CN219499586U - 调光电路 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种调光电路，涉及灯具技术领域，解决了目前的调光方式具有一定局限性的问题，包括发光二极管，模拟调光模块，与发光二极管耦接，用于对发光二极管进行模拟调光，模拟调光选择模块，与模拟调光模块耦接，用于生成模拟调光选择信号，模拟调光选择信号用于控制模拟调光模块启动，脉宽调制调光模块，与发光二极管耦接，用于对发光二极管进行脉宽调制调光，脉宽调制调光选择模块，与脉宽调制调光模块耦接，用于生成脉宽调制调光选择信号，脉宽调制调光选择信号用于控制脉宽调制调光模块启动，本申请能够结合模拟调光和PWM调光，达到满足调光细腻及高亮度无频闪的效果。

Description

调光电路

技术领域

本申请涉及灯具技术领域，具体涉及一种调光电路。

背景技术

模拟调光通过改变发光二极管(Light Emitting Diode，LED)电流来改变亮度，优点是电流连续，但是电流可调范围受限，可调档位少，对于亮度变化要求高的场合，该方法不理想。脉宽调制(Pulse Width Modulation，PWM)调光通过改变电流的导通时间来改变亮度，优点是调光范围大，调光细腻，但是由于此方式是基于人眼对亮度的频闪接收度特性，对于高频采样设备，会出现闪烁现象。两种方式各有优缺点，现有市场上更多的是PWM调光，具有一定局限性。

实用新型内容

本申请提供一种能够结合模拟调光和PWM调光，达到满足调光细腻及高亮度无频闪的调光电路。

一方面，本申请提供调光电路，包括：

发光二极管；

模拟调光模块，与所述发光二极管耦接，用于对所述发光二极管进行模拟调光；

脉宽调制调光模块，与所述发光二极管耦接，用于对所述发光二极管进行脉宽调制调光；

调光模式选择模块，与所述模拟调光模块和所述脉宽调制调光模块耦接，用于生成模拟调光选择信号或者脉宽调制调光选择信号，所述模拟调光选择信号用于控制所述模拟调光模块启动，所述脉宽调制调光选择信号用于控制所述脉宽调制调光模块启动。

在本申请一种可能的实现方式中，所述模拟调光模块包括：

电流采样单元，所述电流采样单元与所述发光二极管耦接，用于对流向所述发光二极管中的电流进行采样，并输出电流采样值；

第一控制单元，与所述电流采样单元耦接，用于将所述电流采样值和所述第一控制单元中预设的电流调节基础值进行比较，并根据比较结果，调节流向所述发光二极管的第一输出电流的电流值。

在本申请一种可能的实现方式中，所述脉宽调制调光模块包括：

第二控制单元，与发光二极管耦接，用于根据所述第二控制单元中预设的脉宽调制波形，调节流向所述发光二极管的第二输出电流的电流占空比。

在本申请一种可能的实现方式中，所述调光模式选择模块包括：

模拟调光选控单元，所述模拟调光选控单元与所述发光二极管和所述模拟调光模块耦接，所述模拟调光选控单元用于生成所述模拟调光选择信号，并根据所述模拟调光选择信号，控制所述发光二极管与所述模拟调光模块导通；

脉宽调制调光选控单元，所述脉宽调制调光选控单元与所述发光二极管和所述脉宽调制调光模块耦接，所述脉宽调制调光选控单元用于生成所述脉宽调制调光选择信号，并根据所述脉宽调制调光选择信号，控制所述发光二极管与所述脉宽调制调光模块导通；

其中，所述模拟调光选控单元启动时，所述脉宽调制调光选控单元不启动，或者，所述脉宽调制调光选控单元启动时，所述模拟调光选控单元不启动。

在本申请一种可能的实现方式中，所述模拟调光选控单元包括：

第一开关部，所述第一开关部耦接于所述发光二极管和所述模拟调光模块之间，用于控制所述发光二极管和所述模拟调光模块之间的通断；

第一选控信号生成部，与所述第一开关部耦接，用于生成所述模拟调光选择信号，并通过所述模拟调光选择信号控制所述第一开关部闭合或者断开。

在本申请一种可能的实现方式中，所述第一开关部包括第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开关管和第五开关管，其中，所述第一开关管和所述第二开关管均采用的是三极管，所述第三开关管、所述第四开关管和所述第五开关管均采用的是P沟道硅场效应晶体管；

