CN219677769U - 一种半导体蓝光激光器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提出了一种半导体蓝光激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层之间具有电子有效质量梯度、压电极化系数梯度和自发极化系数梯度。本实用新型能够抑制压电极化效应，减轻量子限制Stark效应，提升电激射增益和增益均匀性，同时，抑制有源层的In组分涨落，降低激光器增益谱变宽，提升峰值增益，以及通过控制压电极化和自发极化梯度，提升InGaN的In并入及InN和GaN的互溶隙，抑制InN相分离和热退化，提升量子阱的晶体质量和界面质量，降低激光光谱的非均匀展宽，降低非辐射复合，消除光学灾变，提升激光器的斜率效率和使用寿命。
Description
技术领域
本申请涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种半导体蓝光激光器。
背景技术
激光器广泛应用于激光显示、激光电视、激光投影仪、通讯、医疗、武器、制导、测距、光谱分析、切割、精密焊接、高密度光存储等领域。激光器的各类很多，分类方式也多样，主要有固体、气体、液体、半导体和染料等类型激光器；与其他类型激光器相比，全固态半导体激光器具有体积小、效率高、重量轻、稳定性好、寿命长、结构简单紧凑、小型化等优点。
激光器与氮化物半导体发光二极管存在较大的区别：
1)激光是由载流子发生受激辐射产生，光谱半高宽较小，亮度很高，单颗激光器输出功率可在W级，而氮化物半导体发光二极管则是自发辐射，单颗发光二极管的输出功率在mW级；
2)激光器的使用电流密度达KA/cm2，比氮化物发光二极管高2个数量级以上，从而引起更强的电子泄漏、更严重的俄歇复合、极化效应更强、电子空穴不匹配更严重，导致更严重的效率衰减Droop效应；
3)发光二极管自发跃迁辐射，无外界作用，从高能级跃迁到低能级的非相干光，而激光器为受激跃迁辐射，感应光子能量应等于电子跃迁的能级之差，产生光子与感应光子的全同相干光；
4)原理不同：发光二极管为在外界电压作用下，电子空穴跃迁到有源层或p-n结产生辐射复合发光，而激光器需要激射条件满足才可激射，必须满足有源区载流子反转分布，受激辐射光在谐振腔内来回振荡，在增益介质中的传播使光放大，满足阈值条件使增益大于损耗，并最终输出激光。
氮化物半导体激光器存在以下问题：
1)有源层晶格失配与应变大诱导产生强压电极化效应，产生较强的QCSE量子限制Stark效应，激光器价带带阶差增加，抑制空穴注入，空穴在量子阱中输运更困难，载流子注入不均匀，增益不均匀，限制了激光器电激射增益的提高；
2)量子阱In组分增加会产生In组分涨落和应变，激光器增益谱变宽，峰值增益下降；InN键能较低，高In组分InGaN在生长过程需较低温度保证In并入，但低温生长条件下，原子迁移率低、低温NH3裂解效率低以及InN和GaN互溶隙较大，导致有源层内部缺陷密度高、InN相分离偏析、热退化、组分波动、晶体质量不理想，导致量子阱质量和界面质量不理想，造成激光光谱非均匀展宽，增加非辐射复合中心或光学灾变。量子阱In组分增加，热稳定性变差，高温p型半导体和限制层生长会使有源层产生热退化和晶格失配，降低有源层的质量和界面质量，降低辐射效率和缩短激光器寿命。
实用新型内容
为解决上述技术问题之一，本实用新型提供了一种半导体蓝光激光器。
本实用新型实施例提供了一种半导体蓝光激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层之间具有电子有效质量梯度、压电极化系数梯度和自发极化系数梯度。
优选地，所述下限制层包括从下至上依次设置的第一子下限制层、第二子下限制层、第三子下限制层和第四子下限制层，所述第一子下限制层、第二子下限制层、第三子下限制层、第四子下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层之间具有电子有效质量梯度、压电极化系数梯度和自发极化系数梯度。
优选地，所述第一子下限制层、第二子下限制层、第三子下限制层、第四子下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层之间的电子有效质量梯度为：0.05≤c≤a2≤b≤d≤a4≤a1≤f≤e≤a3≤0.5，所述第一子下限制层的电子有效质量为a1，第二子下限制层的电子有效质量为a2，第三子下限制层的电子有效质量为a3，第四子下限制层的电子有效质量为a4，下波导层的电子有效质量为b，有源层的电子有效质量为c，上波导层的电子有效质量为d，电子阻挡层的电子有效质量为e，上限制层的电子有效质量为f。
