CN219068422U - 一种恒流led灯串的驱动电路 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种恒流LED灯串的驱动电路，对MOS管的G极充电使MOS管导通的充电过程中，MOS管的G极电压Vgs升高，当电压Vgs大于第一电压Vth时，MOS管的D极和S极之间开始流过电流，之后，电压Vgs升高到第二电压Vplateau时进入米勒平台，此时电压Vgs保持不变，直到电压Vgs继续升高时MOS管完全导通，在MOS管开始导通到完全导通期间，即电压Vgs大于第一电压且小于或等于第二电压期间T2，产生的过充电流与T2成反比，本实施例中在T2期间，利用平均电流值较小的脉冲电流对MOS管的G极充电，以延长MOS管开始导通到完全导通的时间，从而减小了过充电流。

Description

一种恒流LED灯串的驱动电路

技术领域

本申请涉及电子技术领域，具体而言，涉及一种恒流LED灯串的驱动电路。

背景技术

随着LED照明的发展，汽车照明已经基本使用LED驱动。远光灯和近光灯通常使用同一串灯珠，其中，远光灯和近光灯的区别在于，远光灯开启时点亮LED灯串上所有的LED灯珠，而近光灯开启时短路LED灯串上的部分灯珠。现有的远近光灯采用外置MOS管来进行切换，在远光灯切换为近光灯时，输出电容放电产生过充电流，过充电流过高可能导致LED灯珠损坏。

实用新型内容

本申请实施例的目的在于提供一种恒流LED灯串的驱动电路，用以解决现有的远近光灯采用外置MOS管来进行切换，在远光灯切换为近光灯时，输出电容放电产生过充电流，过充电流过高可能导致LED灯珠损坏的问题。

本申请实施例提供的一种恒流LED灯串的驱动方法，LED灯串包括至少两个串联的LED模块，LED模块的两端并联到MOS管的D极和S极；方法适用于对MOS管的G极充电使MOS管导通的充电过程中，方法包括：

监测MOS管的G极的电压Vgs；

在电压Vgs大于第一电压，且小于或等于第二电压期间，以脉冲电流对MOS管的G极进行充电；其中，脉冲电流的平均电流值小于设定电流值；设定电流值为充电过程中在电压Vgs小于或等于第一电压期间的充电电流的电流值。

上述技术方案中，对MOS管的G极充电使MOS管导通的充电过程中，MOS管的G极电压Vgs升高，当电压Vgs大于第一电压Vth时，MOS管的D极和S极之间开始流过电流，之后，电压Vgs升高到第二电压Vplateau时进入米勒平台，此时电压Vgs保持不变，直到电压Vgs继续升高时MOS管完全导通，在MOS管开始导通到完全导通期间，即电压Vgs大于第一电压且小于或等于第二电压期间T2，产生的过充电流与T2成反比，本实施例中在T2期间，利用平均电流值较小的脉冲电流对MOS管的G极充电，以延长MOS管开始导通到完全导通的时间，从而减小了过充电流。

在一些可选的实施方式中，在监测MOS管的G极的电压Vgs之后，方法还包括：在电压Vgs小于或等于第一电压期间，以设定电流值的恒流对MOS管的G极进行充电。

上述技术方案中，在电压Vgs小于或等于第一电压期间T1和电压Vgs大于第一电压且小于或等于第二电压期间T2，共用一个恒流源对MOS管的G极进行充电，其中，在期间T1采用设定电流值的恒流直接对MOS管的G极进行充电，在期间T2将设定电流值的恒流转化为平均电流值较小的脉冲电流进行充电。

在一些可选的实施方式中，在监测MOS管的G极的电压Vgs之后，方法还包括：在电压Vgs大于第二电压期间，以设定电流值的恒流对MOS管的G极进行充电。

上述技术方案中，在电压Vgs小于或等于第一电压期间T1、电压Vgs大于第一电压且小于或等于第二电压期间T2和电压Vgs大于第二电压期间T3，共用一个恒流源对MOS管的G极进行充电，其中，在期间T1和T3采用设定电流值的恒流直接对MOS管的G极进行充电，在期间T2将设定电流值的恒流转化为平均电流值较小的脉冲电流进行充电。

