CN219592112U - 宽范围直流偏磁抑制装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种宽范围直流偏磁抑制装置。本实用新型的目的是提供一种宽范围直流偏磁抑制装置。本实用新型的技术方案是：一种宽范围直流偏磁抑制装置，其特征在于，包括：隔离开关，其一端与变压器中性点连接，另一端与接地网连接；可控电阻单元，并联于所述隔离开关上，能调节接入电阻的大小；可控电容单元，并联于所述隔离开关上，能调节接入电容的大小。本实用新型适用于电力装置领域。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种宽范围直流偏磁抑制装置。适用于电力装置领域。
背景技术
当直流输电线路处于单极运行状态时，直流接地极附近50km以内的变压器会产生直流偏磁现象，造成主变压器铁芯进入饱和区、励磁电流波形发生剧烈畸变，产生大量的谐波分量、主变无功损耗变大，并影响继电保护装置正确动作。
目前，直流偏磁抑制装置有电容型和电阻型两种，适用于不同直流电流情况，直流较大时采用电容型，较小时采用电阻型。然而随着直流输电线路运行方式改变，固定的电阻或电容已无法满足需求，需要研究一种适应宽范围直流偏磁抑制装置。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是：针对上述存在的问题，提供一种宽范围直流偏磁抑制装置。
本实用新型所采用的技术方案是：一种宽范围直流偏磁抑制装置，其特征在于，包括：
隔离开关，其一端与变压器中性点连接，另一端与接地网连接；
可控电阻单元，并联于所述隔离开关上，能调节接入电阻的大小；
可控电容单元，并联于所述隔离开关上，能调节接入电容的大小。
所述可控电阻单元包括若干相互并联的电阻支路，电阻支路上具有串联的电阻和全控功率开关Ⅰ。
所述可控电容单元包括若干相互并联的电容支路，电容支路上具有串联的电容和全控功率开关Ⅱ。
所述隔离开关上还并联有过电压保护单元。
所述过电压保护单元由若干个过电压保护器并联而成。
所述全控功率开关Ⅰ采用GTO、IGBT或IGCT。
所述全控功率开关Ⅱ采用GTO、IGBT或IGCT。
本实用新型的有益效果是：1、电容、电阻支路接入数可根据直流偏磁情况调整，能够适用于宽范围直流偏磁抑制场合；2、工作电压等级低，因此全控功率开关、电容器均为低压产品，成本低，可靠性高。3、装置为低压产品，占地面积小，仅需一面标准低压柜即可布置的下。
附图说明
图1 是本实用新型实施例的结构示意图。
1、可控电阻单元；1.1、全控功率开关Ⅰ；1.2、电阻；2.1、全控功率开关Ⅱ；2.2、电容；3、过电压保护单元；4、隔离开关。
具体实施方式
如图1所示，本实施例一种宽范围直流偏磁抑制装置，包括隔离开关、可控电阻单元、可控电容单元、过电压保护单元、控制器和直流偏磁监测装置等，其中隔离开关的一端与变压器中性点连接，另一端与接地网连接；可控电阻单元、可控电容单元和过电压保护单元均并联于隔离开关上。
本例中可控电阻单元包括若干相互并联的电阻支路，电阻支路上具有串联的电阻和全控功率开关Ⅰ。可控电容单元包括若干相互并联的电容支路，电容支路上具有串联的电容和全控功率开关Ⅱ。过电压保护单元由若干个过电压保护器并联而成，持续工作电压为400V。
本实施例中全控功率开关Ⅰ采用GTO、IGBT或IGCT，全控功率开关Ⅱ采用GTO、IGBT或IGCT。
本例中控制器与直流偏磁监测装置和各个全控功率开关Ⅰ、Ⅱ电路连接，控制器根据直流偏磁监测装置采集的直流偏磁数据结合预设的控制规则（包含直流偏磁数据与全控功率开关Ⅰ、Ⅱ的通断对应关系），控制全控功率开关Ⅰ、Ⅱ通断，从而控制接入的电阻支路和电容支路数量。
本实施例中当直流偏磁小时，可仅投入少数电阻支路，随着直流偏磁增加，依次投入剩余电阻支路，然后依次投入电容支路。
上述实施例仅用于解释说明本实用新型的实用新型构思，而非对本实用新型权利保护的限定，凡利用此构思对本实用新型进行非实质性的改动，均应落入本实用新型的保护范围。
Claims (7)
1.一种宽范围直流偏磁抑制装置，其特征在于，包括：
隔离开关，其一端与变压器中性点连接，另一端与接地网连接；
可控电阻单元，并联于所述隔离开关上，能调节接入电阻的大小；
可控电容单元，并联于所述隔离开关上，能调节接入电容的大小。
2.根据权利要求1所述的宽范围直流偏磁抑制装置，其特征在于：所述可控电阻单元包括若干相互并联的电阻支路，电阻支路上具有串联的电阻和全控功率开关Ⅰ。
3.根据权利要求1所述的宽范围直流偏磁抑制装置，其特征在于：所述可控电容单元包括若干相互并联的电容支路，电容支路上具有串联的电容和全控功率开关Ⅱ。
4.根据权利要求1所述的宽范围直流偏磁抑制装置，其特征在于：所述隔离开关上还并联有过电压保护单元。
5.根据权利要求4所述的宽范围直流偏磁抑制装置，其特征在于：所述过电压保护单元由若干个过电压保护器并联而成。
6.根据权利要求2所述的宽范围直流偏磁抑制装置，其特征在于：所述全控功率开关Ⅰ采用GTO、IGBT或IGCT。
7.根据权利要求3所述的宽范围直流偏磁抑制装置，其特征在于：所述全控功率开关Ⅱ采用GTO、IGBT或IGCT。
Priority Applications (1)
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| CN202320342388.8U CN219592112U (zh) | 2023-02-28 | 2023-02-28 | 宽范围直流偏磁抑制装置 |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN219592112U true CN219592112U (zh) | 2023-08-25 |
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Family Applications (1)
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| CN202320342388.8U Active CN219592112U (zh) | 2023-02-28 | 2023-02-28 | 宽范围直流偏磁抑制装置 |
Country Status (1)
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2023
- 2023-02-28 CN CN202320342388.8U patent/CN219592112U/zh active Active
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