优选地，所述第一子下限制层、第二子下限制层、第三子下限制层、第四子下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层之间的压电极化系数梯度为：0.5≤g4≤j≤h≤g2≤i≤g1≤l≤k≤g3≤1.5，所述第一子下限制层的压电极化系数为g1，第二子下限制层的压电极化系数为g2，第三子下限制层的压电极化系数为g3，第四子下限制层的压电极化系数为g4，下波导层的压电极化系数为h，有源层的压电极化系数为i，上波导层的压电极化系数为j，电子阻挡层的压电极化系数为k，上限制层的压电极化系数为l。
优选地，所述第一子下限制层、第二子下限制层、第三子下限制层、第四子下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层之间的自发极化系数梯度为：-0.1≤r3≤v≤w≤r1≤t≤r2≤s≤u≤r4≤-0.01，所述第一子下限制层的自发极化系数为r1，第二子下限制层的自发极化系数为r2，第三子下限制层的自发极化系数为r3，第四子下限制层的自发极化系数为r4，下波导层的自发极化系数为s，有源层的自发极化系数为t，上波导层的自发极化系数为u，电子阻挡层的自发极化系数为v，上限制层的自发极化系数为w。
优选地，所述有源层为阱层和垒层组成的量子阱，所述量子阱周期为m:1≤m≤3；所述有源层的阱层为GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、AlN、InN、AlInN、SiC、Ga2O3、BN、GaAs、GaP、InP、AlGaAs、AlInGaAs、AlGaInP、InGaAs、AlInAs、AlInP、AlGaP、InGaP的任意一种或任意组合，所述有源层的阱层厚度为p:10埃米≤p≤100埃米；所述有源层的垒层为GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、AlN、InN、AlInN、SiC、Ga2O3、BN、GaAs、GaP、InP、AlGaAs、AlInGaAs、AlGaInP、InGaAs、AlInAs、AlInP、AlGaP、InGaP的任意一种或任意组合，所述有源层的垒层的厚度为q:10埃米≤q≤200埃米。
优选地，所述下波导层和上波导层为GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、AlN、InN、AlInN、SiC、Ga2O3、BN、GaAs、GaP、InP、AlGaAs、AlInGaAs、AlGaInP、InGaAs、AlInAs、AlInP、AlGaP、InGaP的任意一种或任意组合，厚度为10埃米至9000埃米。
优选地，所述下限制层为GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、AlN、InN、AlInN、SiC、Ga2O3、BN、GaAs、GaP、InP、AlGaAs、AlInGaAs、AlGaInP、InGaAs、AlInAs、AlInP、AlGaP、InGaP的任意一种或任意组合，厚度为z:10埃米≤z≤90000埃米。
优选地，所述上限制层和电子阻挡层为GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、AlN、InN、AlInN、SiC、Ga2O3、BN、GaAs、GaP、InP、AlGaAs、AlInGaAs、AlGaInP、InGaAs、AlInAs、AlInP、AlGaP、InGaP的任意一种或任意组合，厚度为n:10埃米≤n≤80000埃米。
优选地，所述衬底包括蓝宝石、硅、Ge、SiC、AlN、GaN、GaAs、InP、蓝宝石/SiO2复合衬底、蓝宝石/AlN复合衬底、蓝宝石/SiNx、镁铝尖晶石MgAl2O4、MgO、ZnO、ZrB2、LiAlO2和LiGaO2复合衬底的任意一种。
本实用新型的有益效果如下：本实用新型通过设计下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层之间的电子有效质量梯度、压电极化系数梯度和自发极化系数梯度，从而抑制压电极化效应，减轻量子限制Stark效应，提升电激射增益和增益均匀性，同时，抑制有源层的In组分涨落，降低激光器增益谱变宽，提升峰值增益，以及通过控制压电极化和自发极化梯度，提升InGaN的In并入及InN和GaN的互溶隙，抑制InN相分离和热退化，提升量子阱的晶体质量和界面质量，降低激光光谱的非均匀展宽，降低非辐射复合，消除光学灾变，提升激光器的斜率效率和使用寿命。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1为本实用新型实施例所述的半导体蓝光激光器的结构示意图；
