么流过升压芯片内部浪涌电流控制在正常范围，不会发生烧毁现像。

本实用新型的一种能抑制启动瞬间浪涌大电流损坏升压芯片和MOS管的电路，其应用于带铅酸电池和升压类音响产品，由带铅酸电池进行供电时，功率做40W输出,升压类音响产品负载4R,DC输入电压18V，铅酸电池12V/5A，升压芯片升压后17.9V输出。

对比例：

请参照图3所示，其显示出了本实用新型之对比例的具体结构，对比例与上述实施例相比，减少了RC缓启动电路。也即是减少了双向TVS二极管D1、第C1号电容C1、第1号电阻R1。以及，还减少了肖特基二极管D2。

当按下开机按键S1的时候，12V电压经过第6号电阻AR6和第231号电阻AR231分压后得到8.6V的电压加到三极管AQ3的基极，三极管AQ3导通,由于MOS管AQ4的栅极与三极管AQ3的集电极是直通的，当MOS管AQ4栅极电压低于源极电压3V左右，MOS管AQ4迅速导通，MOS管AQ4导通瞬间漏极产生81.4A的浪涌电流。MOS管AQ4导通瞬间漏极有81.4A浪涌大电流，MOS管AQ4上电过程栅极电压波形呈下陷形。

工作时，MOS管AQ4导通瞬间漏极有81.4A的浪涌电流经过储能电感AL8加在升压芯片SW脚，81.4A的浪涌电流远远大于升压芯片AU5的内部LSFET管开关峰值15A电流，此浪涌电流在升压芯片启动时全部加在升压芯片内部LSFET管，再就是升压芯片AU5输出级接有电解电容C34/470UF作滤波，上电瞬间电解电容C34是对地短路的，相当于直接将升压芯片输出端短路到地，以上设计在开关机时升压芯片有冒烟烧毁现像，这是本对比例存在的技术问题，而本实用新型的上述实施例能有效解决此对比例所存在的技术问题。

组装机器在插拔铅酸电池电源线插座ACON7的时候会产生一个34.9V的浪涌电压冲到MOS管AQ4的源极，此电压超过P沟道MOS管AQ4的最大耐压30V，P沟道MOS管AQ4有冒烟烧毁现像。这是本对比例存在的技术问题，本实用新型的上述实施例能有效解决此技术问题。

本实用新型实施例与对比例相比，对比例原理图中，其电池插座即是第7连接器ACON7与P沟道MOS管AQ4的源极S是直连，在插拔电池线过程中实际测到MOS管AQ4的源极浪涌电压峰值波形为34.9V，有超过P沟道MOS管的最大耐压30V，这样在插拔电池线过程中有损坏P沟道MOS管AQ4现像。本申请实施例中提案的技术方案在电池插座第7连接器ACON7输入端与地之间增加双向TVS二极管D1/18V,做防浪涌措施，保证电池插痤ACON7对地电压永远小于18V电压，有效的抑制掉插拔电池线过程中所引起的浪涌电压损坏MOS管AQ4现像发生。

本实用新型实施例与对比例相比，更有以下有益效果：

1)本申请实施例的技术在P沟道MOS管AQ4源极和地之间增加RC缓启动电路，该RC缓启动电路由第C1号电容C1/1UF和第1号电阻R1/47k构成，减缓MOS管AQ4的开通速度，将MOS管AQ4导通瞬间漏极产生的浪涌电流控制在15.5A以内，有效的减小了开机过程中的浪涌电流对后级电路的冲击和损伤。

2)在电池插座端ACON7与P沟道MOS管AQ4漏极增加了双向TVS二极管D1/18V，以保证电池插座端和MOS管AQ4漏极最大浪涌电压不超过18V，有效抑制掉浪涌电压保护了MOS管。

3)在升压芯片AU5的SW脚和VOUT脚间并联肖特基二极管D2(型号SS34)，起到分流升压芯片内部LSFET管寄生二极管电流作用，让流过升压芯片内部LSFET管寄生二极管浪涌电流控制在5A左右。

以上综合三点能有效的抑制掉浪涌电压和降低了浪涌电流保护了PMOS管和升压芯片。这是对比例电路所不具备的技术优点。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型的技术范围作任何限制，故凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种能抑制启动瞬间浪涌大电流损坏升压芯片和MOS管的电路，其特征在于：包括升压电路以及

MOS管瞬态电压抑制电路，该MOS管瞬态电压抑制电路电性连接于该升压电路，该升压电路输出端用于连接至负载；

开关电路，由电池供电，经按键电路电性连接于开关电路，该开关电路另一端连接于MOS管瞬态电压抑制电路；

工作电路，其一端电性连接于电池，另一端电性连接于MOS管瞬态电压抑制电路；

RC缓起动电路，其第一端电性连接于工作电路、第二端电性连接于开关电路、第三端电性连接于MOS管瞬态电压抑制电路。

2.根据权利要求1所述的一种能抑制启动瞬间浪涌大电流损坏升压芯片和MOS管的电路，其特征在于：所述MOS管瞬态电压抑制电路包括瞬态电压抑制MOS管(AQ4)，型号WPM3021，具有8个引脚，其第1号引脚、第2号引脚和第3号引脚为源极(S)，第4号引脚为栅级(G)，第5号引脚、第6号引脚、第7号引脚、第8号引脚为漏极(D)。

