CN219961260U - 一种电致发光多重防伪元件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种电致发光多重防伪元件,包括透明衬底、形成在所述透明衬底上的第一电极层、形成在所述第一电极层上的图案化光刻胶层、形成在所述图案化光刻胶层上的发光功能层及形成在所述发光功能层上的第二电极层,其中,所述第一电极层包括电极本体,所述电极本体为金属网格型电极,所述发光功能层覆盖全部所述图案化光刻胶层的图案且在所述图案区域内所述发光功能层与所述第一电极层接触。本实用新型通过金属网格型电极及图案化光刻胶层的配合设置,不仅可以展示图案化光刻胶层中的图案,实现图案化发光,并且对发光图案进行放大,隐蔽着金属线条图案的实际发光,从而达到多重防伪的特点,且隐秘性防伪效果好。
Description
技术领域
本实用新型属于电致发光防伪元件技术领域,具体涉及一种电致发光多重防伪元件。
背景技术
随着现代社会的飞速发展,越来越多的产品造福着我们人类。其中,在易识别方面,发光防伪技术应用于商品包装,可以突显标签图案,对消费者产生视觉冲击。发光防伪技术又分为光致发光防伪和电致发光防伪。光致发光需要在特殊波长的照射下显示出特定颜色,应用场景单一,发光强度也较弱;电致发光防伪则可以更加凸显防伪图案。其中,LED因为是刚性的、不可弯折,无法应用于日常纸质或塑料包装。有机电致发光二极管/量子点电致发光二极管(OLED/QLED)技术则可以很好的兼容于柔性化及图案化应用场景,是理想的发光防伪技术。然而,目前电致发光防伪的图案比较单一,隐蔽性防伪较差。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术的不足,而提供一种多重防伪效果的电致发光多重防伪元件。
为解决以上技术问题,本实用新型采用如下技术方案:
一种电致发光多重防伪元件,包括透明衬底、形成在所述透明衬底上的第一电极层、形成在所述第一电极层上的图案化光刻胶层、形成在所述图案化光刻胶层上的发光功能层及形成在所述发光功能层上的第二电极层,其中,所述第一电极层包括电极本体,所述电极本体为金属网格型电极,所述发光功能层覆盖全部所述图案化光刻胶层的图案且在所述图案区域内所述发光功能层与所述第一电极层接触。
在一些实施方式中,所述发光功能层至少包含发光层。
在一些具体实施方式中,所述发光层为有机电致发光层或量子点发光层。
在一些具体实施方式中,当所述发光层为有机电致发光层时,所述发光功能层还包括设置在所述发光层相对二侧面上的空穴传输层,或者,所述发光功能层还包括设置在所述发光层相对二侧面上的电子传输层。以改善元件的电压-电流特性,提高元件的发光效率。
在一些具体实施方式中,当所述发光层为有机电致发光层时,所述发光功能层还包括电子传输层和空穴传输层,所述发光层位于所述电子传输层和空穴传输层之间,所述电子传输层位于所述第一电极层和发光层之间,所述空穴传输层位于所述发光层和第二电极层之间;或者所述空穴传输层位于所述第一电极层和发光层之间,所述电子传输层位于所述发光层和第二电极层之间。以提高元件的效率。
在一些具体实施方式中,当所述发光层为量子点发光层时,所述发光功能层还包括电子传输层和空穴传输层,所述发光层位于所述电子传输层和空穴传输层之间,所述电子传输层位于所述第一电极层和发光层之间,所述空穴传输层位于所述发光层和第二电极层之间;或者所述空穴传输层位于所述第一电极层和发光层之间,所述电子传输层位于所述发光层和第二电极层之间。
在一些具体实施方式中,所述发光功能层还包括设置在所述第一电极层或第二电极层与空穴传输层之间的空穴注入层。
在一些实施方式中,所述发光功能层还包括电子阻挡层、电子注入层、电子传输层、空穴注入层、空穴阻挡层中的任意一种或至少两种的组合。
在一些实施方式中,所述图案化光刻胶层采用的胶为负性光刻胶。如选用型号为SU8系列、NR5/7/9系列、HD 4100系列、AZ系列等。
在一些实施方式中,所述图案化光刻胶层的厚度为0.1-2μm。
在一些实施方式中,所述第一电极层为阳极层,第二电极层为阴极层,或所述第一电极层为阴极层,所述第二电极层为阳极层。
在一些实施方式中,所述透明衬底为玻璃或柔性衬底。
