CN219875094U - 防反接保护电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及保护电路领域，具体为防反接保护电路，包括：电池正极接线端B+，所述电池正极接线端B+依次串联电阻R3、电阻R5、二极管D1的正极、放大电路的输入端、电池负极接线端B‑；防反接单元，所述防反接单元包括电阻R2、光耦U1、二极管D2，所述电池负极接线端B－并联放大电路的输出端、电阻R2。在电池正确按入时，由于光耦反向接入电路，光耦不导通，MOS管通过电阻R3、电阻R5、二极管D1导通，使得电路正常通电；在电池反向按入，由于光耦正向接入电路，光耦导通，MOS管的栅极被强制接地，从而关闭MOS管，MOS管的源极通过电阻R2接地，旁路电容C1截止；且整体电路造价成本低，有很好的普适性。

Description

防反接保护电路

技术领域

本实用新型涉及保护电路领域，尤其涉及防反接保护电路。

背景技术

太阳能控制器的电池是用户自行连接，在实际操作过程中为防止由于用户疏忽将电池反向接入控制上导致控制器损坏，在电路设计中必须有防反接保护电路。

如现有技术中，中国专利申请号201320615151.9，一种用于蓄电池隔离反接保护的电路，包括MCU控制器、输入极性判别电路、电池电压反馈电路、隔反MOS管驱动电路、隔反MOS管电路、充电MOS管驱动电路和充电MOS管电路，所述输入极性判别电路依次经所述隔反MOS管电路、充电MOS管电路和所述电池电压反馈电路连接到蓄电池的正极，所述输入极性判别电路和所述电池电压反馈电路分别将反馈信号反馈至所述MCU控制器，所述MCU控制器根据反馈信号控制所述隔反MOS管驱动电路和所述充电MOS管驱动电路。其优点是：结构简单、成本低、实用性强、稳定性强，可以适合任何功率端的直流设备防反接保护。当蓄电池处于极性反接状态下时，无漏电流，不会对电池造成损坏。

虽然该装置实现了蓄电池反接保护，但是该专利采用了MCU芯片等相对成本较高的元器件，使用成本较高。为此，我们设计一种防反接保护电路，使得在低成本的情况下，亦可实现电池的防反接保护。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术存在的缺陷，本实用新型提出了防反接保护电路，在低成本的情况下，亦可实现电池的防反接保护，具有普适性的效果。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：防反接保护电路，包括：

电池正极接线端B+，所述电池正极接线端B+依次串联电阻R3、电阻R5、二极管D1的正极、放大电路的输入端、电池负极接线端B-；

防反接单元，所述防反接单元包括电阻R2、光耦U1、二极管D2，所述电池负极接线端B－并联放大电路的输出端、电阻R2，电阻R2远离电池负极接线端B－的一端并联光耦UI二极管的正极和二极管D2的负极，所述电池正极接线端B+并联二极管D2的正极和光耦U1二极管的负极，所述光耦U1三极管的集电极并联电阻R3、电阻R5、二极管D1的负极，所述光耦U1三极管的发射极接GND，所述电阻R5远离所述电阻R3的一端接GND，所述二极管D1的正极接GND。

进一步地，所述放大电路包括MOS管Q1、电阻R1，所述二极管D1的负极串联MOS管Q1的栅极，所述MOS管Q1的漏极串联电池负极接线端B-，所述MOS管Q1的源极串联电阻R1后接GND。

进一步地，还包括电容C1，所述电容C1的正极串联所述电池正极接线端B+，所述电容C1的负极并联电阻R1和CND。

进一步地，所述电池正极接线端B+串联电阻R6.所述电阻R6远离所述电池正极接线端B+的一端并联二极管D2的正极和光耦U1二极管的负极。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果包括：在电池正确按入时，由于光耦反向接入电路，光耦不导通，MOS管通过电阻R3、电阻R5、二极管D1导通，使得电路正常通电；

