CN219861676U - 一种具有环状磁场发生装置的换热器 - Google Patents
一种具有环状磁场发生装置的换热器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN219861676U CN219861676U CN202321356835.1U CN202321356835U CN219861676U CN 219861676 U CN219861676 U CN 219861676U CN 202321356835 U CN202321356835 U CN 202321356835U CN 219861676 U CN219861676 U CN 219861676U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- magnetic field
- electromagnet assembly
- shell
- heat exchange
- heat exchanger
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 15
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 10
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 8
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 25
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 9
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000009991 scouring Methods 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 238000002231 Czochralski process Methods 0.000 description 1
- 241000282414 Homo sapiens Species 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B30/00—Energy efficient heating, ventilation or air conditioning [HVAC]
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本实用新型涉及单晶炉辅助设备的技术领域，具体是一种具有环状磁场发生装置的换热器，包括磁场发生装置、内壳和外壳，内壳和外壳之间设有换热空间，内壳上设有分别与换热空间连通的冷却液入口和冷却液出口，磁场发生装置包括电磁铁组件、磁场控制装置，外壳的底部设有向周侧延伸的凸起部，换热空间设有容置腔，容置腔位于换热空间的底部且靠近硅液面，电磁铁组件设有密封层。本实用新型将具有密封层的电磁铁组件设置在换热空间的容置腔内不需要占用空间，电磁铁组件的磁力线范围随着外壳底部面积增加而增大，其磁力线范围能够覆盖坩埚中硅溶液，利用冷却液对换热空间进行循环冷却，避免硅溶液的高温导致电磁铁组件消磁或者损坏。
Description
技术领域
本实用新型涉及单晶炉辅助设备的技术领域，具体是一种具有环状磁场发生装置的换热器。
背景技术
近年来，光伏发电作为绿色能源以及人类可持续发展的主要能源的一种，日益受到世界各国的重视并得到大力发展。单晶硅片作为光伏发电的一种基础材料，有着广泛的市场需求。单晶硅片通常由单晶硅棒进行切片处理得到，单晶硅棒则可以由硅液生长拉制而成。
直拉法，也叫切克劳斯基(Czochralski)法(简称CZ法)，是制造单晶硅的重要方法。在直拉法生长硅单晶时，为了提高晶体生长速度，通常会在炉体内设置单晶炉辅助设备，如换热器，以通过换热器将单晶硅棒结晶时释放的热量快速的带出炉外。然而，换热器在带走热量的同时，也会降低固液界面处的温度，加剧硅液内部的温差，由于温度梯度、重力、坩埚和晶棒转动等，坩埚内硅熔体存在着复杂的对流，将硅液内的含氧化合物带到固液界面并进入单晶硅棒，这些不稳定的热对流会严重影响硅单晶的完整性、均匀性和氧含量等指标，使得单晶硅棒中氧含量分布不均匀甚至出现缺陷，降低产品良率。现有的技术中，为了抑制硅液内部的溶体对流，通常在单晶硅棒拉制装置中引入了磁控装置。
