CN219760854U - 一种隔离式开关电源电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种隔离式开关电源电路，包括主控芯片模块、整流滤波模块、变压器模块、用于吸收输入电源中的雷击浪涌能量的抗雷击浪涌模块、用于抑制输入电源中的电磁干扰的第一EMI抑制模块、用于吸收变压器模块原边所产生的尖峰电压的第一吸收模块、用于吸收变压器模块副边所产生的尖峰电压的第二吸收模块、用于抑制变压器模块输出电源中的电磁干扰的第二EMI抑制模块、用于驱动变压器模块进行工作的驱动模块、用于在变压器模块输出电源时导通以向主控芯片模块进行信号反馈的光耦反馈模块。本实用新型提供的一种隔离式开关电源电路，可抗雷击浪涌和有效抑制EMI，并使电路初、次级隔离，可保护人员安全。

Description

一种隔离式开关电源电路

技术领域

本实用新型涉及电子电路技术领域，特别是涉及一种隔离式开关电源电路。

背景技术

随着技术的发展，电子产品越来越成为科技发展的主流产品。在电子产品领域中，开关电源被誉为高效节能电源，是现代提倡绿色环保下的较理想产品，它代表着稳压电源的发展方向，现已成为稳压电源的主流产品。

但在实践中发现，接在市电上的开关电源往往会受到一些自然因素和应用环境的影响，如感应雷和总开关的闭合等，突然产生一个瞬时的电压或者电流尖峰，叠加在市电上面，对AC-DC开关电源的整流器、PWM控制器、MOS管和变压器会产生破坏性的效果,进而影响到开关电源所正供电的用电器。同时开关电源会产生EMI干扰，并受到EMI干扰，其干扰源主要集中体现在功率开关器件、变压器、输出整流二极管，其中功率开关器件在高频率的开关循环切换和本身的寄生电容的影响下，使其电压变化率和电流变化率都在急剧改变，这便提高了EMI的干扰强度；高频变压器因漏感的存在，在开关电源的关断的瞬间会产生一个很高的尖峰电压，这个尖峰电压会对开关电源的EMI造成影响；输出整流二极管在反向恢复的时候也会产生一个高的尖峰电压，也会对开关电源的EMI造成影响。

因此，需要提供一种隔离式开关电源电路以解决上述技术问题。

实用新型内容

本实用新型克服了上述技术的不足，提供了一种隔离式开关电源电路。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是提供一种隔离式开关电源电路，包括主控芯片模块1、整流滤波模块2、变压器模块3、用于吸收输入电源中的雷击浪涌能量的抗雷击浪涌模块4、用于抑制所述输入电源中的电磁干扰的第一EMI抑制模块5、用于吸收所述变压器模块3原边所产生的尖峰电压的第一吸收模块6、用于吸收所述变压器模块3副边所产生的尖峰电压的第二吸收模块7、用于抑制所述变压器模块3输出电源中的电磁干扰的第二EMI抑制模块8、用于驱动所述变压器模块3进行工作的驱动模块9、用于在所述变压器模块3输出电源时导通以向所述主控芯片模块1进行信号反馈的光耦反馈模块10；

所述主控芯片模块1的信号输出端与所述驱动模块8的信号输入端电连接，所述抗雷击浪涌模块4的信号输出端与所述第一EMI抑制模块5的信号输入端电连接，所述第一EMI抑制模块5的信号输出端与所述整流滤波模块2的信号输入端电连接，所述整流滤波模块2的信号输出端与所述第一吸收模块6的信号输入端电连接，所述第二吸收模块7的信号输出端与所述第二EMI抑制模块8的信号输入端电连接，所述光耦反馈模块10的信号输入端电连接于所述第二吸收模块7的信号输出端与所述第二EMI抑制模块8的信号输入端之间，所述驱动模块9的信号输出端电连接于所述变压器模块3的原边与接地端之间。

