CN220492632U - 一种用于温度差检测的保护电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种用于温度差检测的保护电路，其包括：电路输入端与所述第一开关电路的第一端相连接，第一开关电路的第二端与滤波电路的一端相连接，滤波电路的另一端与电路输出端相连接；第一开关电路的第三端与第二开关电路的一端相连接，第二开关电路的另一端与第三开关电路的第一端相连接，第三开关电路的第二端与运算电路的第一端相连接；运算电路的第二端与温度检测电路的第二端相连接，运算电路的第三端与温度检测电路的第三端相连接，温度检测电路的第一端分别与第三开关电路的第三端及所述运算电路的第四端与相连接。本实用新型可通过运算电路对器件温度进行硬件检测，响应速度达到微秒级别，可以快速保护电路。

Description

一种用于温度差检测的保护电路

技术领域

本实用新型涉及温度差检测领域，尤其涉及一种用于温度差检测的保护电路。

背景技术

现有的温度检测电路大多是通过芯片对器件温度进行检测，若器件温度过热，则启动电路的过热保护机制，以确保电路的工作效能。具体的，通过芯片读取器件温度并确定器件之间温度差的准确大小，若器件温度差过大，则通过芯片的IO引脚向产品的供电开关电路发送停止供电指令，产品的供电开关电路根据接收到的停止供电指令停止供电。

然而现有的温度检测电路通过芯片对器件温度进行检测，需要经过内部软件算法进行电压采集和对应，执行指令的时间为mS级别，无法快速保护电路。

因此，现有的温度检测电路存在响应时间较长、无法快速保护电路的问题。

实用新型内容

本实用新型提供了一种用于温度差检测的保护电路，旨在解决现有的温度检测电路存在响应时间较长、无法快速保护电路的问题。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：提供一种用于温度差检测的保护电路，其包括：电路输入端、第一开关电路、滤波电路、电路输出端、第二开关电路、第三开关电路、运算电路及温度检测电路；所述电路输入端与所述第一开关电路的第一端相连接，所述第一开关电路的第二端与所述滤波电路的一端相连接，所述滤波电路的另一端与所述电路输出端相连接；所述第一开关电路的第三端与所述第二开关电路的一端相连接，所述第二开关电路的另一端与所述第三开关电路的第一端相连接，所述第三开关电路的第二端与所述运算电路的第一端相连接；所述运算电路的第二端与所述温度检测电路的第二端相连接，所述运算电路的第三端与所述温度检测电路的第三端相连接，所述温度检测电路的第一端分别与所述第三开关电路的第三端及所述运算电路的第四端与相连接。

进一步地，所述第一开关电路包括第一电阻、第一MOS管电路及第二电阻，所述第二开关电路包括第二MOS管电路、第六电阻及第三电阻；

所述第一电阻的第一端与所述第一MOS管电路的第二端相连接，其连接点为所述第一开关电路的第一端，所述第一电阻的第二端分别与所述第一MOS管电路的第一端及所述第二电阻第一端相连接；所述第一MOS管电路的第三端为所述第一开关电路的第二端；

所述第二电阻的第二端与所述第二MOS管电路的第三端相连接，所述第二电阻的第二端为所述第一开关电路的第三端；所述第二MOS管电路的第二端与所述第六电阻的第二端相连接并接地，所述第二MOS管电路的第一端分别与所述第六电阻的第一端及所述第三电阻的第二端相连接。

进一步地，所述第一MOS管电路包括第一MOS管，所述第二MOS管电路包括第二MOS管；

所述第一MOS管、所述第二MOS管的源极和漏极之间均连接有二极管；

所述第一MOS管电路的第一端为所述第一MOS管的栅极，所述第一MOS管电路的第二端为所述第一MOS管的源极，所述第一MOS管电路的第三端为所述第一MOS管的漏极；

所述第二MOS管电路的第一端为所述第二MOS管的栅极，所述第二MOS管电路的第二端为所述第二MOS管的源极，所述第二MOS管电路的第三端为所述第二MOS管的漏极。

