CN220382949U - 单火开态取电电路和单火取电装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种单火开态取电电路和单火取电装置。该单火开态取电电路包括：单火取电单元，正向过零检测单元，反向过零检测单元，比较电路，其中，单火取电单元，包括正输入端、负输入端和输出端，单火取电单元用于从火线取电向供电电路供电；在火线中的交流电为正向电压的情况下，正向过零检测单元与正输入端连通；在火线中的交流电为反向电压的情况下，反向过零检测单元与正输入端连通；比较电路用于在正向过零检测单元或反向过零检测单元输出的电压高于第一参考电压的情况下，向双MOS开关单元输出高电平，其中，双MOS开关单元接收到高电平后开关导通。本实用新型解决了由于现有的单火取电的技术方案的供电能力不足的技术问题。

Description

单火开态取电电路和单火取电装置

技术领域

本实用新型涉及单火线取电技术领域，具体而言，涉及一种单火开态取电电路和单火取电装置。

背景技术

目前单火取电的技术方案，均存在供电能力不足的问题，往往靠电容储能短时间内供电，在进行单火取电时，特别容易导致被供电的网关等智能设备掉线或联不上网络，导致无法驱动显示屏等大功率智能控制终端，在物联网的使用场景中有很大的局限性，因而多用于功能单一的小场景之中。

针对上述的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

实用新型内容

本实用新型实施例的主要目的在于提供一种单火开态取电电路和单火取电装置，以至少解决由于现有的单火取电的技术方案的供电能力不足的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种单火开态取电电路，包括：单火取电单元，正向过零检测单元，反向过零检测单元，比较电路，其中，单火取电单元，包括正输入端、负输入端和输出端，其中，正输入端和负载连接，负输入端与火线连接，输出端与供电电路连接，单火取电单元用于从负载或火线取电向供电电路供电；正向过零检测单元的一端接地，另一端与比较电路和负载连接，在火线中的交流电为正向电压的情况下，正向过零检测单元与正输入端连通；反向过零检测单元的一端接地，另一端与比较电路和火线连接，在火线中的交流电为反向电压的情况下，反向过零检测单元与负输入端连通；比较电路与双MOS开关单元连接，用于在正向过零检测单元或反向过零检测单元输出的电压高于第一参考电压的情况下，向双MOS开关单元输出高电平，其中，双MOS开关单元的两端分别与负载和火线连接，双MOS开关单元接收到高电平后开关导通。

可选地，单火取电单元，包括：第一三极管、第二三极管和第一电容，其中，第一三极管和第二三极管的负极与第一电容的一端连接；第一三极管的正极为单火取电单元的正输入端；第二三极管的正极为单火取电单元的负输入端；第一电容的另一端接地。

可选地，第一电容与第一三极管连接的一端为单火取电单元的输出端。

可选地，正向过零检测单元，包括：第一分压电阻和第二电容，其中，第一分压电阻与第二电容并联；第一分压电阻的一端接地，另一端与负载连接。

可选地，正向过零检测单元，还包括：第二分压电阻，其中，第二分压电阻与第一分压电阻串联。

可选地，反向过零检测单元，包括：第三分压电阻和第三电容，其中，第三分压电阻的一端与第三电容并联；第三分压电阻的一端接地，另一端与火线连接。

可选地，反向过零检测单元，还包括：第四分压电阻，其中，第四分压电阻与第三分压电阻串联。

可选地，比较电路，还用于在正向过零检测单元或反向过零检测单元输出的电压低于第二参考电压的情况下，向双MOS开关单元输出低电平，其中，双MOS开关单元接收到低电平后开关断开。

根据本实用新型实施例的另一方面，还提供了一种单火取电装置，包括：上述任意一项单火开态取电电路，关态取电电路、供电电路、双MOS开关单元、MCU控制电路，其中，单火开态取电电路和关态取电电路分别与供电电路连接；关态取电电路与负载连接；单火开态取电电路通过双MOS开关单元与负载连接；供电电路与MCU控制电路连接。