实施例中，优选：

所述抗雷击浪涌模块4内包括有用于抑制所述输入电源中的差模雷击浪涌干扰的抗差模雷击浪涌电路41、用于抑制所述输入电源中的共模雷击浪涌干扰的抗共模雷击浪涌干扰电路42，所述抗差模雷击浪涌电路41跨接在零火线之间，所述抗共模雷击浪涌干扰电路42电连接于所述抗差模雷击浪涌电路41与接地端之间。

实施例中，优选：

所述抗差模雷击浪涌电路41内包括有用于抑制所述输入电源中的差模雷击浪涌干扰的压敏电阻MOV1、压敏电阻MOV2和压敏电阻MOV3，所述抗共模雷击浪涌干扰电路42内包括有用于抑制所述输入电源中的共模雷击浪涌干扰的气体放电管D1；

所述压敏电阻MOV1电连接跨接在零火线之间，所述压敏电阻MOV2和所述压敏电阻MOV3串联跨接在零火线之间，所述气体放电管D1的一端电连接于所述压敏电阻MOV2和所述压敏电阻MOV3之间、另一端接地。

实施例中，优选：

所述驱动模块9内包括有用于驱动所述变压器模块3进行工作的受控开关电路91和用于调节所述受控开关电路91的开断速度的调节电路92，所述受控开关电路91的控制信号输出端电连接于所述变压器模块3的原边与接地端之间，所述调节电路92电连接于所述受控开关电路91的控制信号输入端与所述主控芯片模块1的信号输出端之间；

所述受控开关电路91内包括有用于驱动所述变压器模块3进行工作的NMOS管Q1，所述调节电路92内包括有电阻R13、串联连接的二极管D8和电阻R11、并联连接于所述二极管D8和所述电阻R11两端上的电阻R8，所述NMOS管Q1的栅极与所述电阻R11电连接，所述NMOS管Q1的漏极与所述变压器模块3的原边电连接，所述NMOS管Q1的原极通过电阻R15接地，所述电阻R13的一端电连接于所述NMOS管Q1的栅极与所述电阻R11之间、另一端通过电阻R12接地，所述二极管D8的阴极与所述主控芯片模块1的信号输出端电连接。

实施例中，优选：

所述光耦反馈模块10内包括有恒压电路101和用于在所述变压器模块3输出电源时导通以向所述主控芯片模块1进行信号反馈的光耦反馈电路102，所述光耦反馈电路102的信号输入端与所述恒压电路101电连接，所述光耦反馈电路102的信号输出端与所述主控芯片模块1的信号输入端电连接，所述恒压电路101的一端电连接于所述第二吸收模块7的信号输出端与所述第二EMI抑制模块8的信号输入端之间、另一端接地。

实施例中，优选：

所述恒压电路101内包括有串联连接的电阻R18和电阻R19、串联连接的电容C11和电阻C21、并联连接于所述电阻R18和所述电阻R19两端上的电阻R23、跨接在所述电阻R18和所述电阻R23之间的电容C12、电连接于所述电阻R18与接地端之间的稳压二极管D11；所述电容C11和所述电阻C21跨接在所述电阻R18和所述电阻R23之间。

所述光耦反馈电路102内包括有用于在所述变压器模块3输出电源时导通以向所述主控芯片模块1进行信号反馈的光电耦合器U1；所述光电耦合器U1的发光二极管U1B电连接于所述电阻R18两端上，所述光电耦合器U1的三极管U1A的集电极与所述主控芯片模块1的信号输入端电连接，所述光电耦合器U1的发射极接地，所述光电耦合器U1的集电极与发射极之间电连接有电容C1。

实施例中，优选：

所述主控芯片模块1内包括有型号为OB2362A的电源管理芯片U2，所述电源管理芯片U2的VCC端依次通过电阻R5和二极管D5与所述变压器模块3的副边电连接，所述电源管理芯片U2的PRT端通过电阻R4电连接与所述变压器模块3的副边电连接，所述电源管理芯片U2的FB端与所述光耦反馈模块10的信号输出端电连接，所述电源管理芯片U2的CS端通过电阻R7接地，所述电源管理芯片U2的GATE端与所述驱动模块9电连接。