进一步地，所述第一MOS管电路还包括瞬态二极管；

所述瞬态二极管的一端与所述第一MOS管的源极相连接，所述瞬态二极管的另一端与所述第一MOS管的栅极相连接。

进一步地，所述温度检测电路包括第一温度检测电路和第二温度检测电路；所述第一温度检测电路包括第一电位器、第四电阻及第一热敏电阻；所述第二温度检测电路包括第二电位器、第五电阻及第二热敏电阻；

所述第四电阻的第二端分别与所述第一电位器的第一脚及所述第一热敏电阻的第一端相连接，其连接点作为所述温度检测电路的第二端；所述第一热敏电阻的第二端与所述第一电位器的第二脚相连接并接地；所述第四电阻第一端与所述第五电阻的第一端相连接，其连接点作为所述温度检测电路的第一端；

所述第五电阻的第二端分别与所述第二电位器的第一脚及所述第二热敏电阻的第一端相连接，其连接点作为所述温度检测电路的第三端；所述第二热敏电阻的第二端与所述第二电位器的第二脚相连接并接地。

进一步地，所述运算电路包括第一运算电路和第二运算电路；

所述第一运算电路包括第九电阻、第十一电阻、第六电容、第七电容、第七电阻、第十三电阻及运算放大器；

所述第二运算电路包括第十四电阻、第十五电阻及比较器。

进一步地，所述第六电容的第一端接地，所述第六电容的第二端与所述第九电阻的第二端相连接，所述第九电阻的第一端作为所述运算电路的第二端；

所述第七电阻分别与所述第六电容的第二端及所述运算放大器的同相输入端相连接，所述第七电阻的第二端接地；

所述第七电容的第二端接地，所述第七电容的第一端与所述第十一电阻的第二端相连接，所述第十一电阻的第一端作为所述运算电路的第三端；

所述第十三电阻的第一端分别与所述第七电容的第一端及所述运算放大器的反相输入端相连接。

进一步地，所述运算放大器的输出端与所述比较器的同相输入端相连接，其连接点与所述第十三电阻的第二端相连接；

所述第十四电阻的第二端与所述第十五电阻的第一端相连接，其连接点与所述比较器的反相输入端相连接，所述第十四电阻的第一端作为所述运算电路的第四端；所述比较器的输出端作为所述运算电路的第一端。

进一步地，所述第三开关电路包括第十电阻、第十二电阻、三极管及第八电阻；

所述第十电阻的第一端作为所述第三开关电路的第二端；

所述第十二电阻的第一端分别与所述第十电阻的第一端及所述三极管的基极相连接，所述第十二电阻的第二端与所述三极管的发射极相连接并接地；所述三极管的集电极与所述第八电阻的第二端相连接，其连接点作为所述第三开关电路的第一端；所述第八电阻的第一端作为所述第三开关电路的第三端。

进一步地，所述滤波电路由若干个电容并联组成，所述滤波电路中的各电容均并联设置于所述第一开关电路的第二端与接地端之间。

本实用新型公开了一种用于温度差检测的保护电路，其包括：电路输入端、第一开关电路、滤波电路、电路输出端、第二开关电路、第三开关电路、运算电路及温度检测电路；所述电路输入端与所述第一开关电路的第一端相连接，所述第一开关电路的第二端与所述滤波电路的一端相连接，所述滤波电路的另一端与所述电路输出端相连接；所述第一开关电路的第三端与所述第二开关电路的一端相连接，所述第二开关电路的另一端与所述第三开关电路的第一端相连接，所述第三开关电路的第二端与所述运算电路的第一端相连接；所述运算电路的第二端与所述温度检测电路的第二端相连接，所述运算电路的第三端与所述温度检测电路的第三端相连接，所述温度检测电路的第一端分别与所述第三开关电路的第三端及所述运算电路的第四端与相连接。本实用新型可通过运算电路对器件温度进行硬件检测，响应速度达到微秒级别，可以快速保护电路，提高器件的安全性能。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型一实施例提供的保护电路的结构示意图；