在一些可选的实施方式中，其中，设定电流值I₁由MOS管的栅源电荷以及充电过程中电压Vgs小于或等于第一电压所持续的设定时长：

I₁＝Qgs/T1

其中，Qgs为MOS管的栅源电荷，T1为充电过程中电压Vgs小于或等于第一电压所持续的设定时长。

上述技术方案中，在电路设计时，根据想要的充电过程中电压Vgs小于或等于第一电压所持续的设定时长，来选择对应电流值的恒流源。

在一些可选的实施方式中，其中，脉冲电流的平均电流值I₂由MOS管的栅漏电荷以及充电过程中电压Vgs大于第一电压且小于或等于第二电压所持续的设定时长：

I₂＝Qgd/T2

其中，Qgd为MOS管的栅漏电荷，T2为充电过程中电压Vgs大于第一电压且小于或等于第二电压所持续的设定时长。

上述技术方案中，考虑到MOS管的导通过程时间过长会导致MOS管损耗功率过高，MOS管的导通过程时间过短又会导致过充电流过大，在电路设计时，根据想要的充电过程中电压Vgs大于第一电压且小于或等于第二电压所持续的设定时长，确定脉冲电流的平均电流值。

在一些可选的实施方式中，其中，脉冲电流的时间宽度Ton由脉冲电流的设定频率、设定电流值以及脉冲电流的平均电流值确定：

Ton＝T×(I₂/I₁)

其中，T＝1/f，f为脉冲电流的设定频率。

上述技术方案中，在电路设计时，先选择车规里EMI(EMI主要包括传导干扰和辐射干扰，其是指从电源线、信号线或控制线传导出来的干扰)没有限制要求的工作频率f，将f作为脉冲电流的设定频率，并根据设计的设定电流值和脉冲电流的平均电流值，确定脉冲电流的时间宽度Ton。最终确定的脉冲电流，其平均电流值为I₂，频率为f，时间宽度为Ton。

本申请实施例提供的一种恒流LED灯串的驱动电路，LED灯串包括至少两个串联的LED模块，驱动电路并联于LED模块的两端，驱动电路包括：

第一MOS管，第一MOS管的D极连接LED模块的正端，第一MOS管的S极连接LED模块的负端；

第二MOS管，第二MOS管的S极连接第一MOS管的G极；

恒流源，恒流源的输出端连接第二MOS管的D极；

监测模块，用于监测第一MOS管的G极的电压Vgs，在电压Vgs大于第一电压，且小于或等于第二电压时，输出脉冲信号至第二MOS管的G极；

所述恒流源输出的设定电流值的恒流通过第二MOS管后形成脉冲电流，以脉冲电流对第一MOS管的G极进行充电；其中，第一电压小于或等于第二电压，脉冲电流的平均电流值小于设定电流值。

上述技术方案中，第一MOS管用于在需要进行远光切换为近光时，将LED灯串上的部分灯珠进行短路，从而实现远光切换为近光，本实施例中第一MOS管的D极和S极并联于LED模块的两端，在需要进行远光切换为近光时，通过使第一MOS管的D极和S极导通，将该LED模块进行短路。恒流源通过第二MOS管后对第一MOS管的G极充电，从而使第一MOS管的D极和S极导通。监测模块，用于监测第一MOS管的G极的电压Vgs，并在电压Vgs大于第一电压，且小于或等于第二电压时，输出脉冲信号至第二MOS管的G极，使的恒流源的输出经过第二MOS管后形成脉冲电流，以平均电流值较小的脉冲电流对MOS管的G极充电，从而延长MOS管开始导通到完全导通的时间，减小了过充电流。

在一些可选的实施方式中，监测模块，包括：

第一比较器，第一比较器的正输入端用于输入第一电压，第一比较器的负输入端连接到第一MOS管的G极；

方波发生器，方波发生器的输入端连接第一比较器的输出端，方波发生器的输出端连接第二MOS管的G极；

第一比较器和方波发生器被配置为：在电压Vgs小于或等于第一电压时，第一比较器输出高电平至方波发生器，方波发生器输出高电平信号至第二MOS管的G极，使第二MOS管导通，恒流源经过第二MOS管对第一MOS管的G极进行恒流充电；