实施例中，优选：

所述整流滤波模块2内包括有用于将输入的交流电转换为直流电的整流二极管D3，所述整流二极管D3的信号输入端与所述第一EMI抑制模块5的信号输出端电连接，所述整流二极管D3的信号输出端电连接有由电感L2、电容C4和电容C5组成的π型滤波器，所述π型滤波器的信号输出端依次通过电阻R10和电阻R9与所述主控芯片模块1电连接，所述π型滤波器的信号输出端还通过所述第一吸收模块6与所述变压器模块3原边电连接。

实施例中，优选：

所述第一吸收模块6内包括有电阻R14、电阻R16、电容C7和二极管D9，所述电阻R14、所述电阻R16和所述电容C7的并联电路一端连接在所述整流滤波模块2的信号输出端和所述变压器模块3原边之间、另一端通过所述二极管D9与所述驱动模块9电连接；

所述第二吸收模块7内包括有二极管D10、串联连接的电阻R17和电容C9，所述二极管D10的阳极与所述变压器模块3的副边电连接，所述二极管D10的阴极与所述第二EMI抑制模块8的信号输入端电连接，所述电阻R17和所述电容C9的一端电连接于所述二极管D10的阳极与所述变压器模块3的副边之间、另一端电连接于所述二极管D10的阴极与所述第二EMI抑制模块8的信号输入端之间。

实施例中，优选：

所述第一EMI抑制模块5内包括有跨接在零火线之间的电感L1、串联连接的电容CY1和电容CY2、并联连接于所述电容CY1和所述电容CY2两端上的电容CX1，所述电感L1的信号输入端与所述抗雷击浪涌模块4的信号输出端电连接，所述电感L1的信号输出端与所述整流滤波模块2的信号输入端电连接，所述电容CY1和所述电容CY2并联于所述电感L1的信号输出端上；

所述第二EMI抑制模块8内包括有跨接在零火线之间的电感L3，所述电感L3的信号输入端通过所述第二吸收模块7与所述变压器模块3副边电连接，所述电感L3的信号输出端与外接设备电连接。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、在市电接入零火线之后，当出现雷击浪涌时，零火线上的电压将会增大到一定程度，抗雷击浪涌模块的阻抗会急剧减小，电流急剧增大，大量的雷击浪涌能量被抗雷击浪涌模块消耗，以防止零火线上的电压迅速升高。进而实现避免电路因瞬间市电的波动对开关电源的影响，能够防止PWM控制器和MOS管因瞬间的正电压尖峰或负电压尖峰而被击穿，使得电路正常工作。

2、在市电经过抗雷击浪涌模块的处理之后，可输入至第一EMI抑制模块中，以对市电中的电磁进行有效抑制传导和辐射。

随后市电再经过整流滤波模块之后，其交流电可转换为电路所需的直流电，同时整流滤波模块可有效抑制电源中的传导干扰。

3、第一吸收模块则可以吸收该变压器模块所产生的尖峰电压，以防止PWM控制器和MOS管因瞬间的正电压尖峰或负电压尖峰而被击穿，减少对EMI的干扰。

附图说明

图1是本实用新型的一种隔离式开关电源电路的电路结构原理框图；

图2是本实用新型的一种隔离式开关电源电路的电路原理图。

具体实施方式

下面结合图示对本实用新型的技术方案进行详述。

请参见图1所示，本实施例的隔离式开关电源电路，包括主控芯片模块1、整流滤波模块2、变压器模块3、用于吸收输入电源中的雷击浪涌能量的抗雷击浪涌模块4、用于抑制输入电源中的电磁干扰的第一EMI抑制模块5、用于吸收变压器模块3原边所产生的尖峰电压的第一吸收模块6、用于吸收变压器模块3副边所产生的尖峰电压的第二吸收模块7、用于抑制变压器模块3输出电源中的电磁干扰的第二EMI抑制模块8、用于驱动变压器模块3进行工作的驱动模块9、用于在变压器模块3输出电源时导通以向主控芯片模块1进行信号反馈的光耦反馈模块10；

