CN219247814U - 一种体声波谐振器与体声波滤波器 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种体声波谐振器与体声波滤波器，该体声波谐振器包括：衬底、声反射结构、叠层结构以及钝化层，声反射结构设置于衬底的第一表面，或者，声反射结构贯穿衬底，或者，声反射结构设置于衬底的第一表面的凹槽中；叠层结构包括层叠设置的底电极、压电层以及顶电极，且底电极设置于声反射结构上；钝化层设置于顶电极上；其中，顶电极的一端部相对于钝化层的一端部以及压电层的一端部内缩，形成位于钝化层与压电层之间的第一空隙结构。通过上述方式，本申请能够提高体声波谐振器的品质因数。

Description

一种体声波谐振器与体声波滤波器

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种体声波谐振器与体声波滤波器。

背景技术

薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，FBAR)具有尺寸小、谐振频率高、品质因数高、功率容量大以及滚降效应好等特性，可应用于射频、生物、物理以及医学等领域。薄膜体声波谐振器的主要工作模式为厚度方向上的纵波模式(ThicknessExtensional Mode，TE)，然而在实际应用中除了期望的纵波模式之外，还可能产生横向的寄生模式，这些横向模式的声波会在谐振器的边界处损失掉，造成谐振器所需的纵波模式的能量减少，导致谐振器品质因数下降。虽然相关技术中有些方案可以抑制谐振器在边缘处横向模式的声波的泄露，但谐振器的品质因数仍然不高，无法满足一些应用需求。

实用新型内容

本申请提供一种体声波谐振器与体声波滤波器，能够提高体声波谐振器的品质因数。

为解决上述技术问题，本申请采用的技术方案是：提供一种体声波谐振器，该体声波谐振器包括：衬底、声反射结构、叠层结构以及钝化层，声反射结构设置于衬底的第一表面，或者，声反射结构贯穿衬底，或者，声反射结构设置于衬底的第一表面的凹槽中；叠层结构包括层叠设置的底电极、压电层以及顶电极，且底电极设置于声反射结构上；钝化层设置于顶电极上；其中，顶电极的一端部相对于钝化层的一端部以及压电层的一端部内缩，形成位于钝化层与压电层之间的第一空隙结构。

在一实施方式中，第一空隙结构与声反射结构在衬底上的正投影至少部分重叠。

在另一实施方式中，体声波谐振器设置有释放孔，释放孔用于释放第一空隙结构所在位置处的牺牲层以形成第一空隙结构，第一空隙结构在衬底上的正投影覆盖释放孔在衬底上的正投影。

在其他实施方式中，钝化层包括基础部与第一延长部，第一延长部与基础部连接，第一空隙结构设置于第一延长部与压电层之间。

在其他实施方式中，第一延长部包括第一子延长部，第一子延长部位于第一空隙结构的上方，第一子延长部相对于基础部倾斜设置，且第一子延长部的倾斜角的范围为20度至90度。

在其他实施方式中，第一延长部还包括第二子延长部，第二子延长部设置于第一子延长部远离基础部的一侧，第一子延长部与第二子延长部以及压电层形成的间隙构成第一空隙结构，第二子延长部与衬底的底面平行。

在其他实施方式中，顶电极的其他端部相对于钝化层的其他端部以及压电层的其他端部内缩，形成位于顶电极与压电层之间的第二空隙结构；钝化层还包括第二延长部，第二延长部设置在基础部远离第一延长部的一侧。

在其他实施方式中，顶电极的其他端部与压电层形成空气桥结构。

在其他实施方式中，压电层与顶电极靠近的表面设置有凹陷结构，凹陷结构与声反射结构在衬底上的正投影至少部分重叠。

在其他实施方式中，第一空隙结构的横截面的形状为四边形或五边形；声反射结构为空腔、布拉格反射层或贯穿衬底的开口。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一技术方案是：提供一种体声波滤波器，该体声波滤波器包括至少一个体声波谐振器，体声波谐振器包括：衬底、声反射结构、叠层结构以及钝化层，声反射结构设置于衬底的第一表面，或者，声反射结构贯穿衬底的第一表面与衬底的第二表面，或者，声反射结构设置于衬底的第一表面的凹槽中；叠层结构包括层叠设置的底电极、压电层以及顶电极，且底电极设置于声反射结构上；钝化层设置于顶电极上；其中，顶电极的一端部相对于钝化层的一端部以及压电层的一端部内缩，形成位于钝化层与压电层之间的第一空隙结构。

