CN220491684U - 耦合电感和转换模块 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种耦合电感和转换模块，应用于电力电子技术领域，包括：磁芯内部形成由第一通道和第二通道，第一通道与第二通道交叉设置，第一通道与第二通道将磁芯分隔形成四个子磁芯，其中两个子磁芯的直流磁通量抵消；第一绕组设置于第一通道，第二绕组设置于第二通道，第一绕组与第二绕组的绕制方向相反，其中一个直流磁通量抵消的子磁芯位于第一绕组和第二绕组的始端之间，另一个直流磁通量抵消的子磁芯位于第一绕组和第二绕组的末端之间。本申请通过第一绕组和第二绕组的交叉设置以及子磁芯的设置实现了第一绕组和第二绕组反耦合连接的同时，无需另外增加绕线连接，且两个绕组所在的支路对称设置，提高了均流效果。

Description

耦合电感和转换模块

技术领域

本申请涉及电力电子技术领域，具体涉及一种耦合电感和转换模块。

背景技术

相关技术中，耦合电感通常存在两种连接方式，分别为正耦合的连接方式和反耦合的连接方式。在反耦合的连接方式中，需要将耦合电感其中一个绕组的连接形式取反，然而这样连接会使得绕线结构变长，从而绕组直流电阻增加，使得两个绕组所在的支路不对称，进而影响均流效果。

实用新型内容

本申请旨在提供一种耦合电感和转换模块，能够提高均流效果。

第一方面，本申请提供一种耦合电感，包括：

磁芯，所述磁芯内部形成由第一通道和第二通道，所述第一通道与所述第二通道交叉设置，所述第一通道与所述第二通道将所述磁芯分隔形成四个子磁芯，其中两个所述子磁芯的直流磁通量抵消；

多个绕组，多个绕组分别为第一绕组和第二绕组，所述第一绕组设置于所述第一通道，所述第二绕组设置于所述第二通道，所述第一绕组与所述第二绕组的绕制方向相反，其中一个直流磁通量抵消的所述子磁芯位于所述第一绕组和所述第二绕组的始端之间，另一个直流磁通量抵消的所述子磁芯分别位于所述第一绕组和所述第二绕组的末端之间。

根据本申请第一方面提供的耦合电感，至少具有如下有益效果：第一通道和第二通道交叉设置，将磁芯分隔成四个子磁芯，第一绕组设置于第一通道中，第二通道设置于第二通道中，其中一个直流磁通量抵消的子磁芯位于第一绕组和第二绕组的始端之间，另一个直流磁通量抵消的子磁芯位于第一绕组和第二绕组的末端之间，且第一绕组和第二绕组的绕向相反，使得在电流从第一绕组和第二绕组始端流入时，第一绕组和第二绕组实现反耦合连接，且第一绕组的始端和第二绕组的始端相邻设置，无需另外增加绕线连接，另外，两个子磁芯能够实现直流磁通的抵消，从而降低磁通大小，减小磁芯的体积。本申请通过第一绕组和第二绕组的交叉设置以及子磁芯的设置，使得在电流从第一绕组和第二绕组始端流入时，第一绕组和第二绕组实现反耦合连接，且第一绕组和第二绕组的始端相邻设置，无需另外增加绕线连接，实现了两个绕组所在的支路对称设置，提高了均流效果。

根据本申请第一方面的一些实施例，所述磁芯设置为矩形，所述第一通道和所述第二通道的两端分别位于所述磁芯的四个顶点。

根据本申请第一方面的一些实施例，所述磁芯包括磁盖板和磁主体，所述磁主体与所述磁盖板可拆卸连接，所述磁主体与所述磁盖板相对的一侧设置有多个凹槽，所述凹槽与所述磁盖板形成所述第一通道和所述第二通道。