主控芯片模块1的信号输出端与驱动模块8的信号输入端电连接，抗雷击浪涌模块4的信号输出端与第一EMI抑制模块5的信号输入端电连接，第一EMI抑制模块5的信号输出端与整流滤波模块2的信号输入端电连接，整流滤波模块2的信号输出端与第一吸收模块6的信号输入端电连接，第二吸收模块7的信号输出端与第二EMI抑制模块8的信号输入端电连接，光耦反馈模块10的信号输入端电连接于第二吸收模块7的信号输出端与第二EMI抑制模块8的信号输入端之间，驱动模块9的信号输出端电连接于变压器模块3的原边与接地端之间。

在本实施例中，在市电接入零火线之后，当出现雷击浪涌时，零火线上的电压将会增大到一定程度，抗雷击浪涌模块4的阻抗会急剧减小，电流急剧增大，大量的雷击浪涌能量被抗雷击浪涌模块4消耗，以防止零火线上的电压迅速升高。进而实现避免电路因瞬间市电的波动对开关电源的影响，能够防止PWM控制器和MOS管因瞬间的正电压尖峰或负电压尖峰而被击穿，使得电路正常工作。

在本实施例中，在市电经过抗雷击浪涌模块4的处理之后，可输入至第一EMI抑制模块5中，以对市电中的电磁进行有效抑制传导和辐射。随后市电再经过整流滤波模块2之后，其交流电可转换为电路所需的直流电，同时整流滤波模块2可有效抑制电源中的传导干扰。

在本实施例中，由于电源在经过变压器模块3的原边时，变压器模块3极容易因漏感产生一个很高的尖峰电压而对电磁造成一定的干扰，而第一吸收模块6则可以吸收该变压器模块3所产生的尖峰电压，以防止PWM控制器和MOS管因瞬间的正电压尖峰或负电压尖峰而被击穿，减少对EMI的干扰。

在本实施例中，由于变压器模块3副边上的二极管D10在反向恢复时会产生一个尖峰电压进而会对电磁造成一定的干扰，而第二吸收模块7则可以吸收变压器模块3副边上的尖峰电压，减少对EMI的干扰。

在本实施例中，主控芯片模块1的电源输入端电连接在整流滤波模块2的电源输出端上，在电路上电至整流滤波模块2之后，主控芯片模块1即可上电启动，此时主控芯片模块1可控制驱动模块9导通以驱动变压器模块3进行工作。

在本实施例中，光耦反馈模块10可将变压器模块3副边输出的信号反馈至主控芯片模块1中，以使主控芯片模块1的信号输入端还可与变压器模块3的副边电连接，以根据变压器模块3输出的信号信息来控制驱动模块9的导通与否。同时，光耦反馈模块10可通过电到光再到电的转换过程来把前级和后级隔离开来，起到保护人体安全的作用。

请参看图2所示，在本实用新型的实施例中，优选：

抗雷击浪涌模块4内包括有用于抑制输入电源中的差模雷击浪涌干扰的抗差模雷击浪涌电路41、用于抑制输入电源中的共模雷击浪涌干扰的抗共模雷击浪涌干扰电路42，抗差模雷击浪涌电路41跨接在零火线之间，抗共模雷击浪涌干扰电路42电连接于抗差模雷击浪涌电路41与接地端之间。

请参看图2所示，在本实用新型的实施例中，优选：

抗差模雷击浪涌电路41内包括有用于抑制输入电源中的差模雷击浪涌干扰的压敏电阻MOV1、压敏电阻MOV2和压敏电阻MOV3，抗共模雷击浪涌干扰电路42内包括有用于抑制输入电源中的共模雷击浪涌干扰的气体放电管D1；