在电压Vgs大于第一电压时，第一比较器输出低电平至方波发生器，方波发生器输出设定占空比的方波信号至第二MOS管的G极。

上述技术方案中，第一比较器用于区分电压Vgs小于或等于第一电压期间T1和电压Vgs大于第一电压的T2、T3期间，由于T1、T2和T3期间共用一个恒流源对MOS管的G极进行充电，其中，在期间T1，第一比较器输出高电平至方波发生器，方波发生器输出高电平信号至第二MOS管的G极，使第二MOS管导通，采用设定电流值的恒流直接对MOS管的G极进行充电，在期间T2、T3，第一比较器输出低电平至方波发生器，方波发生器输出设定占空比的方波信号至第二MOS管的G极。

在一些可选的实施方式中，监测模块，还包括：

第二比较器，第二比较器的正输入端连接到第一MOS管的G极，第二比较器的负输入端用于输入第二电压，第二比较器的输出端连接第二MOS管的G极；

第二比较器被配置为：在电压Vgs大于第二电压时，第二比较器输出高电平至第二MOS管的G极，使第二MOS管导通，恒流源经过第二MOS管对第一MOS管的G极进行恒流充电。

上述技术方案中，第二比较器用于区分电压Vgs大于第一电压且小于或等于第二电压期间T2和电压Vgs大于第二电压期间T3，其中，在T2期间，第二比较器输出低电平至第二MOS管的G极，第一比较器输出低电平至方波发生器，方波发生器输出设定占空比的方波信号至第二MOS管的G极，恒流源经过第二MOS管后形成脉冲电流，以脉冲电流对第一MOS管的G极进行充电。在T3期间，第一比较器输出低电平至方波发生器，方波发生器输出设定占空比的方波信号至第二MOS管的G极，第二比较器输出高电平值第二MOS管的G极，使第二MOS管导通，恒流源直接对第一MOS管的G极进行恒流充电。

在一些可选的实施方式中，还包括BUCK-BOOST电路或SEPIC电路，BUCK-BOOST电路或SEPIC电路用于对输入电压进行升压或降压变换之后，给LED灯串供电。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请实施例提供的一种恒流LED灯串的驱动电路示意图；

图2为本申请实施例提供的一种恒流LED灯串的驱动电路结构图；

图3为第一MOS管的结构示意图；

图4为第一MOS管的导通过程的示意图；

图5为充电过程中对G极的充电电流示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。

本申请实施例提供的一种恒流LED灯串的驱动方法，LED灯串包括至少两个串联的LED模块，LED模块的两端并联到MOS管的D极和S极；方法适用于对MOS管的G极充电使MOS管导通的充电过程中，方法包括：

监测MOS管的G极的电压Vgs；

在电压Vgs小于或等于第一电压期间，以设定电流值的恒流对MOS管的G极进行充电。

在电压Vgs大于第一电压，且小于或等于第二电压期间，以脉冲电流对MOS管的G极进行充电；其中，脉冲电流的平均电流值小于设定电流值；设定电流值为充电过程中在电压Vgs小于或等于第一电压期间的充电电流的电流值。

在电压Vgs大于第二电压期间，以设定电流值的恒流对MOS管的G极进行充电。

本申请实施例中，对MOS管的G极充电使MOS管导通的充电过程中，MOS管的G极电压Vgs升高，在电压Vgs小于或等于第一电压期间T1、电压Vgs大于第一电压且小于或等于第二电压期间T2和电压Vgs大于第二电压期间T3，共用一个恒流源对MOS管的G极进行充电，其中，在期间T1和T3采用设定电流值的恒流直接对MOS管的G极进行充电，在期间T2将设定电流值的恒流转化为平均电流值较小的脉冲电流进行充电。

其中，当电压Vgs大于第一电压Vth时，MOS管的D极和S极之间开始流过电流，之后，电压Vgs升高到第二电压Vplateau时进入米勒平台，此时电压Vgs保持不变，直到电压Vgs继续升高时MOS管完全导通，在MOS管开始导通到完全导通期间，即电压Vgs大于第一电压且小于或等于第二电压期间T2，产生的过充电流与T2成反比，本实施例中在T2期间，利用平均电流值较小的脉冲电流对MOS管的G极充电，以延长MOS管开始导通到完全导通的时间，从而减小了过充电流。