如中国专利文献CN201485534U公开的一种太阳能单晶硅制备用磁场装置，该磁场发生设备安装于炉体外，使得其远离坩埚中的硅溶液，同时磁场发生设备结构较为庞大，需要占用一定的体积。
因此，需要研发一款不占用空间且磁力线范围能够覆盖坩埚中硅溶液的单晶硅辅助装置，以提高单晶炉的使用体验。
实用新型内容
针对上述提到现有的单晶硅辅助装置占用空间，其磁力线范围远离坩埚中硅溶液的技术问题，本实用新型解决其技术问题采用的技术方案是：
一种具有环状磁场发生装置的换热器，包括磁场发生装置、分别位于硅液面上侧的内壳和外壳，所述内壳和所述外壳之间设有换热空间，所述内壳上设有分别与所述换热空间连通的冷却液入口和冷却液出口，所述磁场发生装置包括位于所述换热空间内呈环形结构的电磁铁组件、以及位于所述换热空间外的磁场控制装置，所述外壳的底部设有向周侧延伸的凸起部，所述换热空间设有位于所述凸起部的内壁与所述内壳的外壁之间且用于容置所述电磁铁组件的容置腔，所述容置腔位于换热空间的底部且靠近硅液面，所述电磁铁组件设有密封层。
根据本实用新型的一些实施例，所述磁场发生装置还包括连接在所述磁场控制装置与所述电磁铁组件之间的导电件，所述导电件外侧设有密封层，所述导电件由所述换热空间内沿所述冷却液入口和/或冷却液出口延伸至所述换热空间外。
根据本实用新型的一些实施例，所述磁场控制装置设有磁场强度检测单元。
根据本实用新型的一些实施例，所述电磁铁组件设有多个且沿所述换热空间布设组成环状结构。
根据本实用新型的一些实施例，所述内壳由上向下设有内倾斜段和内恒定段，所述外壳由上向下设有第一外恒定段、外倾斜段和第二外恒定段，所述凸起部位于所述第二外恒定段的下侧，所述凸起部的外径大于所述第二外恒定段的外径，所述电磁铁组件位于所述凸起部的外壁与所述内恒定段之间。
根据本实用新型的一些实施例，所述电磁铁组件的环宽大于所述内恒定段和所述第二外恒定段之间的距离，所述内恒定段的竖直距离大于所述第二外恒定段的竖直距离，所述内倾斜段与所述外倾斜段的斜率相等。
根据本实用新型的一些实施例，所述内倾斜段包括第一内倾斜段和第二内倾斜段，所述第一内倾斜段的斜率大于所述第二内倾斜段的斜率。
根据本实用新型的一些实施例，所述电磁铁组件的环宽与所述凸起部的宽度接近。
根据本实用新型的一些实施例，所述内壳底部与所述外壳底部之间设有用于封闭其二者的下法兰，所述电磁铁组件的底部与所述下法兰的上侧之间形成冷却空隙。
根据本实用新型的一些实施例，所述冷却液入口为多拐角的细长管道，所述冷却液入口的末端与所述换热空间连接，所述冷却液入口的首端沿所述内壳轴向向上延伸，所述冷却液出口为多拐角的细长管道，所述冷却液出口的末端与所述换热空间连接，所述冷却液出口的首端沿所述内壳轴向向上延伸。
本实用新型的有益效果如下：
本实用新型将具有密封层的电磁铁组件设置在换热空间的容置腔内不需要占用空间，环形结构的电磁铁组件位于换热空间的底部且靠近硅液面，向周侧延伸的凸起部增加了外壳的底部面积，电磁铁组件的磁力线范围随着外壳底部面积增加而增大，其磁力线范围能够覆盖坩埚中硅溶液，通过磁场控制装置能够调节磁场强度，进一步阻滞流体的热对流，降低硅液中的杂质含量，从而提高晶体性能和均匀性，本实用新型同时利用冷却液对换热空间进行循环冷却，避免硅溶液的高温导致电磁铁组件消磁或者损坏，从而提高电磁铁组件的使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型的一种具有环状磁场发生装置的换热器的示意图。
图2为本实用新型的一种具有环状磁场发生装置的换热器的磁场示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的实施方式作详细说明。
如图1和图2所示的一种具有环状磁场发生装置的换热器，包括磁场发生装置、分别位于硅液面上侧的内壳1和外壳2，所述内壳1和所述外壳2之间设有换热空间3，所述内壳1上设有分别与所述换热空间3连通的冷却液入口4和冷却液出口5，所述磁场发生装置包括位于所述换热空间3内呈环形结构的电磁铁组件6、以及位于所述换热空间3外的磁场控制装置，所述外壳2的底部设有向周侧延伸的凸起部20，所述换热空间3设有位于所述凸起部20的内壁与所述内壳1的外壁之间且用于容置所述电磁铁组件6的容置腔31，所述容置腔31位于换热空间3的底部且靠近硅液面，所述电磁铁组件6设有密封层。进一步地，环形的电磁铁组件，其结构简单且成本低，适合安装在换热空间内。