图2为本实用新型实施例所述的半导体蓝光激光器的另一种结构示意图；
图3为本实用新型实施例所述的半导体蓝光激光器的SIMS二次离子质谱图；
图4为本实用新型实施例所述的半导体蓝光激光器的局部结构SIMS二次离子质谱图；
图5为本实用新型实施例所述的半导体蓝光激光器的下限制层的TEM透射电镜图；
图6为本实用新型实施例所述的半导体蓝光激光器的下波导层的TEM透射电镜图；
图7为本实用新型实施例所述的半导体蓝光激光器的有源层的TEM透射电镜图；
图8为本实用新型实施例所述的半导体蓝光激光器的上波导层的TEM透射电镜图；
图9为本实用新型实施例所述的半导体蓝光激光器的电子阻挡层的TEM透射电镜图；
图10为本实用新型实施例所述的半导体蓝光激光器的上限制层的TEM透射电镜图。
附图标记：
100、衬底，101、下限制层，102、下波导层，103、有源层，104、上波导层，105、电子阻挡层，106、上限制层；
101a、第一子下限制层，101b、第二子下限制层，101c、第三子下限制层，101d、第四子下限制层。
具体实施方式
为了使本申请实施例中的技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图对本申请的示例性实施例进行进一步详细的说明，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是所有实施例的穷举。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
如图1所示，本实施例提出一种半导体蓝光激光器，包括从下至上依次设置的衬底100、下限制层101、下波导层102、有源层103、上波导层104、电子阻挡层105和上限制层106。
具体的，本实施例中，下限制层101、下波导层102、有源层103、上波导层104、电子阻挡层105和上限制层106均具有电子有效质量、压电极化和自发极化参数特性。并且，电子有效质量、压电极化和自发极化能够影响压电极化效应以及激光器的斜率效率等重要性能。
电子有效质量即为电子的有效质量，在描述半导体中电子在外力作用时，一方面受到外力的作用，一方面还和半导体内部原子、电子相互作用，使得求解力与速度的关系变得困难。引入有效质量可以概括半导体内部势场的作用，使得求解半导体在外力作用下的规律时，可以不涉及内部势场作用。
压电极化是指某些电介质在沿一定方向上受到外力的作用而变形时，其内部会产生极化现象，同时在它的两个相对表面上出现正负相反的电荷。当外力去掉后，它又会恢复到不带电的状态，这种现象称为正压电效应。当作用力的方向改变时，电荷的极性也随之改变。相反，当在电介质的极化方向上施加电场，这些电介质也会发生变形，电场去掉后，电介质的变形随之消失，这种现象称为逆压电效应。
自发极化是指并非由外电场引起，而是由晶体内部结构引起的极化状态。具体为在一定温度范围内、单位晶胞内正负电荷中心不重合，形成偶极矩，呈现极性。这种在无外电场作用下存在的极化现象称为自发极化。
本实施例基于电子有效质量、压电极化和自发极化的特点，对下限制层101、下波导层102、有源层103、上波导层104、电子阻挡层105和上限制层106之间的电子有效质量梯度、压电极化系数梯度和自发极化系数梯度进行设计，从而实现抑制压电极化效应、提升激光器的斜率效率等目的。
具体的，如图2至图10所示，本实施例中，下限制层101具体包括从下至上依次设置的第一子下限制层101a、第二子下限制层101b、第三子下限制层101c和第四子下限制层101d。第一子下限制层101a、第二子下限制层101b、第三子下限制层101c、第四子下限制层101d、下波导层102、有源层103、上波导层104、电子阻挡层105和上限制层106之间具有电子有效质量梯度、压电极化系数梯度和自发极化系数梯度，具体的电子有效质量梯度、压电极化系数梯度和自发极化系数梯度表示如下：
第一子下限制层101a、第二子下限制层101b、第三子下限制层101c、第四子下限制层101d、下波导层102、有源层103、上波导层104、电子阻挡层105和上限制层106之间的电子有效质量梯度为：0.05≤c≤a2≤b≤d≤a4≤a1≤f≤e≤a3≤0.5。其中，第一子下限制层101a的电子有效质量为a1，第二子下限制层101b的电子有效质量为a2，第三子下限制层101c的电子有效质量为a3，第四子下限制层101d的电子有效质量为a4，下波导层102的电子有效质量为b，有源层103的电子有效质量为c，上波导层104的电子有效质量为d，电子阻挡层105的电子有效质量为e，上限制层106的电子有效质量为f。