所述第二开关管的基极通过第一电阻与所述第一选控信号生成部耦接，所述第二开关管的基极与发射极之间耦接有第二电阻，所述第二开关管的集电极通过第三电阻耦接于第一节点；

所述第三开关管的栅极通过第四电阻耦接于所述第一节点，所述第三开关管的栅极和源极之间通过第五电阻耦接，所述第三开关管的源极耦接于第六电阻与所述第一控制单元的耦接点处，所述第三开关管的漏极耦接于所述发光二极管的正极；

所述第一开关管的基极通过第七电阻与所述第一选控信号生成部耦接，所述第一开关管的基极与发射极之间耦接有第八电阻，所述第一开关管的集电极通过第九电阻耦接于第二节点；

所述第四开关管的栅极通过第十电阻耦接于所述第二节点，所述第四开关管的源极耦接于第四开关管的源极，所述第四开关管的漏极耦接于第二控制单元；

所述第五开关管的栅极通过第十一电阻耦接于所述第二节点，所述第五开关管的漏极耦接于所述发光二极管的负极。

在本申请一种可能的实现方式中，所述第一选控信号生成部包括第一切换引脚和第二切换引脚，所述第一切换引脚通过第一电阻与所述第二开关管的基极耦接，所述第二切换引脚通过第七电阻与所述第一开关管的基极耦接。

在本申请一种可能的实现方式中，所述脉宽调制调光选控单元包括：

第二开关部，所述第二开关部耦接于所述发光二极管和所述脉宽调制调光模块之间，用于控制所述发光二极管和所述脉宽调制调光模块之间的通断；

第二选控信号生成部，与所述第二开关部耦接，用于生成所述脉宽调制调光选择信号，并通过所述脉宽调制调光选择信号控制所述第二开关部闭合或者断开。

在本申请一种可能的实现方式中，所述第二开关部包括第六开关管、第七开关管、第八开关管、第九开关管，其中，所述第六开关管和所述第七开关管均采用的是三极管，所述第八开关管和所述第九开关管均采用的是P沟道硅场效应晶体管；

所述第六开关管的基极通过第十二电阻与所述第二选控信号生成部耦接，所述第六开关管的基极与发射极之间耦接有第十三电阻，所述第六开关管的集电极通过第十四电阻耦接于第三节点；

所述第八开关管的栅极通过第十五电阻耦接于所述第三节点，所述第八开关管的栅极和源极之间通过第十六电阻耦接，所述第八开关管的源极耦接于电源正极，所述第八开关管的漏极耦接于所述发光二极管的正极；

所述第七开关管的基极通过第十七电阻与所述第二选控信号生成部耦接，所述第七开关管的基极与发射极之间耦接有第十八电阻，所述第七开关管的集电极通过第十九电阻和第二十电阻耦接于第四节点；

所述第九开关管的栅极耦接于所述第四节点，所述第九开关管的源极耦接于所述发光二极管的负极，所述第九开关管的栅极和源极之间耦接有第二十一电阻，所述第九开关管的漏极耦接于所述第二控制单元。

在本申请一种可能的实现方式中，所述第二选控信号生成部包括第三切换引脚和第四切换引脚，其中，所述第三切换引脚通过第二十二电阻与所述第七开关管的基极耦接，所述第四切换引脚通过第十二电阻与所述第六开关管的基极耦接。

在本申请一种可能的实现方式中，所述调光模式选择模块还包括：

滤波单元，所述滤波单元与所述模拟调光模块和所述脉宽调制调光模块耦接，所述滤波单元用于在所述脉宽调制调光模块对所述发光二极管进行脉宽调制调光时，对流向所述发光二极管的所述第二输出电流进行滤波。

在本申请一种可能的实现方式中，所述滤波单元包括滤波电容，所述调光模式选择模块还包括：

隔离单元，所述隔离单元与所述模拟调光模块和所述脉宽调制调光模块耦接，所述隔离单元用于在对所述发光二极管从脉宽调制调光切换为模拟调光时，隔离所述调光电路中的电流向所述滤波电容充电。

本申请通过在具有脉宽调制调光模块的调光电路中，增加模拟调光模块，并通过调光模式选择模块实现脉宽调制调光模块和模拟调光模块的切换，从而实现在不同需求下模拟调光和脉宽调制调光的两种调光方式的切换，从而在进行高速摄影等需要使用高频采样设备的场景中，让高频采样时不会出现波条纹。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例中提供的调光电路的一个实施例结构示意图；