可选地，双MOS开关单元包括第一MOS管和第二MOS管，第一MOS管和第二MOS管串联，串联后的第一MOS管和第二MOS管的两端分别与火线和负载连接，第一MOS管和第二MOS管的栅极分别与单火开态取电电路连接。

可选地，还包括：瞬态二极管，其中，瞬态二极管的两端分别与负载和火线连接。

在本实用新型实施例中，通过单火取电单元，正向过零检测单元，反向过零检测单元，比较电路，其中，单火取电单元包括正输入端、负输入端和输出端，其中，正输入端和负载连接，负输入端与火线连接，输出端与供电电路连接，单火取电单元用于从负载或火线取电向供电电路供电；正向过零检测单元的一端接地，另一端与比较电路和负载连接，在火线中的交流电为正向电压的情况下，正向过零检测单元与正输入端连通；反向过零检测单元的一端接地，另一端与比较电路和火线连接，在火线中的交流电为反向电压的情况下，反向过零检测单元与负输入端连通；比较电路与双MOS开关单元连接，用于在正向过零检测单元或反向过零检测单元输出的电压高于第一参考电压的情况下，向双MOS开关单元输出高电平，其中，双MOS开关单元的两端分别与负载和火线连接，双MOS开关单元接收到高电平后开关导通，达到了分别在交流电为正向电压和负向电压的情况下进行单火取电的目的，从而实现了提升单火取电的供电能力为相关技术的两倍的技术效果，进而解决了由于现有的单火取电的技术方案的供电能力不足的技术问题。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本申请的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1是根据本实用新型实施例提供的一种单火开态取电电路的结构框图；

图2是根据本实用新型实施例的一种可选的单火开态取电电路的示意图；

图3是根据本实用新型实施例的一种单火取电装置的结构示意图。

其中，上述附图包括以下附图标记：

10、单火取电单元；20、正向过零检测单元；30、反向过零检测单元；40、比较电路；L、火线；N、零线；50、供电电路；60、双MOS开关单元；D7、第一三极管；D8、第二三极管；C19、第一电容；R36、第一分压电阻；C16、第二电容；R33、第二分压电阻；R46、第三分压电阻；C21、第三电容；R47、第四分压电阻；Q4、第一MOS管；Q5、第二MOS管；70、MCU控制单元；U3、控制芯片；80、单火开态取电电路；90、关态取电电路；100、MCU控制电路；RL、负载；D9、瞬态二极管。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本实用新型保护的范围。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。

需要指出的是，除非另有指明，本申请使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。

在本实用新型中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上、下、顶、底”通常是针对附图所示的方向而言的，或者是针对部件本身在竖直、垂直或重力方向上而言的；同样地，为便于理解和描述，“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内、外，但上述方位词并不用于限制本实用新型。

为了解决由于现有的单火取电的技术方案的供电能力不足的技术问题，本实用新型提供了一种单火开态取电电路。

图1是根据本实用新型实施例提供的一种单火开态取电电路80的结构框图，如图1所示，单火开态取电电路80包括：单火取电单元10，正向过零检测单元20，反向过零检测单元30，比较电路40，其中，单火取电单元10，包括正输入端、负输入端和输出端，其中，正输入端和负载RL1连接，负输入端与火线L连接，输出端与供电电路50连接，单火取电单元10用于从负载RL1或火线L取电向供电电路50供电；正向过零检测单元20的一端接地，另一端与比较电路40和负载RL1连接，在火线L中的交流电为正向电压的情况下，正向过零检测单元20与正输入端连通；反向过零检测单元30的一端接地，另一端与比较电路40和火线L连接，在火线L中的交流电为反向电压的情况下，反向过零检测单元30与负输入端连通；比较电路40与双MOS开关单元60连接，用于在正向过零检测单元20或反向过零检测单元30输出的电压高于第一参考电压的情况下，向双MOS开关单元60输出高电平，其中，双MOS开关单元60的两端分别与负载RL1和火线L连接，双MOS开关单元60接收到高电平后开关导通。

由于火线L中提供的是交流电，所以火线L上的电压会周期性的变动，一半周期内的电压为正向电压，另一半周期内的电压为负向电压(反向电压)。相关技术中的单火取电电路只能实现在半周期内进行取电，导致取电能力不足。