压敏电阻MOV1电连接跨接在零火线之间，压敏电阻MOV2和压敏电阻MOV3串联跨接在零火线之间，气体放电管D1的一端电连接于压敏电阻MOV2和压敏电阻MOV3之间、另一端接地。

在本实施例中，压敏电阻MOV1跨接在零火线之间，正常情况下，流过压敏电阻MOV1的漏电流极小，根据其伏安特性，当出现差模雷击浪涌时，零火线上的电压增大到一定程度，压敏电阻MOV1的阻抗会急剧减小，电流急剧增大，大量的雷击浪涌能量被压敏电阻MOV1消耗，防止零火线上的电压迅速升高；同理，压敏电阻MOV2和MOV3串联跨接在零火线之间，能吸收更高电压的差模雷击浪涌，而压敏电阻MOV2和MOV3串联点到地之间,跨接了一个气体放电管，可以吸收共模雷击浪涌。

请参看图2所示，在本实用新型的实施例中，优选：

驱动模块9内包括有用于驱动变压器模块3进行工作的受控开关电路91和用于调节受控开关电路91的开断速度的调节电路92，受控开关电路91的控制信号输出端电连接于变压器模块3的原边与接地端之间，调节电路92电连接于受控开关电路91的控制信号输入端与主控芯片模块1的信号输出端之间；

受控开关电路91内包括有用于驱动变压器模块3进行工作的NMOS管Q1，调节电路92内包括有电阻R13、串联连接的二极管D8和电阻R11、并联连接于二极管D8和电阻R11两端上的电阻R8，NMOS管Q1的栅极与电阻R11电连接，NMOS管Q1的漏极与变压器模块3的原边电连接，NMOS管Q1的原极通过电阻R15接地，电阻R13的一端电连接于NMOS管Q1的栅极与电阻R11之间、另一端通过电阻R12接地，二极管D8的阴极与主控芯片模块1的信号输出端电连接。

在本实施例中，电阻R8、电阻R11、电阻R13和二极管D8所组成的调节电路92可以调节NMOS管Q1的打开和关断的速度，实现减少开关管的电压变化率和开关管关断时的损耗，让开关管的电压变化率变得比较平缓，从而有效地抑制EMI干扰。本申请中电阻R8、电阻R11、电阻R13可起到限流的作用，二极管D8是在脉冲下降沿时起到对栅极放电的作用，使场效应管能快速截止，减小关断时间，同时减小关断时的损耗。

请参看图2所示，在本实用新型的实施例中，优选：

光耦反馈模块10内包括有恒压电路101和用于在变压器模块3输出电源时导通以向主控芯片模块1进行信号反馈的光耦反馈电路102，光耦反馈电路102的信号输入端与恒压电路101电连接，光耦反馈电路102的信号输出端与主控芯片模块1的信号输入端电连接，恒压电路101的一端电连接于第二吸收模块7的信号输出端与第二EMI抑制模块8的信号输入端之间、另一端接地。

请参看图2所示，在本实用新型的实施例中，优选：

恒压电路101内包括有串联连接的电阻R18和电阻R19、串联连接的电容C11和电阻C21、并联连接于电阻R18和电阻R19两端上的电阻R23、跨接在电阻R18和电阻R23之间的电容C12、电连接于电阻R18与接地端之间的稳压二极管D11；电容C11和电阻C21跨接在电阻R18和电阻R23之间。

光耦反馈电路102内包括有用于在变压器模块3输出电源时导通以向主控芯片模块1进行信号反馈的光电耦合器U1；光电耦合器U1的发光二极管U1B电连接于电阻R18两端上，光电耦合器U1的三极管U1A的集电极与主控芯片模块1的信号输入端电连接，光电耦合器U1的发射极接地，光电耦合器U1的集电极与发射极之间电连接有电容C1。

