CN219832558U - 一种等离子体电荷低温制程下电极装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种等离子体电荷低温制程下电极装置，包含真空箱体、贯穿设在真空箱体内底面中部的顶针基座、设在顶住基座顶部的陶瓷绝缘板、设在陶瓷绝缘板顶面的中间密封板、设在中间密封板顶面的温控盘、设在真空箱体内用于固定顶针基座及陶瓷绝缘板的密封压板、设在顶针基座内的顶针组件、设在温控盘上的温控介质通道、设在顶针基座底部的温控介质进口及温控介质出口、设在顶针基座底部且输出端贯穿至中间密封板内的下电极；所述温控介质进口、温控介质出口、下电极及顶针组件均相互避开设在顶针基座上；本实用新型通过下电极能有效提高蚀刻率，从而提高产品质量，并将顶针组件、温控及电极集成一体能有效的缩小实体尺寸，减小实际占用空间。
Description
技术领域
本实用新型涉及晶圆刻蚀领域，特指一种等离子体电荷低温制程下电极装置。
背景技术
在半导体干法刻蚀工艺里，常采用给真空反应腔室通反应气体(O2、H2/N2或CF4等其他气体)，通过RF射频电源使气体启辉产生等离子体，然后控制等离子体去刻蚀掉晶圆上需要去掉的结构。
目前传统的晶圆制造，只有上电极而没有下电极，导致蚀刻率可能不稳定，影响产品质量，并且顶针驱动装置为外置，从而对应的真空箱需要较大的体积用于放置顶针驱动装置，导致增加了占用空间。
实用新型内容
本实用新型目的是为了克服现有技术的不足而提供一种等离子体电荷低温制程下电极装置。
为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种等离子体电荷低温制程下电极装置，包含真空箱体、贯穿设置在真空箱体内底面中部的顶针基座、设置在顶住基座顶部的陶瓷绝缘板、设置在陶瓷绝缘板顶面的中间密封板、设置在中间密封板顶面的温控盘、设置在真空箱体内外圈与真空箱体内底面连接且内圈与顶针基座及陶瓷绝缘板连接的密封压板、设置在顶针基座内且输出端贯穿温控盘的顶针组件、设置在温控盘与中间密封板贴合面上的温控介质通道、设置在顶针基座底部且与温控介质通道进口出口连通的温控介质进口及温控介质出口、设置在顶针基座底部且输出端贯穿至中间密封板内的下电极；所述温控介质进口、温控介质出口、下电极及顶针组件均相互避开设置在顶针基座上。
优选的，所述顶针组件包括设置在顶针基座内的呈C形的伸缩槽、设置在伸缩槽内与伸缩槽形状贴合的驱动板、设置在驱动板上且一端贯穿温控盘的若干顶针、设置在顶针基座底部输出端贯穿至伸缩槽与驱动板连接的升降气缸。
优选的，所述升降气缸与顶针基座之间设置有用于密封的真空密封波纹管。
优选的，所述温控介质通道呈螺旋状设置在温控盘上。
优选的，所述顶针基座与真空箱体内底面贴合处之间及与陶瓷绝缘板之间设置有密封圈；所述陶瓷绝缘板与中间密封板之间设置有密封圈；所述中间密封板与温控盘之间设置有密封圈；所述温控介质进口、温控介质出口、下电极及顶针组件的连接处均设置有密封圈。
由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：
本实用新型通过设置下电极能有效提高蚀刻率，从而提高产品质量，并且将顶针组件、温控及电极集成一体能有效的缩小实体尺寸，减小实际占用空间。
附图说明
下面结合附图对本实用新型技术方案作进一步说明：
附图1为本实用新型所述的等离子体电荷低温制程下电极装置的俯视结构示意图；
附图2为本实用新型所述的等离子体电荷低温制程下电极装置的仰视结构示意图；
附图3为本实用新型所述的等离子体电荷低温制程下电极装置真空箱体内部装置的总体结构示意图；
附图4为本实用新型所述的等离子体电荷低温制程下电极装置顶针基座的内部结构示意图；
附图5为本实用新型所述的等离子体电荷低温制程下电极装置温控盘的底面结构示意图。
其中：1、真空箱体；2、顶针基座；3、陶瓷绝缘板；4、中间密封板；5、温控盘；6、密封压板；7、顶针组件；71、伸缩槽；72、驱动板；73、顶针；74、升降气缸；8、温控介质通道；9、温控介质进口；10、温控介质出口；11、下电极；12、真空密封波纹管；13、密封圈。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。