通过上述方案，本申请的有益效果是：本申请提供的体声波谐振器包括衬底、声反射结构、叠层结构以及钝化层，该叠层结构包括由下至上依次设置的底电极、压电层以及顶电极，且底电极设置于声反射结构上，钝化层设置于顶电极上，顶电极的一端部相对于钝化层的一端部以及压电层的一端部内缩，从而形成位于钝化层与压电层之间的第一空隙结构；由于第一空隙结构与钝化层以及顶电极的声阻抗不同，且第一空隙结构的声阻抗较小，使得泄漏的声波能被第一空隙结构反射至体声波谐振器的有源区，减少声能量损失，有助于提高体声波谐振器的品质因数，进而提升体声波滤波器的品质因数。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：

图1是本申请提供的体声波谐振器的第一实施例的结构示意图；

图2是本申请提供的体声波谐振器的第二实施例的结构示意图；

图3是本申请提供的体声波谐振器的第三实施例的结构示意图；

图4是本申请提供的体声波谐振器的第四实施例的结构示意图；

图5是本申请提供的体声波谐振器的第五实施例的结构示意图；

图6是本申请提供的体声波谐振器的第六实施例的结构示意图；

图7是本申请提供的体声波谐振器的第七实施例的结构示意图；

图8是本申请提供的体声波谐振器的第八实施例的结构示意图；

图9是本申请提供的体声波谐振器的第九实施例的结构示意图；

图10是本申请提供的体声波谐振器的第十实施例的结构示意图；

图11是本申请提供的体声波谐振器的顶电极的结构示意图；

图12-图19为本申请提供的体声波谐振器的制作方法对应的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本申请作进一步的详细描述。特别指出的是，以下实施例仅用于说明本申请，但不对本申请的范围进行限定。同样的，以下实施例仅为本申请的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

需要说明的是，本申请中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

请参阅图1，图1是本申请提供的体声波谐振器的第一实施例的结构示意图，该体声波谐振器可以为薄膜体声波谐振器，体声波谐振器包括衬底10、声反射结构20、叠层结构30以及钝化层40。

衬底10可由与半导体工艺兼容的材料制成，例如：硅、砷化镓、磷化铟、玻璃、蓝宝石或氧化铝等。

声反射结构20设置于衬底10的第一表面；或者，声反射结构20贯穿衬底10的第一表面与衬底10的第二表面；或者，声反射结构20设置于衬底10的第一表面的凹槽(图中未标识)中。具体地，声反射结构20可以为空腔、布拉格反射层或贯穿衬底10的开口，布拉格反射层可以设置在衬底10的第一表面，第一表面为上表面，设置有此种结构的谐振器为固态装配型(SMR，Solidly Mounted Resonators)薄膜体声波谐振器，布拉格反射层包括交替的低声阻抗层和高声阻抗层；空腔可以为设置于衬底10的上表面的凹槽，设置有此种结构的谐振器为空隙器型薄膜体声波谐振器；在衬底10设置有开口的体声波谐振器为硅反面刻蚀型薄膜体声波谐振器。

叠层结构30包括层叠设置的底电极31、压电层32以及顶电极33，且底电极31设置于声反射结构20上。具体地，底电极31和/或顶电极33可由一种或多种导电材料制成，例如：与半导体工艺兼容的各种金属，如：钨、钼、铱、铝、铂、钌、铌或铪；当底电极31与顶电极33由至少两种导电材料制成时，二者所采用的材料可以相同或不同。压电层32可由与半导体工艺兼容的任何压电材料形成，例如：氮化铝、氧化锌或锆酸钛酸铅；另外，压电层32可掺杂有至少一种稀土元素，例如：钪、钇、镧或铒，以增加压电层32的压电耦合系数，进而改善体声波谐振器的性能，比如：提升机电耦合系数，或者，降低压电层32的厚度，进而缩小体声波谐振器的整体体积。

