CN219107295U - 一种降低电源待机功耗的电路 - Google Patents

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CN219107295U CN202222774738.6U CN202222774738U CN219107295U CN 219107295 U CN219107295 U CN 219107295U CN 202222774738 U CN202222774738 U CN 202222774738U CN 219107295 U CN219107295 U CN 219107295U
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Abstract

本实用新型公开了一种降低电源待机功耗的电路,包括:包括:电源模块、EMC模块、整流模块、检测电路模块、PFC控制模块和LLC控制模块;所述电源模块与所述EMC电性连接;所述EMC模块与所述整流模块电性连接;所述整流模块与所述检测电路模块电性连接;所述检测电路模块与所述PFC控制模块和LLC控制模块电性连接;所述检测电路模块包括场效晶体管;待机状态时,所述检测电路模块通过场效晶体管实现与所述PFC控制模块和所述LLC控制模块同步关闭,以降低待机状态下所述检测电路模块的功耗。本实用新型通过场效晶体管实现电源处于待机状态时,关闭不需要使用的检测电路来达到降低电源待机功耗的效果,提高电源待机状态的整机效率。

Description

一种降低电源待机功耗的电路
技术领域
本实用新型涉及电源能耗控制技术,尤其涉及一种降低电源待机功耗的电路。
背景技术
目前,电子行业中大功率电源由于功率大,危险系数高,需要设置的相关检测和保护电路会相对较多,线路比较复杂,造成电源待机时会出现比较大的功率损耗,根据现在的能源标准,很难达到相关的于要求。
行业内传统的常规做法是使用更好材质的材料来制造相关的电子元件,以降低待机功耗。但一般电路中待机时的功率本来就不大,从材料材质方面着手解决问题,效果并不明显,反而会因为材料导致成本急剧上升,不利于实际生产中使用。为此,设计一种能达到相关的能源标准、成本低且可降低电源待机功耗的电路成为本领域技术人员需要解决的技术问题。
实用新型内容
为了克服现有技术的不足,本实用新型提供一种降低电源待机功耗的电路,通过场效晶体管实现电源处于待机状态时,关闭不需要使用的检测电路来达到降低电源待机功耗的效果,提高电源待机状态的整机效率。
本实用新型第一方面提供一种降低电源待机功耗的电路,其包括:电源模块、EMC模块、整流模块、检测电路模块、PFC控制模块和LLC控制模块;所述电源模块与所述EMC电性连接;所述EMC模块与所述整流模块电性连接;所述整流模块与所述检测电路模块电性连接;所述检测电路模块与所述PFC控制模块和LLC控制模块电性连接;所述检测电路模块包括场效晶体管;待机状态时,所述检测电路模块通过场效晶体管实现与所述PFC控制模块和所述LLC控制模块同步关闭,以降低待机状态下所述检测电路模块的功耗。
在本实用新型第一方面中,作为一种优选的实施例,所述PFC控制模块包括芯片IC801;所述LLC控制模块包括芯片IC151;所述芯片IC801的型号为CM6502;所述芯片IC151的型号为CM6901。
在本实用新型第一方面中,作为一种优选的实施例,所述检测电路模块包括电阻R821、电阻R822、电阻R823、电阻R824、电阻R825、电阻R812、电阻R818、电阻R819、电阻R820、电阻R817、电容C810、电容C812、电容C806、电容C806、电容C809、二极管D805、二极管D806、场效应晶体管Q807和场效应晶体管Q808;所述电阻R821一端与所述电阻R822一端连接,所述电阻R822另一端与所述电阻R823连接,所述电阻R823另一端与所述场效应晶体管Q807的D极连接,所述场效应晶体管Q807的S极连接所述电阻R824的一端和所述电容C810的一端,所述场效应晶体管Q807的G极连接PFC_VCC端,所述电阻R824的另一端连接所述电阻R825的一端和所述电容C812的一端,所述电阻R825的另