根据本申请第一方面的一些实施例，多个所述凹槽将所述磁主体分隔形成第一磁柱、第二磁柱、第三磁柱和第四磁柱，所述第一磁柱与所述第二磁柱相对设置，所述第三磁柱和所述第四磁柱对称设置，且所述第一磁柱、所述第二磁柱、所述第三磁柱和所述第四磁柱分别与所述磁盖板形成所述子磁芯，所述第一磁柱和所述第二磁柱分别与所述磁盖板形成有气隙，所述气隙与所述第一通道、所述第二通道连通，所述第三磁柱和所述第四磁柱对应的所述子磁芯的直流磁通量抵消。

根据本申请第一方面的一些实施例，所述第一磁柱和所述第二磁柱分别设置有连接槽，所述连接槽与所述第一通道、所述第二通道连通，所述连接槽与所述磁盖板形成有所述气隙。

根据本申请第一方面的一些实施例，所述第一磁柱与所述第二磁柱的高度小于所述第三磁柱和所述第四磁柱，所述第一磁柱与所述第二磁柱与所述磁盖板之间均分别形成有所述气隙。

根据本申请第一方面的一些实施例，所述磁盖板设置有第五磁柱和第六磁柱，所述第五磁柱与所述第一磁柱对应设置，所述第六磁柱和所述第二磁柱对应设置，且所述第五磁柱与所述第一磁柱、以及所述第六磁柱和所述第二磁柱之间均分别形成有所述气隙。

根据本申请第一方面的一些实施例，所述第一通道和所述第二通道的始端位于所述磁芯的同一侧，所述第一绕组从所述第一通道的始端顺时针绕制，所述第二绕组从所述第二通道的始端逆时针绕制。

根据本申请第一方面的一些实施例，所述磁芯设置有多个焊盘，且所述焊盘与所述第一通道、所述第二通道的两端相邻设置。

第二方面，本申请提供一种转换模块，包括第一方面任一项所述的耦合电感。

由于第二方面的转换模块应用第一方面任一项所述的耦合电感，因此具有第一方面的有益效果。

本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请实施例的一些实施例，对于本领域普通技术人员来说，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的耦合电感的连接电路示意图；

图2是本申请实施例提供的耦合电感的结构示意图；

图3是本申请实施例提供的磁芯的结构示意图；

图4是本申请实施例提供的耦合电感的另一结构示意图；

图5是本申请实施例提供的耦合电感的另一结构示意图；

图6是本申请实施例提供的耦合电感的等效磁路的示意图。

附图标记：

磁芯100；第一通道110；第二通道120；磁盖板130；第五磁柱131；第六磁柱132；磁主体140；第一磁柱141；第二磁柱142；第三磁柱143；第四磁柱144；气隙150；连接槽151；

第一绕组210；第二绕组220。

具体实施方式

以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请实施例。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请实施例的描述。

需要说明的是，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于流程图中的顺序执行所示出或描述的步骤。说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。

还应当理解，在本申请实施例说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请实施例的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。

在本申请的描述中，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

本申请实施例的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本申请实施例中的具体含义。

耦合电感通常存在两种连接方式，分别为正耦合的连接方式和反耦合的连接方式。参照图1，在反耦合的连接方式中，需要将耦合电感其中一个绕组的连接形式取反，然而这样连接会使得绕线结构变长，从而绕组直流电阻增加，使得两个绕组所在的支路不对称，进而影响均流效果。

相关技术中为解决绕组不平衡的问题，提出了绞型磁芯和多磁柱磁芯结构，对于绞型磁芯，存在着磁芯加工困难的缺点，多磁柱磁芯结构的导体的长度较长。另外，对于这两种耦合结构，没有进行直流磁通抵消的设计，故整个磁芯的体积不能进行进一步减小。

基于此，本申请提供一种耦合电感和转换模块。本申请实施例提供的耦合电感通过第一绕组和第二绕组的交叉设置以及子磁芯的设置，使得在电流从第一绕组和第二绕组始端流入时，第一绕组和第二绕组实现反耦合连接，且第一绕组和第二绕组的始端相邻设置，无需另外增加绕线连接，实现了两个绕组所在的支路对称设置，提高了均流效果。