因此，如图1所示，本实用新型设置单火取电单元10、正向过零检测单元20和反向过零检测单元30，当正向过零检测单元20检测到火线L上的电压为正向电压时，双MOS开关单元60的开关断开，负载RL1处的电压高于0电势，单火取电单元10通过正输入端连通负载RL1，通过负载RL1从火线L上取电；当反向过零检测单元30检测到火线L上的电压为负向电压时，双MOS开关单元60的开关断开，火线L处的电压低于0电势，单火取电单元10通过负输入端连通火线L，从火线L上取电，从而实现了全周期内从火线L取电。

当比较电路40检测到正向过零检测单元20或反向过零检测单元30输出的电压已经高于第一参考电压时，可以向双MOS开关单元60输出高电平，使得开关导通，此时负载RL1与火线L通过双MOS开关单元60连接，所以正向过零检测单元20或反向过零检测单元30相当于被短路，不能从火线L上取电，以此减少单火能力消耗，单火取电结束。

通过设置分别与单火取电单元10连接的正向过零检测单元20和反向过零检测单元30，达到了分别在交流电为正向电压和负向电压的情况下进行单火取电的目的，从而实现了提升单火取电的供电能力为相关技术的两倍的技术效果，进而解决了由于现有的单火取电的技术方案的供电能力不足的技术问题。

作为一种可选的实施例，单火取电单元10，包括：第一三极管D7、第二三极管D8和第一电容C19，其中，第一三极管D7和第二三极管D8的负极与第一电容C19的一端连接；第一三极管D7的正极为单火取电单元10的正输入端；第二三极管D8的正极为单火取电单元10的负输入端；第一电容C19的另一端接地。

作为一种可选的实施例，第一电容C19与第一三极管D7连接的一端为单火取电单元10的输出端。

可选地，如图1中单火取电单元10的虚线框所示，单火取电单元10可以包括两个三极管。在火线L上的电压为正向电压时，第一电容C19和第一三极管D7串联，电流可以从第一三极管D7的正极流入，从第一三极管D7的负极流出，再流入第一电容C19的一端，第一电容C19的另一端接地，此时，第一电容C19从火线L取电，两端的电压会逐渐升高，第一电容C19可以从未接地的一端为供电电路50供电。类似地，在火线L上的电压为负向电压时，第一电容C19和第二三极管D8串联，电流可以从第二三极管D8的正极流入，从第二三极管D8的负极流出，再流入第一电容C19的一端，第一电容C19的另一端接地，此时，第一电容C19从火线L取电，两端的电压会逐渐升高，第一电容C19可以从未接地的一端为供电电路50供电。

作为一种可选的实施例，正向过零检测单元20，包括：第一分压电阻R36和第二电容C16，其中，第一分压电阻R36的一端与第二电容C16并联；第一分压电阻R36的一端接地，另一端与负载RL1连接。

可选地，在图1所示的电路中不包括第二分压电阻R33的情况下(第二分压电阻R33为一根导线)，正向过零检测单元20中的第一分压电阻R36和第二电容C16并联，并联后的第二电容C16和第一分压电阻R36的一端接地，另一端连接负载RL1和比较电路40，所以，从正向过零检测单元20输入比较电路40的电压即第二电容C16两端的电压。又由于第一二极管导通，第一电容C19的两端分别连接负载RL1和地，第一电容C19两端的电压与第二电容C16两端的电压相等，所以，从正向过零检测单元20输入比较电路40的电压也即第一电容C19两端的电压。因此，当比较电路40检测到正向过零检测单元20输出的电压已经高于第一参考电压时，相当于比较电路40检测到第一电容C19两端的电压高过了第一电容C19两端的预设阈值，此时可以结束正向电压的单火取电。第一参考电压可以设置为12V。

