CN220692813U - 一种自恢复过流保护电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种自恢复过流保护电路，包括保护电路本体，所述保护电路本体内部设置有采样电路一和稳压器，且采样电路一和稳压器均与直流电源电性连接；所述采样电路一一端连接P沟道MOS开关，所述P沟道MOS开关的S极电性连接输出端和采样电路二；所述P沟道MOS开关的G极电性连接N沟道MOS开关；所述N沟道MOS开关的G极电性连接单片机；所述单片机的左上侧电性连接采样电路一，所述单片机的左侧连接复位电路；所述复位电路左侧电性连接稳压器。本申请设计简单实用，能很好起到自恢复过流保护的作用。

Description

一种自恢复过流保护电路

技术领域

本实用新型涉及一种保护电路，具体是一种自恢复过流保护电路。

背景技术

电子设备中一般都有供电电源，有一些还是专门向负载供电的电子设备，如直流稳压电源、后备电源、充电器等。凡是电子电路，向负载供电的能力均有一定限制，超过额定值会造成供电系统的永久性损坏。为此，以电路输出电流为限制目标，绝大多数供电电路设置有过流保护电路、短路保护电路等，限流式保护是通过调节电压使得输出至负载的电流最大值被限制在某一数值上。简单的限流电路一般为串联型结构，限流时往往使得电流调节元件功耗过大，因此多数电路采用开关式保护，即电流达到某一极限值时，关闭供电输出电路，或者只保留很小的输出电流值；

本申请提供的一种自恢复过流保护电路，具有设计简单实用，能很好起到自恢复过流保护的作用，具有快速保护、低功耗的特点。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种自恢复过流保护电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种自恢复过流保护电路，包括保护电路本体，所述保护电路本体左侧连接直流电源，所述保护电路本体内部设置有采样电路一和稳压器，且采样电路一和稳压器均与直流电源电性连接；所述采样电路一一端连接P沟道MOS开关，所述P沟道MOS开关上侧并联有电阻，所述电阻为大阻值高功率电阻；所述采样电路一内部设置有电阻；所述P沟道MOS开关的S极电性连接输出端和采样电路二；所述P沟道MOS开关的G极电性连接N沟道MOS开关；所述N沟道MOS开关的G极接地，所述N沟道MOS开关的G极电性连接单片机。

作为本实用新型进一步的方案：所述单片机一端连接蜂鸣器，所述蜂鸣器一端接地；所述单片机的下端连接有谐振电容一和谐振电容二，且谐振电容一和谐振电容二之间连接有晶体；且谐振电容一和谐振电容二均接地。

作为本实用新型再进一步的方案：所述单片机的左上侧电性连接采样电路一，所述单片机的左侧连接复位电路；所述复位电路左侧电性连接稳压器，稳压器的左右两侧分别设置有滤波电容一和滤波电容二，且稳压器、滤波电容一和滤波电容二均接地。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本申请的自恢复过流保护电路，可用于直流加电控制的各类设备，直流电源1与自恢复保护电路输入端连接，电流经过小阻值高功率的电阻、P沟道MOS开关后给用电设备供电，当用电设备出现短路情况时，电流迅速上升，电阻上的压降增大，单片机通过采样电路一监测到电流异常后，通过控制N沟道MOS开关导通来关断P沟道MOS开关，同时控制蜂鸣器报警，因为有大阻值高功率电阻的存在，直流电源可以继续通过电阻17和高功率电阻通路为用电设备供电，高功率电阻是大阻值电阻，可以限制电流起到保护直流电源的作用，此时，单片机通过采样电路二监测用电设备短路是否解除，如果短路解除，单片机控制蜂鸣器停止报警，同时控制P沟道MOS开关闭合，恢复给用电设备正常供电；如果短路不解除，单片机则保持P沟道MOS开关断开和蜂鸣器报警；本申请设计简单实用，能很好起到自恢复过流保护的作用，具有快速保护、低功耗的特点。

附图说明

图1为一种自恢复过流保护电路的结构示意图。

图中：直流电源1；保护电路本体2；采样电路一3；电阻4；P沟道MOS开关5；输出端6；采样电路二7；N沟道MOS开关8；单片机9；蜂鸣器10；谐振电容一11；谐振电容二12；复位电路13；滤波电容一14；稳压器15；滤波电容二16；电阻17。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，本实用新型实施例中，一种自恢复过流保护电路，包括保护电路本体2，所述保护电路本体2左侧连接直流电源1，所述保护电路本体2内部设置有采样电路一3和稳压器15，且采样电路一3和稳压器15均与直流电源电性连接；