第一子下限制层101a、第二子下限制层101b、第三子下限制层101c、第四子下限制层101d、下波导层102、有源层103、上波导层104、电子阻挡层105和上限制层106之间的压电极化系数梯度为：0.5≤g4≤j≤h≤g2≤i≤g1≤l≤k≤g3≤1.5。其中，第一子下限制层101a的压电极化系数为g1，第二子下限制层101b的压电极化系数为g2，第三子下限制层101c的压电极化系数为g3，第四子下限制层101d的压电极化系数为g4，下波导层102的压电极化系数为h，有源层103的压电极化系数为i，上波导层104的压电极化系数为j，电子阻挡层105的压电极化系数为k，上限制层106的压电极化系数为l。
第一子下限制层101a、第二子下限制层101b、第三子下限制层101c、第四子下限制层101d、下波导层102、有源层103、上波导层104、电子阻挡层105和上限制层106之间的自发极化系数梯度为：-0.1≤r3≤v≤w≤r1≤t≤r2≤s≤u≤r4≤-0.01。其中，第一子下限制层101a的自发极化系数为r1，第二子下限制层101b的自发极化系数为r2，第三子下限制层101c的自发极化系数为r3，第四子下限制层101d的自发极化系数为r4，下波导层102的自发极化系数为s，有源层103的自发极化系数为t，上波导层104的自发极化系数为u，电子阻挡层105的自发极化系数为v，上限制层106的自发极化系数为w。
本实施例通过将下限制层101设计为四层子限制层结构，能够提升光场限制效应，抑制光场模式泄露，同时缓解晶格失配，改善裂纹、表面异常等问题。在此基础上，下限制层101结合下波导层102、有源层103、上波导层104、电子阻挡层105和上限制层106设计电子有效质量梯度、压电极化系数梯度和自发极化系数梯度，能够有效抑制压电极化效应，减轻量子限制Stark效应，提升电激射增益和增益均匀性，同时，抑制有源层103的In组分涨落，降低激光器增益谱变宽，提升峰值增益，以及通过控制压电极化和自发极化梯度，提升InGaN的In并入及InN和GaN的互溶隙，抑制InN相分离和热退化，提升量子阱的晶体质量和界面质量，降低激光光谱的非均匀展宽，降低非辐射复合，消除光学灾变，提升激光器的斜率效率和使用寿命。
如下表所示，本实施例通过设计下限制层101、下波导层102、有源层103、上波导层104、电子阻挡层105和上限制层106之间的电子有效质量梯度、压电极化系数梯度和自发极化系数梯度，使蓝光激光器的斜率效率从1.1W/A提升至2.09W/A，提升90％；光功率从3.5W提升至6.6W，提升约89％；1000H老化光衰减从35％提升至5％，提升约86％；外量子效率从31.5％提升至78.9％，提升约55％；阈值电流密度从2.4kA/cm2下降至0.69kA/cm2，降低约71％。
| 传统蓝光激光器 | 本实施例蓝光激光器 | 变化幅度 | |
| 斜率效率(W/A) | 1.1 | 2.09 | 90％ |
| 光功率(W) | 3.5 | 6.6 | 89％ |
| 1000H老化光衰 | 35％ | 5％ | -86％ |
| 外量子效率 | 31.50％ | 48.90％ | 55％ |
| 阈值电流密度(kA/cm2) | 2.4 | 0.69 | -71％ |
进一步的，本实施例中，有源层103为阱层和垒层组成的量子阱，量子阱周期为m:1≤m≤3。有源层103的阱层为GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、AlN、InN、AlInN、SiC、Ga2O3、BN、GaAs、GaP、InP、AlGaAs、AlInGaAs、AlGaInP、InGaAs、AlInAs、AlInP、AlGaP、InGaP的任意一种或任意组合。有源层103的阱层厚度为p:10埃米≤p≤100埃米。有源层103的垒层为GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、AlN、InN、AlInN、SiC、Ga2O3、BN、GaAs、GaP、InP、AlGaAs、AlInGaAs、AlGaInP、InGaAs、AlInAs、AlInP、AlGaP、InGaP的任意一种或任意组合。有源层103的垒层的厚度为q:10埃米≤q≤200埃米。