图2是本申请实施例中提供的调光电路的一个实施例结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本申请，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本申请。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本申请的描述变得晦涩。因此，本申请并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。

本申请实施例提供一种调光电路、调光控制装置及设备，以下分别进行详细说明。

如图1所示，为本申请实施例中调光电路的一个实施例结构示意图，该调光电路方法包括：

发光二极管100；

模拟调光模块200，与发光二极管100耦接，用于对发光二极管100进行模拟调光；

脉宽调制调光模块300，与发光二极管100耦接，用于对发光二极管100进行脉宽调制调光；

调光模式选择模块400，与模拟调光模块200和脉宽调制调光模块300耦接，用于生成模拟调光选择信号或者脉宽调制调光选择信号，模拟调光选择信号用于控制模拟调光模块200启动，脉宽调制调光选择信号用于控制脉宽调制调光模块300启动。

本申请通过在具有脉宽调制调光模块300的调光电路中，增加模拟调光模块200，并通过调光模式选择模块400实现脉宽调制调光模块300和模拟调光模块200的切换，从而实现在不同需求下模拟调光和脉宽调制调光的两种调光方式的切换，从而在进行高速摄影等需要使用高频采样设备的场景中，让高频采样时不会出现波条纹。

在本申请的一个实施例中，如图2所示，模拟调光模块200包括电流采样单元201和第一控制单元202，具体的：

电流采样单元201，电流采样单元201与发光二极管100耦接，用于对流向发光二极管100中的电流进行采样，并输出电流采样值。

在本实施例中，电流采样单元201包括相互并联的电阻R76和电阻R77，电阻R76的一端和电阻R77的一端均与电源正极LED+耦接，电阻R76的另一端和电阻R77的另一端均均与发光二极管100耦接。通过电阻R76和电阻R77对流向发光二极管100中的电流进行采样，并输出电流采样值。

第一控制单元202，与电流采样单元201耦接，用于将电流采样值和第一控制单元202中预设的电流调节基础值进行比较，并根据比较结果，调节流向发光二极管100的第一输出电流的电流值。

在本实施例中，第一控制单元202包括控制器U9，其中，控制器U9采用的是型号为LT3795的LED控制器，如图2所示，第一控制单元202的ISP和ISN分别耦接于电阻R76的两端，第一控制单元202的CTRL1和CTRL2与外部的控制单片机耦接。通过外部的控制单片机向第一控制单元202的CTRL1和CTRL2提供电流调节基础值，第一控制单元202在采集到电阻R76和电阻R77输出的电流采样值后，将电流采样值和电流调节基础值进行比较，根据比较结果，调节流向发光二极管100的第一输出电流的电流值，以调节发光二极管100的发光亮度。

在本申请的一个实施例中，脉宽调制调光模块300包括：

第二控制单元301，与发光二极管100耦接，用于根据第二控制单元301中预设的脉宽调制波形，调节流向发光二极管100的第二输出电流的电流占空比。

在本实施例中，第二控制单元301包括控制器U1，其中，控制器U1采用的是型号为DX12410的LED控制器，如图2所示，发光二极管100的正极连耦接于电源正极LED+，发光二极管100的负极耦接于第二控制单元301的LED-端，第二控制单元301的PWM调制端通过电阻R2与外部的控制单片机耦接。通过外部的控制单片机向第二控制单元301的PWM调制端提供脉宽调制波形，第二控制单元301根据脉宽调制波形，调节流向发光二极管100的第二输出电流的电流占空比，以调节发光二极管100的发光亮度。

在本申请的一个实施例中，调光模式选择模块400包括模拟调光选控单元401和脉宽调制调光选控单元402。具体的：

模拟调光选控单元401，模拟调光选控单元401与发光二极管100和模拟调光模块200耦接，模拟调光选控单元401用于生成模拟调光选择信号，并根据模拟调光选择信号，控制发光二极管100与模拟调光模块200导通。

