CN220138214U - 一种一二次深度融合电压传感器磁场隔离装置及断路器 - Google Patents

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白振宇
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Abstract

本实用新型涉及一种一二次深度融合电压传感器磁场隔离装置及断路器。本实用新型包括本体,所述具有包围所述一二次深度融合电压传感器的变压器的腔体,所述腔体具有开口;盖体,所述盖体与所述开口配合,所述盖体具有用以将所述变压器的引线引出的穿孔;密封圈,所述密封圈适配于所述穿孔且将所述引线与所述穿孔之间的间隙进行密封;其中,所述本体和/或所述盖体的材质采用硅铁软磁合金。本实用新型减小了外界电磁波对电压传感器的变压器的影响,通过设置密封圈,方便将变压器的引线与穿孔之间的间隙进行密封,且对引线具有固定支持的作用;本实用新型结构简单、成本低且抗电磁干扰的稳定性强。

Description

一种一二次深度融合电压传感器磁场隔离装置及断路器
技术领域
本实用新型涉及高压开关技术领域,尤其是指一种一二次深度融合电压传感器磁场隔离装置及断路器。
背景技术
一二次深度融合电压传感器是一种测量电力系统中电压的传感器。它通常由一对一二次绕组和铁芯组成,其中一次绕组与电力系统的高压侧相连,另一次绕组则与测量设备的低压侧相连。在一二次深度融合电压传感器中,一次绕组通常是嵌入在铁芯中的,而二次绕组则环绕着一次绕组。
随着配电开关一二次融合进程不断加快,融合产品的电磁兼容性问题日益突出,尤其是深度融合开关中的电子式电流、电压传感器,由于其输出的模拟信号比较弱,更加容易受干扰;比如雷电产生的高频震荡波、融合开关在开合母线电流时,包括线路中的杂散电容等,都会对其进行干扰,目前解决电磁干扰的方案虽然比较多,但是存在以下缺陷:实施方式比较复杂和成本较高。
发明内容
为此,本实用新型所要解决的技术问题在于克服现有技术中对解决一二次深度融合电压传感器电磁干扰采用的方式复杂和成本较高的问题,提供了一种一二次深度融合电压传感器磁场隔离装置及断路器,其结构简单、成本低且抗电磁干扰的稳定性强。
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种一二次深度融合电压传感器磁场隔离装置,包括:
本体,所述具有包围所述一二次深度融合电压传感器的变压器的腔体,所述腔体具有开口;
盖体,所述盖体与所述开口配合,所述盖体具有用以将所述变压器的引线引出的穿孔;
密封圈,所述密封圈适配于所述穿孔且将所述引线与所述穿孔之间的间隙进行密封;
其中,所述本体和/或所述盖体的材质采用硅铁软磁合金。
在本实用新型的一种实施方式中,所述本体包括柱体和底板,所述柱体包括轴向相对设置的第一端开口和第二端开口,所述底板连接于所述柱体的第一端开口,所述盖体与所述柱体的第而端开口。
在本实用新型的一种实施方式中,所述柱体为圆柱体结构。
在本实用新型的一种实施方式中,所述底板通过焊接与所述柱体的第一端开口相连。
在本实用新型的一种实施方式中,所述盖体通过嵌入方式与所述柱体的第二端开口相连。
在本实用新型的一种实施方式中,所述本体的壁厚范围在2±0.5mm。
在本实用新型的一种实施方式中,所述盖体的厚度在2±0.5mm。
本实用新型还提供一种断路器,包括所述的一二次深度融合电压传感器磁场隔离装置。
本实用新型的上述技术方案相比现有技术具有以下优点:
本实用新型所述的一种一二次深度融合电压传感器磁场隔离装置及断路器,通过设置硅铁软磁合金材质的本体和盖体,减小了外界电磁波对电压传感器的变压器的影响,通过设置密封圈,方便将变压器的引线与穿孔之间的间隙进行密封,且对引线具有固定支持的作用;本实用新型结构简单、成本低且抗电磁干扰的稳定性强。
附图说明
为了使本实用新型的内容更容易被清楚的理解,下面根据本实用新型的具体实施例并结合附图,对本实用新型作进一步详细的说明。
图1是本实用新型的一二次深度融合电压传感器磁场隔离装置整体结构示意图。
图2是本实用新型的本体结构示意图。
图3是本实用新型的柱体结构示意图。
图4是本实用新型的盖体结构示意图。
图5是本实用新型的底板结构示意图。
图6是本实用新型的一二次深度融合电压传感器结构示意图。
说明书附图标记说明:
1、本体;11、腔体;12、柱体;13、底板;
2、盖体;21、穿孔;
3、引线;
4、密封圈;
5、电传感器本体;
6、变压器。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明,以使本领域的技术人员可以更好地理解本实用新型并能予以实施,但所举实施例不作为对本实用新型的限定。
本实用新型中,如果有描述到方向(上、下、左、右、前及后)时,其仅是为了便于描述本实用新型的技术方案,而不是指示或暗示所指的技术特征必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
本实用新型中,“若干”的含义是一个或者多个,“多个”的含义是两个以上,“大于”“小于”“超过”等理解为不包括本数;“以上”“以下”“以内”等理解为包括本数。在本实用新型的描述中,如果有描述到“第一”“第二”仅用于区分技术特征为目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
本实用新型中,除非另有明确的限定,“设置”“安装”“连接”等词语应做广义理解,例如,可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连;可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,还可以是一体成型;可以是机械连接,也可以是电连接或能够互相通讯;可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本实用新型中的具体含义。
参照图1至图5所示,本实用新型的本实用新型提供一种一二次深度融合电压传感器磁场隔离装置,包括:
本体1,所述具有包围所述一二次深度融合电压传感器的变压器6的腔体11,所述腔体11具有开口;
盖体2,所述盖体2与所述开口配合,所述盖体2具有用以将所述变压器6的引线3引出的穿孔21;
密封圈4,所述密封圈4适配于所述穿孔21且将所述引线3与所述穿孔21之间的间隙进行密封;
其中,所述本体1和/或所述盖体2的材质采用硅铁软磁合金。
通过设置硅铁软磁合金材质的本体1和盖体2,减小了外界电磁波对电压传感器的变压器6的影响,通过设置密封圈4,方便将变压器6的引线3与穿孔21之间的间隙进行密封,使腔体11内的密封性能明显加强,且对引线3具有固定支持的作用;此外,硅铁软磁合金是一种磁性材料,具有高导磁率和低磁滞损耗等特点,通常用于制造电感器、变压器6和电机等电气设备中的磁芯材料。相比于常规的磁性材料,硅铁软磁合金具有更高的磁导率和更低的磁滞损耗。
密封圈4,将引线3与连接孔接触面的缝隙降低至最小,使外壳和盖板的密封性能明显加强。
具体地,所述本体1包括柱体12和底板13,所述柱体12包括轴向相对设置的第一端开口和第二端开口,所述底板13连接于所述柱体12的第一端开口,所述盖体2与所述柱体12的第而端开口。
具体地,所述柱体12为圆柱体12结构。
具体地,所述底板13通过焊接(如点焊)与所述柱体12的第一端开口相连。
具体地,所述盖体2通过嵌入方式与所述柱体12的第二端开口相连,方便进行拆卸并取出变压器6。
具体地,所述本体1的壁厚范围在2±0.5mm;所述盖体2的厚度在2±0.5mm。
安装时,把一二次深度融合电压传感器中的变压器6安装在本体1内,随后将盖体2盖上,将安装于隔离装置后的变压器6的引线3从所述盖体2的穿孔21中穿出,将密封圈4安装在所述穿孔21周边,并包裹于所述引线3。
参照图6所示,一种断路器,包括所述的一二次深度融合电压传感器,一二次深度融合电压传感器包括安装于断路器内的电传感器本体5,即电容分压器,电容分压器的电压通过变压器6变压后输出,将变压器6的引线3引出至上下两侧,一次在上,二次在下。
最后所应说明的是,以上具体实施方式仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制,尽管参照实例对本实用新型进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本实用新型技术方案的精神和范围,其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。