3.根据权利要求1或2所述的一种能抑制启动瞬间浪涌大电流损坏升压芯片和MOS管的电路，其特征在于：所述开关电路包括三极管(AQ3)，所述按键电路包括按键(S1)、第6号电阻(AR6)、第231号电阻(AR231)；

该按键(S1)接于电池(BAT)，由第6号电阻(AR6)、第231号电阻(AR231)并联形成分压电路，该按键(S1)经第6号电阻和第231号电阻分压后接于三极管(AQ3)的基极(B)；所述三极管(AQ3)的集电极(C)与瞬态电压抑制MOS管(AQ4)的栅级(G)电连接；所述三极管(AQ3)的发射极(E)接地。

4.根据权利要求1所述的一种能抑制启动瞬间浪涌大电流损坏升压芯片和MOS管的电路，其特征在于：进一步包括复位电路和外部供电电路，该复位电路一端连接于控制器的RSTET端，另一端通过串接第21号电阻(AR21)接于开关电路；所述外部供电电路的一端连接于外部电源(POWER-EN)，另一端通过防逆流二极管(AD3)和第72号电阻(AR72)接于开关电路。

5.根据权利要求1所述的一种能抑制启动瞬间浪涌大电流损坏升压芯片和MOS管的电路，其特征在于：所述工作电路包括第7连接器(ACON7)、第1号电容(AC1)、第201号电阻(AR201)；

所述第7连接器(ACON7)相接于电池引入15V/5A电源，第7连接器(ACON7)的2号正极引脚的电子线路接于瞬态电压抑制MOS管(AQ4)的源极(S)；第1号电容(AC1)接于第7连接器(ACON7)的2号正极引脚的电子线路与地之间；第201号电阻(AR201)的一端连接于第7连接器(ACON7)的2号正极引脚的电子线路，另一端接于瞬态电压抑制MOS管(AQ4)的栅级(G)。

6.根据权利要求5所述的一种能抑制启动瞬间浪涌大电流损坏升压芯片和MOS管的电路，其特征在于：所述RC缓起动电路包括双向TVS二极管(D1)、第C1号电容(C1)、第1号电阻(R1)；

所述双向TVS二极管(D1)接于第7连接器(ACON7)的2号正极引脚的电子线路与地之间；第C1号电容(C1)和第201号电阻(AR201)形成并联、再接于瞬态电压抑制MOS管(AQ4)的栅级(G)，第1号电阻(R1)串接三极管(AQ3)的集电极(C)与瞬态电压抑制MOS管(AQ4)的栅级(G)之间。

7.根据权利要求1所述的一种能抑制启动瞬间浪涌大电流损坏升压芯片和MOS管的电路，其特征在于：所述升压电路包括升压芯片(AU5)，型号为SGM6614，具有11个引脚，其中1号引脚定义为FB；2号引脚定义为COMP，3号引脚定义为PGND，4号引脚定义为SW，5号引脚定义为VOUT，6号引脚定位为EN，7号引脚定位为VIN，8号引脚定位为BST，9号引脚定位为SW，10号引脚定位为AGND，11号引脚定位为VCC。

8.根据权利要求7所述的一种能抑制启动瞬间浪涌大电流损坏升压芯片和MOS管的电路，其特征在于：MOS管瞬态电压抑制电路的输出分两路，一路通过储能电感(AL8)接于升压芯片(AU5)的4号引脚和9号引脚(SW)；另一路经过第16号电阻(AR16)和第55电容(AC55)、第56电容(AC56)后送到升压芯片(AU5)的7号引脚(VIN)，同时经过第87号电阻和第85号电阻分压后送到升压芯片(AU5)的6号引脚(EN)。

9.根据权利要求7所述的一种能抑制启动瞬间浪涌大电流损坏升压芯片和MOS管的电路，其特征在于：所述升压芯片(AU5)的4号引脚(SW)和5号引脚(VOUT)间并联了一个肖特基二极管(D2)。

10.根据权利要求1所述的一种能抑制启动瞬间浪涌大电流损坏升压芯片和MOS管的电路，其特征在于：进一步包括第一电容滤波电路、第二电容滤波电路、高频滤波电路；所述第一电容滤波电路的一端相接于MOS管瞬态电压抑制电路输出端与升压电路之间的电子线路上，另一端接地；所述第二电容滤波电路的一端相接于升压电路输出端的电子线路上，另一端接地；高频滤波电路相接于升压电路。