一端连接电容C810的另一端和所述电容C812的另一端;所述电阻R812的一端连接所述二极管D805的一端,所述二极管D805的另一端连接所述二极管D806的一端,所述二极管D806的另一端连接所述电容C806的一端;所述电阻R818的一端与所述电阻R819的一端连接,所述电阻R819的另一端与所述电阻R820的一端连接,所述电阻R820的另一端与所述场效应晶体管Q808的D极连接,所述场效应晶体管Q808的S极与所述电阻R817的一端和所述电容C809的一端连接,所述场效应晶体管Q808的G极连接LLC_VCC端,所述电阻R817的另一端与所述电容C809的另一端连接。
在本实用新型第一方面中,作为一种优选的实施例,所述EMC模块包括共模电感LF1、电容CX1、电容CX2、电容CY3、电容CY4、共模电感LF2、电容CY5和电容CY6;所述共模电感LF1的一端与所述电容CX1并联;所述共模电感LF1的另一端与所述电容CX2、所述电容CY3和所述电容CY4并联,且所述电容CX2的两端与所述电容CY3和所述电容CY4的连接点电性相连;所述共模电感LF2的一端与所述共模电感LF1的另一端连接,所述共模电感LF2的另一端与所述电容CY5和所述电容CY6并联。
在本实用新型第一方面中,作为一种优选的实施例,所述LLC控制模块还包括电压反馈模块和同步整流滤波模块;所述电压反馈模块与所述同步整流滤波模块电性连接。
在本实用新型第一方面中,作为一种优选的实施例,所述电压反馈模块包括电阻R155、电阻R157、电阻R158、电阻R161、电阻R162、电容C157和电容C159;所述电阻R159的一端与所述电阻R158的一端、电阻R157的一端连接;所述电阻R158的另一端与所述电容C157的一端、电阻R162的一端连接;所述电阻R157的另一端与所述电容C157的另一端连接;所述电阻R162的另一端接地;所述电阻R161和所述电容C159分别并联连接于所述电阻R162的两端。
在本实用新型第一方面中,作为一种优选的实施例,所述同步整流滤波模块包括三极管Q155、三极管Q156、电阻R153、电阻R159、电阻R163、电阻R183、场效晶体管Q151、场效晶体管Q152;所述三极管的基极与所述三极管Q156的基极连接;所述三极管Q155的集电极连接LLC_VCC端;所述三极管Q155的发射极连接所述三极管Q156的集电极;所述三极管Q156的发射极接地;所述电阻R153的一端与所述三极管Q155的发射极和所述电阻R163的一端连接,所述电阻R153的另一端与所述电阻R159的一端和场效晶体管Q151的G极连接;所述电阻R159的另一端连接所述场效晶体管的D极连接;所述场效晶体管Q151的S极与所述场效晶体管Q152的S极连接;所述场效晶体管Q152的D极与所述电阻R183的一端和S_SRL端连接;所述场效晶体管的G极与所述电阻R183的另一端、所述电阻R163的另一端连接。
在本实用新型第一方面中,作为一种优选的实施例,所述降低电源待机功耗的电路还包括显示模块;所述显示模块与所述检测电路模块、所述LLC控制模块和所述PFC控制模块电性连接;所述显示模块用于显示所述检测电路模块、所述LLC控制模块和所述PFC控制模块的工作状态。
在本实用新型第一方面中,作为一种优选的实施例,所述场效应晶体管Q807的G极连接PFC_VCC端;所述场效应晶体管Q808的G极连接LLC_VCC端;所述PFC_VCC端通过电阻R831与所述芯片IC801的VCC引脚电性连接;所述LLC_VCC端与所述芯片IC151电性连接。
相比现有技术,本实用新型的有益效果在于:
当电源处于待机状态时,PFC控制模块和LLC控制模块处于关闭状态,通过增加两个场效晶体管,实现关闭检测电路来达到降低电源待机功耗的效果,提高电源待机状态的整机效率。
附图说明
图1为本实用新型的降低电源待机功耗的电路的系统框图;
图2为本实用新型的降低电源待机功耗的电路的电路图;
图3为本实用新型的LLC控制模块的电路图;
图4为本实用新型的检测电路模块的电路图;
图5为本实用新型的EMC模块的电路图;
图6为本实用新型的电压反馈模块的电路图;
图7为本实用新型的同步整流滤波模块的电路图。
具体实施方式