Claims (8)

1.一种一二次深度融合电压传感器磁场隔离装置,其特征在于,包括:
本体(1),具有包围所述一二次深度融合电压传感器的变压器(6)的腔体(11),所述腔体(11)具有开口;
盖体(2),所述盖体(2)与所述开口配合,所述盖体(2)具有用以将所述变压器(6)的引线(3)引出的穿孔(21);
密封圈(4),所述密封圈(4)适配于所述穿孔(21)且将所述引线(3)与所述穿孔(21)之间的间隙进行密封;
其中,所述本体(1)和/或所述盖体(2)的材质采用硅铁软磁合金。
2.根据权利要求1所述的一种一二次深度融合电压传感器磁场隔离装置,其特征在于,所述本体(1)包括柱体(12)和底板(13),所述柱体(12)包括轴向相对设置的第一端开口和第二端开口,所述底板(13)连接于所述柱体(12)的第一端开口,所述盖体(2)与所述柱体(12)的第而端开口。
3.根据权利要求2所述的一种一二次深度融合电压传感器磁场隔离装置,其特征在于,所述柱体(12)为圆柱体(12)结构。
4.根据权利要求2或3所述的一种一二次深度融合电压传感器磁场隔离装置,其特征在于,所述底板(13)通过焊接与所述柱体(12)的第一端开口相连。
5.根据权利要求2或3所述的一种一二次深度融合电压传感器磁场隔离装置,其特征在于,所述盖体(2)通过嵌入方式与所述柱体(12)的第二端开口相连。
6.根据权利要求1所述的一种一二次深度融合电压传感器磁场隔离装置,其特征在于,所述本体(1)的壁厚范围在2±0.5mm。
7.根据权利要求1所述的一种一二次深度融合电压传感器磁场隔离装置,其特征在于,所述盖体(2)的厚度在2±0.5mm。
8.一种断路器,其特征在于,包括权利要求1-7任一项所述的一二次深度融合电压传感器磁场隔离装置。
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