波导层和上波导层104为GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、AlN、InN、AlInN、SiC、Ga2O3、BN、GaAs、GaP、InP、AlGaAs、AlInGaAs、AlGaInP、InGaAs、AlInAs、AlInP、AlGaP、InGaP的任意一种或任意组合，厚度为10埃米至9000埃米。
下限制层101为GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、AlN、InN、AlInN、SiC、Ga2O3、BN、GaAs、GaP、InP、AlGaAs、AlInGaAs、AlGaInP、InGaAs、AlInAs、AlInP、AlGaP、InGaP的任意一种或任意组合，厚度为z:10埃米≤z≤90000埃米。
上限制层106和电子阻挡层105为GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、AlN、InN、AlInN、SiC、Ga2O3、BN、GaAs、GaP、InP、AlGaAs、AlInGaAs、AlGaInP、InGaAs、AlInAs、AlInP、AlGaP、InGaP的任意一种或任意组合，厚度为n:10埃米≤n≤80000埃米。
衬底100包括蓝宝石、硅、Ge、SiC、AlN、GaN、GaAs、InP、蓝宝石/SiO2复合衬底、蓝宝石/AlN复合衬底、蓝宝石/SiNx、镁铝尖晶石MgAl2O4、MgO、ZnO、ZrB2、LiAlO2和LiGaO2复合衬底的任意一种。
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种半导体蓝光激光器，其特征在于，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层之间具有电子有效质量梯度、压电极化系数梯度和自发极化系数梯度。
2.根据权利要求1所述的半导体蓝光激光器，其特征在于，所述下限制层包括从下至上依次设置的第一子下限制层、第二子下限制层、第三子下限制层和第四子下限制层，所述第一子下限制层、第二子下限制层、第三子下限制层、第四子下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层之间具有电子有效质量梯度、压电极化系数梯度和自发极化系数梯度。
3.根据权利要求2所述的半导体蓝光激光器，其特征在于，所述第一子下限制层、第二子下限制层、第三子下限制层、第四子下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层之间的电子有效质量梯度为：0.05≤c≤a2≤b≤d≤a4≤a1≤f≤e≤a3≤0.5，所述第一子下限制层的电子有效质量为a1，第二子下限制层的电子有效质量为a2，第三子下限制层的电子有效质量为a3，第四子下限制层的电子有效质量为a4，下波导层的电子有效质量为b，有源层的电子有效质量为c，上波导层的电子有效质量为d，电子阻挡层的电子有效质量为e，上限制层的电子有效质量为f。
4.根据权利要求2所述的半导体蓝光激光器，其特征在于，所述第一子下限制层、第二子下限制层、第三子下限制层、第四子下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层之间的压电极化系数梯度为：0.5≤g4≤j≤h≤g2≤i≤g1≤l≤k≤g3≤1.5，所述第一子下限制层的压电极化系数为g1，第二子下限制层的压电极化系数为g2，第三子下限制层的压电极化系数为g3，第四子下限制层的压电极化系数为g4，下波导层的压电极化系数为h，有源层的压电极化系数为i，上波导层的压电极化系数为j，电子阻挡层的压电极化系数为k，上限制层的压电极化系数为l。
5.根据权利要求2所述的半导体蓝光激光器，其特征在于，所述第一子下限制层、第二子下限制层、第三子下限制层、第四子下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层之间的自发极化系数梯度为：-0.1≤r3≤v≤w≤r1≤t≤r2≤s≤u≤r4≤-0.01，所述第一子下限制层的自发极化系数为r1，第二子下限制层的自发极化系数为r2，第三子下限制层的自发极化系数为r3，第四子下限制层的自发极化系数为r4，下波导层的自发极化系数为s，有源层的自发极化系数为t，上波导层的自发极化系数为u，电子阻挡层的自发极化系数为v，上限制层的自发极化系数为w。