下面,结合附图以及具体实施方式,对实用新型做进一步描述,需要说明的是,在不相冲突的前提下,以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。除特殊说明的之外,本实施例中所采用到的材料及设备均可从市场购得。实施例的实例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本申请,而不能理解对本申请的限制。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或者位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或者暗示所指的装置或者元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非是另有精确具体地规定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“相连”、“连通”、“连接”应作广义理解,例如,可以使固定连接,也可以是通过中介媒介间相连,可以是两个元件内部的连通或者两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元:
实施例一
如图1~图7所示,一种降低电源待机功耗的电路,其包括:电源模块、EMC模块、整流模块、检测电路模块、PFC控制模块和LLC控制模块;所述电源模块与所述EMC电性连接;所述EMC模块与所述整流模块电性连接;所述整流模块与所述检测电路模块电性连接;所述检测电路模块与所述PFC控制模块和LLC控制模块电性连接;所述检测电路模块包括场效晶体管;待机状态时,所述检测电路模块通过场效晶体管实现与所述PFC控制模块和所述LLC控制模块同步关闭,以降低待机状态下所述检测电路模块的功耗。
更为优选的,所述PFC控制模块包括芯片IC801;所述LLC控制模块包括芯片IC151;所述芯片IC801的型号为CM6502;所述芯片IC151的型号为CM6901。
更为优选的,所述检测电路模块包括电阻R821、电阻R822、电阻R823、电阻R824、电阻R825、电阻R812、电阻R818、电阻R819、电阻R820、电阻R817、电容C810、电容C812、电容C806、电容C806、电容C809、二极管D805、二极管D806、场效应晶体管Q807和场效应晶体管Q808;所述电阻R821一端与所述电阻R822一端连接,所述电阻R822另一端与所述电阻R823连接,所述电阻R823另一端与所述场效应晶体管Q807的D极连接,所述场效应晶体管Q807的S极连接所述电阻R824的一端和所述电容C810的一端,所述场效应晶体管Q807的G极连接PFC_VCC端,所述电阻R824的另一端连接所述电阻R825的一端和所述电容C812的一端,所述电阻R825的另一端连接电容C810的另一端和所述电容C812的另一端;所述电阻R812的一端连接所述二极管D805的一端,所述二极管D805的另一端连接所述二极管D806的一端,所述二极管D806的另一端连接所述电容C806的一端;所述电阻R818的一端与所述电阻R819的一端连接,所述电阻R819的另一端与所述电阻R820的一端连接,所述电阻R820的另一端与所述场效应晶体管Q808的D极连接,所述场效应晶体管Q808的S极与所述电阻R817的一端和所述电容C809的一端连接,所述场效应晶体管Q808的G极连接LLC_VCC端,所述电阻R817的另一端与所述电容C809的另一端连接。
更为优选的,所述EMC模块包括共模电感LF1、电容CX1、电容CX2、电容CY3、电容CY4、共模电感LF2、电容CY5和电容CY6;所述共模电感LF1的一端与所述电容CX1并联;所述共模电感LF1的另一端与所述电容CX2、所述电容CY3和所述电容CY4并联,且所述电容CX2的两端与所述电容CY3和所述电容CY4的连接点电性相连;所述共模电感LF2的一端与所述共模电感LF1的另一端连接,所述共模电感LF2的另一端与所述电容CY5和所述电容CY6并联。
更为优选的,所述LLC控制模块还包括电压反馈模块和同步整流滤波模块;所述电压反馈模块与所述同步整流滤波模块电性连接。