下面结合附图，对本申请实施例作进一步阐述。

参照图2至图5，本申请实施例提供一种耦合电感，该耦合电感包括磁芯100和多个绕组。

其中，磁芯100内部形成由第一通道110和第二通道120，第一通道110与第二通道120交叉设置，第一通道110与第二通道120将磁芯100分隔形成四个子磁芯，其中两个子磁芯的直流磁通量抵消。

多个绕组分别为第一绕组210和第二绕组220，第一绕组210设置于第一通道110，第二绕组220设置于第二通道120，第一绕组210与第二绕组220的绕制方向相反，其中一个直流磁通量抵消的子磁芯第一绕组210与第二绕组220的始端之间，另一个直流磁通量抵消的子磁芯分别位于第一绕组210与第二绕组220的末端之间。

需要说明的是，第一通道110和第二通道120交叉设置，将磁芯100分隔成四个子磁芯，第一绕组210设置于第一通道110中，第二绕组220设置于第二通道120中，其中一个直流磁通量抵消的子磁芯位于第一绕组210与第二绕组220的始端之间，另一个直流磁通量抵消的子磁芯位于第一绕组210与第二绕组220的末端之间，且第一绕组210与第二绕组220的绕向相反，使得在电流从第一绕组210与第二绕组220始端流入时，第一绕组210与第二绕组220实现反耦合连接，且第一绕组210的始端和第二绕组220的始端相邻设置，无需另外增加绕线连接，另外，两个子磁芯能够实现直流磁通的抵消，从而降低磁通大小，减小磁芯的体积。本申请通过第一绕组210与第二绕组220的交叉设置以及子磁芯的设置，使得在电流从第一绕组210与第二绕组220始端流入时，第一绕组210与第二绕组220实现反耦合连接，且第一绕组210与第二绕组220的始端相邻设置，无需另外增加绕线连接，实现了两个绕组所在的支路对称设置，提高了均流效果。

需要说明的是，两个子磁芯的直流磁通量抵消可以通过多种方式实现，调节子磁芯的大小、形状等。例如，当两个子磁芯可以对称设置，且大小、形状相等，参照图6，图6为本申请实施例提供的耦合电感的等效磁路的示意图。R1和R2为两个对称的子磁芯的磁阻，R3和R4为两个对称的子磁芯的磁阻，F1为第一绕组210所产生的磁势，F2为第二绕组220所产生的磁势。由于R1和R2对称设置、R3和R4设置，那么R1＝R2＝a，R3＝R4＝b。R1的磁通量可表示为φ₁＝(F1+F2)·a/(2·a·b)，R2的磁通量可表示为φ₂＝-(F1+F2)·a/(2·a·b)，R3的磁通量可表示为φ₃＝(F1-F2)·b/(2·a·b)，R4的磁通量可表示为φ₄＝(F2-F1)·b/(2·a·b)。由于两相电感的直流分量相等，那么，则R3和R4的磁通量均为0，即。由此能够得到在R3和R4上，能够实现直流磁通的抵消，从而降低磁通大小，能够进一步减小磁芯100的体积。

需要说明的是，第一绕组210和第二绕组220的可以为单匝绕制，也可以为多匝绕制的线圈。

可以理解的是，参照图3，磁芯100设置为矩形，第一通道110和第二通道120的两端分别位于磁芯100的四个顶点。

需要说明的是，矩形的设置能够能便于将磁芯100分为两两对称的子磁芯。另外，第一通道110和第二通道120的两端分别位于磁芯100的四个顶点有利于第一绕组210和第二绕组220的绕制，可将任意两个顶点作为第一绕组210和第二绕组220的起始端。

可以理解的是，参照图4和图5，磁芯100包括磁盖板130和磁主体140，磁主体140与磁盖板130可拆卸连接，磁主体140与磁盖板130相对的一侧设置有多个凹槽，凹槽与磁盖板130形成第一通道110和第二通道120。

需要说明的是，磁芯100可设置为可拆卸设置的磁盖板130和磁主体140，磁主体140与磁盖板130连接的一侧设置有多个凹槽，凹槽的设置使得磁盖板130与磁主体140形成有第一通道110和第二通道120。可拆卸的设置便于进行第一绕组210和第二绕组220的绕制，且有利于对耦合电感进行维护。