6.根据权利要求1所述的半导体蓝光激光器，其特征在于，所述有源层为阱层和垒层组成的量子阱，所述量子阱周期为m:1≤m≤3；所述有源层的阱层为GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、AlN、InN、AlInN、SiC、Ga2O3、BN、GaAs、GaP、InP、AlGaAs、AlInGaAs、AlGaInP、InGaAs、AlInAs、AlInP、AlGaP、InGaP的任意一种或任意组合，所述有源层的阱层厚度为p:10埃米≤p≤100埃米；所述有源层的垒层为GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、AlN、InN、AlInN、SiC、Ga2O3、BN、GaAs、GaP、InP、AlGaAs、AlInGaAs、AlGaInP、InGaAs、AlInAs、AlInP、AlGaP、InGaP的任意一种或任意组合，所述有源层的垒层的厚度为q:10埃米≤q≤200埃米。
7.根据权利要求1所述的半导体蓝光激光器，其特征在于，所述下波导层和上波导层为GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、AlN、InN、AlInN、SiC、Ga2O3、BN、GaAs、GaP、InP、AlGaAs、AlInGaAs、AlGaInP、InGaAs、AlInAs、AlInP、AlGaP、InGaP的任意一种或任意组合，厚度为10埃米至9000埃米。
8.根据权利要求1所述的半导体蓝光激光器，其特征在于，所述下限制层为GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、AlN、InN、AlInN、SiC、Ga2O3、BN、GaAs、GaP、InP、AlGaAs、AlInGaAs、AlGaInP、InGaAs、AlInAs、AlInP、AlGaP、InGaP的任意一种或任意组合，厚度为z:10埃米≤z≤90000埃米。
9.根据权利要求1所述的半导体蓝光激光器，其特征在于，所述上限制层和电子阻挡层为GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、AlN、InN、AlInN、SiC、Ga2O3、BN、GaAs、GaP、InP、AlGaAs、AlInGaAs、AlGaInP、InGaAs、AlInAs、AlInP、AlGaP、InGaP的任意一种或任意组合，厚度为n:10埃米≤n≤80000埃米。
10.根据权利要求1所述的半导体蓝光激光器，其特征在于，所述衬底包括蓝宝石、硅、Ge、SiC、AlN、GaN、GaAs、InP、蓝宝石/SiO2复合衬底、蓝宝石/AlN复合衬底、蓝宝石/SiNx、镁铝尖晶石MgAl2O4、MgO、ZnO、ZrB2、LiAlO2和LiGaO2复合衬底的任意一种。
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|---|---|---|---|
| CN202320891286.1U CN219677769U (zh) | 2023-04-20 | 2023-04-20 | 一种半导体蓝光激光器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202320891286.1U CN219677769U (zh) | 2023-04-20 | 2023-04-20 | 一种半导体蓝光激光器 |
Publications (1)
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| CN219677769U true CN219677769U (zh) | 2023-09-12 |
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Family Applications (1)
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| CN202320891286.1U Active CN219677769U (zh) | 2023-04-20 | 2023-04-20 | 一种半导体蓝光激光器 |
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2023
- 2023-04-20 CN CN202320891286.1U patent/CN219677769U/zh active Active
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