在本实施例中，模拟调光选控单元401具体包括第一开关部4011和第一选控信号生成部4012，其中：

第一开关部4011，第一开关部4011耦接于发光二极管100和模拟调光模块200之间，用于控制发光二极管100和模拟调光模块200之间的通断。

在本实施例中，第一开关部4011包括第一开关管18、第二开关管Q26、第三开关管Q21、第四开关管Q15和第五开关管Q16，其中，第一开关管18和第二开关管Q26均采用的是三极管，第三开关管Q21、第四开关管Q15和第五开关管Q16均采用的是P沟道硅场效应晶体管(positive channel Metal Oxide Semiconductor，PMOS)，也根据实际需要，调整第一开关管18、第二开关管Q26、第三开关管Q21、第四开关管Q15和第五开关管Q16所采用的开关管类型，本实施例对此不做具体限定。

具体的，第二开关管Q26的基极通过第一电阻R128与第一选控信号生成部4012耦接，第二开关管Q26的基极与发射极之间耦接有第二电阻R129，第二开关管Q26的集电极通过第三电阻R127耦接于第一节点M1，第一控制单元202的TG通过电阻R126耦接于第一节点M1。

第三开关管Q21的栅极通过第四电阻R93耦接于第一节点M1，第三开关管Q21的栅极和源极之间通过第五电阻R91耦接，第三开关管Q21的源极耦接于第六电阻R76与第一控制单元202的ISN的耦接引脚处，第三开关管Q21的漏极耦接于发光二极管100的正极。

第一开关管18的基极通过第七电阻R55与第一选控信号生成部4012耦接，第一开关管18的基极与发射极之间耦接有第八电阻R56，第一开关管18的集电极通过第九电阻R52耦接于第二节点M2。

第四开关管Q15的栅极通过第十电阻R48耦接于第二节点M2，第四开关管Q15的源极耦接于第四开关管Q15的源极，第四开关管Q15的漏极耦接于第二控制单元301的LED-端。

第五开关管Q16的栅极通过第十一电阻R50耦接于第二节点M2，第五开关管Q16的漏极耦接于发光二极管100的负极。

第一选控信号生成部4012，与第一开关部4011耦接，用于生成模拟调光选择信号，并通过模拟调光选择信号控制第一开关部4011闭合或者断开。

在本实施例中，第一选控信号生成部4012包括与外部的控制单片机耦接的第一切换引脚SWITH1和第二切换引脚SWITH3，其中，第一切换引脚SWITH1通过第一电阻R128与第二开关管Q26的基极耦接，第二切换引脚SWITH3通过第七电阻R55与第一开关管18的基极耦接。

在本实施例中，在模拟调光时，通过外部的控制单片机将第一切换引脚SWITH1和第二切换引脚SWITH3的状态调节为高电平，该高电平即为生成的模拟调光选择信号，此时，第一开关管18和第二开关管Q26受模拟调光选择信号驱动导通而接地，第三开关管Q21、第四开关管Q15和第五开关管Q16导通，在此状态下，调节电路的电流路径依次为电源正极LED+、第六电阻R76和电阻R77、发光二极管100、第五开关管Q16、第四开关管Q15、第二控制单元301的LED-端。即模拟调光选控单元401启动，通过模拟调光选控单元401控制发光二极管100与模拟调光模块200导通，通过模拟调光模块200调节发光二极管100的发光亮度。

脉宽调制调光选控单元402，脉宽调制调光选控单元402与发光二极管100和脉宽调制调光模块300耦接，脉宽调制调光选控单元402用于生成脉宽调制调光选择信号，并根据脉宽调制调光选择信号，控制发光二极管100与脉宽调制调光模块300导通。

在本实施例中，脉宽调制调光选控单元402具体包括第二开关部4021和第二选控信号生成部4022，其中：

第二开关部4021，第二开关部4021耦接于发光二极管100和脉宽调制调光模块300之间，用于控制发光二极管100和脉宽调制调光模块300之间的通断。

在本实施例中，第二开关部4021包括第六开关管Q24、第七开关管Q17、第八开关管Q25、第九开关管Q1，其中，第六开关管Q24和第七开关管Q17均采用的是三极管，第八开关管Q25和第九开关管Q1均采用的是P沟道硅场效应晶体管，也根据实际需要，调整第六开关管Q24、第七开关管Q17、第八开关管Q25和第九开关管Q1所采用的开关管类型，本实施例对此不做具体限定。

具体的，第六开关管Q24的基极通过第十二电阻R124与第二选控信号生成部4022耦接，第六开关管Q24的基极与发射极之间耦接有第十三电阻R125，第六开关管Q24的集电极通过第十四电阻R98耦接于第三节点M3。