图2是本实用新型一实施例提供的保护电路的第一部分电路原理图；

图3是本实用新型一实施例提供的保护电路的第二部分电路原理图；

图4是本实用新型一实施例提供的保护电路的第三部分电路原理图。

其中，图中各附图标记如下：

10、保护电路；11、电路输入端；12、第一开关电路；13、滤波电路；14、电路输出端；15、第二开关电路；16、第三开关电路；17、运算电路；18、温度检测电路；R1、第一电阻；121、第一MOS管电路；Q1、第一MOS管；R2、第二电阻；TVS、瞬态二极管；122、第二MOS管电路；Q2、第二MOS管；R6、第六电阻；R3、第三电阻；181、第一温度检测电路；182、第二温度检测电路；W1、第一电位器；R4、第四电阻；PTC1、第一热敏电阻；W2、第二电位器；R5、第五电阻；PTC2、第二热敏电阻；171、第一运算电路；172、第二运算电路；R9、第九电阻；R11、第十一电阻；C6、第六电容；C7、第七电容；R7、第七电阻；R13、第十三电阻；U1、运算放大器；R14、第十四电阻；R15、第十五电阻；U2、比较器；R10、第十电阻；R12、第十二电阻；Q3、三极管；R8、第八电阻。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。

还应当理解，在此本实用新型说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本实用新型。如在本实用新型说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。

还应当进一步理解，在本实用新型说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。

请参阅图1，图1是本实用新型一实施例提供的保护电路的结构示意图。本实用新型提出一种用于温度差检测的保护电路10，其包括：电路输入端11、第一开关电路12、滤波电路13、电路输出端14、第二开关电路15、第三开关电路16、运算电路17及温度检测电路18；所述电路输入端11与所述第一开关电路的第一端相连接，所述第一开关电路的第二端与所述滤波电路13的一端相连接，所述滤波电路13的另一端与所述电路输出端14相连接；所述第一开关电路的第三端与所述第二开关电路15的一端相连接，所述第二开关电路15的另一端与所述第三开关电路16的第一端相连接，所述第三开关电路16的第二端与所述运算电路17的第一端相连接；所述运算电路17的第二端与所述温度检测电路18的第二端相连接，所述运算电路17的第三端与所述温度检测电路18的第三端相连接，所述温度检测电路18的第一端分别与所述第三开关电路16的第三端及所述运算电路17的第四端与相连接。

在本实施例中，所述电路输入端11与所述第一开关电路12的第一端相连接，所述第一开关电路12的第二端与所述滤波电路13的一端相连接，所述滤波电路13的另一端与所述电路输出端14相连接；所述电路输入端11用于为所述保护电路10进行供电，所述滤波电路13用于防止线路短路，保障线路的正常运转。所述第一开关电路12的第三端与所述第二开关电路15的一端相连接，所述第二开关电路15的另一端与所述第三开关电路16的第一端相连接，所述第三开关电路16的第二端与所述运算电路17的第一端相连接；所述运算电路17的第二端与所述温度检测电路18的第二端相连接，所述运算电路17的第三端与所述温度检测电路18的第三端相连接，所述温度检测电路18的第一端分别与所述第三开关电路16的第三端及所述运算电路17的第四端与相连接。所述温度检测电路18可将器件温度转化为电压信号并发送至所述运算电路17，所述运算电路17可将接收到的电压信号进行作差运算，得到运算结果，还可对运算结果和预设阈值进行比较，得到比较结果，并根据所述比较结果对所述第一开关电路12、所述第二开关电路15和所述第三开关电路16进行控制，以实现对电路的快速保护，提高器件的安全性能。