可以理解的是，参照图4和图5，多个凹槽将磁主体140分隔形成第一磁柱141、第二磁柱142、第三磁柱143和第四磁柱144，第一磁柱141和第二磁柱142的相对设置，第三磁柱143和第四磁柱144相对设置，且第一磁柱141、第二磁柱142、第三磁柱143和第四磁柱144分别与磁盖板130形成子磁芯，第一磁柱141和第二磁柱142分别与磁盖板130形成有气隙150，气隙150与第一通道110、第二通道120连通，第三磁柱143和第四磁柱144对应的子磁芯的直流磁通量抵消。

需要说明的是，第一磁柱141和第二磁柱142的相对设置，第三磁柱143和第四磁柱144相对设置，且第三磁柱143和第四磁柱144的直流磁通量抵消为0。第一磁柱141和第二磁柱142与磁盖板130之间形成有气隙150，气隙150的设置能够减少耦合电感在工作中磁饱和的产生，且增加磁芯100的温度、磁场的稳定性。

需要说明的是，气隙150的作用是增大磁阻，且气隙150能够减少避免在交流大信号或直流偏置下的磁饱和现象的产生，更好地控制电感量。

可以理解的是，参照图4，第一磁柱141和第二磁柱142分别设置有连接槽151，连接槽151与第一通道110、第二通道120连通，连接槽151与磁盖板130形成有气隙150。

需要说明的是，第一磁柱141和第二磁柱142可以设置有连接槽151，连接槽151与第一通道110、第二通道120连通，当磁盖板130与磁主体140连接时，连接槽151与磁盖板130形成有气隙150。在耦合电感的结构内部，气隙150的设置可以降低磁场的外溢，降低磁干扰强度。

需要说明的是，两个连接槽151的形状、大小均相同。

需要说明的是，磁芯100开的气隙150越大，磁阻越高，电感也就越小。

可以理解的是，参照图5，第一磁柱141与第二磁柱142的高度小于第三磁柱143和第四磁柱144，第一磁柱141与第二磁柱142与磁盖板130之间均分别形成有气隙150。

需要说明的是，第一磁柱141和第二磁柱142的高度小于第三磁柱143和第四磁柱144设置，即第一磁柱141和第二磁柱142与磁盖板130之间设置有气隙150，而第三磁柱143和第四磁柱144没有设置气隙150，第三磁柱143和第四磁柱144直接与磁盖板130进行连接。与连接槽151的设置相比，第一磁柱141和第二磁柱142通过高度的设置使得气隙150最大设置，能够增大磁阻。

需要说明的是，参照图6，图6为本申请实施例提供的耦合电感的等效磁路的示意图。其中，R1为第一磁柱141的磁阻，R2为第二磁柱142的磁阻，R3为第三磁柱143的磁阻，R4为第四磁柱144的磁阻，F1为第一绕组210所产生的磁势，F2为第二绕组220所产生的磁势。由于R1和R2对称设置、R3和R4设置，那么R1＝R2＝a，R3＝R4＝b。R1的磁通量可表示为φ₁＝(F1+F2)·a/(2·a·b)，R2的磁通量可表示为φ₂＝-(F1+F2)·a/(2·a·b)，R3的磁通量可表示为φ₃＝(F1-F2)·b/(2·a·b)，R4的磁通量可表示为φ₄＝(F2-F1)·b/(2·a·b)。由于两相电感的直流分量相等，那么，则R3和R4的磁通量均为0，即。由此能够得到在R3和R4上，能够实现直流磁通的抵消，从而降低磁通大小，能够进一步减小磁芯100的体积。

需要说明的是，为使得气隙150最大设置，第一磁柱141和第二磁柱142为四个磁柱中面积较大的两个磁柱。

可以理解的是，参照图5，磁盖板130设置有第五磁柱131和第六磁柱132，第五磁柱131与第一磁柱141对应设置，第六磁柱132和第二磁柱142对应设置，且第五磁柱131与第一磁柱141、以及第六磁柱132和第二磁柱142之间均分别形成有气隙150。