第八开关管Q25的栅极通过第十五电阻R123耦接于第三节点M3，第八开关管Q25的栅极和源极之间通过第十六电阻R100耦接，第八开关管Q25的源极耦接于电源正极LED+，第八开关管Q25的漏极耦接于发光二极管100的正极。

第七开关管Q17的基极通过第十七电阻R5与第二选控信号生成部4022耦接，第七开关管Q17的基极与发射极之间耦接有第十八电阻R6，第七开关管Q17的集电极通过第十九电阻R1和第二十电阻R4耦接于第四节点M4。

第九开关管Q1的栅极耦接于第四节点M4，第九开关管Q1的源极耦接于发光二极管100的负极，第九开关管Q1的栅极和源极之间耦接有第二十一电阻R3，第九开关管Q1的漏极耦接于第二控制单元301的LED-端。

第二选控信号生成部4022，与第二开关部4021耦接，用于生成脉宽调制调光选择信号，并通过脉宽调制调光选择信号控制第二开关部4021闭合或者断开。

在本实施例中，第二选控信号生成部4022包括与外部的控制单片机耦接的第三切换引脚SWITH和第四切换引脚SWITH4，其中，第三切换引脚SWITH通过第二十二电阻R15与第七开关管Q17的基极耦接，第四切换引脚SWITH4通过第十二电阻R124与第六开关管Q24的基极耦接。

在本实施例中，在脉宽调制调光时，通过外部的控制单片机将第三切换引脚SWITH和第四切换引脚SWITH4的状态调节为高电平，该高电平即为生成的脉宽调制调光选择信号，此时，第六开关管Q24和第七开关管Q17受脉宽调制调光选择信号驱动导通而接地，第八开关管Q25和第九开关管Q1导通，在此状态下，调节电路的电流路径依次为电源正极LED+、第八开关管Q25、发光二极管100、第九开关管Q1、第二控制单元301的LED-端。即脉宽调制调光选控单元402启动，通过脉宽调制调光选控单元402控制发光二极管100与脉宽调制调光模块300导通，通过脉宽调制调光模块300调节发光二极管100的发光亮度。

其中，模拟调光选控单元401启动时，脉宽调制调光选控单元402不启动，或者，脉宽调制调光选控单元402启动时，模拟调光选控单元401不启动。

在本实施例中，即在模拟调光时，外部的控制单片机将第一切换引脚SWITH1和第二切换引脚SWITH3的状态调节为高电平，并将第三切换引脚SWITH和第四切换引脚SWITH4的状态调节为低电平，此时，模拟调光选控单元401启动，脉宽调制调光选控单元402不启动；在脉宽调制调光时，外部的控制单片机控制第一切换引脚SWITH1和第二切换引脚SWITH3的状态调节为低电平，并将第三切换引脚SWITH和第四切换引脚SWITH4的状态调节为高电平，此时，脉宽调制调光选控单元402启动时，模拟调光选控单元401不启动；从而实现模拟调光和脉宽调制调光的两种调光模式的切换。

在本申请的一个实施例中，调光模式选择模块400还包括：

滤波单元403，滤波单元403与模拟调光模块200和脉宽调制调光模块300耦接，滤波单元403用于在脉宽调制调光模块300对发光二极管100进行脉宽调制调光时，对流向发光二极管100的第二输出电流进行滤波。

在本实施例中，滤波单元403包括滤波电容C1，滤波电容C1的正极与第九开关管Q1的漏极耦接，滤波电容C1的负极接地，在调光模式选择模块400中增加滤波电容C1，可在脉宽调制调光过程中，通过滤波电容C1进行滤波，减小因线长问题引起的寄生电感导致的电流畸变。

在本实施例中，调光模式选择模块400还包括：

隔离单元404，隔离单元404与模拟调光模块200和脉宽调制调光模块300耦接，隔离单元404用于在对发光二极管100从脉宽调制调光切换为模拟调光时，隔离调光电路中的电流向滤波电容充电。

在本实施例中，隔离单元404包括二极管D2，二极管D2的正极与第九开关管Q1的漏极耦接，二极管D2的负极与第二控制单元301的LED-端耦接，在将脉宽调制调光模式切换为模拟调光模式时，通过该二极管D2隔离第二控制单元301向滤波电容C1充电。

