CN220556454U - 一种低压供配检测电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及检测电流技术领域，特别涉及一种低压供配检测电路，解决现有技术中的现有技术中缺少专属于适用于低压供配侧的检测电路，以使得低压供配侧的检测应用能够得到满足的技术问题，包括：供配检测外加电压接口1，其串联有第二晶体管Q2、第四电阻R4和警报器接口2；第一电阻R1，其与所述第四电阻R4并联；第二电阻R2，其与所述第二电阻R2并联；第一晶体管D1，其与所述第二电阻R2串联、且与所述第一电阻R1形成并联；本申请的优势在于，电路运行稳定，且效率高，能够适应多种低压供配侧的检测，并且能够与终端的端口连接，适应性更好。

Description

一种低压供配检测电路

技术领域

本实用新型涉及检测电流技术领域，特别涉及一种低压供配检测电路。

背景技术

现行方式中，检测电路是用来检测各种物理量的电路，把要测的物理量转换成要求的电学量电压、电流、电荷等等，共后续的电路进一步处理，比如放大、运算、最后显示出来或者直接控制一些仪器仪表；

现有技术中，传统的高端或者低端检流方式有多种实现方案，绝大多数基于分立或半分立元件电路；高端检流电路通常需要用一个精密运放和一些精密电阻电容，最常用的高端检流电路采用差分运放做增益放大并将信号电平从高端移位到参考地；专用高端检流电路内部包含了完成高端电流检测的所有功能单元，可在高达32V的共模电压下检测高端电流，并提供与之成比例的、以地电平为参考点的电流输出。需要对电流做精确测量和控制的应用，如电源管理和电池充电控制，都适合采用这种方案。

而现有技术中，涉及的低压供配侧，具体例如用于工业控制、交通运输甚至某些消费类领域的IC往往需要很宽范围的工作电压；再例如用于无刷电机位置控制IC最高可能达到40V，最低需要在3V就能正常工作。在低于额定电压下，电路工作是不正常，严重得会带来不能正常启动或者影响电路稳定性等后果。

因此，现有技术中缺少一种能够适用于低压供配侧的检测电路，以使得低压供配侧的检测应用能够得到满足。

实用新型内容

本实用新型要解决现有技术中的现有技术中缺少专属于适用于低压供配侧的检测电路，以使得低压供配侧的检测应用能够得到满足的技术问题，提供一种低压供配检测电路。

为了解决上述技术问题，本实用新型的技术方案具体如下：

一种低压供配检测电路，包括：

供配检测外加电压接口1，其串联有第二晶体管Q2、第四电阻R4和警报器接口2；

第一电阻R1，其与所述第四电阻R4并联；

第二电阻R2，其与所述第二电阻R2并联；

第一晶体管D1，其与所述第二电阻R2串联、且与所述第一电阻R1形成并联；

优选地方式中，所述第一电阻R1的取值为所述第二电阻R2取值的两倍。

优选地方式中，所述第一晶体管D1为齐纳二极管或者串联正向偏置硅整流器；

优选地方式中，所述第一晶体管Q1为单结型晶体管；

所述第二晶体管Q2为开关NPN晶体管。

优选地方式中，所述第一电阻R1和所述第一晶体管D1的取值以低压供配检测的电压取值进行设定。

优选地方式中，第三电阻R3与所述第四电阻R4的取值相同。

优选地方式中，还包括有：第五电阻R5，其一端电连接所述第二晶体管Q2，其另一端电连接至所述第一电阻R1；

所述第五电阻R5的电阻取值大于所述第三电阻R3的取值，且为所述第一电阻R1的任意取值。

优选地方式中，所述第一晶体管Q1的发射极连接在所述第二电阻和所述第一晶体管之间。

优选地方式中，所述第二晶体管Q2的电容端连接在所述第三电阻和所述第五电阻之间。

本实用新型具有以下的有益效果：

本申请的优势在于，电路运行稳定，且效率高，能够适应多种低压供配侧的检测，并且能够与终端的端口连接，适应性更好。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。

图1为本实用新型的电路连接配置示意图；

图中的附图标记表示为：

第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、供配检测外加电压接口1、警报器接口2。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围；需要说明的是，本申请中为了便于描述，以当前视图中“左侧”为“第一端”，“右侧”为“第二端”，“上侧”为“第一端”，“下侧”为“第二端”，如此描述的目的在于清楚的表达该技术方案，不应当理解为对本申请技术方案的不当限定。