需要说明的是，磁盖板130还设置有第五磁柱131和第六磁柱132，在磁盖板130与磁主体140连接时，第五磁柱131和第一磁柱141对应设置，第六磁柱132和第二磁柱142对应设置，且第五磁柱131和第一磁柱141的形状相同，第六磁柱132和第二磁柱142的形状相同，且第五磁柱131与第一磁柱141、以及第六磁柱132和第二磁柱142之间分别形成有气隙150。第五磁柱131和第六磁柱132的设置便于通过更换磁盖板130对气隙150的大小进行控制，从而控制磁阻以及电感的大小。

可以理解的是，第一通道110和第二通道120的始端位于磁芯100的同一侧，第一绕组210从第一通道110的始端顺时针绕制，第二绕组220从第二通道120的始端逆时针绕制。

需要说明的是，第一通道110和第二通道120的始端位于磁芯100的同一侧，第一绕组210从第一通道110的始端顺时针绕制，第二绕组220从第二通道120的始端逆时针绕制，以使在电流从第一绕组210与第二绕组220内的始端流入的情况下，第一绕组210与第二绕组220实现反耦合的连接。

可以理解的是，磁芯100设置有多个焊盘，且焊盘与第一通道110、第二通道120的两端相邻设置。

需要说明的是，磁芯100设置有多个焊盘，焊盘与第一通道110、第二通道120的两端相邻设置，焊盘用于第一绕组210、第二绕组220的两端的焊接，且耦合电感通过该焊盘与外接器件进行连接。

需要说明的是，参照图2至图5，本申请实施例提供的磁芯100设置为矩形，且磁芯100包括磁盖板130和磁主体140，磁主体140的一侧设置有多个凹槽，磁主体140设置有凹槽的一侧与磁盖板130可拆卸连接，以使凹槽与磁盖板130形成第一通道110和第二通道120，且第一通道110和第二通道120的两端分别位于所述磁芯100的四个顶点。多个凹槽将磁主体140分隔形成第一磁柱141、第二磁柱142、第三磁柱143和第四磁柱144，第一磁柱141和第二磁柱142相对设置，第三磁柱143和第四磁柱144相对设置，且第一磁柱141与第二磁柱142的高度小于第三磁柱143和第四磁柱144，以形成气隙150。本申请通过第一绕组210与第二绕组220的交叉设置以及子磁芯的设置，使得在电流从第一绕组210与第二绕组220始端流入时，第一绕组210与第二绕组220实现反耦合连接，且第一绕组210与第二绕组220的始端相邻设置，无需另外增加绕线连接，实现了两个绕组所在的支路对称设置，提高了均流效果。另外，第三磁柱143和第四磁柱144对称设置，第三磁柱143和第四磁柱144的电阻相等，在两相电感的直流分量相等，即第一绕组210和第二绕组220的直流分量相等时，第三磁柱143和第四磁柱144能够实现直流磁通的抵消，从而降低磁通大小，减小磁芯100的体积。

另外，本申请提供一种转换模块，包括上述的耦合电感。

需要说明的是，第一通道110和第二通道120交叉设置，将磁芯100分隔成四个子磁芯，第一绕组210设置于第一通道110中，第二绕组220设置于第二通道120中，其中一个直流磁通量抵消的子磁芯位于第一绕组210与第二绕组220的始端之间，另一个直流磁通量抵消的子磁芯位于第一绕组210与第二绕组220的末端之间，且第一绕组210与第二绕组220的绕向相反，使得在电流从第一绕组210与第二绕组220始端流入时，第一绕组210与第二绕组220反耦合连接，且第一绕组210的始端和第二绕组220的始端相邻设置，无需另外增加绕线连接，另外，两个子磁芯能够实现直流磁通的抵消，从而降低磁通大小，减小磁芯的体积。本申请通过第一绕组210与第二绕组220的交叉设置以及子磁芯的设置，使得在电流从第一绕组210与第二绕组220始端流入时，第一绕组210与第二绕组220实现反耦合连接，且第一绕组210与第二绕组220的始端相邻设置，无需另外增加绕线连接，实现了两个绕组所在的支路对称设置，提高了均流效果。耦合电感的设置能够满足转换模块对于多相降压的需求，使得转换模块具有纹波消除效应，使得采用该转换模块的微处理器电压调节模组可以使用较小的输出滤波电感，并在一定程度上提高了负载瞬态响应速度，还可以最小化输出滤波电容。