在本申请中，调光模式选择模块400还包括瞬态二极管D16和瞬态二极管D17，具体的：

瞬态二极管D16(Transient Voltage Suppressor，TVS)，瞬态二极管D16的一端和瞬态二极管D17的一端均与发光二极管100的正极耦接，瞬态二极管D16的另一端和瞬态二极管D17的另一端均接地。

瞬态二极管D16和瞬态二极管D17共同用于抑制输入至发光二极管100的浪涌电压，避免发光二极管100因浪涌电压的冲击而损坏。

在本申请的一个实施例中，本申请提供一种调光控制装置，装置包括调光电路，调光电路采用的是如上所述的一种调光电路。

在本申请的一个实施例中，本申请提供一种设备，设备包括如上所述的一种调光电路或者如上所述的调光控制装置。

以上对本申请实施例所提供的一种调光电路、调光控制装置及设备进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (12)

1.一种调光电路，其特征在于，包括：

发光二极管(100)；

模拟调光模块(200)，与所述发光二极管(100)耦接，用于对所述发光二极管(100)进行模拟调光；

脉宽调制调光模块(300)，与所述发光二极管(100)耦接，用于对所述发光二极管(100)进行脉宽调制调光；

调光模式选择模块(400)，与所述模拟调光模块(200)和所述脉宽调制调光模块(300)耦接，用于生成模拟调光选择信号或者脉宽调制调光选择信号，所述模拟调光选择信号用于控制所述模拟调光模块(200)启动，所述脉宽调制调光选择信号用于控制所述脉宽调制调光模块(300)启动。

2.如权利要求1所述的调光电路，其特征在于，所述模拟调光模块(200)包括：

电流采样单元(201)，所述电流采样单元(201)与所述发光二极管(100)耦接，用于对流向所述发光二极管(100)中的电流进行采样，并输出电流采样值；

第一控制单元(202)，与所述电流采样单元(201)耦接，用于将所述电流采样值和所述第一控制单元(202)中预设的电流调节基础值进行比较，并根据比较结果，调节流向所述发光二极管(100)的第一输出电流的电流值。

3.如权利要求2所述的调光电路，其特征在于，所述脉宽调制调光模块(300)包括：

第二控制单元(301)，与发光二极管(100)耦接，用于根据所述第二控制单元(301)中预设的脉宽调制波形，调节流向所述发光二极管(100)的第二输出电流的电流占空比。

4.如权利要求3所述的调光电路，其特征在于，所述调光模式选择模块(400)包括：

模拟调光选控单元(401)，所述模拟调光选控单元(401)与所述发光二极管(100)和所述模拟调光模块(200)耦接，所述模拟调光选控单元(401)用于生成所述模拟调光选择信号，并根据所述模拟调光选择信号，控制所述发光二极管(100)与所述模拟调光模块(200)导通；

脉宽调制调光选控单元(402)，所述脉宽调制调光选控单元(402)与所述发光二极管(100)和所述脉宽调制调光模块(300)耦接，所述脉宽调制调光选控单元(402)用于生成所述脉宽调制调光选择信号，并根据所述脉宽调制调光选择信号，控制所述发光二极管(100)与所述脉宽调制调光模块(300)导通；

其中，所述模拟调光选控单元(401)启动时，所述脉宽调制调光选控单元(402)不启动，或者，所述脉宽调制调光选控单元(402)启动时，所述模拟调光选控单元(401)不启动。

5.如权利要求4所述的调光电路，其特征在于，所述模拟调光选控单元(401)包括：

第一开关部(4011)，所述第一开关部(4011)耦接于所述发光二极管(100)和所述模拟调光模块(200)之间，用于控制所述发光二极管(100)和所述模拟调光模块(200)之间的通断；

第一选控信号生成部(4012)，与所述第一开关部(4011)耦接，用于生成所述模拟调光选择信号，并通过所述模拟调光选择信号控制所述第一开关部(4011)闭合或者断开。

6.如权利要求5所述的调光电路，其特征在于，所述第一开关部(4011)包括第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开关管和第五开关管，其中，所述第一开关管和所述第二开关管均采用的是三极管，所述第三开关管、所述第四开关管和所述第五开关管均采用的是P沟道硅场效应晶体管；

所述第二开关管的基极通过第一电阻与所述第一选控信号生成部(4012)耦接，所述第二开关管的基极与发射极之间耦接有第二电阻，所述第二开关管的集电极通过第三电阻耦接于第一节点；