钝化层40设置于顶电极33上，钝化层40的厚度可以根据具体应用需要进行调整，起到将叠层结构30的所有层与环境隔绝的作用即可，以便对叠层结构30进行保护，以免叠层结构30受水分、腐蚀物、污染物或碎屑等的影响。

在一具体的实施例中，顶电极33的一端部相对于钝化层40的一端部以及压电层32的一端部内缩，形成位于钝化层40与压电层32之间的第一空隙结构51，第一空隙结构51的横截面的形状可以为四边形或五边形，第一空隙结构51用于防止声波泄漏，比如：防止横向模式的声波的泄漏。可以理解地，第一空隙结构51的结构与形状可以根据具体应用需要进行设置，本实施例对此不做限定，只要在钝化层40与压电层32之间形成一个空隙即可。

进一步地，第一空隙结构51与声反射结构20在衬底10上的正投影至少部分重叠，压电层32在衬底10上的正投影覆盖声反射结构20在衬底10上的正投影。具体地，声反射结构20在衬底10上的正投影可以部分覆盖第一空隙结构51在衬底10上的正投影，或者，声反射结构20在衬底10上的正投影完全覆盖第一空隙结构51在衬底10上的正投影。

体声波谐振器还设置有释放孔(图中未示出)，释放孔用于释放第一空隙结构51所在位置处的牺牲层(图中未示出)，以形成第一空隙结构51，且第一空隙结构51在衬底10上的正投影覆盖释放孔在衬底10上的正投影。可以理解地，为了与衬底10的上表面的凹槽中的牺牲层相区分，将第一空隙结构51所在位置处的牺牲层记作第一牺牲层(图中未示出)。

由于第一空隙结构51与钝化层40以及顶电极33的声阻抗不同，且第一空隙结构51的声阻抗较小，使得泄漏的声波能被第一空隙结构51反射至有源区(即顶电极33、压电层32以及底电极31重叠的区域)，减少声能量损失，有助于提高体声波谐振器的品质因数。

在一实施方式中，如图1所示，钝化层40包括基础部41与第一延长部42，第一延长部42与基础部41连接，第一空隙结构51设置于第一延长部42与压电层32之间，基础部41与顶电极33共形设置，第一延长部42的形状可以根据具体应用需要进行设置，例如，如图1所示，第一延长部42的横截面的形状为矩形，且第一延长部42的下表面与衬底10平行。

可以理解地，顶电极33的与第一间隙结构51靠近的端部(记作第一端部)的边缘的形状可以根据具体应用需要进行设置；例如，如图1所示，顶电极33的第一端部的边缘可以与竖直方向(即体声波谐振器的厚度方向)平行；或者，如图2所示，顶电极33的第一端部的边缘与水平方向的夹角为锐角；或者，如图3所示，顶电极33的第一端部的边缘与水平方向的夹角为钝角。

在另一实施方式中，请参阅图1与图4，图4是本申请提供的体声波谐振器的第四实施例的结构示意图，本实施例与图1所示的实施例类似，对于相同的部分本实施例不再赘述。

第一延长部42包括第一子延长部421，第一子延长部421设置于第一空隙结构51上，第一子延长部421的倾斜角α的范围为20度至90度。优选地，第一子延长部421的倾斜角α的范围为20度至45度，第一延长部42的横截面的形状为四边形。

在又一实施方式中，请参阅图5，图5是本申请提供的体声波谐振器的第五实施例的结构示意图，本实施例与图1所示的实施例类似，对于相同的部分本实施例不再赘述。

第一延长部42包括第一子延长部421与第二子延长部422，第一子延长部421位于第一空隙结构51的上方，第一子延长部421相对于基础部41倾斜设置，第一子延长部421的倾斜角的范围可以为20度至90度；第二子延长部422设置于第一子延长部421远离基础部41的一侧；第一空隙结构51包括第一子延长部421、第二子延长部422、顶电极33以及压电层32形成的间隙，第二子延长部422与衬底10的底面平行。