本实用新型将具有密封层的电磁铁组件设置在换热空间的容置腔内不需要占用空间，环形结构的电磁铁组件位于换热空间的底部且靠近硅液面，向周侧延伸的凸起部增加了外壳的底部面积，电磁铁组件的磁力线范围随着外壳底部面积增加而增大，其磁力线范围能够覆盖坩埚中硅溶液，通过磁场控制装置能够调节磁场强度，进一步阻滞流体的热对流，降低硅液中的杂质含量，从而提高晶体性能和均匀性，本实用新型同时利用冷却液对换热空间进行循环冷却，避免硅溶液的高温导致电磁铁组件消磁或者损坏，从而提高电磁铁组件的使用寿命。
多晶硅材料被加热熔化形成熔体后，由于熔体本身会导电，此时导电的熔体在电磁铁组件施加的磁场中运动，熔体中的电流微元会切割磁力线，从而电磁铁组件施加的磁场对其施加安培力，该力的方向与电流微元的运动方向相反，因此可以阻滞流体的热对流，减少流体对坩埚内壁的冲刷，从而降低硅液中的杂质含量，有效提高晶体整体品质均衡性。
可选地，在一些实施例中，凸起部使得外壳底部与内壳底部之间的容置腔容积更大，能够容纳底部面积乃至整体体积更大的电磁铁组件，容置腔靠近硅液面，电磁铁组件的磁力线范围能够更好地覆盖坩埚中的硅溶液。与现有的结构较为庞大的磁场发生设备相比，本实用新型的电磁铁组件距离坩埚中的硅溶液距离更近，通过磁场控制装置进行调节，使用体积相对较小的电磁铁组件可以达到磁场发生设备同样的效果。
可选地，为了电磁铁组件的磁力线范围能够更好地覆盖坩埚中的硅溶液，电磁铁组件的轴向与硅溶液液面平行。
如图1和图2所示的一种具有环状磁场发生装置的换热器，所述磁场发生装置还包括连接在所述磁场控制装置与所述电磁铁组件6之间的导电件，所述导电件外侧设有密封层，所述导电件由所述换热空间3内沿所述冷却液入口4和/或冷却液出口5延伸至所述换热空间3外。进一步地，该密封层不限于防水涂层、硅胶、有机硅灌封胶等。能够进一步保证电磁铁组件和导电件运行的稳定性。
可选地，在一些实施例中，导电件可以从由换热空间内沿冷却液入口延伸至换热空间外。
可选地，在一些实施例中，导电件也可以由换热空间内沿冷却液出口延伸至换热空间外。
如图1和图2所示的一种具有环状磁场发生装置的换热器，所述磁场控制装置设有磁场强度检测单元。磁场强度检测单元设有多个传感器且能够检测单晶炉内的磁场强度，利用磁场控制装置对磁场强度进行调节，以使得磁场强度对熔体运动阻滞速度进行调整。可选地，在一些实施例中，磁场强度检测单元表面设有密封层，磁场强度检测单元可以位于靠近内壳的上侧或者位于换热通道内靠近硅液面的一侧。
如图1和图2所示的一种具有环状磁场发生装置的换热器，所述电磁铁组件6设有多个且沿所述换热空间3布设组成环状结构。多个电磁铁组件沿换热空间的环状腔体的周向依次分布，能够提高电磁铁组件的布局灵活性，多个电磁铁组件产生的磁场可以交叠，以从更多的方向阻滞流体的热对流，降低硅液中的杂质含量。可选地，在一些实施例中，多个电磁铁组件连接有多个导电件，其中部分导电件由换热空间内沿冷却液入口延伸至换热空间外，另一部分导电件由换热空间内沿冷却液出口延伸至换热空间外。
如图1和图2所示的一种具有环状磁场发生装置的换热器，所述内壳1由上向下设有内倾斜段11和内恒定段12，所述外壳2由上向下设有第一外恒定段21、外倾斜段22和第二外恒定段23，所述凸起部20位于所述第二外恒定段23的下侧，所述凸起部20的外径大于所述第二外恒定段23的外径，所述电磁铁组件6位于所述凸起部20的外壁与所述内恒定段12之间；所述电磁铁组件6的环宽与所述凸起部20的宽度接近。进一步，作为本实用新型的优选实施方式而非限定，内倾斜段由上向下朝内壳中心轴线方向倾斜，外倾斜段由上向下朝外壳中心轴线方向倾斜，通过设置内倾斜段和内恒定段、以及第一外恒定段、外倾斜段和第二外恒定段，使得换热空间由上至下逐渐增大，通过冷却液的循环冷却，使得单晶硅棒提拉时加强了晶体的散热，提高了晶体生长前沿的温度梯度，有利于调平单晶生长界面，进而消除晶体扭曲变形现象，提升单晶硅的品质，可选地，在一些实施例中，凸起部的内壁为竖直结构，容置腔截面为规整的矩形结构，能够更好地容置形状规整的电磁铁组件。
如图1和图2所示的一种具有环状磁场发生装置的换热器，所述电磁铁组件6的环宽大于所述内恒定段12和所述第二外恒定段23之间的距离，所述内恒定段12的竖直距离大于所述第二外恒定段23的竖直距离，所述内倾斜段11与所述外倾斜段22的斜率相等。可选地，容置腔的宽度大于内恒定段和第二外恒定段之间的距离，凸起部向外侧延伸，因此凸起部的外径大于第二外恒定段的距离，当电磁铁组件的环宽与凸起部的宽度接近时，电磁铁组件的环宽大于内恒定段和第二外恒定段之间的距离，内恒定段和第二外恒定段之间形成的换热空间限制电磁铁组件移动，以使得电磁铁组件能够固定在容置腔内且不能向上移动。