在一实施例中，如图2所示，所述第一开关电路12包括第一电阻R1、第一MOS管电路121及第二电阻R2，所述第二开关电路15包括第二MOS管电路122、第六电阻R6及第三电阻R3；所述第一电阻R1的第一端与所述第一MOS管电路121的第二端相连接，其连接点为所述第一开关电路12的第一端，所述第一电阻R1的第二端分别与所述第一MOS管电路121的第一端及所述第二电阻R2第一端相连接；所述第一MOS管电路121的第三端为所述第一开关电路12的第二端；所述第二电阻R2的第二端与所述第二MOS管电路122的第三端相连接，所述第二电阻R2的第二端为所述第一开关电路12的第三端；所述第二MOS管电路122的第二端与所述第六电阻R6的第二端相连接并接地，所述第二MOS管电路122的第一端分别与所述第六电阻R6的第一端及所述第三电阻R3的第二端相连接。

在本实施例中，所述第一电阻R1的第一端与所述第一MOS管电路121的第二端相连接，所述第一电阻R1的第二端分别与所述第一MOS管电路121的第一端及所述第二电阻R2第一端相连接；所述第二电阻R2的第二端与所述第二MOS管电路122的第三端相连接；所述第二MOS管电路122的第二端与所述第六电阻R6的第二端相连接并接地，所述第二MOS管电路122的第一端分别与所述第六电阻R6的第一端及所述第三电阻R3的第二端相连接。所述电路输入端11默认输入高电平，若所述第二MOS管电路122处于导通状态，所述电路输入端11、所述第一电阻R1、所述第二电阻R2之间可对地形成回路，所述第一MOS管电路121为导通状态，所述电路输入端11可通过所述第一MOS管电路121对所述电路输出端14进行供电。若所述第二MOS管电路122处于截止状态，所述电路输入端11、所述第一电阻R1、所述第二电阻R2之间无法对地形成回路，所述第一MOS管电路121为截止状态，所述电路输入端11无法通过所述第一MOS管电路121对所述电路输出端14进行供电。通过控制所述第二开关电路15的导通进而控制所述第一开关电路12，通过控制所述第一开关电路12的导通进而对所述保护电路10进行控制，可实现对电路的快速保护，提高器件的安全性能。

在一实施例中，如图2所示，所述第一MOS管电路121包括第一MOS管Q1，所述第二MOS管电路包括第二MOS管Q2；所述第一MOS管Q1、所述第二MOS管Q2的源极和漏极之间均连接有二极管；所述第一MOS管电路121的第一端为所述第一MOS管Q1的栅极，所述第一MOS管电路121的第二端为所述第一MOS管Q1的源极，所述第一MOS管电路121的第三端为所述第一MOS管Q1的漏极；所述第二MOS管电路122的第一端为所述第二MOS管Q2的栅极，所述第二MOS管电路122的第二端为所述第二MOS管Q2的源极，所述第二MOS管电路122的第三端为所述第二MOS管Q2的漏极。

在本实施例中，所述第一MOS管Q1、所述第二MOS管Q2的源极和漏极之间均连接有二极管，能起到保护作用，保障电路的正常运行。所述第一MOS管Q1为P-MOS管，所述第二MOS管Q2为N-MOS管。第一MOS管电路121的第一端为所述第一MOS管Q1的栅极，第一MOS管电路121的第二端为所述第一MOS管Q1的源极，第一MOS管电路121的第三端为所述第一MOS管Q1的漏极；第二MOS管电路122的第一端为所述第二MOS管Q2的栅极，第二MOS管电路122的第二端为所述第二MOS管Q2的源极，第二MOS管电路122的第三端为所述第二MOS管Q2的漏极。

在一实施例中，如图2所示，所述第一MOS管电路121还包括瞬态二极管TVS；所述瞬态二极管TVS的一端与所述第一MOS管Q1的源极相连接，所述瞬态二极管TVS的另一端与所述第一MOS管Q1的栅极相连接。