在另一具体的实施例中，请参阅图6，图6是本申请提供的体声波谐振器的第六实施例的结构示意图，本实施例与图1所示的实施例类似，对于相同的部分本实施例不再赘述。

顶电极33的另一端部相对于钝化层40的另一端部以及压电层32的另一端部内缩，形成位于顶电极33与压电层32之间的第二空隙结构52，第二空隙结构52的形状与大小可以根据具体应用需要进行设置，本实施例对此不做限定。

进一步地，钝化层40包括基础部41、第一延长部42以及第二延长部43，第二延长部43设置在基础部41远离第一延长部42的一侧，即第二延长部43与第一延长部42分别设置在第一延长部42的相对两侧。具体地，如图6所示，第二延长部43设置在顶电极33的第二端部(即与第一间隙结构51远离的端部)的上方，第一延长部42设置在顶电极33的第一端部的上方，基础部41、第二延长部43以及第一延长部42的厚度相同，基础部41、第一延长部42、第二延长部43均与顶电极33平行。

由于第二空隙结构52与压电层32以及顶电极33的声阻抗不同，且第二空隙结构52的声阻抗较小，使得泄漏的声波能被第二空隙结构52反射至有源区，减少声能量损失；本实施例通过设置第一空隙结构51与第二空隙结构52，进一步提升了体声波谐振器的品质因数。

在又一具体的实施例中，请参阅图7，图7是本申请提供的体声波谐振器的第七实施例的结构示意图，本实施例与图1所示的实施例类似，对于相同的部分本实施例不再赘述，区别在于：在本实施例中顶电极33的另一端部与压电层32形成空气桥结构53，空气桥结构53与声反射结构20在衬底10上的正投影至少部分重叠，空气桥结构53用于阻止声波泄漏至非有源区(即除了有源区以外的区域)；通过设置第一空隙结构51与空气桥结构53，进一步提升了谐振器的品质因数。

在其他实施方式中，请参阅图8，图8是本申请提供的体声波谐振器的第八实施例的结构示意图，本实施例与图5所示的实施例类似，对于相同的部分本实施例不再赘述，区别在于：在本实施例中顶电极33的另一端部与压电层32形成空气桥结构53，空气桥结构53用于阻止声波泄漏至非有源区；通过设置第一空隙结构51与空气桥结构53，进一步提升了谐振器的品质因数。

在其他具体的实施例中，请参阅图9，图9是本申请提供的体声波谐振器的第九实施例的结构示意图，本实施例与图1所示的实施例类似，对于相同的部分本实施例不再赘述，区别在于：在本实施例中压电层32与顶电极33靠近的表面设置有凹陷结构60，凹陷结构60可以设置在与第一空隙结构51靠近的压电层的一端部，凹陷结构60与声反射结构20在衬底10上的正投影至少部分重叠。

进一步地，如图9所示，凹陷结构60与第一空隙结构51在衬底10上的正投影至少部分重叠。或者，如图10所示，凹陷结构60与第一空隙结构51在衬底10上的正投影不重叠。

可以理解地，凹陷结构60还可以应用于图1至图8所示的实施例中；凹陷结构60的大小与形状可以根据具体的应用需要进行设置，比如：凹陷结构60的横截面的形状可以为四边形，如：梯形或图9-图10所示的矩形。

指的说明的是，间隙结构的数量并不仅限于上述实施例中的一个(基第一间隙结构51)或两个(即第一间隙结构51与第二间隙结构52)，还可以为2个以上，可以根据具体应用需要进行设置，本实施例在此不对所有可能的情况进行一一举例。而且，上述实施例中的第一间隙结构51或第二间隙结构52可以设置在靠近顶电极33的任意一条边的位置，但第一间隙结构51与第二间隙结构52无法同时靠近同一条边；例如，如图6与图11所示，图6为沿着图11中的剖面线A-B解剖得到的体声波谐振器的结构示意图，第一间隙结构51靠近顶电极33的边C设置，第二间隙结构52靠近顶电极33的边D设置。

在一实施方式中，以图1所示的结构为例来说明本实施例所提供的体声波谐振器的制作工艺，请参阅图12至图19，图12-图19为本申请提供的体声波谐振器的制作方法对应的结构示意图，下面进行具体说明。

步骤S101：提供一衬底层。

如图12与图13所示，对衬底层(图中未标识)进行蚀刻，形成衬底10以及位于衬底10的上表面的凹槽11；然后，在衬底10的上表面沉积第二牺牲层12，直至凹槽11中的第二牺牲层12的上表面高于衬底10的上表面；然后对第二牺牲层12进行平坦化操作，直至第二牺牲层12的上表面与衬底10的上表面齐平。

进一步地，衬底10的材料包括但不限于硅、锗或锗硅等半导体材料，凡是适用于空气隙型薄膜体声波谐振器的衬底10的材料均适用于本申请，为了简明起见，在此不再对衬底10的所有可能的材料进行一一列举；此外，衬底10的尺寸可以根据实际需求相应进行设计。

步骤S102：在衬底上形成叠层结构。

如图14所示，叠层结构30从下至上至少包括底电极31、压电层32以及顶电极33，底电极31和顶电极33的材料可以为钼，压电层32的材料可以为氮化铝。本领域技术人员可以理解的是，压电层32和电极(包括底电极31与顶电极33)的材料并不仅限于上述的氮化铝和钼，凡是适用于形成压电层32和电极的材料均适用于本实施例，为了简明起见，在此不再对压电层32和电极所有可能的材料进行一一列举；此外，底电极31、压电层32和顶电极33的厚度可以根据实际设计需求来确定，在此不做任何限定。

步骤S103：形成第一牺牲层与钝化层。

如图15所示，可以先对顶电极33进行图形化处理，以去除压电层32的右端部上的顶电极33的一部分；然后，在压电层32的右端部上形成第一牺牲层70，第一牺牲层70的厚度可以与顶电极33的厚度相同，第一牺牲层70用于承载钝化层40；然后，在顶电极33与第一牺牲层70上形成钝化层40。

可以理解地，第一牺牲层70的厚度与形状并不仅限于图15所示，可以根据具体应用需要进行设置，本实施例在此不再一一举例；例如，如图16所示，第一牺牲层70的最大厚度还可以大于顶电极33的最大厚度，第一牺牲层70设置在压电层32上，第一牺牲层70的上表面与钝化层40的上表面齐平。

步骤S104：执行释放工艺，形成释放孔。

如图17所示，可以采用腐蚀溶液对步骤S103形成的结构进行刻蚀，形成暴露第二牺牲层12与第一牺牲层70的释放孔80，即第二牺牲层12与第一牺牲层70共用同一释放孔80；经过释放工艺，得到图18所示的体声波谐振器，最后对图18所示的结构进行清洗和干燥。可以理解地，释放孔80的形成过程可以参考相关技术，为了简明起见，在此不再对释放孔80的形成进行赘述。此外，释放孔80的数量可以为一个或一个以上，释放孔80的具体数量可以根据具体应用需要进行设置，本实施例对此不做限定，例如，以第二牺牲层12的形状为五边形为例，为了提升释放第二牺牲层12的速度，可以在第二牺牲层12的每个顶点的附近设置一个释放孔80。

在其他实施方式中，第二牺牲层12与第一牺牲层70还可通过不同的释放孔进行释放，比如，如图19所示，将第二牺牲层12对应的释放孔记作第一释放孔81，将第一牺牲层70对应的释放孔记作第二释放孔82，第一释放孔81与第二释放孔82不重合。

