CN219514046U

CN219514046U - 低噪声放大器

Info

Publication number: CN219514046U
Application number: CN202223245227.1U
Authority: CN
Inventors: 宋楠; 李镁钰; 倪建兴
Original assignee: Radrock Shenzhen Technology Co Ltd
Current assignee: Radrock Shenzhen Technology Co Ltd
Priority date: 2022-12-05
Filing date: 2022-12-05
Publication date: 2023-08-11
Anticipated expiration: 2032-12-05

Abstract

本实用新型公开了一种低噪声放大器，前级放大单元包括多个前级放大晶体管，每一所述前级放大晶体管的输入端耦合至对应的一个射频输入端，每一所述前级放大晶体管的输出端相连；偏置单元包括偏置电流源和与所述前级放大晶体管数量一致的开关切换支路；所述偏置电流源被配置为输出偏置电流，每一所述开关切换支路的第一端耦合至所述偏置电流源的输出端，每一所述开关切换支路的第二端与对应的一个前级放大晶体管的输入端连接，所述开关切换支路被配置为可受控地产生偏置电压输出至对应连接的前级放大晶体管的输入端,以避免低噪声放大器中不同路径之间的前级放大晶体管的相互干扰，减少占用面积和损耗，进而优化低噪声放大器的整体性能。

Description

低噪声放大器

技术领域

本实用新型涉及射频技术领域，尤其涉及一种低噪声放大器。

背景技术

低噪声放大器(Low Noise Amplifier，简称LNA)一般用作各类无线电接收机的高频或中频的前置放大器，能够将接收路径上天线接收到的微弱信号进行放大。低噪声放大器为了能对来自天线的不同的射频信号进行放大，往往包括多条不同的放大路径，然而，由于低噪声放大器中不同的放大路径之间的隔离度不够，从而导致低噪声放大器中不同路径之间容易相互干扰，进而影响低噪声放大器的整体性能。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种低噪声放大器，以解决低噪声放大器中不同路径之间相互干扰而导致的性能退化的问题。

一种低噪声放大器，包括前级放大单元，包括多个前级放大晶体管，每一所述前级放大晶体管的输入端耦合至对应的一个射频输入端，每一所述前级放大晶体管的输出端相连；

偏置单元，所述偏置单元包括偏置电流源和与所述前级放大晶体管数量一致的开关切换支路；

所述偏置电流源被配置为输出偏置电流，每一所述开关切换支路的第一端耦合至所述偏置电流源的输出端，每一所述开关切换支路的第二端与对应的一个前级放大晶体管的输入端连接，所述开关切换支路被配置为可受控地产生偏置电压输出至对应连接的前级放大晶体管的输入端。

进一步地，每一所述开关切换支路包括隔离开关，当前级放大晶体管处于工作状态时，对应连接的所述开关切换支路中的隔离开关导通，所述开关切换支路输出所述偏置电压至所述前级放大晶体管的输入端，当前级放大晶体管处于非工作状态时，对应连接的所述开关切换支路中的隔离开关断开。

进一步地，每一所述开关切换支路还包括偏置晶体管，所述隔离开关的第一端与所述偏置电流源连接，所述隔离开关的第二端与所述偏置晶体管的第一端连接，所述偏置晶体管的第二端耦合至所述前级放大晶体管的输入端，所述偏置晶体管的第三端耦合至接地端，所述偏置晶体管被配置为将所述偏置电流转换成所述偏置电压。

进一步地，每一所述开关切换支路还包括隔离电阻，所述隔离电阻的第一端与所述偏置晶体管的第二端连接，所述隔离电阻的第二端与所述前级放大晶体管的输入端连接。

进一步地，所述偏置晶体管和所述前级放大晶体管的类型相同。

进一步地，所述前级放大晶体管的尺寸大于所述偏置晶体管的尺寸。

进一步地，所述偏置晶体管为MOS管，所述偏置晶体管的栅极与所述隔离电阻的第二端连接，所述偏置晶体管的源极与所述偏置电流源连接，所述偏置晶体管的栅极和源极相连接，所述偏置晶体管的漏极耦合至接地端；

或者，所述偏置晶体管为BJT管，所述偏置晶体管的基极与所述隔离电阻的第二端连接，所述偏置晶体管的集电极与所述偏置电流源连接，所述偏置晶体管的基极和集电极相连接，所述偏置晶体管的发射极耦合至接地端。

