CN220291868U - 一种微逆逆变侧mosfet驱动电路 - Google Patents
一种微逆逆变侧mosfet驱动电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN220291868U CN220291868U CN202321503095.XU CN202321503095U CN220291868U CN 220291868 U CN220291868 U CN 220291868U CN 202321503095 U CN202321503095 U CN 202321503095U CN 220291868 U CN220291868 U CN 220291868U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resistor
- micro
- mosfet
- driving circuit
- inversion side
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种微逆逆变侧MOSFET驱动电路，涉及MOSFET驱动领域，该微逆逆变侧MOSFET驱动电路包括光耦U1，光耦U1的第一端通过电阻R4连接控制信号ON/OFF，光耦U1的第二端接地，光耦U1的第四端连接供电电压，光耦U1的第三端连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端连接MOSFET的第一端，MOSFET的第二端连接火线L或零线N，MOSFET的第三端连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端接地，与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型所使用的元器件相较于传统的微逆逆变侧MOSFET驱动电路而言要少很多，更简便更节省成本，满足微逆产品向小体积、低成本发展的需求。
Description
技术领域
本实用新型涉及MOSFET驱动领域，具体是一种微逆逆变侧MOSFET驱动电路。
背景技术
目前微逆逆变侧MOSFET使用的驱动电路较为复杂，常见的方案如图1所示，通过隔离光耦对MOSFET进行驱动，光耦原边通过一颗反相器单元增强驱动，驱动光耦原边的发光二极管。在光耦副边，通过两颗反相器单元增强对MOSFET的驱动。
现有的微逆逆变侧MOSFET驱动电路器件较多，体积较大，需要改进。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种微逆逆变侧MOSFET驱动电路，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
一种微逆逆变侧MOSFET驱动电路，包括光耦U1，光耦U1的第一端通过电阻R4连接控制信号ON/OFF，光耦U1的第二端接地，光耦U1的第四端连接供电电压，光耦U1的第三端连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端连接MOSFET的第一端，MOSFET的第二端连接火线L或零线N，MOSFET的第三端连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端接地。
作为本实用新型再进一步的方案：所述微逆逆变侧MOSFET驱动电路还包括电阻R1，电阻R1的一端连接MOSFET的第一端，电阻R1的另一端连接MOSFET的第三端。
作为本实用新型再进一步的方案：电阻R1的阻值为4.7KΩ。
作为本实用新型再进一步的方案：供电电压为12V电压。
作为本实用新型再进一步的方案：电阻R3阻值为51Ω，电阻R4阻值为3.3KΩ。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型所使用的元器件相较于传统的微逆逆变侧MOSFET驱动电路而言要少很多，更简便更节省成本，满足微逆产品向小体积、低成本发展的需求。
附图说明
图1为现有微逆逆变侧MOSFET驱动电路的电路图。
图2为一种微逆逆变侧MOSFET驱动电路的电路图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图2，一种微逆逆变侧MOSFET驱动电路，包括光耦U1，光耦U1的第一端通过电阻R4连接控制信号ON/OFF，光耦U1的第二端接地，光耦U1的第四端连接供电电压，光耦U1的第三端连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端连接MOSFET的第一端，MOSFET的第二端连接火线L或零线N，MOSFET的第三端连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端接地。
在具体实施例中：12V取自辅助电源，ON/OFF信号来自CPU的IO口，每20ms光耦U1开通一次，光耦U1开通时，12V通过驱动电阻R3向MOSFET门极(第一端)灌电流，门极电压超过门槛电压后，MOSFET开始开通，在半个电网周期10ms(基于电网50HZ)的结束时，光耦U1关断，门极的电荷通过4.7K电阻R1放电，需要的放电时间计算如下：
设MOSFET(即图中Q1)的输入电容Ciss＝2000PF，R1＝4.7K。
放电时间常数RC＝2000PF*4.7K；
当门极电压从12V放电至1V时需要的时间是：
T＝RC*ln(12/1)＝15us；
为了防止在电网电压正负半周切换时，两颗MOSFET出现同时导通的现象，需要设置死区时间，由于电路中存在寄生参数，以及各品牌MOSFET的输入电容参数不一致，故在这里需要设置死区时间为50us。
通过该电路可以节省PCB空间，便于减小整机尺寸，降低了整机在电子料和结构件上的成本。
在本实施例中：请参阅图2，所述微逆逆变侧MOSFET驱动电路还包括电阻R1，电阻R1的一端连接MOSFET的第一端，电阻R1的另一端连接MOSFET的第三端。
