CN220272722U - 一种巴伦结构 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种巴伦结构及其制备方法，该巴伦结构包括基体、第一电感线圈和第二电感线圈，基体包括介质膜片和磁芯单元，磁芯单元包括两个磁芯层以及三个间隔设置的磁芯柱，两个磁芯层分别层叠设置于介质膜片的相对两侧，每个磁芯柱均贯穿介质膜片将两个磁芯层连接；第一电感线圈位于两个磁芯层之间，且在三个磁芯柱之间螺旋缠绕；第二电感线圈位于两个磁芯层之间，且在三个磁芯柱之间螺旋缠绕，第二电感线圈与第一电感线圈耦合；其中，基体外表面上设有输入端、第一输出端、第二输出端和接地端，第一电感线圈的一端与输入端电连接，另一端与接地端电连接；第二电感线圈的两端分别与第一输出端、第二输出端电连接。

Description

一种巴伦结构

技术领域

本申请属于微波通信技术领域，更具体地说，是涉及一种巴伦结构。

背景技术

电子技术正向着多功能、小型化和高可靠性方向发展，低温共烧陶瓷技术(Low-Temperature Co-fired Ceramics的缩写，以下简称：LTCC)越来越受到广泛的关注。巴伦作为平衡与非平衡转换器，广泛运用于微波系统，如天线、混频器、倍频器等，是微波系统中一种重要元件。层叠片式巴伦是一种采用陶瓷膜片经过LTCC制得的巴伦结构。

相关技术中的巴伦结构，例如对于长度为2mm，宽度为1.2mm的巴伦结构，其频段下限通常大于二百兆赫兹，难以在满足小型化的同时，达到向低于二百兆赫兹频段拓展的目的。

实用新型内容

本申请的实施例提供一种巴伦结构，可以达到兼顾小型化和向低频段拓展的目的。

本申请提供了一种巴伦结构，包括基体、第一电感线圈和第二电感线圈，所述基体包括介质膜片和磁芯单元，所述磁芯单元包括两个磁芯层以及三个间隔设置的磁芯柱，两个所述磁芯层分别层叠设置于所述介质膜片的相对两侧，每个所述磁芯柱均贯穿所述介质膜片将两个所述磁芯层连接；所述第一电感线圈位于两个所述磁芯层之间，且在三个所述磁芯柱之间螺旋缠绕；所述第二电感线圈位于两个所述磁芯层之间，且在三个所述磁芯柱之间螺旋缠绕，所述第二电感线圈与所述第一电感线圈耦合；其中，所述基体外表面上设有输入端、第一输出端、第二输出端和接地端，所述第一电感线圈的一端与所述输入端电连接，另一端与所述接地端电连接；所述第二电感线圈的两端分别与所述第一输出端、所述第二输出端电连接。

在一些实施例中，三个所述磁芯柱沿垂直于所述介质膜片的厚度方向的方向排布，且位于中间的所述磁芯柱为公共磁芯柱，除所述公共磁芯柱之外的两个所述磁芯柱均为第一磁芯柱，所述第一电感线圈和所述第二电感线圈均绕所述公共磁芯柱螺旋缠绕，且沿所述厚度方向，所述第一电感线圈和所述第二电感线圈在所述磁芯层上的投影错开。

在一些实施例中，所述介质膜片的数目为多个，第一电感线圈包括多个第一导电图案和第一导通孔导体，多个所述第一导电图案印制于多个所述介质膜片上，所述第一导通孔导体连通相邻的两个所述第一导电图案；第二电感线圈包括多个第二导电图案和第二导通孔导体，所述第二导电图案印制于多个所述介质膜片上，所述第二导通孔导体连通相邻的两个所述第二导电图案；沿所述厚度方向，印制有所述第一导电图案的所述介质膜片与印制有所述第二导电图案的所述介质膜片交替层叠设置。

在一些实施例中，每一所述介质膜片上印制有所述第一导电图案或者所述第二导电图案；在印制有所述第二导电图案的部分数目的所述介质膜片上间隔开设第一通孔，在印制有所述第一导电图案的部分数目的所述介质膜片上间隔开设第二通孔，所述第一通孔、所述第二通孔均用于填充导电材料，以分别形成所述第一导通孔导体、所述第二导通孔导体。

在一些实施例中，所述第一导电图案的数目和所述第二导电图案的数目相同。

在一些实施例中，每一所述介质膜片上均开设有避让孔，所述避让孔用于填充磁性绝缘材料形成所述磁芯柱。

在一些实施例中，三个所述磁芯柱和两个所述磁芯层为一体结构。

在一些实施例中，三个所述磁芯柱和两个所述磁芯层均由磁性绝缘材料制成，所述磁性绝缘材料为磁导率为300～1000的铁氧体。

在一些实施例中，所述公共磁芯柱的横截面面积大于每个所述第一磁芯柱的横截面面积，其中，所述横截面为垂直于所述厚度方向的截面。

在一些实施例中，所述第一电感线圈和所述第二电感线圈的线径为40μm～80μm。

在一些实施例中，所述第一电感线圈和所述第二电感线圈的线间隔等于所述线径。

在一些实施例中，所述介质膜片为介电陶瓷膜片，所述介质膜片的介电常数为3～10，介电损耗小于等于0.01。

本申请提供的巴伦结构的有益效果在于：与现有技术相比，本申请提供的巴伦结构的基体是由介质膜片和磁芯单元构成，第一电感线圈和第二电感线圈均位于两个磁芯层之间，并且均在三个磁芯柱之间螺旋缠绕，第一电感线圈和第二电感线圈在磁芯单元的形成的磁场作用下相耦合，这样，使得巴伦结构具有磁耦合特性，可以充分发挥磁性材料和介质材料的优势，以使巴伦结构在小型化的基础上可以达到向低频段拓展的目的，从而达到兼顾小型化设计和向低频段拓展的目的。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的巴伦结构的外形结构示意图；

图2为图1中的巴伦结构的部分结构示意图；

图3为图1中的巴伦结构的内部结构示意图；

图4为图3的分解图；

图5为本申请实施例提供的巴伦结构的等效电路图；

图6为本申请实施例提供的巴伦结构的制备方法流程图；

图7为本申请一个实施例的巴伦结构的插入损耗的仿真曲线图；

图8为本申请一个实施例的巴伦结构的幅度不平衡度的仿真曲线图；

图9为本申请一个实施例的巴伦结构的相位不平衡度的仿真曲线图。

其中，图中各附图标记：

10、基体；101、输入端；102、第一输出端、103、第二输出端；104、接地端；11介质膜片；12、磁芯单元；121、磁芯层；122、公共磁芯柱；123、第一磁芯柱；

20、第一电感线圈；21、第一导电图案；22、第一导通孔导体；

30、第二电感线圈；31、第二导电图案；32、第二导通孔导体；

40、避让孔。

具体实施方式

为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。

需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

电子技术正向着多功能、小型化和高可靠性方向发展，低温共烧陶瓷技术(Low-Temperature Co-fired Ceramics的缩写，以下简称：LTCC)越来越受到广泛的关注。巴伦作为平衡与非平衡转换器，广泛运用于微波系统，如天线、混频器、倍频器等，是微波系统中一种重要元件。层叠片式巴伦是一种采用陶瓷膜片经过LTCC制得的巴伦结构。LTCC工艺是指将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确而且致密的生瓷带，作为电路基板材料，在生瓷带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要的图案导体，并将多个无源元件埋入其中，然后叠压在一起，在大约900℃烧结，制成三维电路网络的无源集成组件，也可制成内置无源元件的三维电路基板，在其表面可以贴装IC和有源器件，制成无源/有源集成的功能模块。

相关技术中的巴伦结构，通常为层叠式片状结构，例如对于长度为2mm*宽度为1.2mm(这里的尺寸指的是巴伦结构的封装尺寸)的巴伦结构，具有体积小、可靠性能高以及制作工艺简单等优点，满足下游的电子设备的整机小型化、高可靠、高性能以及低成本的要求，但是该巴伦结构所能达到的频段下限通常大于二百兆赫兹，难以在满足小型化的同时，达到向低于二百兆赫兹频段拓展的目的。

为了使相关技术中的巴伦结构达到向低于二百兆赫兹频段拓展的目的，本申请一种巴伦结构。

如图1至图5所示，该巴伦结构包括基体10、第一电感线圈20和第二电感线圈30，基体10包括介质膜片11和磁芯单元12，磁芯单元12包括两个磁芯层121以及三个间隔设置的磁芯柱，两个磁芯层121分别层叠设置于介质膜片11的相对两侧，每个磁芯柱均贯穿介质膜片11将两个磁芯层121连接；第一电感线圈20位于两个磁芯层121之间，且在三个磁芯柱之间螺旋缠绕；第二电感线圈30位于两个磁芯层121之间，且在三个磁芯柱之间螺旋缠绕，第二电感线圈30与第一电感线圈20耦合；其中，基体10外表面上设有输入端101、第一输出端102、第二输出端103和接地端104，第一电感线圈20的一端与输入端101电连接，另一端与接地端104电连接；第二电感线圈30的两端分别与第一输出端102、第二输出端103电连接。

本申请提供的巴伦结构的基体10是由介质膜片11和磁芯单元12构成，第一电感线圈20和第二电感线圈30均位于两个磁芯层121之间，并且均在三个磁芯柱之间螺旋缠绕，第一电感线圈20和第二电感线圈30在磁芯单元12的形成的磁场作用下相耦合，这样，使得巴伦结构具有磁耦合特性，可以充分发挥磁性材料和介质材料的优势，以使巴伦结构在小型化的基础上可以达到向低频段拓展的目的，从而达到兼顾小型化设计和向低频段拓展的目的。

需要说明的是，上述介质膜片11通常可以采用介电陶瓷材料，磁芯单元12采用磁性绝缘材料，例如铁氧体，第一电感线圈20和第二电感线圈30采用导电材料，上述巴伦结构采用异质叠层共烧工艺制成，异质叠层共烧是以低温共烧陶瓷技术LTCC工艺技术为基础，采用两种或以上材料与导体浆料共烧，可实现产品多功能化和高集成度。相较于长度为2mm，宽度为1.2mm的相关技术中的巴伦结构，本实施例中的巴伦结构，采用介电陶瓷材料、磁性绝缘材料和导电浆料共烧，从而使得巴伦结构可以达到向低于二百兆赫兹甚至更低频段进行拓展的目的。

如图2所示，在一些实施例中，三个磁芯柱沿垂直于介质膜片11的厚度方向的方向排布，且位于中间的磁芯柱为公共磁芯柱122，除公共磁芯柱122之外的两个磁芯柱均为第一磁芯柱123，第一电感线圈20和第二电感线圈30均绕公共磁芯柱122螺旋缠绕，且沿厚度方向，第一电感线圈20和第二电感线圈30在磁芯层121上的投影错开。

通过上述设置，不仅有利于降低第一电感线圈20和第二电感线圈30耦合线间的寄生电容，有利于保障带通上限的幅频特性和相位特性优良。

如图4所示，在一些实施例中，介质膜片11的数目为多个，第一电感线圈20包括多个第一导电图案21和第一导通孔导体22，多个第一导电图案21印制于多个介质膜片11上，第一导通孔导体22连通相邻的两个第一导电图案21；第二电感线圈30包括多个第二导电图案31和第二导通孔导体32，第二导电图案31印制于多个介质膜片11上，第二导通孔导体32连通相邻的两个第二导电图案31；沿厚度方向，印制有第一导电图案21的介质膜片11与印制有第二导电图案31的介质膜片11交替层叠设置。

通过上述设置，进一步降低了第一电感线圈20和第二电感线圈30耦合线间的寄生电容，有效保障了高频频段(频段上限)的幅频特性和相位特性优良。

例如，介质膜片11的数目为六个，其中，第一导电图案21包括21a、21b和21c，第一导通孔导体22包括22a和22b，第二导电图案31包括31a、31b和31c，第二导通孔导体32包括32a和32b，第一导电图案21中的21a、21b和21c，第二导电图案31中的31a、31b和31c交错层叠设置。这样，有利于实现第一电感线圈20和第二线圈沿介质膜片11厚度方向绕公共磁芯柱122立体螺旋缠绕，且可沿介质膜片11厚度方向，将第一导电图案21、第二导电图案31中的部分图案设计成包括平面螺旋结构，如21a、21b、31a和31b，这样，不仅有利于使得第一电感线圈20和第二电感线圈30的匝数相同，而且有利于降低寄生电容。

当然，介质膜片11的数目也可以为除六个以外的其他数目，在此不做具体限定。

如图3和图4所示，在一些实施例中，每一介质膜片11上印制有第一导电图案21或者第二导电图案31；在印制有第二导电图案31的部分数目的介质膜片11上间隔开设第一通孔，在印制有第一导电图案21的部分数目的介质膜片11上间隔开设第二通孔，第一通孔、第二通孔均用于填充导电材料，以分别形成第一导通孔导体22、第二导通孔导体32。

通过上述设置，进一步降低了第一电感线圈20和第二电感线圈30耦合线间的寄生电容。

如图4所示，在一些实施例中，第一导电图案21的数目和第二导电图案31的数目相同。这样，有利于使得第一电感线圈20和第二电感线圈30的结构相同或者相似，从而有利于达到降低第一电感线圈20和第二电感线圈30耦合线间的寄生电容。

如图4所示，在一些实施例中，每一介质膜片11上均开设有避让孔40，避让孔40用于填充磁性绝缘材料形成磁芯柱。例如，避让孔40包括第一避让孔40和第二避让孔40，第一避让孔40用于形成形成公共磁芯柱122，第二避让孔40用于形成第一磁芯柱123，图4中为了清楚显示第一避让孔40和第二避让孔40填充前后的对比，仅在图中示意性画出了第二避让孔40填充磁浆后形成的第一磁芯柱123结构，当然，第一避让孔40填充磁浆后形成的公共磁芯柱122结构可参考第一磁芯柱123。

通过上述设置，可以在层叠介质膜片11的时候通过浇铸磁性绝缘浆料(简称磁浆)形成磁芯柱，有利于使得磁浆将避让孔40填充饱满，从而提高磁芯柱的密度，最大化发挥磁芯柱的作用。

如图2所示，在一些实施例中，三个磁芯柱和两个磁芯层121为一体结构。

通过上述设置，使得三个磁芯柱和两个磁芯层121可靠连接，从而增强了磁芯单元12形成的磁场，进而有利于使得巴伦结构向更低频段拓展。

在一些实施例中，三个磁芯柱和两个磁芯层121均由磁性绝缘材料制成，磁性绝缘材料为磁导率为300～1000的铁氧体。

通过采用磁导率为300～1000的铁氧体制成磁芯单元12，这样，可以充分利用铁氧体的磁导率特性，从而有利于使得巴伦结构向更低频段拓展，例如制成的巴伦结构可以最低可以达到几十兆赫兹。

如图2所示，在一些实施例中，公共磁芯柱122的横截面面积大于每个第一磁芯柱123的横截面面积，其中，横截面为垂直于厚度方向的截面。

通过增大公共磁芯柱122的横截面面积，使得公共磁回路增强，有利于降低第一电感线圈20和第二电感线圈30的耦合线间的寄生电容。

在一些实施例中，第一电感线圈20和第二电感线圈30的线径为40μm～80μm。

第一电感线圈20和第二电感线圈30的线径过大会导致巴伦结构的尺寸过大，线径过小的话，使得第一电感线圈20和第二电感线圈30不好加工，将第一电感线圈20和第二电感线圈30的线径不仅有利于实现巴伦结构的小型化，而且可以减小寄生电容。

例如，第一电感线圈20和第二电感线圈30的线径可以为60μm。第一电感线圈20和第二电感线圈30沿介质膜片11的厚度方向的厚度为10μm。

在一些实施例中，第一电感线圈20和第二电感线圈30的线间隔等于线径。

第一电感线圈20和第二电感线圈30的线间隔过小导电线圈的线径的话，会产成较大的寄生电容，线间隔过大的话会造成巴伦结构尺寸较大，通过上述设置，有利于使得巴伦结构达到小型化设计和降低寄生电容的目的。

例如，第一电感线圈20和第二电感线圈30的线间隔可以为60μm。

在一些实施例中，介质膜片11为介电陶瓷膜片，介质膜片11的介电常数为3～10，介电损耗小于等于0.01。

通过上述设置，使得巴伦结构可以满足小于二百兆赫兹频段领域的使用要求。

在一些实施例中，输入端101、第一输出端102、第二输出端103和接地端104均包括三层镀层，镀层从内到外依次为银镀层、镍镀层和锡镀层。这样，三层镀层结构能够保证产品的焊接可靠性。

上述镀层中的银浆烧结温度880℃左右，银浆含银量85％，银层厚度为10μm，银层宽度60μm。

如图6所示，上述实施例中的巴伦结构可以通过以下制备方法制得，该制备方法包括：

提供一个磁芯层121和多个介质膜片11；

每一介质膜片11上均开设避让孔40，在其中部分数目的介质膜片11上开设第一通孔或第二通孔；

每一介质膜片11上印制对应的第一导电图案21或者第二导电图案31；

将印制有第一导电图案21的部分数目的介质膜片11与印制有第二导电图案31的部分数目的介质膜片11交替层叠设置在一个磁芯层121上，每层叠一个介质膜片11后，向第一通孔或第二通孔中填充导电材料直至形成第一电感线圈20和第二电感线圈30，且向避让孔40中填充磁性绝缘材料形成磁芯柱；

在最后一个介质膜片11上浇铸所绝缘磁性材料形成另一个磁芯层121，从而形成磁芯单元12；

将第一电感线圈20和第二电感线圈30的两端均露出基体10之外，从而形成输入端101、第一输出端102、第二输出端103和接地端104，从而形成巴伦结构。

由于上述实施例中的巴伦结构的制备方法应用于上述实施例中的巴伦结构，与上述实施例中的巴伦结构相同，在此不再赘述。

在一个实施例中的巴伦结构，包括六个介质膜片11，每个介电膜片采用介电陶瓷，介电常数为5，介电损耗小于等于0.01，磁芯单元12采用磁导率为500、固含量90％的铁氧体浆料制成，烧结温度880℃；第一电感线圈20和第二电感线圈30由银浆制成，银浆烧结温度为875℃，银浆含银量85％，银层厚度10μm，银层线径(宽度)60μm；第一电感线圈20和第二电感线圈30均包括三层，如图4所示；第一电感线圈20的第一导电图案21包括21a、21b和21c，第一导通孔导体22包括22a和22b；第二电感线圈30的第二导电图案31包括31a、31b和31c，第二导通孔导体32包括32a和32b；且第一导电图案21中的21a、21b和21c，第二导电图案31中的31a、31b和31c交错层叠设置；

第一电感线圈20的一端与输入端101电连接，另一端与接地端104电连接；第二电感线圈30的两端分别与第一输出端102、第二输出端103电连接，构成电压型巴伦结构，该巴伦结构的等效电路如图5所示；

其中，输入端101、第一输出端102、第二输出端103和接地端104均包括三层镀层，镀层从内到外依次为银镀层、镍镀层和锡镀层，镀层中的银浆烧结温度880℃，银浆含银量85％±5％，银层厚度为10μm，银层宽度60μm。

通过仿真，上述实施例中的巴伦结构的带通可达到10MHz～350MHz，通带内插入损耗≤3dB，如图7所示；幅度不平衡度≤0.35dB，如图8所示；相位不平衡度≤15°，如图9所示。

以上仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种巴伦结构，其特征在于，包括：

基体(10)，包括介质膜片(11)和磁芯单元(12)，所述磁芯单元(12)包括两个磁芯层(121)以及三个间隔设置的磁芯柱，两个所述磁芯层(121)分别层叠设置于所述介质膜片(11)的相对两侧，每个所述磁芯柱均贯穿所述介质膜片(11)将两个所述磁芯层(121)连接；