在本实施例中，恒压电路101可通过光电耦合器U1反馈到原边的主控芯片模块1，通过电到光再到电的转换过程来把前级和后级隔离开来，起到保护人体安全的作用。

请参看图2所示，在本实用新型的实施例中，优选：

主控芯片模块1内包括有型号为OB2362A的电源管理芯片U2，电源管理芯片U2的VCC端依次通过电阻R5和二极管D5与变压器模块3的副边电连接，电源管理芯片U2的PRT端通过电阻R4电连接与变压器模块3的副边电连接，电源管理芯片U2的FB端与光耦反馈模块10的信号输出端电连接，电源管理芯片U2的CS端通过电阻R7接地，电源管理芯片U2的GATE端与驱动模块9电连接。

请参看图2所示，在本实用新型的实施例中，优选：

整流滤波模块2内包括有用于将输入的交流电转换为直流电的整流二极管D3，整流二极管D3的信号输入端与第一EMI抑制模块5的信号输出端电连接，整流二极管D3的信号输出端电连接有由电感L2、电容C4和电容C5组成的π型滤波器，π型滤波器的信号输出端依次通过电阻R10和电阻R9与主控芯片模块1电连接，π型滤波器的信号输出端还通过第一吸收模块6与变压器模块3原边电连接。

在本实施例中，整流滤波模块2可通过CLC的方式有效抑制传导干扰。

请参看图2所示，在本实用新型的实施例中，优选：

第一吸收模块6内包括有电阻R14、电阻R16、电容C7和二极管D9，电阻R14、电阻R16和电容C7的并联电路一端连接在整流滤波模块2的信号输出端和变压器模块3原边之间、另一端通过二极管D9与驱动模块9电连接；

第二吸收模块7内包括有二极管D10、串联连接的电阻R17和电容C9，二极管D10的阳极与变压器模块3的副边电连接，二极管D10的阴极与第二EMI抑制模块8的信号输入端电连接，电阻R17和电容C9的一端电连接于二极管D10的阳极与变压器模块3的副边之间、另一端电连接于二极管D10的阴极与第二EMI抑制模块8的信号输入端之间。

在本实施例中，第一吸收模块6可通过电阻R14，电阻R16，电容C7，二极管D9组成的RCD吸收来吸收高频变压器因漏感产生一个很高的尖峰电压，以减少对EMI的干扰。

在本实施例中，第二吸收模块7可通过电阻R17和电容C9组成的RC电路来进行吸收输出整流二极管D10在反向恢复的时候产生的尖峰电压，以减少对EMI的干扰。

请参看图2所示，在本实用新型的实施例中，优选：

第一EMI抑制模块5内包括有跨接在零火线之间的电感L1、串联连接的电容CY1和电容CY2、并联连接于电容CY1和电容CY2两端上的电容CX1，电感L1的信号输入端与抗雷击浪涌模块4的信号输出端电连接，电感L1的信号输出端与整流滤波模块2的信号输入端电连接，电容CY1和电容CY2并联于电感L1的信号输出端上；

第二EMI抑制模块8内包括有跨接在零火线之间的电感L3，电感L3的信号输入端通过第二吸收模块7与变压器模块3副边电连接，电感L3的信号输出端与外接设备电连接。

在本实施例中，本申请由电感L1，电感L3，X电容，Y电容组成的EMI抑制模块，可以有效抑制传导和辐射。

以上仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种隔离式开关电源电路，其特征在于：包括主控芯片模块(1)、整流滤波模块(2)、变压器模块(3)、用于吸收输入电源中的雷击浪涌能量的抗雷击浪涌模块(4)、用于抑制所述输入电源中的电磁干扰的第一EMI抑制模块(5)、用于吸收所述变压器模块(3)原边所产生的尖峰电压的第一吸收模块(6)、用于吸收所述变压器模块(3)副边所产生的尖峰电压的第二吸收模块(7)、用于抑制所述变压器模块(3)输出电源中的电磁干扰的第二EMI抑制模块(8)、用于驱动所述变压器模块(3)进行工作的驱动模块(9)、用于在所述变压器模块(3)输出电源时导通以向所述主控芯片模块(1)进行信号反馈的光耦反馈模块(10)；

所述主控芯片模块(1)的信号输出端与所述驱动模块(9)的信号输入端电连接，所述抗雷击浪涌模块(4)的信号输出端与所述第一EMI抑制模块(5)的信号输入端电连接，所述第一EMI抑制模块(5)的信号输出端与所述整流滤波模块(2)的信号输入端电连接，所述整流滤波模块(2)的信号输出端与所述第一吸收模块(6)的信号输入端电连接，所述第二吸收模块(7)的信号输出端与所述第二EMI抑制模块(8)的信号输入端电连接，所述光耦反馈模块(10)的信号输入端电连接于所述第二吸收模块(7)的信号输出端与所述第二EMI抑制模块(8)的信号输入端之间，所述驱动模块(9)的信号输出端电连接于所述变压器模块(3)的原边与接地端之间。

2.根据权利要求1所述的隔离式开关电源电路，其特征在于：

所述抗雷击浪涌模块(4)内包括有用于抑制所述输入电源中的差模雷击浪涌干扰的抗差模雷击浪涌电路(41)、用于抑制所述输入电源中的共模雷击浪涌干扰的抗共模雷击浪涌干扰电路(42)，所述抗差模雷击浪涌电路(41)跨接在零火线之间，所述抗共模雷击浪涌干扰电路(42)电连接于所述抗差模雷击浪涌电路(41)与接地端之间。

3.根据权利要求2所述的隔离式开关电源电路，其特征在于：

所述抗差模雷击浪涌电路(41)内包括有用于抑制所述输入电源中的差模雷击浪涌干扰的压敏电阻MOV1、压敏电阻MOV2和压敏电阻MOV3，所述抗共模雷击浪涌干扰电路(42)内包括有用于抑制所述输入电源中的共模雷击浪涌干扰的气体放电管D1；

所述压敏电阻MOV1电连接跨接在零火线之间，所述压敏电阻MOV2和所述压敏电阻MOV3串联跨接在零火线之间，所述气体放电管D1的一端电连接于所述压敏电阻MOV2和所述压敏电阻MOV3之间、另一端接地。

4.根据权利要求1所述的隔离式开关电源电路，其特征在于：

所述驱动模块(9)内包括有用于驱动所述变压器模块(3)进行工作的受控开关电路(91)和用于调节所述受控开关电路(91)的开断速度的调节电路(92)，所述受控开关电路(91)的控制信号输出端电连接于所述变压器模块(3)的原边与接地端之间，所述调节电路(92)电连接于所述受控开关电路(91)的控制信号输入端与所述主控芯片模块(1)的信号输出端之间；

所述受控开关电路(91)内包括有用于驱动所述变压器模块(3)进行工作的NMOS管Q1，所述调节电路(92)内包括有电阻R13、串联连接的二极管D8和电阻R11、并联连接于所述二极管D8和所述电阻R11两端上的电阻R8，所述NMOS管Q1的栅极与所述电阻R11电连接，所述NMOS管Q1的漏极与所述变压器模块(3)的原边电连接，所述NMOS管Q1的原极通过电阻R15接地，所述电阻R13的一端电连接于所述NMOS管Q1的栅极与所述电阻R11之间、另一端通过电阻R12接地，所述二极管D8的阴极与所述主控芯片模块(1)的信号输出端电连接。

5.根据权利要求1所述的隔离式开关电源电路，其特征在于：

所述光耦反馈模块(10)内包括有恒压电路(101)和用于在所述变压器模块(3)输出电源时导通以向所述主控芯片模块(1)进行信号反馈的光耦反馈电路(102)，所述光耦反馈电路(102)的信号输入端与所述恒压电路(101)电连接，所述光耦反馈电路(102)的信号输出端与所述主控芯片模块(1)的信号输入端电连接，所述恒压电路(101)的一端电连接于所述第二吸收模块(7)的信号输出端与所述第二EMI抑制模块(8)的信号输入端之间、另一端接地。