所述第三开关管的栅极通过第四电阻耦接于所述第一节点，所述第三开关管的栅极和源极之间通过第五电阻耦接，所述第三开关管的源极耦接于第六电阻与所述第一控制单元(202)的耦接点处，所述第三开关管的漏极耦接于所述发光二极管(100)的正极；

所述第一开关管的基极通过第七电阻与所述第一选控信号生成部(4012)耦接，所述第一开关管的基极与发射极之间耦接有第八电阻，所述第一开关管的集电极通过第九电阻耦接于第二节点；

所述第四开关管的栅极通过第十电阻耦接于所述第二节点，所述第四开关管的源极耦接于第四开关管的源极，所述第四开关管的漏极耦接于第二控制单元(301)；

所述第五开关管的栅极通过第十一电阻耦接于所述第二节点，所述第五开关管的漏极耦接于所述发光二极管(100)的负极。

7.如权利要求6所述的调光电路，其特征在于，所述第一选控信号生成部(4012)包括第一切换引脚和第二切换引脚，所述第一切换引脚通过第一电阻与所述第二开关管的基极耦接，所述第二切换引脚通过第七电阻与所述第一开关管的基极耦接。

8.如权利要求4所述的调光电路，其特征在于，所述脉宽调制调光选控单元(402)包括：

第二开关部(4021)，所述第二开关部(4021)耦接于所述发光二极管(100)和所述脉宽调制调光模块(300)之间，用于控制所述发光二极管(100)和所述脉宽调制调光模块(300)之间的通断；

第二选控信号生成部(4022)，与所述第二开关部(4021)耦接，用于生成所述脉宽调制调光选择信号，并通过所述脉宽调制调光选择信号控制所述第二开关部(4021)闭合或者断开。

9.如权利要求8所述的调光电路，其特征在于，所述第二开关部(4021)包括第六开关管、第七开关管、第八开关管、第九开关管，其中，所述第六开关管和所述第七开关管均采用的是三极管，所述第八开关管和所述第九开关管均采用的是P沟道硅场效应晶体管；

所述第六开关管的基极通过第十二电阻与所述第二选控信号生成部(4022)耦接，所述第六开关管的基极与发射极之间耦接有第十三电阻，所述第六开关管的集电极通过第十四电阻耦接于第三节点；

所述第八开关管的栅极通过第十五电阻耦接于所述第三节点，所述第八开关管的栅极和源极之间通过第十六电阻耦接，所述第八开关管的源极耦接于电源正极，所述第八开关管的漏极耦接于所述发光二极管(100)的正极；

所述第七开关管的基极通过第十七电阻与所述第二选控信号生成部(4022)耦接，所述第七开关管的基极与发射极之间耦接有第十八电阻，所述第七开关管的集电极通过第十九电阻和第二十电阻耦接于第四节点；

所述第九开关管的栅极耦接于所述第四节点，所述第九开关管的源极耦接于所述发光二极管(100)的负极，所述第九开关管的栅极和源极之间耦接有第二十一电阻，所述第九开关管的漏极耦接于所述第二控制单元(301)。

10.如权利要求9所述的调光电路，其特征在于，所述第二选控信号生成部(4022)包括第三切换引脚和第四切换引脚，其中，所述第三切换引脚通过第二十二电阻与所述第七开关管的基极耦接，所述第四切换引脚通过第十二电阻与所述第六开关管的基极耦接。

11.如权利要求6所述的调光电路，其特征在于，所述调光模式选择模块(400)还包括：

滤波单元(403)，所述滤波单元(403)与所述模拟调光模块(200)和所述脉宽调制调光模块(300)耦接，所述滤波单元(403)用于在所述脉宽调制调光模块(300)对所述发光二极管(100)进行脉宽调制调光时，对流向所述发光二极管(100)的所述第二输出电流进行滤波。

12.如权利要求11所述的调光电路，其特征在于，所述滤波单元(403)包括滤波电容，所述调光模式选择模块(400)还包括：

隔离单元(404)，所述隔离单元(404)与所述模拟调光模块(200)和所述脉宽调制调光模块(300)耦接，所述隔离单元(404)用于在对所述发光二极管(100)从脉宽调制调光切换为模拟调光时，隔离所述调光电路中的电流向所述滤波电容充电。