其中，设定电流值I₁由MOS管的栅源电荷以及充电过程中电压Vgs小于或等于第一电压所持续的设定时长：

I₁＝Qgs/T1

其中，Qgs为MOS管的栅源电荷，T1为充电过程中电压Vgs小于或等于第一电压所持续的设定时长。

本申请实施例中，在电路设计时，根据想要的充电过程中电压Vgs小于或等于第一电压所持续的设定时长，来选择对应电流值的恒流源。

脉冲电流的平均电流值I₂由MOS管的栅漏电荷以及充电过程中电压Vgs大于第一电压且小于或等于第二电压所持续的设定时长：

I₂＝Qgd/T2

其中，Qgd为MOS管的栅漏电荷，T2为充电过程中电压Vgs大于第一电压且小于或等于第二电压所持续的设定时长。

本申请实施例中，考虑到MOS管的导通过程时间过长会导致MOS管损耗功率过高，MOS管的导通过程时间过短又会导致过充电流过大，在电路设计时，根据想要的充电过程中电压Vgs大于第一电压且小于或等于第二电压所持续的设定时长，确定脉冲电流的平均电流值。

脉冲电流的时间宽度Ton由脉冲电流的设定频率、设定电流值以及脉冲电流的平均电流值确定：

Ton＝T×(I₂/I₁)

其中，T＝1/f，f为脉冲电流的设定频率。

本申请实施例中，在电路设计时，先选择车规里EMI(EMI主要包括传导干扰和辐射干扰，其是指从电源线、信号线或控制线传导出来的干扰)没有限制要求的工作频率f，将f作为脉冲电流的设定频率，并根据设计的设定电流值和脉冲电流的平均电流值，确定脉冲电流的时间宽度Ton。最终确定的脉冲电流，其平均电流值为I₂，频率为f，时间宽度为Ton。

请参照图1，图1为本申请实施例提供的一种恒流LED灯串的驱动电路示意图，LED灯串包括至少两个串联的LED模块，驱动电路并联于LED模块的两端，驱动电路包括：第一MOS管M1、第二MOS管M2、恒流源、监测模块。

其中，第一MOS管的D极连接LED模块的正端，第一MOS管的S极连接LED模块的负端；第二MOS管的S极连接第一MOS管的G极；恒流源，恒流源的输出端连接第二MOS管的D极；监测模块，用于监测第一MOS管的G极的电压Vgs，在电压Vgs大于第一电压，且小于或等于第二电压时，输出脉冲信号至第二MOS管的G极；所述恒流源输出的设定电流值的恒流通过第二MOS管后形成脉冲电流，以脉冲电流对第一MOS管的G极进行充电；其中，第一电压小于或等于第二电压，脉冲电流的平均电流值小于设定电流值。

本申请实施例中，第一MOS管用于在需要进行远光切换为近光时，将LED灯串上的部分灯珠进行短路，从而实现远光切换为近光，本实施例中第一MOS管的D极和S极并联于LED模块的两端，在需要进行远光切换为近光时，通过使第一MOS管的D极和S极导通，将该LED模块进行短路。恒流源通过第二MOS管后对第一MOS管的G极充电，从而使第一MOS管的D极和S极导通。监测模块，用于监测第一MOS管的G极的电压Vgs，并在电压Vgs大于第一电压，且小于或等于第二电压时，输出脉冲信号至第二MOS管的G极，使的恒流源的输出经过第二MOS管后形成脉冲电流，以平均电流值较小的脉冲电流对MOS管的G极充电，从而延长MOS管开始导通到完全导通的时间，减小了过充电流。

具体地，请参照图2，图2为本申请实施例提供的一种恒流LED灯串的驱动电路结构图，其中，监测模块，包括第一比较器和方波发生器。其中，第一比较器的正输入端用于输入第一电压，第一比较器的负输入端连接到第一MOS管的G极；方波发生器的输入端连接第一比较器的输出端，方波发生器的输出端连接第二MOS管的G极。第一比较器和方波发生器被配置为：在电压Vgs小于或等于第一电压时，第一比较器输出高电平至方波发生器，方波发生器输出高电平信号至第二MOS管的G极，使第二MOS管导通，恒流源经过第二MOS管对第一MOS管的G极进行恒流充电；在电压Vgs大于第一电压时，第一比较器输出低电平至方波发生器，方波发生器输出设定占空比的方波信号至第二MOS管的G极。

