CN219248033U - 一种能够优化高频频率响应的耳机腔体结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种能够优化高频频率响应的耳机腔体结构，具有耳机壳体及出音孔结构，耳机壳体内设置有动圈单元腔体及动铁单元腔体；出音孔结构内设置有动圈耦合腔及动铁耦合腔；动圈单元腔体与动圈耦合腔之间通过动圈声导管连接；动铁单元腔体与动铁耦合腔之间通过动铁声导管连接；于动圈单元腔体内设置有泄压通孔。本实用新型的动圈单元腔体及动铁单元腔体相互独立，基于亥姆霍兹共振原理，耳机壳体内形成共振腔结构，即可通过反相谐振削减高频声波能量，当声音在耳机腔体结构中传播时，会使声波减弱，结构振动会因此发生衰减，加上声阻尼与吸声材料对特定频段声波的吸收，进一步降低Q值，以达到减少高频谐振峰，改善耳机高频响应的目的。
Description
技术领域
本实用新型涉及入耳式耳机技术领域，更具体的说是涉及一种能够优化高频频率响应的耳机腔体结构。
背景技术
入耳式耳机由于受到腔体体积、结构等限制，对于单元安装数量、尺寸与位置有着严格的限制。传统的动圈、动铁单元安装方式，会导致单元在振动过程中会有大量反射及谐振，形成高频谐振峰，增加失真，降低清晰度。
为了在有限的空间内，消除此谐振峰带来的影响，因此我们提出了一种能够优化高频频率响应的耳机腔体结构。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型提供了一种能够优化高频频率响应的耳机腔体结构。
为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：一种能够优化高频频率响应的耳机腔体结构，具有耳机壳体及出音孔结构，所述耳机壳体内设置有动圈单元腔体及动铁单元腔体；所述出音孔结构内设置有动圈耦合腔及动铁耦合腔；所述动圈单元腔体与动圈耦合腔之间通过动圈声导管连接；所述动铁单元腔体与动铁耦合腔之间通过动铁声导管连接；所述耳机壳体内位于动圈单元腔体内设置有泄压通孔。
作为本实用新型优选的一种方案，所述的动圈耦合腔及动铁耦合腔为月牙形或圆柱形设置，且动圈耦合腔及动铁耦合腔为非对称结构。
作为本实用新型优选的一种方案，所述动圈声导管和动铁声导管为圆柱形。
作为本实用新型优选的一种方案，所述动圈耦合腔及动铁耦合腔分别作为动圈声导管、动铁声导管的延伸与外部连通。
作为本实用新型优选的一种方案，所述动圈声导管与动圈耦合腔之间、所述动铁声导管与动铁耦合腔之间、所述泄压通孔内至少一个设置有声阻尼。
作为本实用新型优选的一种方案，所述声阻尼由网布材质构成。
作为本实用新型优选的一种方案，所述动圈耦合腔和动圈声导管至少一个内部设置有吸声材料。
作为本实用新型优选的一种方案，所述的动圈单元腔体及动铁单元腔体于耳机壳体中内沉设置。
作为本实用新型优选的一种方案，所述动圈耦合腔和动圈声导管的轴线平行。
经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本实用新型具有以下有益技术效果：
本实用新型在耳机壳体内设置有动圈单元腔体及动铁单元腔体，出音孔结构内设置有动圈耦合腔及动铁耦合腔，动圈单元腔体及动铁单元腔体相互独立，基于亥姆霍兹共振原理，耳机壳体内形成共振腔结构，即可通过反相谐振削减高频声波能量，当声音在耳机腔体结构中传播时，会使声波减弱(或者说衰减)，但最重要的是，结构振动会因此发生衰减，加上声阻尼与吸声材料对特定频段声波的吸收，进一步降低Q值，以达到减少高频谐振峰，改善耳机高频响应的目的，
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本实用新型中耳机壳体的一个示意图；
图2为本实用新型中耳机壳体的一个剖面图；
图3为本实用新型中耳机壳体另一角度的剖面图。
附图标记说明：
| 耳机壳体100 | 动圈单元腔体110 | 动圈声导管111 | 动铁单元腔体120 |
| 动铁声导管121 | 泄压通孔130 | 声阻尼140 | |
| 出音孔结构200 | 动圈耦合腔210 | 动铁耦合腔220 | 吸声材料230 |
具体实施方式
现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。
本申请的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“径向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
一种能够优化高频频率响应的耳机腔体结构，请参阅图1-3所示，具有耳机壳体100及出音孔结构200，耳机壳体100内设置有动圈单元腔体110及动铁单元腔体120；出音孔结构200内设置有动圈耦合腔210及动铁耦合腔220；动圈单元腔体110与动圈耦合腔210之间通过动圈声导管111连接；动铁单元腔体120与动铁耦合腔220之间通过动铁声导管121连接；耳机壳体100内位于动圈单元腔体110内设置有泄压通孔130，泄压通孔130位于动圈单元腔体110前侧壁上，作用是平衡动圈声导管111内外气压，减少驻波残留与结构振动。
动圈单元腔体110及动铁单元腔体120于耳机壳体100中内沉设置；动圈单元腔体110及动铁单元腔体120相互独立，动圈耦合腔210与动圈声导管111以一体成型的方式连通；动铁单元腔体120与动铁声导管121以一体成型的方式连通。动圈耦合腔210和动圈声导管111的轴线平行。
所述动圈声导管111和动铁声导管121为圆柱形，动圈耦合腔210及动铁耦合腔220分别作为动圈声导管111、动铁声导管121的延伸与外部连通。所述动圈声导管111与动圈耦合腔210之间、所述动铁声导管121与动铁耦合腔220之间、所述泄压通孔130内至少一个设置有声阻尼140，并且声阻尼140由网布材质构成，作用是进一步降低谐振峰的Q值，达到相对平滑的高频段响应。