在一些实施方式中,所述金属网格型电极的材质可以是金,银,铜,镍,铂,铝。
在一些实施方式中,所述第一电极层还包括设置在所述透明衬底上的具有图形化凹槽的压印胶层,所述电极本体填充于所述凹槽中。所述压印胶层使用的胶为紫外光固化胶。
进一步地,所述金属网格型电极中的网格可以是任意可设计的连续型线条图案,所述金属网格型电极的表面积占所述第一电极层的总表面积的1~20%。
进一步地,所述第一电极层的光透过率为40~90%。
在一些实施方式中,所述电致发光多重防伪元件为OLED元件或QLED元件。
在一些具体实施方式中,所述OLED元件可以是正置OLED元件,也可以是倒置型OLED元件;所述QLED元件可以是正置QLED元件,也可以是倒置型QLED元件。
由于上述技术方案运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点:
本实用新型通过金属网格型电极及图案化光刻胶层的配合设置,不仅可以展示图案化光刻胶层中的图案,使该图案可视化,实现图案化发光,并且对发光图案进行放大,隐蔽着金属线条图案的实际发光,从而达到多重防伪的特点,且隐秘性防伪效果好。
附图说明
图1为实施例1的电致发光多重防伪元件的结构示意图;
图2为实施例1的电致发光多重防伪元件的俯视图;
图3为实施例1的电致发光多重防伪元件中的衬底、第一电极层和图案化光刻胶层结合的俯视图;
图4为实施例1的电致发光多重防伪元件中的衬底和第一电极层结合的俯视图;
图中:1、衬底;2、第一电极层;2a、金属网格型电极;3、图案化光刻胶层;4、发光功能层;4a、空穴传输层;4b、发光层;4c、电子传输层;5、第二电极层。
具体实施方式
以下结合说明书附图及具体实施例对本实用新型做进一步描述:
实施例1
如图1~图4所示的电致发光多重防伪元件,其为OLED元件。
参见图1,该电致发光多重防伪元件包括透明衬底1、形成在透明衬底1上的第一电极层2、形成在第一电极层2上的图案化光刻胶层3、形成在图案化光刻胶层3上的发光功能层4及形成在发光功能层4上的第二电极层5,其中,如图3~图4,第一电极层2包括电极本体,电极本体为金属网格型电极2a,发光功能层4覆盖全部图案化光刻胶层3的图案且在图案区域内发光功能层4与第一电极层2接触。在其他实施中,发光功能层4还覆盖全部图案化光刻胶层3。
本例中,衬底1为PET,第一电极层2为阳极层,第一电极层2还包括设置在衬底1一侧上的具有图形化凹槽的压印胶层,电极本体填充于凹槽中,所有凹槽是连续的使得填充于凹槽内的电极本体中的网格是连续的,所有凹槽形成的图案是可以任意可设计的连续型线条图案,第一电极层2的光透过率可以是40~90%,第二电极层5为铝(Al)层。
本例中,第一电极层2的制备为在透明衬底1一侧涂布形成具有图形化凹槽的压印胶层;向凹槽内填充复合导电墨水;其中,复合导电墨水包括铜纳米材料(或银纳米材料);烧结凹槽内的复合导电墨水,在凹槽内形成金属网格型电极。
本例中,发光功能层4包括依次形成在图案化光刻胶层3上的空穴传输层4a、发光层4b和电子传输层4c,发光层4b为有机电致发光层,发光功能层4的各层均可采用现有的材料通过印刷、旋涂或蒸镀等现有的方法制备得到。如有机电致发光层的材料选用荧光、磷光、TADF、AIE等类型的发光材料体系,空穴传输层的材料为NPB、TAPC、PEDOT:PSS等,电子传输层的材料为TPBi、TmPyPB、T2T等。
本例中,图案化光刻胶层3采用负性光刻胶制备得到,其具有绝缘性。
上述电致发光多重防伪元件可通过下述方法制备得到:
(1)选择表面制备有第一电极层的PET作为载体,如图4所示;
(2)在第一电极层上旋涂一层负性光刻胶SU 8,90℃退火3min;
(3)使用图案化的铬板掩膜,通过紫外光曝光光刻,再90℃退火5min;
(4)置于显影液浸泡显影,得到厚度为200 nm的图案化光刻胶层,如图3所示;
(5)在图案化光刻胶层上依次蒸镀50nm的空穴传输层、20nm的发光层、50nm的电子传输层和100nm厚度的铝电极,且使得有机电致发光层覆盖全部图案化光刻胶层的图案,制得电致发光多重防伪元件。