本申请实施例中，第一比较器用于区分电压Vgs小于或等于第一电压期间T1和电压Vgs大于第一电压的T2、T3期间，由于T1、T2和T3期间共用一个恒流源对MOS管的G极进行充电，其中，在期间T1，第一比较器输出高电平至方波发生器，方波发生器输出高电平信号至第二MOS管的G极，使第二MOS管导通，采用设定电流值的恒流直接对MOS管的G极进行充电，在期间T2、T3，第一比较器输出低电平至方波发生器，方波发生器输出设定占空比的方波信号至第二MOS管的G极。

其中，监测模块，还包括第二比较器，第二比较器的正输入端连接到第一MOS管的G极，第二比较器的负输入端用于输入第二电压，第二比较器的输出端连接第二MOS管的G极。第二比较器被配置为：在电压Vgs大于第二电压时，第二比较器输出高电平至第二MOS管的G极，使第二MOS管导通，恒流源经过第二MOS管对第一MOS管的G极进行恒流充电。

本申请实施例中，第二比较器用于区分电压Vgs大于第一电压且小于或等于第二电压期间T2和电压Vgs大于第二电压期间T3，其中，在T2期间，第二比较器输出低电平至第二MOS管的G极，第一比较器输出低电平至方波发生器，方波发生器输出设定占空比的方波信号至第二MOS管的G极，恒流源经过第二MOS管后形成脉冲电流，以脉冲电流对第一MOS管的G极进行充电。在T3期间，第一比较器输出低电平至方波发生器，方波发生器输出设定占空比的方波信号至第二MOS管的G极，第二比较器输出高电平值第二MOS管的G极，使第二MOS管导通，恒流源直接对第一MOS管的G极进行恒流充电。

本申请实施例中，第一MOS管采用DMN6068LK3，其开启电压为1.5V-2.5V，Qgs＝1.6nc,Qgd＝3.5nc。因此，第一电压Vth＝1.5V，第二电压Vplateau＝2.5V。具体的请参照图3，图3为第一MOS管的结构示意图。

请参照图4，图4为第一MOS管的导通过程的示意图。

在T1期间，Vds＝Vdd。Vdrive通过Rgate给Cgs电容充电，在到达第一MOS的第一电压Vth前，MOS是完全没有导通的。

即，Vgs小于1.5V时给MOS的GS结电容Cgs充电，T1期间第一MOS管尚未导通。

这个阶段，MOS管处于关断状态，通常来说这个过程越快越好。考虑到T1期间和T2期间的脉冲电路共用一个恒流源，本实施例中让T1:T2＝1:100，再由于MOS的导通过程时间太长，会导致MOS损耗的功率太大。时间太小，又会导致过充电流太大，实际产品中，将第一MOS的导通时间控制在200-400us，本实施例中将第一MOS管的导通时间T2设定为200us，那么，相应的T1＝2us。恒流源的设定电流值I₁＝Qgs/T1＝1.6nc/2us＝0.8mA。

此时，第一比较器U1的输入电压小于1.5V，U1输出高电平，此时方波发生器的占空比为100％，第二MOS管M2完全导通。

在T2期间，Vds＝Vdd-Ids×Rds。第一MOS管的G极的电压大于Vth(Vgs>Vth),MOS管的D极S极之间开始流过电流。此时MOS的D极S极之间的电压开始下降，Vdrive开始向Cgd充电，Cgd通常也称为米勒电容，Vgs的电压保持不变，Vgs＝Vplateau。Rds是第一MOS管的内阻。

由于VGS>Vth，第一MOS管G极的电流开始给GD结电容充电，MOS开始导通，Vds＝Vdd-Ids×Rds。第一MOS管的导通电阻从原来的无穷大，开始慢慢变小，Vds的电压开始慢慢下降。