设置电阻R1用于泄出MOSFET门极的电荷。
在本实施例中：请参阅图2，电阻R1的阻值为4.7KΩ。
在本实施例中：请参阅图2，供电电压为12V电压。
采用常规规定电压，便于获取。
在本实施例中：请参阅图2，电阻R3阻值为51Ω，电阻R4阻值为3.3KΩ。
本实用新型的工作原理是：设备上电后，通过CPU的IO口输出控制信号ON/OFF，来控制光耦U1导通，进而触发MOSFET导通，完成电网火线L或零线N、MOSFET、电阻R2、负载所在回路导通，负载上电工作。
对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (5)
1.一种微逆逆变侧MOSFET驱动电路，其特征在于：该微逆逆变侧MOSFET驱动电路包括光耦U1，光耦U1的第一端通过电阻R4连接控制信号ON/OFF，光耦U1的第二端接地，光耦U1的第四端连接供电电压，光耦U1的第三端连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端连接MOSFET的第一端，MOSFET的第二端连接火线L或零线N，MOSFET的第三端连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的微逆逆变侧MOSFET驱动电路，其特征在于，所述微逆逆变侧MOSFET驱动电路还包括电阻R1，电阻R1的一端连接MOSFET的第一端，电阻R1的另一端连接MOSFET的第三端。
3.根据权利要求1所述的微逆逆变侧MOSFET驱动电路，其特征在于，电阻R1的阻值为4.7KΩ。
4.根据权利要求1所述的微逆逆变侧MOSFET驱动电路，其特征在于，供电电压为12V电压。
5.根据权利要求3所述的微逆逆变侧MOSFET驱动电路，其特征在于，电阻R3阻值为51Ω，电阻R4阻值为3.3KΩ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202321503095.XU CN220291868U (zh) | 2023-06-13 | 2023-06-13 | 一种微逆逆变侧mosfet驱动电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202321503095.XU CN220291868U (zh) | 2023-06-13 | 2023-06-13 | 一种微逆逆变侧mosfet驱动电路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN220291868U true CN220291868U (zh) | 2024-01-02 |
Family
ID=89335998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202321503095.XU Active CN220291868U (zh) | 2023-06-13 | 2023-06-13 | 一种微逆逆变侧mosfet驱动电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN220291868U (zh) |
-
2023
- 2023-06-13 CN CN202321503095.XU patent/CN220291868U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103199677B (zh) | 单路隔离型mosfet驱动电路 | |
| CN101895281B (zh) | 一种开关电源的新型mos管驱动电路 | |
| CN102594101A (zh) | 一种隔离型可快速关断的mosfet驱动电路 | |
| CN202524281U (zh) | 一种隔离型可快速关断的mosfet驱动电路 | |
| CN202177974U (zh) | 一种led交通信号灯及其驱动电路 | |
| CN101997420A (zh) | 一种不对称半桥磁耦合驱动电路 | |
| CN201917839U (zh) | Pdp显示屏的维持电压自动调整电路 | |
| CN203313043U (zh) | 一种高频mosfet的负压驱动电路 | |
| CN106026623B (zh) | 一种隔离式电子开关 | |
| CN220291868U (zh) | 一种微逆逆变侧mosfet驱动电路 | |
| CN201750125U (zh) | 一种短路自锁保护电路 | |
| CN111884323A (zh) | 一种低功耗太阳能光控升压电路 | |
| CN2822023Y (zh) | 一种带有源功率校正电路的中、大功率开关电源 | |
| CN212992001U (zh) | 一种具有关断功能光控升压电路 | |
| CN213243577U (zh) | 一种输入恒流光控升压电路 | |
| CN201893706U (zh) | 一种不对称半桥磁耦合驱动电路 | |
| CN202424500U (zh) | 有源钳位正激同步整流的软开关电路 | |
| CN202121561U (zh) | 一种开关电源的新型mos管驱动电路 | |
| CN210202140U (zh) | 一种基于led恒流驱动电源的led感应灯控制电路 | |
| CN211880123U (zh) | 一种充电器的输出保护装置 | |
| CN210431237U (zh) | 一种新型隔离驱动电路 | |
| CN204168140U (zh) | Igbt驱动模块、电机驱动控制器和动力驱动系统 | |
| CN203027119U (zh) | 驱动变压器隔离自适应驱动电路 | |
| CN216904663U (zh) | 一种优化半桥谐振效率的电路和led电源 | |
| CN212969472U (zh) | 高效同步整流模块 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |