CN220346417U - 一种2-2复合结构超声换能器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种2‑2复合结构超声换能器，属于超声换能器技术领域，包括依次连接的背衬、复合晶片、第一匹配层、第二匹配层以及透镜，所述复合晶片包括下晶片陶瓷与上晶片陶瓷，两者相互连接，所述下晶片陶瓷顶端面固定有下晶片正极银层且其底端面固定有下晶片负极银层，所述下晶片负极银层底端面还固定有下晶片负极汇流线；所述上晶片陶瓷顶端面连接有上晶片负极银层，底端面连接有上晶片正极银层，所述上晶片负极银层上固定有上晶片负极汇流线，所述上晶片负极汇流线与所述下晶片负极汇流线通过探头负极连接；使用该超声换能器，其小间距和低频率下阵元的灵敏度、信噪比以及带宽均较高，连接可靠性好且制作工艺相对简单，生产效率和成品率高。
Description
技术领域
本实用新型涉及超声换能器技术领域，特别涉及一种2-2复合结构超声换能器。
背景技术
超声换能器是一种能把高频电能转化为机械能的一种装置，主要分为磁致伸缩式和压电陶瓷式，电源输出到超声发生器，再到超声换能器，经过超声导出装置就可以产生超声波，超声换能器由背衬、晶片、匹配层以及透镜组成。
目前市面上现有的2-2复合结构超声探头，其小间距和低频率下阵元的灵敏度、信噪比以及带宽均有限，电气连接可靠性差且制作工艺相对复杂，因此亟需设计一种新型的2-2复合结构超声换能器来解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种2-2复合结构超声换能器，以解决现有的2-2复合结构超声探头小间距和低频率下阵元的灵敏度、信噪比以及带宽均有限以及电气连接可靠性差且制作工艺相对复杂的问题。
为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种2-2复合结构超声换能器，包括依次连接的背衬、复合晶片、第一匹配层、第二匹配层以及透镜，所述复合晶片包括下晶片陶瓷与上晶片陶瓷，两者相互连接，所述下晶片陶瓷顶端面固定有下晶片正极银层且其底端面固定有下晶片负极银层，所述下晶片负极银层底端面还固定有下晶片负极汇流线；
所述上晶片陶瓷顶端面连接有上晶片负极银层，底端面连接有上晶片正极银层，所述上晶片负极银层上固定有上晶片负极汇流线，所述上晶片负极汇流线与所述下晶片负极汇流线通过探头负极连接。
可选的，所述上晶片负极银层还开有若干个均匀分布的上晶片横切槽。
可选的，所述下晶片陶瓷与所述上晶片陶瓷侧面均开有若干个均匀分布的阵元纵切槽，相邻两个所述阵元纵切槽之间还设有阵元正电极。
在本实用新型提供的一种2-2复合结构超声换能器中，包括依次连接的背衬、复合晶片、第一匹配层、第二匹配层以及透镜，所述复合晶片包括下晶片陶瓷与上晶片陶瓷，两者相互连接，所述下晶片陶瓷顶端面固定有下晶片正极银层且其底端面固定有下晶片负极银层，所述下晶片负极银层底端面还固定有下晶片负极汇流线；所述上晶片陶瓷顶端面连接有上晶片负极银层，底端面连接有上晶片正极银层，所述上晶片负极银层上固定有上晶片负极汇流线，所述上晶片负极汇流线与所述下晶片负极汇流线通过探头负极连接；使用该超声换能器，其小间距和低频率下阵元的灵敏度、信噪比以及带宽均较高，连接可靠性好且制作工艺相对简单，生产效率和成品率高。
附图说明
图1是本实用新型提供的2-2复合结构超声换能器结构示意图。
图中：1、背衬；2、复合晶片；3、第一匹配层；4、第二匹配层；5、透镜；6、下晶片负极汇流线；7、上晶片负极汇流线；8、探头负极；9、阵元正电极；10、下晶片负极银层；11、下晶片陶瓷；12、下晶片正极银层；13、上晶片负极银层；14、上晶片陶瓷；15、上晶片正极银层；16、上晶片横切槽；17、阵元纵切槽。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