在本实施例中，所述第一MOS管电路121还包括瞬态二极管TVS；所述瞬态二极管TVS的一端与所述第一MOS管Q1的源极相连接，所述瞬态二极管TVS的另一端与所述第一MOS管Q1的栅极相连接，能有效保护电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。

在一实施例中，如图4所示，所述温度检测电路18包括第一温度检测电路181和第二温度检测电路182；所述第一温度检测电路181包括第一电位器W1、第四电阻R4及第一热敏电阻PTC1；所述第二温度检测电路182包括第二电位器W2、第五电阻R5及第二热敏电阻PTC2；所述第四电阻R4的第二端分别与所述第一电位器W1的第一脚及所述第一热敏电阻PTC1的第一端相连接，其连接点作为所述温度检测电路18的第二端；所述第一热敏电阻PTC1的第二端与所述第一电位器W1的第二脚相连接并接地；所述第四电阻R4第一端与所述第五电阻R5的第一端相连接，其连接点作为所述温度检测电路18的第一端；所述第五电阻R5的第二端分别与所述第二电位器W2的第一脚及所述第二热敏电阻PTC2的第一端相连接，其连接点作为所述温度检测电路18的第三端；所述第二热敏电阻PTC2的第二端与所述第二电位器W2的第二脚相连接并接地。

在本实施例中，所述第四电阻R4的第二端分别与所述第一电位器W1的第一脚及所述第一热敏电阻PTC1的第一端相连接，其连接点作为所述温度检测电路18的第二端与所述运算电路17的第二端相连接。所述第五电阻R5的第二端分别与所述第二电位器W2的第一脚及所述第二热敏电阻PTC2的第一端相连接，其连接点作为所述温度检测电路18的第三端与所述运算电路17的第三端相连接。所述第一热敏电阻PTC1和所述第二热敏电阻PTC2均为正温度系数热敏电阻，所述第一热敏电阻PTC1和所述第二热敏电阻PTC2的电阻值随着本体温度的升高而增大，温度越高、阻值越大、电压也越大。所述第一温度检测电路181设置在器件1上，器件1的温度越高，则所述第一温度检测电路181输出的电压也越高；所述第二温度检测电路182设置在器件2上，器件2的温度越高，则所述第二温度检测电路182输出的电压也越高。其中，器件1和器件2为需要进行温度检测的电路元器件，所述器件1、所述器件2可以为存储芯片、处理芯片等芯片结构。所述第一热敏电阻PTC1、所述第二热敏电阻PTC2将器件温度转化为电压信号后分别发送至所述运算电路17，所述运算电路17可将接收到的两个电压信号进行作差运算，得到运算结果，还可对运算结果和预设阈值进行比较，得到比较结果，并根据所述比较结果对所述第一开关电路12、所述第二开关电路15和所述第三开关电路16进行控制，以实现对电路的快速保护，提高器件的安全性能。所述第一热敏电阻PTC1的第二端与所述第一电位器W1的第二脚相连接并接地，所述第二热敏电阻PTC2的第二端与所述第二电位器W2的第二脚相连接并接地，能有效防止电路断路，保障电路的正常运行。

在一实施例中，如图3所示，所述运算电路17包括第一运算电路171和第二运算电路172；所述第一运算电路171包括第九电阻R9、第十一电阻R11、第六电容C6、第七电容C7、第七电阻R7、第十三电阻R13及运算放大器U1；所述第二运算电路172包括第十四电阻R14、第十五电阻R15及比较器U2。

在本实施例中，所述运算放大器U1将采集的第一电压和第二电压进行作差运算并按一定倍数放大后，输出至所述比较器U2，其中，所述第一电压为所述第一温度检测电路181转化的电压信号，所述第二电压为所述第二温度检测电路182转化的电压信号。