进一步地，所述前级放大晶体管为MOS管，所述前级放大晶体管的栅极为输入端，所述前级放大晶体管的源极为输出端，所述前级放大晶体管的漏极耦合至接地端；

或者，所述前级放大晶体管为BJT管，所述前级放大晶体管的基极为输入端，所述前级放大晶体管的集电极为输出端，所述前级放大晶体管的发射极耦合至接地端。

进一步地，所述低噪声放大器还包括后级放大单元，所述后级放大单元包括后级放大晶体管，所述后级放大晶体管为MOS管，所述后级放大晶体管的栅极为控制端；所述后级放大晶体管的漏极与每一所述前级放大晶体管的输出端相连，所述后级放大晶体管的源极被配置为输出射频放大信号。

所述低噪声放大器还包括分压单元，所述分压单元的第一端与所述偏置晶体管的第三端连接，所述分压单元的第二端接地。

一种射频前端模块，包括上述低噪声放大器。

上述低噪声放大器，包括前级放大单元，前级放大单元包括多个前级放大晶体管，每一所述前级放大晶体管的输入端耦合至对应的一个射频输入端，每一所述前级放大晶体管的输出端相连；偏置单元，所述偏置单元包括偏置电流源和与所述前级放大晶体管数量一致的开关切换支路；所述偏置电流源被配置为输出偏置电流，每一所述开关切换支路的第一端耦合至所述偏置电流源的输出端，每一所述开关切换支路的第二端与对应的一个前级放大晶体管的输入端连接，所述开关切换支路被配置为可受控地产生偏置电压输出至对应连接的前级放大晶体管的输入端；本申请通过在偏置单元内设置与前级放大晶体管数量一致的开关切换支路，从而实现将偏置电流源输出的偏置电流转换成偏置电压后输出至对应的前级放大晶体管中，从而不但能保证前级放大晶体管的正常工作，还能在采用较少隔离开关的前提下，避免低噪声放大器中不同路径之间的前级放大晶体管的相互干扰，且能减少占用面积和减小因隔离开关所带来的插损，进而优化低噪声放大器的整体性能。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对本实用新型实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型一实施例中低噪声放大器的一电路示意图；

图2是本实用新型一实施例中低噪声放大器的另一电路示意图；

图3是本实用新型一实施例中低噪声放大器的另一电路示意图；

图4是本实用新型一实施例中低噪声放大器的另一电路示意图。

图中，100、偏置电流源；10、第一前级放大晶体管；20、第二前级放大晶体管；30、第三前级放大晶体管；11、隔离开关切换支路；21、第二开关切换支路；31、第三开关切换支路；S11、第一隔离开关；S21、第二隔离开关；S31、第三隔离开关；M11、第一偏置晶体管；M21、第二偏置晶体管；M31、第三偏置晶体管；R11、第一隔离电阻；R21、第二隔离电阻；R31、第三隔离电阻；200、后级放大单元；40、分压单元。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

应当理解的是，本实用新型能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本实用新型的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，当元件或层被称为“在…上”、“与…相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在…上”、“与…直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本实用新型教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在…下面”和“在…下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本实用新型的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

为了彻底理解本实用新型，将在下列的描述中提出详细的结构及步骤，以便阐释本实用新型提出的技术方案。本实用新型的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本实用新型还可以具有其他实施方式。

一种低噪声放大器，如图1所示，包括前级放大单元，包括多个前级放大晶体管(如图1所示的第一前级放大晶体管10、第二前级放大晶体管20和第三前级放大晶体管30)。每一所述前级放大晶体管的输入端耦合至对应的一个射频输入端RFin，每一所述前级放大晶体管的输出端相连。

偏置单元，所述偏置单元包括偏置电流源100和与所述前级放大晶体管数量一致的开关切换支路(如图1所示的第一开关切换支路11、第二开关切换支路21和第三开关切换支路31)；所述偏置电流源100被配置为输出偏置电流I_bias，每一所述开关切换支路的第一端耦合至所述偏置电流源100的输出端，每一所述开关切换支路的第二端与对应的一个前级放大晶体管的输入端连接(如图1所示的第一开关切换支路11的第二端与对应的第一前级放大晶体管10的输入端连接)。所述开关切换支路被配置为可受控地产生偏置电压输出至对应连接的前级放大晶体管的输入端。