进一步地，作为一种可选的实施例，正向过零检测单元20，还可以包括：第二分压电阻R33，其中，第二分压电阻R33与第一分压电阻R36串联。

可选的，正向过零检测单元20还可以包括第二分压电阻R33，如图1所示的电路中，第一二极管导通，第一电容C19的两端分别连接负载RL1和地，并且串联后的第一分压电阻R36和第二分压电阻R33的两端分别连接负载RL1和地，第二电容C16两端的电压与第一电容C19两端的电压成比例，并且比例系数与第二分压电阻R33的阻值相关。此时，可以通过输入比较电路40的电压(即第二电容C16两端的电压)确定出第一电容C19两端的电压。容易理解的是，可以改变第二分压电阻R33的阻值，或改变第一参考电压的数值，使得第一电容C19可以以不同的电压为供电电路50供电。

作为一种可选的实施例，反向过零检测单元30，包括：第三分压电阻R46和第三电容C21，其中，第三分压电阻R46的一端与第三电容C21并联；第三分压电阻R46的一端接地，另一端与火线L连接。

可选地，与正向过零检测单元20的原理类似，在图1所示的电路中不包括第四分压电阻R47的情况下(第四分压电阻R47为一根导线)，反向过零检测单元30中的第三分压电阻R46和第三电容C21并联，并联后的第三电容C21和第三分压电阻R46的一端接地，另一端连接火线L和比较电路40，所以，从反向过零检测单元30输入比较电路40的电压即第三电容C21两端的电压。又由于第二二极管导通，第一电容C19的两端分别连接火线L和地，第一电容C19两端的电压与第三电容C21两端的电压相等，所以，从反向过零检测单元30输入比较电路40的电压也即第一电容C19两端的电压。因此，当比较电路40检测到反向过零检测单元30输出的电压已经高于第一参考电压时，相当于比较电路40检测到第一电容C19两端的电压高过了第一电容C19两端的预设阈值，此时可以结束反向电压的单火取电。第一参考电压可以设置为12V。

作为一种可选的实施例，反向过零检测单元30，还包括：第四分压电阻R47，其中，第四分压电阻R47与第三分压电阻R46串联。

可选地，可以在反向过零检测单元30中设置第四分压电阻R47，在图1所示的电路中包括第四分压电阻R47的情况下，第二二极管导通，第一电容C19的两端分别连接火线L和地，并且串联后的第三分压电阻R46和第四分压电阻R47的两端分别连接火线L和地，第三电容C21两端的电压与第一电容C19两端的电压成比例，并且比例系数与第四分压电阻R47的阻值相关。此时，可以通过输入比较电路40的电压(即第三电容C21两端的电压)确定出第一电容C19两端的电压。容易理解的是，可以改变第四分压电阻R47的阻值，或改变第一参考电压的数值，使得第一电容C19可以以不同的电压为供电电路50供电。

作为一种可选的实施例，比较电路40，还用于在正向过零检测单元20或反向过零检测单元30输出的电压低于第二参考电压的情况下，向双MOS开关单元60输出低电平，其中，双MOS开关单元60接收到低电平后开关断开。

可选地，比较电路40还可以检测火线L中的交流电是否过零点。可以设置第二参考电压为很小的电压，当交流电过零点时，也即正向过零检测单元20或反向过零检测单元30输出的电压为零时，正向过零检测单元20或反向过零检测单元30输出的电压低于第二参考电压，此时，比较电路40可以判断交流电是否过零点。当比较电路40判断交流电过零点时，可以向双MOS开关单元60输出低电平，双MOS开关单元60接收到低电平后开关断开。

需要说明的是，如图1所示，为了实现完整的电路功能，电路中还可以包括二极管D6、电阻R41、R43、R44和R45等。

具体的，图2是根据本实用新型实施例的一种可选的单火开态取电电路80的示意图，如图2所示，比较电路40具体可以为MCU控制单元70，单火开态取电电路可以实现交流电全周期单火取电，当正负半周期达到所需要的取电电压后，会结束单火取电。