在一实施例中，如图3所示，所述第六电容C6的第一端接地，所述第六电容C6的第二端与所述第九电阻R9的第二端相连接，所述第九电阻R9的第一端作为所述运算电路17的第二端；所述第七电阻R7分别与所述第六电容C6的第二端及所述运算放大器U1的同相输入端相连接，所述第七电阻R7的第二端接地；所述第七电容C7的第二端接地，所述第七电容C7的第一端与所述第十一电阻R11的第二端相连接，所述第十一电阻R11的第一端作为所述运算电路17的第三端；所述第十三电阻R13的第一端分别与所述第七电容C7的第一端及所述运算放大器U1的反相输入端相连接。

在本实施例中，所述第六电容C6、所述第十一电容为滤波电容，能有效过滤掉电路中的杂质，提高电压输出的稳定性。所述第九电阻R9的第一端作为所述运算电路17的第二端，所述第十一电阻R11的第一端作为所述运算电路17的第三端，所述第十三电阻R13的第一端分别与所述第七电容C7的第一端及所述运算放大器U1的反相输入端相连接，所述运算放大器U1将采集的第一电压和第二电压进行作差运算并按一定倍数放大后，输出至所述比较器U2，其中，所述第一电压为所述第一温度检测电路181转化的电压信号，所述第二电压为所述第二温度检测电路182转化的电压信号。所述第七电容C7的第二端接地，能有效防止电路短路，保障电路的正常运转。

在一实施例中，如图3所示，所述运算放大器U1的输出端与所述比较器U2的同相输入端相连接，其连接点与所述第十三电阻R13的第二端相连接；所述第十四电阻R14的第二端与所述第十五电阻R15的第一端相连接，其连接点与所述比较器U2的反相输入端相连接，所述第十四电阻R14的第一端作为所述运算电路17的第四端；所述比较器U2的输出端作为所述运算电路17的第一端。

在本实施例中，所述运算放大器U1将采集的第一电压和第二电压进行作差运算并按一定倍数放大后得到作差电压，所述运算放大器U1将所述作差电压输出至所述比较器U2的同相输入端，其中，所述第一电压为所述第一温度检测电路181转化的电压信号，所述第二电压为所述第二温度检测电路182转化的电压信号；器件之间的温度差越大，则输出的作差电压越大。所述第十四电阻R14的第二端与所述第十五电阻R15的第一端相连接，其连接点与所述比较器U2的反相输入端相连接，所述第十五电阻R15的第二端接地，所述第二运算放大电路可通过所述第十四电阻R14和所述第十五电阻R15设置阈值电压，所述比较器U2对所述作差电压和所述阈值电压进行比较，若所述作差电压大于阈值电压，则所述比较器U2输出高电平；若所述作差电压小于阈值电压，则所述比较器U2输出低电平。

在一实施例中，如图3所示，所述第三开关电路16包括第十电阻R10、第十二电阻R12、三极管Q3及第八电阻R8；所述第十电阻R10的第一端作为所述第三开关电路16的第二端；所述第十二电阻R12的第一端分别与所述第十电阻R10的第一端及所述三极管Q3的基极相连接，所述第十二电阻R12的第二端与所述三极管Q3的发射极相连接并接地；所述三极管Q3的集电极与所述第八电阻R8的第二端相连接，其连接点作为所述第三开关电路16的第一端；所述第八电阻R8的第一端作为所述第三开关电路16的第三端。

在本实施例中，所述第八电阻R8的第一端作为所述第三开关电路16的第三端与所述温度检测电路18的第一端相连接。若器件之间的温度差过大，则所述放大器输出的作差电压会增大，所述比较器U2输出高电平，若所述比较器U2输出高电平，则所述三极管Q3为导通状态，所述第三开关电路16的第一端输出低电平，若所述第三开关电路16的第一端输出低电平，则所述第二MOS管电路122中的第二MOS管Q2处于截止状态，所述电路输入端11、所述第一电阻R1、所述第二电阻R2之间无法对地形成回路，所述第一MOS管电路121中的第一MOS管Q1为截止状态，所述电路输入端11无法通过所述第一MOS管电路121对所述电路输出端14进行供电，实现温度差过大的硬件保护。若器件之间的温度差在安全范围内，所述放大器输出的作差电压会减小，所述比较器U2输出低电平，所述三极管Q3为截止状态，所述第三开关电路16的第一端输出高电平，若所述第三开关电路16的第一端输出高电平，则所述第二MOS管Q2处于导通状态，所述电路输入端11、所述第一电阻R1、所述第二电阻R2之间可对地形成回路，所述第一MOS管电路121为导通状态，所述电路输入端11可通过所述第一MOS管电路121对所述电路输出端14进行供电。本实用新型可通过运算电路17对器件温度进行硬件检测，响应速度达到微秒级别，可以快速保护电路，提高器件的安全性能。