在电池反向按入，由于光耦正向接入电路，光耦导通，MOS管的栅极被强制接地，从而关闭MOS管，MOS管的源极通过电阻R2接地，旁路电容C1截止；

且整体电路造价成本低，有很好的普适性。

附图说明

参照附图来说明本实用新型的公开内容。应当了解，附图仅仅用于说明目的，而并非意在对本实用新型的保护范围构成限制。在附图中，相同的附图标记用于指代相同的部件。其中：

图1示意性显示了根据本实用新型一个实施方式提出的电路结构示意图。

具体实施方式

容易理解，根据本实用新型的技术方案，在不变更本实用新型实质精神下，本领域的一般技术人员可以提出可相互替换的多种结构方式以及实现方式。因此，以下具体实施方式以及附图仅是对本实用新型的技术方案的示例性说明，而不应当视为本实用新型的全部或者视为对本实用新型技术方案的限定或限制。

实施例：

如图1所示，电池正极接线端B+依次串联电阻R3、电阻R5、二极管D1的正极，然后二极管D1的负极串联MOS管的栅极，MOS管的漏极串联到电池负极接线端B-，MOS管的源极通过电阻R1接到GND地线上，在电池正向按入时，形成一个通路，使得电路导通。

在基于上述基础上，电池正极接线端B+上并联电阻R6和电容C1的正极，即电池正极接线端B+并联电阻R3、电阻R6、电容C1的正极，此时电阻R6远离电池正极接线端B+的一端并联二极管D2的正极和光耦U1二极管的负极，二极管D2的负极并联到光耦U1二极管的正极和电阻R2上，电阻R2远离二极管D2的一端串联到电池正极接线端B－上，光耦U1三极管的集电极并联电阻R3、电阻R5、二极管D1的负极，且为电阻R3和电阻R5的中部导线与光耦U1三极管的集电极连接，二极管D1的正极接GND地线，电阻R5远离电阻R3的一端接GND地线，光耦U1三极管的发射极接GND地线，电阻R1远离MOS管Q1的一端与电容C1的负极连接。

在具体实施中，此技术是针对电池负为虚地，利光耦隔离反向应用，控制MOS管的开关，从而防止由于电池反接损坏控制器的风险。在电池正接时，首先电池的电能通过电池正极接线端B+依次连接到电阻R3、电阻R5、二极管D1、MOS管的栅极、电池负极接线端B-，使得电路导通。然后在电池反接时，从电阻R2连接到光耦U1形成回路，使得光耦U1导通，此时MOS管的栅极被强制接地，从而关闭MOS管Q1，使得电路不能正常的连通。

本实用新型的技术范围不仅仅局限于上述说明中的内容，本领域技术人员可以在不脱离本实用新型技术思想的前提下，对上述实施例进行多种变形和修改，而这些变形和修改均应当属于本实用新型的保护范围内。

Claims (4)

1.防反接保护电路，其特征在于，包括：

电池正极接线端B+，所述电池正极接线端B+依次串联电阻R3、电阻R5、二极管D1的正极、放大电路的输入端、电池负极接线端B-；

防反接单元，所述防反接单元包括电阻R2、光耦U1、二极管D2，所述电池负极接线端B－并联放大电路的输出端、电阻R2，电阻R2远离电池负极接线端B－的一端并联光耦UI二极管的正极和二极管D2的负极，所述电池正极接线端B+还并联二极管D2的正极和光耦U1二极管的负极，所述光耦U1三极管的集电极并联电阻R3、电阻R5、二极管D1的负极，所述光耦U1三极管的发射极接GND，所述电阻R5远离所述电阻R3的一端接GND，所述二极管D1的正极接GND。

2.根据权利要求1所述的防反接保护电路，其特征在于，所述放大电路包括MOS管Q1、电阻R1，所述二极管D1的负极串联MOS管Q1的栅极，所述MOS管Q1的漏极串联电池负极接线端B-，所述MOS管Q1的源极串联电阻R1后接GND。

3.根据权利要求2所述的防反接保护电路，其特征在于，还包括电容C1，所述电池正极接线端B+还并联电容C1的正极，所述电容C1的负极并联电阻R1和CND。

4.根据权利要求1所述的防反接保护电路，其特征在于，所述电池正极接线端B+串联电阻R6.所述电阻R6远离所述电池正极接线端B+的一端并联二极管D2的正极和光耦U1二极管的负极。