所述采样电路一3一端连接P沟道MOS开关5，所述P沟道MOS开关5上侧并联有电阻4，所述电阻4为大阻值高功率电阻；所述采样电路一3内部设置有电阻17；

所述P沟道MOS开关5的S极电性连接输出端6和采样电路二7；所述P沟道MOS开关5的G极电性连接N沟道MOS开关8；所述N沟道MOS开关8的G极接地，所述N沟道MOS开关8的G极电性连接单片机9；

所述单片机9一端连接蜂鸣器10，所述蜂鸣器10一端接地；

所述单片机9的下端连接有谐振电容一11和谐振电容二12，且谐振电容一11和谐振电容二12之间连接有晶体；且谐振电容一11和谐振电容二12均接地；

所述单片机9的左上侧电性连接采样电路一3，所述单片机9的左侧连接复位电路13；

所述复位电路13左侧电性连接稳压器15，稳压器15的左右两侧分别设置有滤波电容一14和滤波电容二16，且稳压器15、滤波电容一14和滤波电容二16均接地。

本申请的自恢复过流保护电路，可用于直流加电控制的各类设备，直流电源1与自恢复保护电路输入端连接，电流经过小阻值高功率的电阻17、P沟道MOS开关5后给用电设备供电，当用电设备出现短路情况时，电流迅速上升，电阻17上的压降增大，单片机9通过采样电路一3监测到电流异常后，通过控制N沟道MOS开关8导通来关断P沟道MOS开关5，同时控制蜂鸣器10报警，因为有大阻值高功率电阻4的存在，直流电源1可以继续通过电阻17和高功率电阻4通路为用电设备供电，高功率电阻4是大阻值电阻，可以限制电流起到保护直流电源的作用，此时，单片机9通过采样电路二7监测用电设备短路是否解除，如果短路解除，单片机9控制蜂鸣器10停止报警，同时控制P沟道MOS开关5闭合，恢复给用电设备正常供电；如果短路不解除，单片机则保持P沟道MOS开关5断开和蜂鸣器报警；本申请设计简单实用，能很好起到自恢复过流保护的作用。

以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种自恢复过流保护电路，包括保护电路本体(2)，其特征在于，所述保护电路本体(2)左侧连接直流电源(1)，所述保护电路本体(2)内部设置有采样电路一(3)和稳压器(15)，且采样电路一(3)和稳压器(15)均与直流电源电性连接；

所述采样电路一(3)一端连接P沟道MOS开关(5)，所述P沟道MOS开关(5)上侧并联有电阻(4)，所述电阻(4)为大阻值高功率电阻；所述采样电路一(3)内部设置有电阻(17)。

2.根据权利要求1所述的一种自恢复过流保护电路，其特征在于，所述P沟道MOS开关(5)的S极电性连接输出端(6)和采样电路二(7)；所述P沟道MOS开关(5)的G极电性连接N沟道MOS开关(8)；所述N沟道MOS开关(8)的G极接地，所述N沟道MOS开关(8)的G极电性连接单片机(9)。

3.根据权利要求2所述的一种自恢复过流保护电路，其特征在于，所述单片机(9)一端连接蜂鸣器(10)，所述蜂鸣器(10)一端接地。

4.根据权利要求2所述的一种自恢复过流保护电路，其特征在于，所述单片机(9)的下端连接有谐振电容一(11)和谐振电容二(12)，且谐振电容一(11)和谐振电容二(12)之间连接有晶体；且谐振电容一(11)和谐振电容二(12)均接地。

5.根据权利要求2所述的一种自恢复过流保护电路，其特征在于，所述单片机(9)的左上侧电性连接采样电路一(3)，所述单片机(9)的左侧连接复位电路(13)。

6.根据权利要求5所述的一种自恢复过流保护电路，其特征在于，所述复位电路(13)左侧电性连接稳压器(15)，稳压器(15)的左右两侧分别设置有滤波电容一(14)和滤波电容二(16)，且稳压器(15)、滤波电容一(14)和滤波电容二(16)均接地。