在一实施例中，如图2所示，所述滤波电路13由若干个电容并联组成，所述若干个电容的第一端均与所述第一开关电路12的第二端相连接，所述若干个电容的第二端均接地。

在本实施例中，所述滤波电路13由若干个电容并联组成，所述滤波电路13中的各电容均并联设置于所述第一开关电路12的第二端与接地端之间，能有效过滤掉电路中的杂质，提高电压输出的稳定性。

本实用新型公开了一种用于温度差检测的保护电路，其包括：电路输入端、第一开关电路、滤波电路、电路输出端、第二开关电路、第三开关电路、运算电路及温度检测电路；所述电路输入端与所述第一开关电路的第一端相连接，所述第一开关电路的第二端与所述滤波电路的一端相连接，所述滤波电路的另一端与所述电路输出端相连接；所述第一开关电路的第三端与所述第二开关电路的一端相连接，所述第二开关电路的另一端与所述第三开关电路的第一端相连接，所述第三开关电路的第二端与所述运算电路的第一端相连接；所述运算电路的第二端与所述温度检测电路的第二端相连接，所述运算电路的第三端与所述温度检测电路的第三端相连接，所述温度检测电路的第一端分别与所述第三开关电路的第三端及所述运算电路的第四端与相连接。本实用新型可通过运算电路对器件温度进行硬件检测，响应速度达到微秒级别，可以快速保护电路，提高器件的安全性能。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种用于温度差检测的保护电路，其特征在于，其包括：电路输入端、第一开关电路、滤波电路、电路输出端、第二开关电路、第三开关电路、运算电路及温度检测电路；

所述电路输入端与所述第一开关电路的第一端相连接，所述第一开关电路的第二端与所述滤波电路的一端相连接，所述滤波电路的另一端与所述电路输出端相连接；

所述第一开关电路的第三端与所述第二开关电路的一端相连接，所述第二开关电路的另一端与所述第三开关电路的第一端相连接，所述第三开关电路的第二端与所述运算电路的第一端相连接；所述运算电路的第二端与所述温度检测电路的第二端相连接，所述运算电路的第三端与所述温度检测电路的第三端相连接，所述温度检测电路的第一端分别与所述第三开关电路的第三端及所述运算电路的第四端与相连接。

2.根据权利要求1所述的用于温度差检测的保护电路，其特征在于，所述第一开关电路包括第一电阻、第一MOS管电路及第二电阻，所述第二开关电路包括第二MOS管电路、第六电阻及第三电阻；

所述第一电阻的第一端与所述第一MOS管电路的第二端相连接，其连接点为所述第一开关电路的第一端，所述第一电阻的第二端分别与所述第一MOS管电路的第一端及所述第二电阻第一端相连接；所述第一MOS管电路的第三端为所述第一开关电路的第二端；

所述第二电阻的第二端与所述第二MOS管电路的第三端相连接，所述第二电阻的第二端为所述第一开关电路的第三端；所述第二MOS管电路的第二端与所述第六电阻的第二端相连接并接地，所述第二MOS管电路的第一端分别与所述第六电阻的第一端及所述第三电阻的第二端相连接。