动圈耦合腔210及动铁耦合腔220为月牙形或圆柱形设置，且动圈耦合腔210及动铁耦合腔220为非对称结构，不对称设计，是为了利用亥姆霍兹共振(Helmholtzresonance)原理，对不同单元实现更加精准的反相谐振。
动圈耦合腔210和动圈声导管111至少一个内部设置有吸声材料230。
具体地，动圈耦合腔210内部设有吸声材料，动圈耦合腔210与动圈声导管111连接处设有声阻尼，共同组成亥姆霍兹声耦合腔体。
基于亥姆霍兹共振(Helmholtz resonance)原理，动圈声导管111和动铁声导管121的末端分别掏出不同形状与容积的低品质因数(Q值)的动圈耦合腔210及动铁耦合腔220，通过反相谐振抵消8Khz的高Q值谐振峰。当声音在耳机腔体结构中传播时，会使声波减弱(或者说衰减)，但最重要的是，结构振动会因此发生衰减，使得频率下降，得到更加平滑的高频频率响应。加上声阻尼与吸声材料对特定频段声波的吸收，进一步降低Q值，抑制高频谐振峰的产生。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (9)
1.一种能够优化高频频率响应的耳机腔体结构，具有耳机壳体(100)及出音孔结构(200)，其特征在于：
所述耳机壳体(100)内设置有动圈单元腔体(110)及动铁单元腔体(120)；
所述出音孔结构(200)内设置有动圈耦合腔(210)及动铁耦合腔(220)；
所述动圈单元腔体(110)与动圈耦合腔(210)之间通过动圈声导管(111)连接；
所述动铁单元腔体(120)与动铁耦合腔(220)之间通过动铁声导管(121)连接；
所述耳机壳体(100)内位于动圈单元腔体(110)内设置有泄压通孔(130)。
2.根据权利要求1所述的一种能够优化高频频率响应的耳机腔体结构，其特征在于：所述的动圈耦合腔(210)及动铁耦合腔(220)为月牙形或圆柱形设置，且动圈耦合腔(210)及动铁耦合腔(220)为非对称结构。
3.根据权利要求1所述的一种能够优化高频频率响应的耳机腔体结构，其特征在于：所述动圈声导管(111)和动铁声导管(121)为圆柱形。
4.根据权利要求1所述的一种能够优化高频频率响应的耳机腔体结构，其特征在于：所述动圈耦合腔(210)及动铁耦合腔(220)分别作为动圈声导管(111)、动铁声导管(121)的延伸与外部连通。
5.根据权利要求1所述的一种能够优化高频频率响应的耳机腔体结构，其特征在于：所述动圈声导管(111)与动圈耦合腔(210)之间、所述动铁声导管(121)与动铁耦合腔(220)之间、所述泄压通孔(130)内至少一个设置有声阻尼(140)。
6.根据权利要求5所述的一种能够优化高频频率响应的耳机腔体结构，其特征在于：所述声阻尼(140)由网布材质构成。
7.根据权利要求1所述的一种能够优化高频频率响应的耳机腔体结构，其特征在于：所述动圈耦合腔(210)和动圈声导管(111)至少一个内部设置有吸声材料(230)。
8.根据权利要求1所述的一种能够优化高频频率响应的耳机腔体结构，其特征在于：所述的动圈单元腔体(110)及动铁单元腔体(120)于耳机壳体(100)中内沉设置。
9.根据权利要求1所述的一种能够优化高频频率响应的耳机腔体结构，其特征在于：所述动圈耦合腔(210)和动圈声导管(111)的轴线平行。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202320302501.XU CN219248033U (zh) | 2023-02-24 | 2023-02-24 | 一种能够优化高频频率响应的耳机腔体结构 |
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| CN202320302501.XU CN219248033U (zh) | 2023-02-24 | 2023-02-24 | 一种能够优化高频频率响应的耳机腔体结构 |
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Country Status (1)
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| CN (1) | CN219248033U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117499836A (zh) * | 2024-01-03 | 2024-02-02 | 成都水月雨科技有限公司 | 一种多动圈组合式耳机及其信号处理方法 |
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2023
- 2023-02-24 CN CN202320302501.XU patent/CN219248033U/zh active Active
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| CN117499836A (zh) * | 2024-01-03 | 2024-02-02 | 成都水月雨科技有限公司 | 一种多动圈组合式耳机及其信号处理方法 |
| CN117499836B (zh) * | 2024-01-03 | 2024-03-15 | 成都水月雨科技有限公司 | 一种多动圈组合式耳机及其信号处理方法 |
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