上面结合附图对本申请实施例作了详细说明，但是本申请不限于上述实施例，在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本申请宗旨的前提下作出各种变化。此外，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

Claims (10)

1.一种耦合电感，其特征在于，包括：

磁芯，所述磁芯内部形成由第一通道和第二通道，所述第一通道与所述第二通道交叉设置，所述第一通道与所述第二通道将所述磁芯分隔形成四个子磁芯，其中两个所述子磁芯的直流磁通量抵消；

多个绕组，多个绕组分别为第一绕组和第二绕组，所述第一绕组设置于所述第一通道，所述第二绕组设置于所述第二通道，所述第一绕组与所述第二绕组的绕制方向相反，其中一个直流磁通量抵消的所述子磁芯位于所述第一绕组和所述第二绕组的始端之间，另一个直流磁通量抵消的所述子磁芯位于所述第一绕组和所述第二绕组的末端之间。

2.根据权利要求1所述的耦合电感，其特征在于，所述磁芯设置为矩形，所述第一通道和所述第二通道的两端分别位于所述磁芯的四个顶点。

3.根据权利要求1所述的耦合电感，其特征在于，所述磁芯包括磁盖板和磁主体，所述磁主体与所述磁盖板可拆卸连接，所述磁主体与所述磁盖板相对的一侧设置有多个凹槽，所述凹槽与所述磁盖板形成所述第一通道和所述第二通道。

4.根据权利要求3所述的耦合电感，其特征在于，多个所述凹槽将所述磁主体分隔形成第一磁柱、第二磁柱、第三磁柱和第四磁柱，所述第一磁柱与所述第二磁柱相对设置，所述第三磁柱和所述第四磁柱对称设置，且所述第一磁柱、所述第二磁柱、所述第三磁柱和所述第四磁柱分别与所述磁盖板形成所述子磁芯，所述第一磁柱和所述第二磁柱分别与所述磁盖板形成有气隙，所述气隙与所述第一通道、所述第二通道连通，所述第三磁柱和所述第四磁柱对应的所述子磁芯的直流磁通量抵消。

5.根据权利要求4所述的耦合电感，其特征在于，所述第一磁柱和所述第二磁柱分别设置有连接槽，所述连接槽与所述第一通道、所述第二通道连通，所述连接槽与所述磁盖板形成有所述气隙。

6.根据权利要求4所述的耦合电感，其特征在于，所述第一磁柱与所述第二磁柱的高度小于所述第三磁柱和所述第四磁柱，所述磁柱与所述第二磁柱与所述磁盖板之间均分别形成有所述气隙。

7.根据权利要求5所述的耦合电感，其特征在于，所述磁盖板设置有第五磁柱和第六磁柱，所述第五磁柱与所述第一磁柱对应设置，所述第六磁柱和所述第二磁柱对应设置，且所述第五磁柱与所述第一磁柱、以及所述第六磁柱和所述第二磁柱之间均分别形成有所述气隙。

8.根据权利要求1所述的耦合电感，其特征在于，所述第一通道和所述第二通道的始端位于所述磁芯的同一侧，所述第一绕组从所述第一通道的始端顺时针绕制，所述第二绕组从所述第二通道的始端逆时针绕制。

9.根据权利要求1所述的耦合电感，其特征在于，所述磁芯设置有多个焊盘，且所述焊盘与所述第一通道、所述第二通道的两端相邻设置。

10.一种转换模块，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的耦合电感。