更为优选的,所述电压反馈模块包括电阻R155、电阻R157、电阻R158、电阻R161、电阻R162、电容C157和电容C159;所述电阻R159的一端与所述电阻R158的一端、电阻R157的一端连接;所述电阻R158的另一端与所述电容C157的一端、电阻R162的一端连接;所述电阻R157的另一端与所述电容C157的另一端连接;所述电阻R162的另一端接地;所述电阻R161和所述电容C159分别并联连接于所述电阻R162的两端。
更为优选的,所述同步整流滤波模块包括三极管Q155、三极管Q156、电阻R153、电阻R159、电阻R163、电阻R183、场效晶体管Q151、场效晶体管Q152;所述三极管的基极与所述三极管Q156的基极连接;所述三极管Q155的集电极连接LLC_VCC端;所述三极管Q155的发射极连接所述三极管Q156的集电极;所述三极管Q156的发射极接地;所述电阻R153的一端与所述三极管Q155的发射极和所述电阻R163的一端连接,所述电阻R153的另一端与所述电阻R159的一端和场效晶体管Q151的G极连接;所述电阻R159的另一端连接所述场效晶体管的D极连接;所述场效晶体管Q151的S极与所述场效晶体管Q152的S极连接;所述场效晶体管Q152的D极与所述电阻R183的一端和S_SRL端连接;所述场效晶体管的G极与所述电阻R183的另一端、所述电阻R163的另一端连接。
更为优选的,所述降低电源待机功耗的电路还包括显示模块;所述显示模块与所述检测电路模块、所述LLC控制模块和所述PFC控制模块电性连接;所述显示模块用于显示所述检测电路模块、所述LLC控制模块和所述PFC控制模块的工作状态。
更为优选的,所述场效应晶体管Q807的G极连接PFC_VCC端;所述场效应晶体管Q808的G极连接LLC_VCC端;所述PFC_VCC端通过电阻R831与所述芯片IC801的VCC引脚电性连接;所述LLC_VCC端与所述芯片IC151电性连接。具体地,当电源处于待机状态时,由于要考虑待机功耗,需要把LLC控制模块和PFC控制模块关闭。检测电路模块是对LLC控制模块和PFC控制模块输入电流和电压的检测。LLC控制模块和PFC控制模块关闭时,检测电路模块不需要工作,为了减少待机功耗需要将其关掉。场效应晶体管Q807的G极连接PFC_VCC端;场效应晶体管Q808的G极连接LLC_VCC端,PFC_VCC端与芯片IC801的VCC引脚电性连接;LLC_VCC端与芯片IC151电性连接,如此使得芯片IC801和芯片关闭时IC151,场效应晶体管Q807和场效晶体管Q808的D极和S极断开,切断了检测电路模块形成回路,从而达到降低检测电路模块待机功耗的效果。
对本领域的技术人员来说,可根据以上描述的技术方案以及构思,做出其它各种相应的改变以及形变,而所有的这些改变以及形变都应该属于本实用新型权利要求的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种降低电源待机功耗的电路,其特征在于,包括:电源模块、EMC模块、整流模块、检测电路模块、PFC控制模块和LLC控制模块;所述电源模块与所述EMC电性连接;所述EMC模块与所述整流模块电性连接;所述整流模块与所述检测电路模块电性连接;所述检测电路模块与所述PFC控制模块和LLC控制模块电性连接;所述检测电路模块包括场效晶体管;待机状态时,所述检测电路模块通过场效晶体管实现与所述PFC控制模块和所述LLC控制模块同步关闭,以降低待机状态下所述检测电路模块的功耗。
2.如权利要求1所述的降低电源待机功耗的电路,其特征在于:所述PFC控制模块包括芯片IC801;所述LLC控制模块包括芯片IC151;所述芯片IC801的型号为CM6502;所述芯片IC151的型号为CM6901。