在一具体实施例中，低噪声放大器包括前级放大单元和后级放大单元。前级放大单元用于接收射频输入端的待放大射频信号，对该待放大射频信号进行前级放大，并输出放大处理后的射频放大信号至后级放大单元中，后级放大单元对射频放大信号进行再次放大处理，并输出射频输出信号。

其中，前级放大单元包括多个前级放大晶体管，不同前级放大晶体管可以接收不同频段的待放大射频信号。作为一示例，第一前级放大晶体管10用于接收第一频段的待放大射频信号，第二前级放大晶体管20用于接收第二频段的待放大射频信号，第三前级放大晶体管30用于接收第三频段的待放大射频信号。所述多个前级放大晶体管所接收的待放大射频信号的频段可以相同或者不同。例如：第一频段为n77频段，第二频段为n78频段，第三频段为n79频段。

可以理解地，每一前级放大晶体管对所接收的待放大射频信号可进行独立放大。在一具体实施例时，处于工作状态下的前级放大晶体管的数量小于等于所述前级放大单元所包括的所有前级放大晶体管的数量，在对待放大射频信号进行放大时，需要通过切换开关切换支路来选择与待放大射频信号对应的前级放大晶体管，即开关切换支路能根据待放大射频信号来启用前级放大单元内对应的前级放大晶体管，而前级放大单元内未被选择确定的前级放大晶体管一般处于关断状态。

在本实施例中，所述偏置单元包括偏置电流源100和与所述前级放大晶体管数量一致的开关切换支路，所述偏置电流源100被配置为输出偏置电流I_bias，每一所述开关切换支路的第一端耦合至所述偏置电流源100的输出端，每一所述开关切换支路的第二端与对应的一个前级放大晶体管的输入端连接，所述开关切换支路被配置为可受控地产生偏置电压输出至对应连接的前级放大晶体管的输入端。可以理解地，本实施例通过采用开关切换支路将偏置电流源100输出的偏置电流I_bias转换成偏置电压后输出至对应的前级放大晶体管的输入端，以保证对应连接的前级放大晶体管的正常工作。在一具体实施例中，每一所述开关切换支路的工作状态是可以切换的，所述开关切换支路的工作状态由控制信号产生电路控制，控制信号产生电路的具体形式可以根据需要进行选择确定，具体为本领域技术人员所确定。

作为一示例，当待放大射频信号从射频输入端RF_in1输入至第一前级放大晶体管10中进行放大处理时，控制信号产生电路控制第一开关切换支路11处于导通状态，其它开关切换支路均处于断开状态，此时，偏置电流源100输出的偏置电流I_bias通过第一开关切换支路11后转换成偏置电压输入至第一前级放大晶体管10的输入端，以保证第一前级放大晶体管10的正常工作。

本实施例中，低噪声放大器包括前级放大单元，前级放大单元包括多个前级放大晶体管，每一所述前级放大晶体管的输入端耦合至对应的一个射频输入端，每一所述前级放大晶体管的输出端相连；偏置单元，所述偏置单元包括偏置电流源和与所述前级放大晶体管数量一致的开关切换支路；所述偏置电流源被配置为输出偏置电流，每一所述开关切换支路的第一端耦合至所述偏置电流源的输出端，每一所述开关切换支路的第二端与对应的一个前级放大晶体管的输入端连接，所述开关切换支路被配置为可受控地产生偏置电压输出至对应连接的前级放大晶体管的输入端；本申请通对在偏置单元内设置与前级放大晶体管数量一致的开关切换支路，从而实现将偏置电流源输出的偏置电流转换成偏置电压后输出至对应的前级放大晶体管中，从而不但能保证前级放大晶体管的正常工作，还能在采用较少隔离开关的前提下，避免低噪声放大器中不同路径之间的前级放大晶体管的相互干扰，且能减少占用面积和减小因隔离开关所带来的插损，进而优化低噪声放大器的整体性能。

在一具体实施例中，参照下图2示，每一所述开关切换支路包括隔离开关(如图1所示的第一隔离开关S11、第二隔离开关S21和第三隔离开关S31)。当前级放大晶体管处于工作状态时，对应连接的所述开关切换支路中的隔离开关导通，所述开关切换支路基于所述偏置电流输出所述偏置电压至所述前级放大晶体管的输入端。当前级放大晶体管处于非工作状态时，对应连接的所述开关切换支路中的隔离开关断开。在本实施例中，每一所述开关切换支路包括隔离开关，即通过隔离开关的状态切换来达到导通或者断开对应的开关切换支路的目的。