如图2所示，以控制芯片U3为核心器件组成的MCU控制单元70，负责正、反向过零检测以及单火取电电压的检测，以及对双MOS的开通与关闭，可以交流电正负半轴全周期取电，大大提升开态取电能力。双MOS开关单元60中的第一MOS管Q4、第二MOS管Q5为600V高耐压大电流的N型MOS管，仅在单火取电结束后同时开通，以正半轴为例，交流电过零后，第一MOS管Q4、第二MOS管Q5都不会导通，而是先通过单火取电单元10中的第一三极管D7对第一电容C19进行充电，再通过正向过零检测单元20中的第二分压电阻R33、第一分压电阻R36、第二电容C16对第一电容C19的电压进行检测，当第一电容C19电压达到12V时，第二电容C16给控制芯片U3的引脚2一个触发信号，引脚2接到触发信号后，控制芯片U3会发出指令让引脚1输出高电平使第一MOS管Q4开通，第一MOS管Q4开通后再经过3mS，引脚4输出高电平使第二MOS管Q5导通，以此减少单火能量消耗，此时正半轴单火取电结束。当检测到下一个零点，引脚1和引脚2都输出低电平使第一MOS管Q4、第二MOS管Q5关闭。同理，当在负半轴时，交流电过零后，第一MOS管Q4、第二MOS管Q5都不会导通，而是先通过单火取电单元10中的第二三极管D8对第一电容C19进行充电，再通过反向过零检测单元30中的第四分压电阻R47、第三分压电阻R46、第三电容C21对第一电容C19的电压进行检测，当第一电容C19电压达到12V时，第三电容C21给控制芯片U3的引脚2一个触发信号，引脚2接到触发信号后，控制芯片U3会发出指令让引脚4输出高电平使第二MOS管Q5开通，第二MOS管Q5开通后再经过3mS，引脚1输出高电平使第一MOS管Q4导通，以此减少单火能量消耗，此时负半轴单火取电结束；当检测下一个零点，引脚1和引脚4输出低电平使第一MOS管Q4、第二MOS管Q5关闭。

需要说明的是，如图2所示，为了实现完整的电路功能，电路中还可以包括二极管D6、电阻R41、R42、R43、R44和R45、电容C20等。

为了解决由于现有的单火取电的技术方案的供电能力不足的技术问题，本实用新型还提供了一种单火取电装置。

图3是根据本实用新型实施例的一种单火取电装置的结构示意图，如图3所示，单火取电装置包括：上述任意一项单火开态取电电路80，关态取电电路90、供电电路50、双MOS开关单元60、MCU控制电路100，其中，单火开态取电电路80和关态取电电路90分别与供电电路50连接；关态取电电路90与负载RL1连接；单火开态取电电路80通过双MOS开关单元60与火线L和负载RL1连接；供电电路50与MCU控制电路100连接。

如图3所示，双MOS开关单元60可以控制单火开态取电电路80是否能从火线L中取电，而关态取电电路90可以不与开关连接，直接接入负载RL1和火线L之间，从火线L取电并为供电电路50进行供电。供电电路50可以为MCU控制模组供电。此方案下关态取电电路90因为不需要考虑低功耗的电源方案，选型简单且种类多，可大大降低关态取电电路90的成本。

图3中的RL1、RL2、RL3均为负载，N表示零线N，除了连接单火取电电路的负载RL1之外，其他两路负载RL2、负载RL3与火线L连接的通路中可以分别接入简单的单刀单掷开关S1和S2，成本低，而且单路可以带载800W。也就是说，只需要火线L中的一路实现单火取电，其余两路无需单火取电，大大简化控制电路。

作为一种可选的实施例，双MOS开关单元60包括第一MOS管Q4和第二MOS管Q5，第一MOS管Q4和第二MOS管Q5串联，串联后的第一MOS管Q4和第二MOS管Q5的两端分别与负载RL1和火线L连接，第一MOS管Q4和第二MOS管Q5的栅极分别与单火开态取电电路80连接，具体地，如图1所示，第一MOS管Q4和第二MOS管Q5的栅极分别与比较电路40连接。

作为一种可选的实施例，还包括：瞬态二极管D9，其中，瞬态二极管D9的两端分别与负载RL1和火线L连接。可选地，为了保护双MOS开关单元60，还可以在单火取电装置中设置瞬态二极管D9。瞬态二极管是一种保护器件，当瞬态二极管两端的电压经受瞬态的高能量的冲击时，瞬态二极管的阻抗会在很短的时间内降低，防止电路中的器件收到各种浪涌带来的冲击而损坏。