需要说明的是，当组件被称为“固定于”另一个组件，它可以直接在另一个组件上或者也可以存在居中的组件。当一个组件被认为是“连接”另一个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中组件。当一个组件被认为是“设置于”另一个组件，它可以是直接设置在另一个组件上或者可能同时存在居中组件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本实用新型提供了一种2-2复合结构超声换能器，其结构如图1所示，包括依次连接的背衬1、复合晶片2、第一匹配层3、第二匹配层4以及透镜5，所述复合晶片2包括下晶片陶瓷11与上晶片陶瓷14，两者相互连接，并且厚度不同，所述下晶片陶瓷11顶端面固定有下晶片正极银层12且其底端面固定有下晶片负极银层10，所述下晶片负极银层10底端面还固定有下晶片负极汇流线6；所述上晶片陶瓷14顶端面连接有上晶片负极银层13，底端面连接有上晶片正极银层15，所述上晶片负极银层13上固定有上晶片负极汇流线7，所述上晶片负极汇流线7与所述下晶片负极汇流线6通过探头负极8连接。使用所述2-2复合结构超声换能器，其小间距和低频率下阵元的灵敏度、信噪比以及带宽均较高，连接可靠性好且制作工艺相对简单，生产效率和成品率高。
进一步的，所述上晶片负极银层13还开有若干个均匀分布的上晶片横切槽16。
进一步的，所述下晶片陶瓷11与所述上晶片陶瓷14侧面均开有若干个均匀分布的阵元纵切槽17且两者形成的台阶处焊接有阵元正电极9，将所述2-2复合结构超声换能器进一步优化。
本实用新型的工作原理如下：通过所述下晶片负极银层10与所述下晶片正极银层12附着在所述下晶片陶瓷11上以及所述上晶片负极银层13与所述上晶片正极银层15附着在所述上晶片陶瓷14上，使得电气连接可靠好，再通过所述下晶片陶瓷11与所述上晶片陶瓷14的厚度不同、若干个所述上晶片横切槽16以及若干个阵元纵切槽17使得所述2-2复合结构超声换能器能够进一步优化，整个制作工艺相对简单，生产效率和成品率高，满足了企业生产要求。
上述描述仅是对本实用新型较佳实施例的描述，并非对本实用新型范围的任何限定，本实用新型领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
Claims (3)
1.一种2-2复合结构超声换能器，包括依次连接的背衬(1)、复合晶片(2)、第一匹配层(3)、第二匹配层(4)以及透镜(5)，其特征在于，所述复合晶片(2)包括下晶片陶瓷(11)与上晶片陶瓷(14)，两者相互连接，所述下晶片陶瓷(11)顶端面固定有下晶片正极银层(12)且其底端面固定有下晶片负极银层(10)，所述下晶片负极银层(10)底端面还固定有下晶片负极汇流线(6)；
所述上晶片陶瓷(14)顶端面连接有上晶片负极银层(13)，底端面连接有上晶片正极银层(15)，所述上晶片负极银层(13)上固定有上晶片负极汇流线(7)，所述上晶片负极汇流线(7)与所述下晶片负极汇流线(6)通过探头负极(8)连接。
2.如权利要求1所述的2-2复合结构超声换能器，其特征在于，所述上晶片负极银层(13)还开有若干个均匀分布的上晶片横切槽(16)。
3.如权利要求1所述的2-2复合结构超声换能器，其特征在于，所述下晶片陶瓷(11)与所述上晶片陶瓷(14)侧面均开有若干个均匀分布的阵元纵切槽(17)且两者形成的台阶处焊接有阵元正电极(9)。
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2023
- 2023-07-10 CN CN202321793437.6U patent/CN220346417U/zh active Active
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