作为一示例，当有待放大射频信号输入至所述第一前级放大晶体管10，第一前级放大晶体管10处于工作状态时，对应连接的所述第一开关切换支路11中的第一隔离开关S11导通，其它处于非工作状态下的前级放大晶体管对应连接的开关切换支路中的隔离开关断开，此时，所述偏置电流源100输出的偏置电流I_bias通过导通状态下的第一隔离开关S11并经过第一开关切换支路的电压-电流转换，最终输出偏置电压至对应连接的第一前级放大晶体管10的输入端，以保证所述第一前级放大晶体管10的正常工作，且由于其它非工作状态下的前级放大晶体管对应连接的开关切换支路中的隔离开关处于断开状态，因此，断开状态下的隔离开关能避免所述偏置电流源100输出的偏置电流I_bias输入至处于其它非工作状态下的前级放大晶体管中，以影响低噪声放大器的整体性能。

作为另一示例，当没有待放大射频信号输入至所述第一前级放大晶体管10，所述第一前级放大晶体管10处于非工作状态时，此时对应连接的所述第一开关切换支路11中的第一隔离开关S11断开，处于断开状态下的第一隔离开关S11可以起到隔离电流的作用，避免所述偏置电流源100输出的偏置电流I_bias输入至处于非工作状态下的第一前级放大晶体管10中，影响低噪声放大器的整体性能。

作为一示例，所述隔离开关为MOS管；所述隔离开关的栅极为控制端，被配置为接收控制信号，所述隔离开关的源极或漏极耦合至所述前级放大晶体管的输入端，所述隔离开关的漏极或源极接地，其中，控制信号为控制所述隔离开关处于导通或关断状态的信号。例如：当接收的控制信号为1时，所述隔离开关切换至导通状态，当接收的控制信号为0时，所述隔离开关切换至断开状态。

在一具体实施例中，参照下图2所示，每一所述开关切换支路还包括偏置晶体管(如图2所示的第一偏置晶体管M11、第二偏置晶体管M21和第三偏置晶体管M31)，所述隔离开关的第一端与所述偏置电流源100连接，所述隔离开关的第二端与所述偏置晶体管的第一端连接，所述偏置晶体管的第二端耦合至所述前级放大晶体管的输入端；所述偏置晶体管被配置为将所述偏置电流转换成所述偏置电压。

作为一示例，所述开关切换支路中的所述偏置晶体管用于将所述偏置电流源100输出的偏置电流转化成偏置电压输入至前级放大晶体管的输入端。可选地，所述偏置晶体管可以为二极管，也可以为集电结短路的双极型晶体管，还可以为源极短路的场效应晶体管等。当所述隔离开关处于导通状态时，所述偏置电流源100输出的偏置电流经过所述隔离开关输入至所述偏置晶体管中，所述偏置晶体管将所述偏置电流转换成偏置电压后输出至所述前级放大晶体管的输入端。

在本实施例中，每一所述开关切换支路还包括偏置晶体管，所述隔离开关S11的第一端与所述偏置电流源100连接，所述隔离开关S11的第二端与所述偏置晶体管M11的第一端连接，所述偏置晶体管的第二端耦合至所述前级放大晶体管的输入端；所述偏置晶体管被配置为将所述偏置电流转换成所述偏置电压。由于所述偏置电流源100输出的偏置电流需分别经过所述隔离开关和所述偏置晶体管后再输入至所述前级放大晶体管的输入端，因此当开关切换支路中的隔离开关处于导通状态，所述偏置电流源100输出的偏置电流经过所述隔离开关和所述偏置晶体管转换成偏置电压输入至对应的前级放大晶体管的输入端时，由于其它开关切换支路中的隔离开关和偏置晶体管均处于断开状态，因此可以更好地隔离所述偏置电流源100输出的偏置电流，避免所述偏置电流源100输出的偏置电流对未处于工作状态下的前级放大晶体管造成影响。相比于相关技术中，在所述前级放大晶体管的输入端分别接入隔离开关和到地开关以切换输入至所述前级放大晶体管的输入端的偏置电压，本实施例只采用一个隔离开关即可以避免低噪声放大器中不同前级放大晶体管之间相互干扰，而不需要再接入到地开关，从而达到减小占用面积和损耗的目的。