在本申请中，如图1或图2所示，瞬态二极管D9可以与整个双MOS开关单元60并联，当电路中出现浪涌时，瞬态二极管D9会很快导通，浪涌带来的能量会通过瞬态二极管D9接地，而不会损害双MOS开关单元60，实现了保护双MOS开关单元60的效果。而当单火取电装置正常工作时，瞬态二极管D9不会导通，不影响单火取电装置的正常工作。

可选地，与相关技术中采用磁保持继电器相比，本实用新型提供的单火取电装置去掉了成本高的磁保持继电器，改换用两颗高压的MOS管，不仅有同等的带载能力，而且体积小、成本低廉。

上述本实用新型实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

显然，上述所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本实用新型保护的范围。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、工作、器件、组件和/或它们的组合。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施方式能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、工作、器件、组件和/或它们的组合。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种单火开态取电电路，其特征在于，包括：单火取电单元，正向过零检测单元，反向过零检测单元，比较电路，其中，

所述单火取电单元，包括正输入端、负输入端和输出端，其中，所述正输入端和负载连接，所述负输入端与火线连接，所述输出端与供电电路连接，所述单火取电单元用于从所述负载或所述火线取电向所述供电电路供电；

所述正向过零检测单元的一端接地，另一端与所述比较电路和所述负载连接，在所述火线中的交流电为正向电压的情况下，所述正向过零检测单元与所述正输入端连通；

所述反向过零检测单元的一端接地，另一端与所述比较电路和所述火线连接，在所述火线中的交流电为反向电压的情况下，所述反向过零检测单元与所述负输入端连通；

所述比较电路与双MOS开关单元连接，用于在所述正向过零检测单元或所述反向过零检测单元输出的电压高于第一参考电压的情况下，向所述双MOS开关单元输出高电平，其中，所述双MOS开关单元的两端分别与所述负载和所述火线连接，所述双MOS开关单元接收到高电平后开关导通。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述单火取电单元，包括：第一三极管、第二三极管和第一电容，其中，

所述第一三极管和所述第二三极管的负极与所述第一电容的一端连接；

所述第一三极管的正极为所述单火取电单元的所述正输入端；

所述第二三极管的正极为所述单火取电单元的所述负输入端；

所述第一电容的另一端接地。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一电容与所述第一三极管连接的一端为所述单火取电单元的输出端。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述正向过零检测单元，包括：第一分压电阻和第二电容，其中，

所述第一分压电阻与所述第二电容并联；

所述第一分压电阻的一端接地，另一端与所述负载连接。

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述正向过零检测单元，还包括：第二分压电阻，其中，所述第二分压电阻与所述第一分压电阻串联。

6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述反向过零检测单元，包括：第三分压电阻和第三电容，其中，

所述第三分压电阻与所述第三电容并联；

所述第三分压电阻的一端接地，另一端与所述火线连接。

7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述反向过零检测单元，还包括：第四分压电阻，其中，所述第四分压电阻与所述第三分压电阻串联。

8.根据权利要求1至7中任意一项所述的电路，其特征在于，所述比较电路，还用于在所述正向过零检测单元或所述反向过零检测单元输出的电压低于第二参考电压的情况下，向所述双MOS开关单元输出低电平，其中，所述双MOS开关单元接收到低电平后开关断开。

9.一种单火取电装置，其特征在于，包括：权利要求1至8中任意一项单火开态取电电路，关态取电电路、所述供电电路、所述双MOS开关单元、MCU控制电路，其中，

所述单火开态取电电路和所述关态取电电路分别与所述供电电路连接；

所述关态取电电路与所述负载连接；

所述单火开态取电电路通过所述双MOS开关单元与所述火线和所述负载连接；

所述供电电路与所述MCU控制电路连接。

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述双MOS开关单元包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管和所述第二MOS管串联，串联后的所述第一MOS管和所述第二MOS管的两端分别与所述火线和所述负载连接，所述第一MOS管和所述第二MOS管的栅极分别与所述单火开态取电电路连接。

11.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，还包括：瞬态二极管，其中，所述瞬态二极管的两端分别与所述负载和所述火线连接。