第一电感线圈(20)，位于两个所述磁芯层(121)之间，且在三个所述磁芯柱之间螺旋缠绕；

第二电感线圈(30)，位于两个所述磁芯层(121)之间，且在三个所述磁芯柱之间螺旋缠绕，所述第二电感线圈(30)与所述第一电感线圈(20)耦合；

其中，所述基体(10)外表面上设有输入端(101)、第一输出端(102)、第二输出端(103)和接地端(104)，所述第一电感线圈(20)的一端与所述输入端(101)电连接，另一端与所述接地端(104)电连接；所述第二电感线圈(30)的两端分别与所述第一输出端(102)、所述第二输出端(103)电连接。

2.根据权利要求1所述的巴伦结构，其特征在于，

三个所述磁芯柱沿垂直于所述介质膜片(11)的厚度方向的方向排布，且位于中间的所述磁芯柱为公共磁芯柱(122)，除所述公共磁芯柱(122)之外的两个所述磁芯柱均为第一磁芯柱(123)，所述第一电感线圈(20)和所述第二电感线圈(30)均绕所述公共磁芯柱(122)螺旋缠绕，且沿所述厚度方向，所述第一电感线圈(20)和所述第二电感线圈(30)在所述磁芯层(121)上的投影错开。

3.根据权利要求2所述的巴伦结构，其特征在于，

所述介质膜片(11)的数目为多个，第一电感线圈(20)包括多个第一导电图案(21)和第一导通孔导体(22)，多个所述第一导电图案(21)印制于多个所述介质膜片(11)上，所述第一导通孔导体(22)连通相邻的两个所述第一导电图案(21)；

第二电感线圈(30)包括多个第二导电图案(31)和第二导通孔导体(32)，所述第二导电图案(31)印制于多个所述介质膜片(11)上，所述第二导通孔导体(32)连通相邻的两个所述第二导电图案(31)；

沿所述厚度方向，印制有所述第一导电图案(21)的所述介质膜片(11)与印制有所述第二导电图案(31)的所述介质膜片(11)交替层叠设置。

4.根据权利要求3所述的巴伦结构，其特征在于，

每一所述介质膜片(11)上印制有所述第一导电图案(21)或者所述第二导电图案(31)；在印制有所述第二导电图案(31)的部分数目的所述介质膜片(11)上间隔开设第一通孔，在印制有所述第一导电图案(21)的部分数目的所述介质膜片(11)上间隔开设第二通孔，所述第一通孔、所述第二通孔均用于填充导电材料，以分别形成所述第一导通孔导体(22)、所述第二导通孔导体(32)；

和/或，所述第一导电图案(21)的数目和所述第二导电图案(31)的数目相同。

5.根据权利要求4所述的巴伦结构，其特征在于，

每一所述介质膜片(11)上均开设有避让孔(40)，所述避让孔(40)用于填充磁性绝缘材料形成所述磁芯柱。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的巴伦结构，其特征在于，

三个所述磁芯柱和两个所述磁芯层(121)为一体结构；

和/或，三个所述磁芯柱和两个所述磁芯层(121)均由磁性绝缘材料制成，所述磁性绝缘材料为磁导率为300～1000的铁氧体。

7.根据权利要求2～5中任一项所述的巴伦结构，其特征在于，

所述公共磁芯柱(122)的横截面面积大于每个所述第一磁芯柱(123)的横截面面积，其中，所述横截面为垂直于所述厚度方向的截面。

8.根据权利要求2～5中任一项所述的巴伦结构，其特征在于，

所述第一电感线圈(20)和所述第二电感线圈(30)的线径为40μm～80μm。

9.根据权利要求8所述的巴伦结构，其特征在于，

所述第一电感线圈(20)和所述第二电感线圈(30)的线间隔等于所述线径。

10.根据权利要求1～5中任一项所述的巴伦结构，其特征在于，

所述介质膜片(11)为介电陶瓷膜片，所述介质膜片(11)的介电常数为3～10，介电损耗小于等于0.01。