在一具体实施例中，参照下图2所示，每一所述开关切换支路还包括隔离电阻(如图2所示的第一隔离电阻R11、第二隔离电阻R21和第三隔离电阻R31)。所述隔离电阻的第一端与所述偏置晶体管的第二端连接，所述隔离电阻的第二端与所述前级放大晶体管的输入端连接。

作为一示例，由于所述前级放大晶体管的输入端分别与所述开关切换支路和射频输入端连接，因此，为了避免从射频输入端输入的射频交流信号回流至所述偏置单元中，影响偏置单元的正常工作。本实施例通过在所述偏置晶体管的第二端和所述前级放大晶体管的输入端之间接入隔离电阻，从而避免射频交流信号对偏置单元的影响，进而优化低噪放放大电路的整体性能。

在一具体实施例中，所述偏置晶体管和所述前级放大晶体管的类型相同。

作为一示例，所述偏置晶体管为MOS管，所述前级放大晶体管也为MOS管，所述偏置晶体管的第二端为栅极，所述前级放大晶体管的栅极为所述前级放大晶体管的输入端，即所述偏置晶体管的栅极与所述前级放大晶体管的栅极连接，此时所述偏置晶体管和所述前级放大晶体管相当于一个电流镜，从所述偏置晶体管的第一端输入的偏置电流会以一定的比例从所述前级放大晶体管的输出端输出。例如：若偏置晶体管的第一端输入的偏置电流为2毫安，则从所述前级放大晶体管的输出端输出的电流可以为1毫安的任意倍数。例如：2毫安、3毫安等。

作为另一示例，所述偏置晶体管为BJT管，所述前级放大晶体管也为BJT管，所述偏置晶体管的第二端为基极，所述前级放大晶体管的基极为所述前级放大晶体管的输入端，即所述偏置晶体管的基极与所述前级放大晶体管的基极连接，此时所述偏置晶体管和所述前级放大晶体管相当于一个电流镜，从所述偏置晶体管的第一端输入的偏置电流会以一定的比例从所述前级放大晶体管的输出端输出。例如：若偏置晶体管的第一端输入的偏置电流为2毫安，则从所述前级放大晶体管的输出端输出的电流可以为1毫安的任意倍数。例如：2毫安、3毫安等。

在一具体实施例中，所述前级放大晶体管的尺寸大于所述偏置晶体管的尺寸。

当所述前级放大晶体管的类型和所述偏置晶体管的类型一样时，所述偏置晶体管和所述前级放大晶体管相当于一个电流镜。此时前级放大晶体管的尺寸大小和偏置晶体管的尺寸大小可以影响所述前级放大晶体管输出端输出的电流大小。

作为一示例，当所述前级放大晶体管的尺寸大小和所述偏置晶体管的尺寸大小相同时，所述前级放大晶体管输出端输出的电流大小和输入至述偏置晶体管的第一端的偏置电流大小相同，即此时电流镜输出端输出的电流大小是电流镜输入端输入的电流大小的1倍。

作为另一示例，当所述前级放大晶体管的尺寸大于所述偏置晶体管的尺寸时，所述前级放大晶体管输出端输出的电流大于输入至述偏置晶体管的第一端的偏置电流。在一具体实施例中，可以结合实际需求设置所述前级放大晶体管的尺寸大小和所述偏置晶体管的尺寸大小。

在本实施例中，所述前级放大晶体管的尺寸大于所述偏置晶体管的尺寸。以使得当所述偏置电流源100输出较小的偏置电流时，即可以从所述前级放大晶体管的输出端输出较大的电流。

在一具体实施例中，所述偏置晶体管为MOS管，所述偏置晶体管的栅极与所述隔离电阻的第二端连接，所述偏置晶体管的源极与所述偏置电流源连接，所述偏置晶体管的栅极和源极相连接，所述偏置晶体管的漏极耦合至接地端。

在一具体实施例中，所述前级放大晶体管为MOS管，所述前级放大晶体管的栅极为所述输入端，所述前级放大晶体管的源极为所述前级放大晶体管的输出端，所述前级放大晶体管的漏极耦合至接地端。进一步地，所述前级放大晶体管的漏极通过电感耦合至接地端。