6.根据权利要求5所述的隔离式开关电源电路，其特征在于：

所述恒压电路(101)内包括有串联连接的电阻R18和电阻R19、串联连接的电容C11和电阻C21、并联连接于所述电阻R18和所述电阻R19两端上的电阻R23、跨接在所述电阻R18和所述电阻R23之间的电容C12、电连接于所述电阻R18与接地端之间的稳压二极管D11；所述电容C11和所述电阻C21跨接在所述电阻R18和所述电阻R23之间；

所述光耦反馈电路(102)内包括有用于在所述变压器模块(3)输出电源时导通以向所述主控芯片模块(1)进行信号反馈的光电耦合器U1；所述光电耦合器U1的发光二极管U1B电连接于所述电阻R18两端上，所述光电耦合器U1的三极管U1A的集电极与所述主控芯片模块(1)的信号输入端电连接，所述光电耦合器U1的发射极接地，所述光电耦合器U1的集电极与发射极之间电连接有电容C1。

7.根据权利要求1～6任一项所述的隔离式开关电源电路，其特征在于：

所述主控芯片模块(1)内包括有型号为OB2362A的电源管理芯片U2，所述电源管理芯片U2的VCC端依次通过电阻R5和二极管D5与所述变压器模块(3)的副边电连接，所述电源管理芯片U2的PRT端通过电阻R4电连接与所述变压器模块(3)的副边电连接，所述电源管理芯片U2的FB端与所述光耦反馈模块(10)的信号输出端电连接，所述电源管理芯片U2的CS端通过电阻R7接地，所述电源管理芯片U2的GATE端与所述驱动模块(9)电连接。

8.根据权利要求1所述的隔离式开关电源电路，其特征在于：

所述整流滤波模块(2)内包括有用于将输入的交流电转换为直流电的整流二极管D3，所述整流二极管D3的信号输入端与所述第一EMI抑制模块(5)的信号输出端电连接，所述整流二极管D3的信号输出端电连接有由电感L2、电容C4和电容C5组成的π型滤波器，所述π型滤波器的信号输出端依次通过电阻R10和电阻R9与所述主控芯片模块(1)电连接，所述π型滤波器的信号输出端还通过所述第一吸收模块(6)与所述变压器模块(3)原边电连接。

9.根据权利要求1所述的隔离式开关电源电路，其特征在于：

所述第一吸收模块(6)内包括有电阻R14、电阻R16、电容C7和二极管D9，所述电阻R14、所述电阻R16和所述电容C7的并联电路一端连接在所述整流滤波模块(2)的信号输出端和所述变压器模块(3)原边之间、另一端通过所述二极管D9与所述驱动模块(9)电连接；

所述第二吸收模块(7)内包括有二极管D10、串联连接的电阻R17和电容C9，所述二极管D10的阳极与所述变压器模块(3)的副边电连接，所述二极管D10的阴极与所述第二EMI抑制模块(8)的信号输入端电连接，所述电阻R17和所述电容C9的一端电连接于所述二极管D10的阳极与所述变压器模块(3)的副边之间、另一端电连接于所述二极管D10的阴极与所述第二EMI抑制模块(8)的信号输入端之间。

10.根据权利要求1所述的隔离式开关电源电路，其特征在于：

所述第一EMI抑制模块(5)内包括有跨接在零火线之间的电感L1、串联连接的电容CY1和电容CY2、并联连接于所述电容CY1和所述电容CY2两端上的电容CX1，所述电感L1的信号输入端与所述抗雷击浪涌模块(4)的信号输出端电连接，所述电感L1的信号输出端与所述整流滤波模块(2)的信号输入端电连接，所述电容CY1和所述电容CY2并联于所述电感L1的信号输出端上；

所述第二EMI抑制模块(8)内包括有跨接在零火线之间的电感L3，所述电感L3的信号输入端通过所述第二吸收模块(7)与所述变压器模块(3)副边电连接，所述电感L3的信号输出端与外接设备电连接。