附图1-5为本实用新型所述的等离子体电荷低温制程下电极装置，包含真空箱体1、贯穿设置在真空箱体1内底面中部的顶针基座2、设置在顶住基座顶部的陶瓷绝缘板3、设置在陶瓷绝缘板3顶面的中间密封板4、设置在中间密封板4顶面的温控盘5、设置在真空箱体1内外圈与真空箱体1内底面连接且内圈与顶针基座2及陶瓷绝缘板3连接的密封压板6、设置在顶针基座2内且输出端贯穿温控盘5的顶针组件7、设置在温控盘5与中间密封板4贴合面上的温控介质通道8、设置在顶针基座2底部且与温控介质通道8进口出口连通的温控介质进口9及温控介质出口10、设置在顶针基座2底部且输出端贯穿至中间密封板4内的下电极11；所述温控介质进口9、温控介质出口10、下电极11及顶针组件7均相互避开设置在顶针基座2上；所述顶针组件7包括设置在顶针基座2内的呈C形的伸缩槽71、设置在伸缩槽71内与伸缩槽71形状贴合的驱动板72、设置在驱动板72上且一端贯穿温控盘5的若干顶针73、设置在顶针基座2底部输出端贯穿至伸缩槽71与驱动板72连接的升降气缸74。
进一步，所述升降气缸74与顶针基座2之间设置有用于密封的真空密封波纹管12，增加密封性。
进一步，所述温控介质通道8呈螺旋状设置在温控盘5上，怎加冷却范围。
进一步，所述顶针基座2与真空箱体1内底面贴合处之间及与陶瓷绝缘板3之间设置有密封圈13；所述陶瓷绝缘板3与中间密封板4之间设置有密封圈13；所述中间密封板4与温控盘5之间设置有密封圈13；所述温控介质进口9、温控介质出口10、下电极11及顶针组件7的连接处均设置有密封圈13，增加密封性。
使用时：启动真空箱体1内的上电极和下电极11，然后用真空泵实现一定的真空度，随着气体愈来愈稀薄，分子间距及分子或离子的自由运动距离也愈来愈长，受电场作用，它们发生碰撞而形成等离子体，然后控制等离子体去刻蚀掉晶圆上需要去掉的结构，通过上下两个电极能更大程度的提高蚀刻率，并且根据产品的工艺要求可同时使用上电级和下电级11，也可单独使用上电级和下电级11，刻蚀过程中外接温控设备通过温控介质进口9将温控用的介质送至温控盘5的温控介质通道8内保证表面温度均匀性在3℃以内，温控后的介质再通过温控介质出口10排出，刻蚀好后再启动顶针组件7，升降气缸74带动驱动板72在顶针基座2的伸缩槽71内升降，驱动板72带动三根顶针73向温控盘5移动，并将晶圆顶起使其方便抓取。
以上仅是本实用新型的具体应用范例，对本实用新型的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本实用新型权利保护范围之内。
Claims (5)
1.一种等离子体电荷低温制程下电极装置，其特征在于：包含真空箱体、贯穿设置在真空箱体内底面中部的顶针基座、设置在顶住基座顶部的陶瓷绝缘板、设置在陶瓷绝缘板顶面的中间密封板、设置在中间密封板顶面的温控盘、设置在真空箱体内外圈与真空箱体内底面连接且内圈与顶针基座及陶瓷绝缘板连接的密封压板、设置在顶针基座内且输出端贯穿温控盘的顶针组件、设置在温控盘与中间密封板贴合面上的温控介质通道、设置在顶针基座底部且与温控介质通道进口出口连通的温控介质进口及温控介质出口、设置在顶针基座底部且输出端贯穿至中间密封板内的下电极；所述温控介质进口、温控介质出口、下电极及顶针组件均相互避开设置在顶针基座上。
2.根据权利要求1所述的一种等离子体电荷低温制程下电极装置，其特征在于：所述顶针组件包括设置在顶针基座内的呈C形的伸缩槽、设置在伸缩槽内与伸缩槽形状贴合的驱动板、设置在驱动板上且一端贯穿温控盘的若干顶针、设置在顶针基座底部输出端贯穿至伸缩槽与驱动板连接的升降气缸。
3.根据权利要求2所述的一种等离子体电荷低温制程下电极装置，其特征在于：所述升降气缸与顶针基座之间设置有用于密封的真空密封波纹管。
4.根据权利要求1-3所述的一种等离子体电荷低温制程下电极装置，其特征在于：所述温控介质通道呈螺旋状设置在温控盘上。
5.根据权利要求4所述的一种等离子体电荷低温制程下电极装置，其特征在于：所述顶针基座与真空箱体内底面贴合处之间及与陶瓷绝缘板之间设置有密封圈；所述陶瓷绝缘板与中间密封板之间设置有密封圈；所述中间密封板与温控盘之间设置有密封圈；所述温控介质进口、温控介质出口、下电极及顶针组件的连接处均设置有密封圈。
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