或者，所述前级放大晶体管为BJT管，所述前级放大晶体管的基极为所述输入端，所述前级放大晶体管的集电极为所述前级放大晶体管的输出端，所述前级放大晶体管的发射极耦合至接地端。进一步地，所述前级放大晶体管的发射极通过电感耦合至接地端。

在一具体实施例中，参照下图3所示，所述低噪声放大器还包括后级放大单元200，所述后级放大单元包括后级放大晶体管，所述后级放大晶体管为MOS管，所述后级放大晶体管的栅极为控制端；所述后级放大晶体管的漏极与每一所述前级放大晶体管的输出端相连，所述后级放大晶体管的源极被配置为输出射频放大信号。

其中，后级放大晶体管被配置为对经过前级放大单元放大后的射频信号进行进一步放大处理。后级放大晶体管的栅极为控制端，可选地，后级放大晶体管的栅极可以通过电容与接地端连接。后级放大晶体管的漏极与每一所述前级放大晶体管的输出节点相连，用于接收来自所述前级放大晶体管放大输出后的射频信号，后级放大晶体管对该射频信号进行进一步放大处理，经过后级放大晶体管的源极输出。

在一具体实施例中的，参照下图4所示，所述低噪声放大器还包括分压单元40，所述分压单元40的第一端与所述偏置晶体管的第三端连接，所述分压单元40的第二端接地。

其中，所述分压单元40被配置为对所述偏置晶体管输出的偏置电压的大小进行调整。可选地，所述分压单元可以包括固定电阻、可调电阻或者二极管等任意可以对所述偏置晶体管输出的偏置电压的大小进行调整的元器件。本实施通过在所述偏置晶体管的第三端与接地端之间接入分压单元，以便更灵活地调整所述偏置晶体管输出的偏置电压的大小，提高电路的灵活性和适用性。

本实施例还提供一种射频前端模组，其特征在于，包括上述实施例中的低噪声放大器。

以上所述实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims

1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括

前级放大单元，包括多个前级放大晶体管，每一所述前级放大晶体管的输入端耦合至对应的一个射频输入端，每一所述前级放大晶体管的输出端相连；

2.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，

每一所述开关切换支路包括隔离开关，当前级放大晶体管处于工作状态时，对应连接的所述开关切换支路中的隔离开关导通，所述开关切换支路输出所述偏置电压至所述前级放大晶体管的输入端，当前级放大晶体管处于非工作状态时，对应连接的所述开关切换支路中的隔离开关断开。

3.如权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，每一所述开关切换支路还包括偏置晶体管，所述隔离开关的第一端与所述偏置电流源连接，所述隔离开关的第二端与所述偏置晶体管的第一端连接，所述偏置晶体管的第二端耦合至所述前级放大晶体管的输入端，所述偏置晶体管的第三端耦合至接地端，所述偏置晶体管被配置为将所述偏置电流转换成所述偏置电压。

4.如权利要求3所述的低噪声放大器，其特征在于，每一所述开关切换支路还包括隔离电阻，所述隔离电阻的第一端与所述偏置晶体管的第二端连接，所述隔离电阻的第二端与所述前级放大晶体管的输入端连接。

5.如权利要求3所述的低噪声放大器，其特征在于，所述偏置晶体管和所述前级放大晶体管的类型相同。

6.如权利要求5所述的低噪声放大器，其特征在于，所述前级放大晶体管的尺寸大于所述偏置晶体管的尺寸。

7.如权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于，所述偏置晶体管为MOS管，所述偏置晶体管的栅极与所述隔离电阻的第二端连接，所述偏置晶体管的源极与所述偏置电流源连接，所述偏置晶体管的栅极和源极相连接，所述偏置晶体管的漏极耦合至接地端；

8.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述前级放大晶体管为MOS管，所述前级放大晶体管的栅极为输入端，所述前级放大晶体管的源极为输出端，所述前级放大晶体管的漏极耦合至接地端；

9.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括后级放大单元，所述后级放大单元包括后级放大晶体管，所述后级放大晶体管为MOS管，所述后级放大晶体管的栅极为控制端；所述后级放大晶体管的漏极与每一所述前级放大晶体管的输出端相连，所述后级放大晶体管的源极被配置为输出射频放大信号。

10.如权利要求3所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括分压单元，所述分压单元的第一端与所述偏置晶体管的第三端连接，所述分压单元的第二端接地。