在本实施例中,电致发光多重防伪元件为正置型OLED元件;在其他实施例中,电致发光多重防伪元件也可以是倒置型OLED元件,第一电极层2作为阴极层,第二电极层5作为阳极层,发光功能层4包括依次形成在图案化光刻胶层上的氧化锌电子注入层、电子传输层、有机电致发光层、空穴传输层。
实施例2
本实施例提供的电致发光多重防伪元件,是QLED元件。
本实施例的电致发光多重防伪元件的结构基本同实施例1,不同之处在于:发光功能层的结构不同。
本例中,发光功能层包括依次形成在图案化光刻胶层上的空穴传输层(厚度为50nm)、发光层(厚度为20 nm)、电子传输层(厚度为50 nm)。发光层为量子点发光层,发光功能层中的各层结构均可采用现有的材料通过印刷、旋涂等现有的方法制备得到。如空穴传输层的材料为PEDOT:PSS,量子点发光层的材料为CdSe QDs,电子传输层的材料为氧化锌纳米颗粒。
在本实施例中,电致发光多重防伪元件为正置型QLED元件;在其他实施例中,电致发光多重防伪元件也可以是倒置型QLED元件。
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施,并不能以此限制本实用新型的保护范围,凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种电致发光多重防伪元件,其特征在于:包括透明衬底、形成在所述透明衬底上的第一电极层、形成在所述第一电极层上的图案化光刻胶层、形成在所述图案化光刻胶层上的发光功能层及形成在所述发光功能层上的第二电极层,其中,所述第一电极层包括电极本体,所述电极本体为金属网格型电极,所述发光功能层覆盖全部所述图案化光刻胶层的图案且在所述图案区域内所述发光功能层与所述第一电极层接触。
2.根据权利要求1所述的电致发光多重防伪元件,其特征在于:所述发光功能层至少包含发光层。
3.根据权利要求2所述的电致发光多重防伪元件,其特征在于:所述发光层为有机电致发光层或量子点发光层。
4.根据权利要求3所述的电致发光多重防伪元件,其特征在于:当所述发光层为有机电致发光层时,所述发光功能层还包括设置在所述发光层相对二侧面上的空穴传输层,或者,所述发光功能层还包括设置在所述发光层相对二侧面上的电子传输层。
5.根据权利要求3所述的电致发光多重防伪元件,其特征在于:当所述发光层为有机电致发光层时,所述发光功能层还包括电子传输层和空穴传输层,所述发光层位于所述电子传输层和空穴传输层之间,所述电子传输层位于所述第一电极层和发光层之间,所述空穴传输层位于所述发光层和第二电极层之间;或者所述空穴传输层位于所述第一电极层和发光层之间,所述电子传输层位于所述发光层和第二电极层之间。
6.根据权利要求3所述的电致发光多重防伪元件,其特征在于:当所述发光层为量子点发光层时,所述发光功能层还包括电子传输层和空穴传输层,所述发光层位于所述电子传输层和空穴传输层之间,所述电子传输层位于所述第一电极层和发光层之间,所述空穴传输层位于所述发光层和第二电极层之间;或者所述空穴传输层位于所述第一电极层和发光层之间,所述电子传输层位于所述发光层和第二电极层之间。
7.根据权利要求6所述的电致发光多重防伪元件,其特征在于:所述发光功能层还包括设置在所述第一电极层或第二电极层与空穴传输层之间的空穴注入层。
8.根据权利要求2所述的电致发光多重防伪元件,其特征在于:所述发光功能层还包括电子阻挡层、电子注入层、电子传输层、空穴注入层、空穴阻挡层中的任意一种或至少两种的组合。
9.根据权利要求1所述的电致发光多重防伪元件,其特征在于:所述图案化光刻胶层采用的胶为负性光刻胶;
所述图案化光刻胶层的厚度为0.1-2μm;
所述第一电极层为阳极层,第二电极层为阴极层,或所述第一电极层为阴极层,所述第二电极层为阳极层;和/或,
所述透明衬底为玻璃或柔性衬底;和/或,
所述第一电极层还包括设置在所述透明衬底上的具有图形化凹槽的压印胶层,所述电极本体填充于所述凹槽中;和/或,
所述金属网格型电极中的网格是连续型线条图案。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的电致发光多重防伪元件,其特征在于:所述电致发光多重防伪元件为OLED元件或QLED元件。
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