3.如权利要求2所述的降低电源待机功耗的电路,其特征在于:所述检测电路模块包括电阻R821、电阻R822、电阻R823、电阻R824、电阻R825、电阻R812、电阻R818、电阻R819、电阻R820、电阻R817、电容C810、电容C812、电容C806、电容C806、电容C809、二极管D805、二极管D806、场效应晶体管Q807和场效应晶体管Q808;所述电阻R821一端与所述电阻R822一端连接,所述电阻R822另一端与所述电阻R823连接,所述电阻R823另一端与所述场效应晶体管Q807的D极连接,所述场效应晶体管Q807的S极连接所述电阻R824的一端和所述电容C810的一端,所述场效应晶体管Q807的G极连接PFC_VCC端,所述电阻R824的另一端连接所述电阻R825的一端和所述电容C812的一端,所述电阻R825的另一端连接电容C810的另一端和所述电容C812的另一端;所述电阻R812的一端连接所述二极管D805的一端,所述二极管D805的另一端连接所述二极管D806的一端,所述二极管D806的另一端连接所述电容C806的一端;所述电阻R818的一端与所述电阻R819的一端连接,所述电阻R819的另一端与所述电阻R820的一端连接,所述电阻R820的另一端与所述场效应晶体管Q808的D极连接,所述场效应晶体管Q808的S极与所述电阻R817的一端和所述电容C809的一端连接,所述场效应晶体管Q808的G极连接LLC_VCC端,所述电阻R817的另一端与所述电容C809的另一端连接。
4.如权利要求1所述的降低电源待机功耗的电路,其特征在于:所述EMC模块包括共模电感LF1、电容CX1、电容CX2、电容CY3、电容CY4、共模电感LF2、电容CY5和电容CY6;所述共模电感LF1的一端与所述电容CX1并联;所述共模电感LF1的另一端与所述电容CX2、所述电容CY3和所述电容CY4并联,且所述电容CX2的两端与所述电容CY3和所述电容CY4的连接点电性相连;所述共模电感LF2的一端与所述共模电感LF1的另一端连接,所述共模电感LF2的另一端与所述电容CY5和所述电容CY6并联。
5.如权利要求2所述的降低电源待机功耗的电路,其特征在于:所述LLC控制模块还包括电压反馈模块和同步整流滤波模块;所述电压反馈模块与所述同步整流滤波模块电性连接。
6.如权利要求5所述的降低电源待机功耗的电路,其特征在于:所述电压反馈模块包括电阻R155、电阻R157、电阻R158、电阻R161、电阻R162、电容C157和电容C159;所述电阻R159的一端与所述电阻R158的一端、电阻R157的一端连接;所述电阻R158的另一端与所述电容C157的一端、电阻R162的一端连接;所述电阻R157的另一端与所述电容C157的另一端连接;所述电阻R162的另一端接地;所述电阻R161和所述电容C159分别并联连接于所述电阻R162的两端。
7.如权利要求5所述的降低电源待机功耗的电路,其特征在于:所述同步整流滤波模块包括三极管Q155、三极管Q156、电阻R153、电阻R159、电阻R163、电阻R183、场效晶体管Q151、场效晶体管Q152;所述三极管的基极与所述三极管Q156的基极连接;所述三极管Q155的集电极连接LLC_VCC端;所述三极管Q155的发射极连接所述三极管Q156的集电极;所述三极管Q156的发射极接地;所述电阻R153的一端与所述三极管Q155的发射极和所述电阻R163的一端连接,所述电阻R153的另一端与所述电阻R159的一端和场效晶体管Q151的G极连接;所述电阻R159的另一端连接所述场效晶体管的D极连接;所述场效晶体管Q151的S极与所述场效晶体管Q152的S极连接;所述场效晶体管Q152的D极与所述电阻R183的一端和S_SRL端连接;所述场效晶体管的G极与所述电阻R183的另一端、所述电阻R163的另一端连接。
8.如权利要求5所述的降低电源待机功耗的电路,其特征在于:还包括显示模块;所述显示模块与所述检测电路模块、所述LLC控制模块和所述PFC控制模块电性连接;所述显示模块用于显示所述检测电路模块、所述LLC控制模块和所述PFC控制模块的工作状态。
9.如权利要求3所述的降低电源待机功耗的电路,其特征在于:所述场效应晶体管Q807的G极连接PFC_VCC端;所述场效应晶体管Q808的G极连接LLC_VCC端;所述PFC_VCC端通过电阻R831与所述芯片IC801的VCC引脚电性连接;所述LLC_VCC端与所述芯片IC151电性连接。
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