CN219980428U - 一种防电源浪涌的保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种防电源浪涌的保护电路，包括一端连接于输入电源的第一电阻，所述第一电阻的另一端连接于第一电容的一端和齐纳二极管的负极，所述齐纳二极管的正极连接一可控硅的门极，所述第一电容的另一端接地设置，所述可控硅的阳极连接输入电源，其阴极连接于输出负载。本实用新型的电路简洁、成本低，通过第一电容和可控硅，实现电源的延时输入，进而避免浪涌电压；其中采用可控硅还可以实现快速开关，还适合于低电流的小电器成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及电源领域，尤其涉及一种防电源浪涌的保护电路。
背景技术
在电源电路中，常会产生浪涌现象，如在停电、开机瞬间产生的大电压浪涌。高压浪涌会导致电器损坏，因而需要在电器的电源电路中设置浪涌保护电路。在现有技术中，浪涌保护电路设计复杂，采用元件过多，不适合应用于低成本简单的电器中。因而，需要设置一种简单、低成本、高效的浪涌保护电路。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种防电源浪涌的保护电路。
为实现上述目的，采用以下技术方案：
一种防电源浪涌的保护电路，包括一端连接于输入电源的第一电阻，所述第一电阻的另一端连接于第一电容的一端和齐纳二极管的负极，所述齐纳二极管的正极连接一可控硅的门极，所述第一电容的另一端接地设置，所述可控硅的阳极连接输入电源，其阴极连接于输出负载。
进一步的，所述第一电阻的两端并联有第一二极管，所述第一二极管的阴极连接输入电源，其阳极连接所述第一电容。
进一步的，所述可控硅的阳极连接第二二极管的阴极，其阴极连接所述第二二极管的阳极。
进一步的，所述可控硅的门极和阴极之间连接有第二电阻，所述第二电阻的两端并联有第二电容。
采用上述方案，本实用新型的有益效果是：
电路简洁、成本低，通过第一电容和可控硅，实现电源的延时输入，进而避免浪涌电压；其中采用可控硅还可以实现快速开关，还适合于低电流的小电器成本。
附图说明
图1为本实用新型实施例的防电源浪涌的保护电路的原理图。
具体实施方式
体现本实用新型特征与优点的典型实施方式将在以下的说明中详细叙述。应理解的是本实用新型能够在不同的实施方式上具有各种的变化，其皆不脱离本实用新型的范围，且其中的说明及图示在本质上是当作说明之用，而非用以限制本实用新型。
如图1所示，一种防电源浪涌的保护电路，包括一端连接于输入电源的第一电阻R1，第一电阻R1的另一端连接于第一电容C1的一端和齐纳二极管ZD1的负极，齐纳二极管ZD1的正极连接一可控硅SCR1的门极，第一电容C1的另一端接地设置，可控硅SCR1的阳极连接输入电源，其阴极连接于输出负载。
第一电阻R1的两端并联有第一二极管D1，第一二极管D1的阴极连接输入电源，其阳极连接第一电容C1。可控硅SCR1的阳极连接第二二极管D2的阴极，其阴极连接第二二极管D2的阳极。通过设置第一二极管D1和第二二极管D2，可以反向保护尖峰电压。
可控硅SCR1的门极和阴极之间连接有第二电阻R2，第二电阻R2的两端并联有第二电容C2。并联的第二电阻R2和第二电容C2可以降低可控硅SCR1的门极的噪声。
另外，齐纳二极管ZD1的设置可以限制可控硅SCR1门极的电压，避免电压过大。
工作原理：在启动时，由于第一电容C1未充电，其两端的电压为低，随着电路的开启，输入电源对第一电容C1充电，充电一段时间后，其两端的电压为高，电流流过齐纳二极管ZD1，并此时可控硅SCR1的门极才会被触发导通，电源对输出负载供电。
本保护电路简洁、成本低，通过第一电容C1和可控硅SCR1，实现电源的延时输入，进而避免浪涌电压；其中采用可控硅SCR1还可以实现快速开关，还适合于低电流的小电器成本。
虽然已参照几个典型实施方式描述了本公开，但应当理解，所用的术语是说明和示例性、而非限制性的术语。由于本公开能够以多种形式具体实施而不脱离实用新型的精神或实质，所以应当理解，上述实施方式不限于任何前述的细节，而应在随附权利要求所限定的精神和范围内广泛地解释，因此落入权利要求或其等效范围内的全部变化和改型都应为随附权利要求所涵盖。
Claims (4)
1.一种防电源浪涌的保护电路，其特征在于，包括一端连接于输入电源的第一电阻，所述第一电阻的另一端连接于第一电容的一端和齐纳二极管的负极，所述齐纳二极管的正极连接一可控硅的门极，所述第一电容的另一端接地设置，所述可控硅的阳极连接输入电源，其阴极连接于输出负载。
2.根据权利要求1所述的防电源浪涌的保护电路，其特征在于，所述第一电阻的两端并联有第一二极管，所述第一二极管的阴极连接输入电源，其阳极连接所述第一电容。
3.根据权利要求1所述的防电源浪涌的保护电路，其特征在于，所述可控硅的阳极连接第二二极管的阴极，其阴极连接所述第二二极管的阳极。
4.根据权利要求1所述的防电源浪涌的保护电路，其特征在于，所述可控硅的门极和阴极之间连接有第二电阻，所述第二电阻的两端并联有第二电容。
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