3.根据权利要求2所述的用于温度差检测的保护电路，其特征在于，所述第一MOS管电路包括第一MOS管，所述第二MOS管电路包括第二MOS管；

所述第一MOS管、所述第二MOS管的源极和漏极之间均连接有二极管；

所述第一MOS管电路的第一端为所述第一MOS管的栅极，所述第一MOS管电路的第二端为所述第一MOS管的源极，所述第一MOS管电路的第三端为所述第一MOS管的漏极；

所述第二MOS管电路的第一端为所述第二MOS管的栅极，所述第二MOS管电路的第二端为所述第二MOS管的源极，所述第二MOS管电路的第三端为所述第二MOS管的漏极。

4.根据权利要求3所述的用于温度差检测的保护电路，其特征在于，所述第一MOS管电路还包括瞬态二极管；

所述瞬态二极管的一端与所述第一MOS管的源极相连接，所述瞬态二极管的另一端与所述第一MOS管的栅极相连接。

5.根据权利要求1所述的用于温度差检测的保护电路，其特征在于，所述温度检测电路包括第一温度检测电路和第二温度检测电路；所述第一温度检测电路包括第一电位器、第四电阻及第一热敏电阻；所述第二温度检测电路包括第二电位器、第五电阻及第二热敏电阻；

所述第四电阻的第二端分别与所述第一电位器的第一脚及所述第一热敏电阻的第一端相连接，其连接点作为所述温度检测电路的第二端；所述第一热敏电阻的第二端与所述第一电位器的第二脚相连接并接地；所述第四电阻第一端与所述第五电阻的第一端相连接，其连接点作为所述温度检测电路的第一端；

所述第五电阻的第二端分别与所述第二电位器的第一脚及所述第二热敏电阻的第一端相连接，其连接点作为所述温度检测电路的第三端；所述第二热敏电阻的第二端与所述第二电位器的第二脚相连接并接地。

6.根据权利要求5所述的用于温度差检测的保护电路，其特征在于，所述运算电路包括第一运算电路和第二运算电路；

所述第一运算电路包括第九电阻、第十一电阻、第六电容、第七电容、第七电阻、第十三电阻及运算放大器；

所述第二运算电路包括第十四电阻、第十五电阻及比较器。

7.根据权利要求6所述的用于温度差检测的保护电路，其特征在于，所述第六电容的第一端接地，所述第六电容的第二端与所述第九电阻的第二端相连接，所述第九电阻的第一端作为所述运算电路的第二端；

所述第七电阻分别与所述第六电容的第二端及所述运算放大器的同相输入端相连接，所述第七电阻的第二端接地；

所述第七电容的第二端接地，所述第七电容的第一端与所述第十一电阻的第二端相连接，所述第十一电阻的第一端作为所述运算电路的第三端；

所述第十三电阻的第一端分别与所述第七电容的第一端及所述运算放大器的反相输入端相连接。

8.根据权利要求7所述的用于温度差检测的保护电路，其特征在于，所述运算放大器的输出端与所述比较器的同相输入端相连接，其连接点与所述第十三电阻的第二端相连接；

所述第十四电阻的第二端与所述第十五电阻的第一端相连接，其连接点与所述比较器的反相输入端相连接，所述第十四电阻的第一端作为所述运算电路的第四端；所述比较器的输出端作为所述运算电路的第一端。

9.根据权利要求1所述的用于温度差检测的保护电路，其特征在于，所述第三开关电路包括第十电阻、第十二电阻、三极管及第八电阻；

所述第十电阻的第一端作为所述第三开关电路的第二端；

所述第十二电阻的第一端分别与所述第十电阻的第一端及所述三极管的基极相连接，所述第十二电阻的第二端与所述三极管的发射极相连接并接地；所述三极管的集电极与所述第八电阻的第二端相连接，其连接点作为所述第三开关电路的第一端；所述第八电阻的第一端作为所述第三开关电路的第三端。

10.根据权利要求9所述的用于温度差检测的保护电路，其特征在于，所述滤波电路由若干个电容并联组成，所述滤波电路中的各电容均并联设置于所述第一开关电路的第二端与接地端之间。