本申请还提供了一种体声波滤波器，该体声波滤波器包括至少一个体声波谐振器，体声波谐振器包括：衬底、声反射结构、叠层结构以及钝化层，声反射结构设置于衬底的第一表面，或者，声反射结构贯穿衬底的第一表面与衬底的第二表面，或者，声反射结构设置于衬底的第一表面的凹槽中；叠层结构包括层叠设置的底电极、压电层以及顶电极，且底电极设置于声反射结构上；钝化层设置于顶电极上；其中，顶电极的一端部相对于钝化层的一端部以及压电层的一端部内缩，形成位于钝化层与压电层之间的第一空隙结构。

本申请提供了一种新的体声波滤波器，在该体声波滤波器中，顶电极的一端部相对于钝化层的一端部以及压电层的一端部内缩，形成位于钝化层与压电层之间的空隙结构；由于第一空隙结构与钝化层以及顶电极的声阻抗不同，且第一空隙结构的声阻抗较小，使得泄漏的声波能被第一空隙结构反射至有源区，减少声能量损失，有助于提高谐振器的品质因数，进而提升体声波滤波器的品质因数；而且，还可在顶电极的另一端部与压电层的另一端部之间设置空气桥结构，以进一步提升体声波滤波器的品质因数，实现改善体声波滤波器的性能，拓宽体声波滤波器的应用范围。

以上仅为本申请的实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种体声波谐振器，其特征在于，包括：

衬底；

声反射结构，所述声反射结构设置于所述衬底的第一表面，或者，所述声反射结构贯穿所述衬底，或者，所述声反射结构设置于所述衬底的第一表面的凹槽中；

叠层结构，所述叠层结构包括层叠设置的底电极、压电层以及顶电极，且所述底电极设置于所述声反射结构上；

钝化层，所述钝化层设置于所述顶电极上；

其中，所述顶电极的一端部相对于所述钝化层的一端部以及所述压电层的一端部内缩，形成位于所述钝化层与所述压电层之间的第一空隙结构。

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，

所述第一空隙结构与所述声反射结构在所述衬底上的正投影至少部分重叠。

3.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其特征在于，

所述体声波谐振器设置有释放孔，所述释放孔用于释放所述第一空隙结构所在位置处的牺牲层以形成所述第一空隙结构，所述第一空隙结构在所述衬底上的正投影覆盖所述释放孔在所述衬底上的正投影。

4.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，

所述钝化层包括基础部与第一延长部，所述第一延长部与所述基础部连接，所述第一空隙结构设置于所述第一延长部与所述压电层之间。

5.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其特征在于，

所述第一延长部包括第一子延长部，所述第一子延长部位于所述第一空隙结构的上方，所述第一子延长部相对于所述基础部倾斜设置，且倾斜角的范围为20度至90度。

6.根据权利要求5所述的体声波谐振器，其特征在于，

所述第一延长部还包括第二子延长部，所述第二子延长部设置于所述第一子延长部远离所述基础部的一侧，所述第二子延长部与所述衬底的底面平行。

7.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其特征在于，

所述顶电极的另一端部相对于所述钝化层的另一端部以及所述压电层的另一端部内缩，形成位于所述顶电极与所述压电层之间的第二空隙结构；所述钝化层还包括第二延长部，所述第二延长部设置在所述基础部远离所述第一延长部的一侧。

8.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，

所述顶电极的另一端部与所述压电层形成空气桥结构。

9.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，

所述压电层与所述顶电极靠近的表面设置有凹陷结构，所述凹陷结构与所述声反射结构在所述衬底上的正投影至少部分重叠。

10.一种体声波滤波器，其特征在于，包括至少一个体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：

衬底；

声反射结构，所述声反射结构设置于所述衬底的第一表面，或者，所述声反射结构贯穿所述衬底，或者，所述声反射结构设置于所述衬底的第一表面的凹槽中；

叠层结构，所述叠层结构包括层叠设置的底电极、压电层以及顶电极，且所述底电极设置于所述声反射结构上；

钝化层，所述钝化层设置于所述顶电极上；

其中，所述顶电极的一端部相对于所述钝化层的一端部以及所述压电层的一端部内缩，形成位于所述钝化层与所述压电层之间的第一空隙结构。

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