CN218997690U - 一种浪涌保护电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及电子电路技术领域，尤其为一种浪涌保护电路，包括第一防护电路和第二防护电路，所述第一防护电路连接电源，所述第二防护电路连接所述第一防护电路。本实用新型提出的一种浪涌保护电路，通过场效应管的导通状态控制电源电路的接入，当出现浪涌电流时，场效应管不导通，再通过第一电容和第一电阻将浪涌电流导入到地面进行释放，对第一电容充电完成后，场效应管导通，再通过第一电感吸收剩余的浪涌电流。通过第一保护电路和第二保护电路对刚接通电源形成的浪涌电流形成双重保护，吸收浪涌电流，保护电路各元件的正常工作状态，且电路元件简单，成本较低，易于实现。

Description

一种浪涌保护电路

技术领域

本实用新型涉及电子电路技术领域，尤其是一种浪涌保护电路。

背景技术

浪涌是过高的瞬间电压或电流，具有电压大和产生时间极短等特点。当电网出现波动、静电放电等情况时，容易在电子设备的端口处产生浪涌。如果超出电子器件的承受能力将导致电路的损坏，比如，计算机、车载、手机等消费类电子设备中通过USB接口充电和传输数据，而在我们日常生活中，普通的消费者缺乏对浪涌危害的认识，接口带电插入的行为也就大量存在，因此产生的浪涌也由此给电子设备的使用寿命带来隐患。

现有技术中，通常采用瞬态抑制二极管进行钳位，但瞬态抑制二极管受到温度的影响较大，在一些温度敏感的场合需要进行温度补偿。或者采用压敏电阻，或者在电子设备的充电端口应用一颗具有浪涌保护功能的IC等释放浪涌能量的方式来防止浪涌损害，然而实际应用中，还可能因为瞬态二极管的钳位电压不够低等因素的限制，容易导致防护失败，甚至芯片被损坏。并且当浪涌过高时，可能会击穿保护设备，之间作用于后级设备，对后级设备，以至于整个电子产品都产生较大的影响。

实用新型内容

本实用新型的目的是通过提出一种浪涌保护电路，以解决上述背景技术中提出的缺陷。

本实用新型采用的技术方案如下：

提供一种浪涌保护电路，第一防护电路和第二防护电路，所述第一防护电路连接电源，所述第二防护电路连接所述第一防护电路。

作为本实用新型的一种优选技术方案：所述第一防护电路包括场效应管，场效应管漏极接电源和第一电容第一端，源极接第二防护电路。

作为本实用新型的一种优选技术方案：所述第一防护电路还包括第一电容和第一电阻，所述第一电容第一端接电源，所述第一电容第二端接所述第一电阻第一端，所述第一电阻第二端接地。

作为本实用新型的一种优选技术方案：所述第一防护电路还包括第二电阻，所述第二电阻第一端接所述场效应管栅极，所述第二电阻第二端接地。

作为本实用新型的一种优选技术方案：所述场效应管为PMOS型。

作为本实用新型的一种优选技术方案：所述第二防护电路包括第一电感，所述第一电感第一端接场效应管源极。

作为本实用新型的一种优选技术方案：所述第二防护电路还包括第二电容，所述第二电容第一端接第一电感另一端，的所属第二电容第二端接地。

本实用新型提供的一种浪涌保护电路，与现有技术相比，其有益效果有：

本实用新型提出的一种浪涌保护电路，通过场效应管的导通状态控制电源电路的接入，当出现浪涌电流时，场效应管不导通，再通过第一电容和第一电阻将浪涌电流导入到地面进行释放，对第一电容充电完成后，场效应管导通，再通过第一电感吸收剩余的浪涌电流。通过第一保护电路和第二保护电路对刚接通电源形成的浪涌电流形成双重保护，吸收浪涌电流，保护电路各元件的正常工作状态，且电路元件简单，成本较低，易于实现。

附图说明

图1为本实用新型优选实施例的浪涌保护电路图。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本实施例中的实施例及实施例中的特征可以相互组合，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

参照图1，本实用新型优选实施例提供了一种浪涌保护电路，包括第一防护电路和第二防护电路，所述第一防护电路连接电源，所述第二防护电路连接所述第一防护电路。

所述第一防护电路包括场效应管，场效应管漏极接电源和第一电容第一端，源极接第二防护电路。

所述第一防护电路还包括第一电容和第一电阻，所述第一电容第一端接电源，所述第一电容第二端接所述第一电阻第一端，所述第一电阻第二端接地。

所述第一防护电路还包括第二电阻，所述第二电阻第一端接所述场效应管栅极，所述第二电阻第二端接地。

所述场效应管为PMOS型。

所述第二防护电路包括第一电感，所述第一电感第一端接场效应管源极。

所述第二防护电路还包括第二电容，所述第二电容第一端接第一电感另一端，的所属第二电容第二端接地。

本实施例中，PMOS管漏极接电源和C1第一端，源极接L1第一端，栅极接R2第一端，C1第二端接R1第一端，R1第二端接地，R2第二端接地，L2第二端接C2第一端，C2第二端接地。

未通电时，默认PMOS管处于导通状态，通电瞬间，浪涌电流很大，C1进入充电状态，PMOS管栅极处于高电平，V_GS>V_GS(P)时，其中，V_GS(P)为PMOS管的关断电压，PMOS管进入截断状态，输出到后端受保护的工作电路的电流电压消失，后端工作电路得到保护，浪涌能量经第一电容C1和第一电阻R1导入到地面进行释放，当第一电容C1充电结束后，PMOS管回复到导通状态，第二电阻用于保护PMOS管。电流流入第二保护电路，第二保护电路中第一电感L1吸收剩余的浪涌电流，第二电容C2进入充电状态，直至充电结束。

对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (6)

1.一种浪涌保护电路，包括第一防护电路和第二防护电路，其特征在于：所述第一防护电路连接电源，所述第二防护电路连接所述第一防护电路；所述第一防护电路包括场效应管，场效应管漏极接电源和第一电容第一端，源极接第二防护电路。

2.根据权利要求1所述的浪涌保护电路，其特征在于：所述第一防护电路还包括第一电容和第一电阻，所述第一电容第一端接电源，所述第一电容第二端接所述第一电阻第一端，所述第一电阻第二端接地。

3.根据权利要求1所述的浪涌保护电路，其特征在于：所述第一防护电路还包括第二电阻，所述第二电阻第一端接所述场效应管栅极，所述第二电阻第二端接地。

4.根据权利要求2所述的浪涌保护电路，其特征在于：所述场效应管为PMOS型。

5.根据权利要求1所述的浪涌保护电路，其特征在于：所述第二防护电路包括第一电感，所述第一电感第一端接场效应管源极。

6.根据权利要求1所述的浪涌保护电路，其特征在于：所述第二防护电路还包括第二电容，所述第二电容第一端接第一电感另一端，的所属第二电容第二端接地。

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