如图1和图2所示的一种具有环状磁场发生装置的换热器，所述内倾斜段11包括第一内倾斜段111和第二内倾斜段112，所述第一内倾斜段111的斜率大于所述第二内倾斜段112的斜率。可选地，第一内倾斜段由上向下朝内壳中心轴线方向倾斜，第二内倾斜段由上向下朝内壳中心轴线方向倾斜，相对于第一内倾斜段直接与内恒定段连接的设置，通过增加第二内倾斜段，能够增大了换热空间的体积，进一步提高了温度梯度。
如图1和图2所示的一种具有环状磁场发生装置的换热器，所述内壳1底部与所述外壳2底部之间设有用于封闭其二者的下法兰7，所述电磁铁组件6的底部与所述下法兰7的上侧之间形成冷却空隙8。电磁铁组件可以通过焊接、卡接等方式连接在换热空间内，具体地，电磁铁组件连接在内壳的靠近硅溶液一侧的外壁上。
可选地，电磁铁组件的外周侧与凸起部的内壁之间形成冷却空隙，冷却空隙使得冷却液能够对电磁铁组件的外壁，上侧以及底部进行冷却，避免硅溶液的高温导致电磁铁组件消磁或者损坏，从而提高电磁铁组件的使用寿命。
如图1和图2所示的一种具有环状磁场发生装置的换热器，所述冷却液入口4为多拐角的细长管道，所述冷却液入口4的末端与所述换热空间3连接，所述冷却液入口4的首端沿所述内壳1轴向向上延伸，所述冷却液出口5为多拐角的细长管道，所述冷却液出口5的末端与所述换热空间3连接，所述冷却液出口5的首端沿所述内壳1轴向向上延伸。
具体地，冷却液可选用水作为介质，具有容易更换和成本低的优点，水从冷却液入口的末端进入换热空间，充盈整个换热空间的水能够带走硅晶棒结晶潜热并通过冷却液出口向外流出，通过循环冷却，保证了晶体生长前沿的温度梯度，有利于调平单晶生长界面，进而消除晶体扭曲变形现象，提升单晶硅的品质。
如图1至图2所示，本实施例的实施方式如下：
导电件从由换热空间3内沿冷却液入口4延伸至换热空间3外，多个电磁铁组件6沿换热空间3的环状腔体的周向依次分布，电磁铁组件6的轴向与硅溶液液面平行，导电件与电磁铁组件6均设有密封层，电磁铁组件6位于凸起部20的外壁与内恒定段12之间，电磁铁组件6的环宽与凸起部20的宽度接近，电磁铁组件6的环宽大于内恒定段12和第二外恒定段23之间的距离，容置腔31的宽度大于内恒定段12和第二外恒定段23之间的距离，电磁铁组件6的底部与下法兰7的上侧之间形成冷却空隙8，电磁铁组件6的外周侧与凸起部20的内壁之间形成冷却空隙8。
内恒定段12的竖直距离大于第二外恒定段23的竖直距离，内倾斜段11与所述外倾斜段22的斜率相等，凸起部20位于第二外恒定段23的下侧，外倾斜段22由上向下朝外壳2中心轴线方向倾斜，第一内倾斜段111由上向下朝内壳1中心轴线方向倾斜，第二内倾斜段112由上向下朝内壳1中心轴线方向倾斜，第一内倾斜段111的斜率大于所述第二内倾斜段112的斜率。通过增加第二内倾斜段112，能够增大了换热空间3的体积，进一步提高了纵向温度梯度。
多晶硅材料被加热熔化形成熔体后，由于熔体本身会导电，此时导电的熔体在电磁铁组件6施加的磁场中运动，熔体中的电流微元会切割磁力线，从而电磁铁组件6施加的磁场对其施加安培力，该力的方向与电流微元的运动方向相反，因此可以阻滞流体的热对流，减少流体对坩埚内壁的冲刷，从而降低硅液中的杂质含量，有效提高晶体整体品质均衡性。
磁场强度检测单元设有多个传感器且能够检测单晶炉内的磁场强度，利用磁场控制装置对磁场强度进行调节，以使得磁场强度对熔体运动阻滞速度进行调整。
水从冷却液入口4的末端进入换热空间3，充盈整个换热空间3的水能够带走硅晶棒结晶潜热并通过冷却液出口5向外流出，通过循环冷却，保证了晶体生长前沿的温度梯度，有利于调平单晶生长界面，进而消除晶体扭曲变形现象，提升单晶硅的品质。
上述仅以实施例来进一步说明本实用新型的技术内容，以便于读者更容易理解，但不代表本实用新型的实施方式仅限于此，任何依本实用新型所做的技术延伸或再创造，均受本实用新型的保护。本实用新型的保护范围以权利要求书为准。
Claims (10)
1.一种具有环状磁场发生装置的换热器，包括磁场发生装置、分别位于硅液面上侧的内壳(1)和外壳(2)，其特征在于：所述内壳(1)和所述外壳(2)之间设有换热空间(3)，所述内壳(1)上设有分别与所述换热空间(3)连通的冷却液入口(4)和冷却液出口(5)，所述磁场发生装置包括位于所述换热空间(3)内呈环形结构的电磁铁组件(6)、以及位于所述换热空间(3)外的磁场控制装置，所述外壳(2)的底部设有向周侧延伸的凸起部(20)，所述换热空间(3)设有位于所述凸起部(20)的内壁与所述内壳(1)的外壁之间且用于容置所述电磁铁组件(6)的容置腔(31)，所述容置腔(31)位于换热空间(3)的底部且靠近硅液面，所述电磁铁组件(6)设有密封层。