本实用新型要解决现有技术中的现有技术中缺少专属于适用于低压供配侧的检测电路，以使得低压供配侧的检测应用能够得到满足的技术问题，提供一种低压供配检测电路。请参阅图1所示，该低压供配检测电路，包括：

供配检测外加电压接口1，相当于供配侧的检测接口，供配检测外加电压接口1串联有第二晶体管Q2，起到信号调制、整流、信号放大的作用，第四电阻R4用于调整分配电压和警报器接口2则用于连接输出的终端控制器；

具体地配置中，第一电阻R1，其与第四电阻R4并联；

第二电阻R2，其与第二电阻R2并联；

第一晶体管D1，其与第二电阻R2串联、且与第一电阻R1形成并联；以提高电路效率、减小发热量、另外电阻并联可以使电路中的各个部分工作时具有相同的电压，从而实现电路的均衡，提高电路的稳定性。

在一个具体地实施例中，请参阅图1所示，第一电阻R1的取值为第二电阻R2取值的两倍。

在一个具体地实施例中，请参阅图1所示，第一晶体管D1为齐纳二极管或者串联正向偏置硅整流器；

在一个具体地实施例中，请参阅图1所示，第一晶体管Q1为单结型晶体管；

第二晶体管Q2为开关NPN晶体管。

在一个具体地实施例中，请参阅图1所示，第一电阻R1和第一晶体管D1的取值以低压供配检测的电压取值进行设定。

在一个具体地实施例中，请参阅图1所示，第三电阻R3与第四电阻R4的取值相同。

在一个具体地实施例中，请参阅图1所示，还包括有：第五电阻R5，其一端电连接第二晶体管Q2，其另一端电连接至第一电阻R1；

第五电阻R5的电阻取值大于第三电阻R3的取值，且为第一电阻R1的任意取值。

在一个具体地实施例中，请参阅图1所示，第一晶体管Q1的发射极连接在第二电阻和第一晶体管之间。

在一个具体地实施例中，请参阅图1所示，第二晶体管Q2的电容端连接在第三电阻和第五电阻之间。

综上所述，本申请的优势在于，电路运行稳定，且效率高，能够适应多种低压供配侧的检测，并且能够与终端的端口连接，适应性更好。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (9)

1.一种低压供配检测电路，其特征在于，包括：

供配检测外加电压接口(1)，其串联有第二晶体管(Q2)、第四电阻(R4)和警报器接口(2)；

第一电阻(R1)，其与所述第四电阻(R4)并联；

第二电阻(R2)，其与所述第二电阻(R2)并联；

第一晶体管(D1)，其与所述第二电阻(R2)串联、且与所述第一电阻(R1)形成并联。

2.如权利要求1所述的低压供配检测电路，其特征在于，所述第一电阻(R1)的取值为所述第二电阻(R2)取值的两倍。

3.如权利要求2所述的低压供配检测电路，其特征在于，所述第一晶体管(D1)为齐纳二极管或者串联正向偏置硅整流器。

4.如权利要求3所述的低压供配检测电路，其特征在于，所述第一晶体管(Q1)为单结型晶体管；

所述第二晶体管(Q2)为开关NPN晶体管。

5.如权利要求4所述的低压供配检测电路，其特征在于，所述第一电阻(R1)和所述第一晶体管(D1)的取值以低压供配检测的电压取值进行设定。

6.如权利要求5所述的低压供配检测电路，其特征在于，第三电阻(R3)与所述第四电阻(R4)的取值相同。

7.如权利要求6所述的低压供配检测电路，其特征在于，还包括有：第五电阻(R5)，其一端电连接所述第二晶体管(Q2)，其另一端电连接至所述第一电阻(R1)；

所述第五电阻(R5)的电阻取值大于所述第三电阻(R3)的取值，且为所述第一电阻(R1)的任意取值。

8.如权利要求7所述的低压供配检测电路，其特征在于，所述第一晶体管(Q1)的发射极连接在所述第二电阻和所述第一晶体管之间。

9.如权利要求8所述的低压供配检测电路，其特征在于，所述第二晶体管(Q2)的电容端连接在所述第三电阻和所述第五电阻之间。