利用脉冲电流进行充电，脉冲电流的平均电流值I₂＝Qgd/T2＝3.5nc/200us＝17.5uA。I₂/I₁＝17.5/0.8×1000＝0.022。脉冲电流的频率＝400KHz，T＝1/f＝1/400KHz＝2.5us。频率也可以选择其它频率，比如1KHz。选择400KHZ，是因为大部分DC-DC电源已经有400KHz的工作频率，并且车规里面EMI对400KHz没有限制要求。脉冲的时间宽度Ton＝T×(I₂/I₁)＝2.5us×0.022＝54ns。至此，可以确定充电脉冲电流＝0.8mA,频率＝400KHz，脉冲的时间宽度Ton＝54ns。

此时，第一比较器U1的输入电压高于1.5V，U1输出低电平，此时方波发生器的占空比为2.2％，Ton＝54ns，M1此时为脉冲充电。

在T3期间，Vds＝Ids×Rds。Cgd电容充满电，电压Vgs继续往上升，直至Vgs的电压等于Vdd。这个阶段，第一MOS管已经完全导通，Rds通常只有10mohm左右，Vds电压约等于零。

通常需要T3这个过程持续时间较短，因此，直接用恒流源充电。Vgs>2.5V时候，Vgs以0.8mA继续充电，直至Vgs＝Vdd＝5V。内部恒流源的供电电压为5V。

此时，第二比较器U2的输入电压高于2.5V，U2输出高电平，第二MOS管M2完全导通，第一MOS管的G极由恒流源直接供电。

综上所述，本实施例的，请参照图5，图5为充电过程中对G极的充电电流示意图，在T1期间利用恒流源直接供电，在T2期间利用脉冲电流进行供电，在T3期间又利用恒流源直接供电。

在一些可选的实施方式中，还包括BUCK-BOOST电路或SEPIC电路，BUCK-BOOST电路或SEPIC电路用于对输入电压进行升压或降压变换之后，给LED灯串供电。

在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

再者，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。

在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。

以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种恒流LED灯串的驱动电路，其特征在于，所述LED灯串包括至少两个串联的LED模块，所述驱动电路并联于LED模块的两端，所述驱动电路包括：

第一MOS管，所述第一MOS管的D极连接LED模块的正端，所述第一MOS管的S极连接LED模块的负端；

第二MOS管，所述第二MOS管的S极连接所述第一MOS管的G极；

恒流源，所述恒流源的输出端连接第二MOS管的D极；

监测模块，用于监测所述第一MOS管的G极的电压Vgs，在电压Vgs大于第一电压，且小于或等于第二电压时，输出脉冲信号至所述第二MOS管的G极；

所述恒流源输出的设定电流值的恒流通过所述第二MOS管后形成脉冲电流，以脉冲电流对所述第一MOS管的G极进行充电；其中，第一电压小于或等于第二电压，脉冲电流的平均电流值小于设定电流值。

2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述监测模块，包括：

第一比较器，所述第一比较器的正输入端用于输入第一电压，所述第一比较器的负输入端连接到所述第一MOS管的G极；

方波发生器，所述方波发生器的输入端连接所述第一比较器的输出端，所述方波发生器的输出端连接第二MOS管的G极；

所述第一比较器和方波发生器被配置为：在电压Vgs小于或等于第一电压时，所述第一比较器输出高电平至所述方波发生器，所述方波发生器输出高电平信号至第二MOS管的G极，使所述第二MOS管导通，所述恒流源经过所述第二MOS管对所述第一MOS管的G极进行恒流充电；

在电压Vgs大于第一电压时，所述第一比较器输出低电平至所述方波发生器，所述方波发生器输出设定占空比的方波信号至所述第二MOS管的G极。

3.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述监测模块，还包括：

第二比较器，所述第二比较器的正输入端连接到所述第一MOS管的G极，所述第二比较器的负输入端用于输入第二电压，所述第二比较器的输出端连接第二MOS管的G极；

所述第二比较器被配置为：在电压Vgs大于第二电压时，第二比较器输出高电平至所述第二MOS管的G极，使所述第二MOS管导通，恒流源经过所述第二MOS管对所述第一MOS管的G极进行恒流充电。

4.如权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括BUCK-BOOST电路或SEPIC电路，所述BUCK-BOOST电路或SEPIC电路用于对输入电压进行升压或降压变换之后，给所述LED灯串供电。

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