2.根据权利要求1所述的一种具有环状磁场发生装置的换热器，其特征在于：所述磁场发生装置还包括连接在所述磁场控制装置与所述电磁铁组件(6)之间的导电件，所述导电件外侧设有密封层，所述导电件由所述换热空间(3)内沿所述冷却液入口(4)和/或冷却液出口(5)延伸至所述换热空间(3)外。
3.根据权利要求1所述的一种具有环状磁场发生装置的换热器，其特征在于：所述磁场控制装置设有磁场强度检测单元。
4.根据权利要求1所述的一种具有环状磁场发生装置的换热器，其特征在于：所述电磁铁组件(6)设有多个且沿所述换热空间(3)布设组成环状结构。
5.根据权利要求1所述的一种具有环状磁场发生装置的换热器，其特征在于：所述内壳(1)由上向下设有内倾斜段(11)和内恒定段(12)，所述外壳(2)由上向下设有第一外恒定段(21)、外倾斜段(22)和第二外恒定段(23)，所述凸起部(20)位于所述第二外恒定段(23)的下侧，所述凸起部(20)的外径大于所述第二外恒定段(23)的外径，所述电磁铁组件(6)位于所述凸起部(20)的外壁与所述内恒定段(12)之间。
6.根据权利要求5所述的一种具有环状磁场发生装置的换热器，其特征在于：所述电磁铁组件(6)的环宽大于所述内恒定段(12)和所述第二外恒定段(23)之间的距离，所述内恒定段(12)的竖直距离大于所述第二外恒定段(23)的竖直距离，所述内倾斜段(11)与所述外倾斜段(22)的斜率相等。
7.根据权利要求5所述的一种具有环状磁场发生装置的换热器，其特征在于：所述内倾斜段(11)包括第一内倾斜段(111)和第二内倾斜段(112)，所述第一内倾斜段(111)的斜率大于所述第二内倾斜段(112)的斜率。
8.根据权利要求1所述的一种具有环状磁场发生装置的换热器，其特征在于：所述电磁铁组件(6)的环宽与所述凸起部(20)的宽度接近。
9.根据权利要求1-8任意一项所述的一种具有环状磁场发生装置的换热器，其特征在于：所述内壳(1)底部与所述外壳(2)底部之间设有用于封闭其二者的下法兰(7)，所述电磁铁组件(6)的底部与所述下法兰(7)的上侧之间形成冷却空隙(8)。
10.根据权利要求1-8任意一项所述的一种具有环状磁场发生装置的换热器，其特征在于：所述冷却液入口(4)为多拐角的细长管道，所述冷却液入口(4)的末端与所述换热空间(3)连接，所述冷却液入口(4)的首端沿所述内壳(1)轴向向上延伸，所述冷却液出口(5)为多拐角的细长管道，所述冷却液出口(5)的末端与所述换热空间(3)连接，所述冷却液出口(5)的首端沿所述内壳(1)轴向向上延伸。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202321356835.1U CN219861676U (zh) | 2023-05-30 | 2023-05-30 | 一种具有环状磁场发生装置的换热器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202321356835.1U CN219861676U (zh) | 2023-05-30 | 2023-05-30 | 一种具有环状磁场发生装置的换热器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN219861676U true CN219861676U (zh) | 2023-10-20 |
Family
ID=88334450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202321356835.1U Active CN219861676U (zh) | 2023-05-30 | 2023-05-30 | 一种具有环状磁场发生装置的换热器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN219861676U (zh) |
-
2023
- 2023-05-30 CN CN202321356835.1U patent/CN219861676U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8871169B2 (en) | Methods and apparatuses for manufacturing cast silicon from seed crystals | |
| CN110983429A (zh) | 单晶炉及单晶硅制备方法 | |
| US9637391B2 (en) | Crystalline silicon ingot including nucleation promotion layer | |
| US8597756B2 (en) | Resistance heated sapphire single crystal ingot grower, method of manufacturing resistance heated sapphire single crystal ingot, sapphire single crystal ingot, and sapphire wafer | |
| BRPI0706547A2 (pt) | métodos de fabricação de silìcio moldado e de célula solar, células solares, corpos de silìcio monocristalinos contìnuos, bolachas e silìcio | |
| CN207452295U (zh) | 一种提高单晶硅拉速的冷却装置 | |
| WO2020224186A1 (zh) | 一种定向凝固生长晶体硅的铸锭炉及应用 | |
| CN110129890A (zh) | 一种用于磁控直拉单晶的线圈结构及磁控直拉单晶的方法 | |
| CN219861676U (zh) | 一种具有环状磁场发生装置的换热器 | |
| CN219861677U (zh) | 一种应用于单晶炉的磁环换热器 | |
| CN218596568U (zh) | 一种单晶硅棒拉制装置 | |
| CN218436017U (zh) | 一种换热器和单晶硅棒拉制装置 | |
| CN219861678U (zh) | 一种具有环状磁场发生装置的水冷热屏 | |
| CN219861679U (zh) | 一种应用于单晶炉的磁环水冷热屏 | |
| US6669776B2 (en) | Magnetic field furnace and a method of using the same to manufacture semiconductor substrates | |
| CN201626999U (zh) | 单晶炉勾形磁场装置 | |
| JP2001048696A (ja) | 結晶シリコン製造装置 | |
| KR101270071B1 (ko) | 실리콘 연속 주조 장치 및 방법 | |
| US10087080B2 (en) | Methods of fabricating a poly-crystalline silcon ingot from a nucleation promotion layer comprised of chips and chunks of silicon-containing particles | |
| CN113046833A (zh) | 一种半导体晶体生长装置 | |
| CN215366055U (zh) | 一种散热片式锥桶水冷装置 | |
| CN220887762U (zh) | 一种保温筒和单晶硅棒拉制装置 | |
| CN217438340U (zh) | 用于长晶炉中坩埚的支撑装置及长晶炉 | |
| CN211445997U (zh) | 铸锭炉 | |
| CN221028764U (zh) | 一种单晶硅棒拉制装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240528 Address after: 710100 No. 388, middle route, Xi'an, Shaanxi, Changan District Patentee after: LONGI GREEN ENERGY TECHNOLOGY Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 528400 second floor, building B, No. 30, Yanjiang East Fifth Road, Torch Development Zone, Zhongshan City, Guangdong Province (residence declaration) Patentee before: Zhongshan Huichuang Precision Technology Co.,Ltd. Country or region before: China |
|
| TR01 | Transfer of patent right |