CN218968862U - 一种基于微机电系统器件的功率继电器 - Google Patents

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王世涛
牟明
许峥
孙敏超
宁忠立
温雅卓
翟金睿
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Abstract

一种基于微机电系统器件的功率继电器,包括控制部分和电源部分,电源部分包括MEMS开关和MOSSFET,MEMS开关与MOSFET并联,将开关过程中的损耗从MEMS开关迁移到了MOSFET,MOSFET在MEMS开关的导通和关断转换期间导通,使MEMS开关电压为零电压;控制部分用于控制MEMS开关和MOSSFET的导通和关断操作;控制部分还设置有隔离器与电源部分隔离。与传统的SSR和ESR相比,本实用新型使用MEMS开关,基于独特的结构,MEMS的机械接触减小了通态电阻,并能够实现物理隔离;电压源栅极控制功能则避免了笨重的线圈,减小了体积,能够同时实现小型化的尺寸和理想的开关性能,结合了MOSFET和MEMS开关的优点,解决了开关能量问题,使得微机电技术可以用于功率继电器应用。

Description

一种基于微机电系统器件的功率继电器
技术领域
本实用新型涉及一种继电器装置,尤其涉及一种基于微机电系统器件的功率继电器,属于电控器件领域。
背景技术
继电器是具有隔离功能的自动开关元件,广泛应用于遥控、遥测、通讯、自动控制、机电一体化及电力电子设备中,是最重要的控制元件之一,目前常见的有电磁继电器、固态继电器和微机电继电器,其中,电磁继电器的导通电阻较低,但由于采用机械结构,存在接触不良和机械磨损问题,此外,体积较大的感应线圈导致EM继电器的尺寸难以减小,功耗难以降低。而固态继电器利用半导体器件作为输出级,实现了更紧凑的尺寸,但其导通电阻和漏电流更大。微机电系统(MEMS,Micro-Electro-Mechanical-System)技术融合了机械连接结构和电压控制半导体技术,常用于精确测量、医疗器械和射频通信等应用。但在应用于大功率场合时,开关转换期间的功耗会对微机电系统器件造成损害,这限制了MEMS开关的使用。
实用新型内容
为了解决上述问题,本实用新型提出了一种基于微机电系统器件的功率继电器装置,其技术方案如下:
一种基于微机电系统器件的功率继电器,包括控制部分和电源部分,电源部分包括MEMS开关和MOSSFET, MEMS开关与MOSFET并联,将开关过程中的损耗从MEMS开关迁移到了MOSFET,MOSFET在MEMS开关的导通和关断转换期间导通,使MEMS开关电压为零电压;控制部分用于控制MEMS开关和MOSSFET的导通和关断操作;所述控制部分还设置有隔离器与电源部分隔离。
控制部分设置有5V辅助电压输入。
隔离器包括功率隔离器和信号隔离器。
信号隔离器通过控制器与电源连接。
功率隔离器与电源部分连接。
电源部分还包括有5V电源、10V电源和100V电源,所述5V电源用来驱动控制器实现通断控制逻辑,所述10V电源用来驱动MOSFET,所述100V电源来驱动MEMS开关。
与现有技术相比,本实用新型的优点及有益效果在于:与传统的SSR和ESR相比,本实用新型使用MEMS开关,基于独特的结构,微机电系统的机械接触减小了通态电阻,并能够实现物理隔离;电压源栅极控制功能则避免了笨重的线圈,减小了体积,能够同时实现小型化的尺寸和理想的开关性能。应用时,频率最大为10kHz,并且在大多数情况下它不会在开关模式下工作,MOSFET的开关损耗很低,可以被忽略。本实用新型结合了MOSFET和MEMS开关的优点,解决了开关能量问题,减少并转移开关能量损耗以保护微机电器件,使得微机电技术可以用于功率继电器应用。
附图说明
图1为带有并联MOSFET的MEMS开关继电器;
图2为控制电压与开关信号隔离电路;
图3为MEMS继电器开通过程波形;
图4为MEMS继电器关断过程波形;
图5为MEMS继电器过电流保护过程波形。
具体实施方式
结合附图和具体实施例进一步对本实用新型的技术方案进行阐述,以下内容仅是本实用新型的具体实施例,并不限制本实用新型的使用方式。
实施例1
如图1所示,一种基于微机电系统器件的智能继电器,MOSFET(金属氧化物半导体场效应管Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)与MEMS开关并联,MOSFET在MEMS开关的导通和关断转换期间导通,从而将开关过程中的损耗从MEMS开关迁移到了MOSFET,保证MEMS开关电压为零电压(小于0.5V)。
实施例2
一种基于微机电系统器件的智能继电器的开通过程为模态1~模态5:
模态1:收到打开继电器的控制信号,在短暂的延迟时间后,首先导通MOSFET;
模态2:当MOSFET导通时,MEMS开关两端的电压开始下降,流过MOSFET的负载电流增加;
模态3:经过一个非常小的时间延迟后,MOSFET电流稳定在负载电流;
模态4:MEMS开关打开,在这个导通过程中,MEMS开关实现了零电压导通;
模态5:MOSFET关断,所有负载电流都流过MEMS开关,继电器开通过程完成;
实施例3
一种基于微机电系统器件的智能继电器的关断过程为模态6~模态10:
模态6:都到关断继电器的控制信号,MOSFET栅极电压变高以首先导通MOSFET;
模态7:当MOSFET导通时,MEMS开关和MOSFET都在传导负载电流;
模态8:MEMS开关关闭,因为MOSFET仍在导通,负载电流流过MOSFET,在这个关断过程中,MEMS开关实现了零电压关断;
模态9:经过一个非常小的时间延迟后,MOSFET电流稳定在负载电流;
模态10:MOSFET关断,继电器关断过程完成。
实施例4
如图2所示,为了实现一种基于微机电系统器件的智能继电器的导通和关断操作,需要一个控制信号输入电路来控制MEMS开关和MOSFET。在继电器中,5V辅助电压输入位于控制侧,MEMS开关和MOSFET位于电源电路侧,控制电路侧与主功率电源电路侧间应进行隔离。
当控制电路侧给定开关信号时,电源侧的控制器为MEMS开关和MOSFET生成所需的门极信号。为了实现继电器的所有控制功能,电源侧需要三个电源:5V电源驱动控制器来实现继电器的通断控制逻辑;10V电源驱动MOSFET;100V电压源来驱动MEMS开关。因此,需要隔离电路将开关控制信号电压传递给MEMS开关和MOSFET,并将5V控制电压传递给5V、12V和100V电源,为控制器、MOSFET和MEMS开关驱动电路供电。
实施例5
一种基于微机电系统器件的智能继电器,使用小型并联MEMS开关作为功率元件,功率继电器的总尺寸远小于具有大电感线圈的EMR和需要庞大的散热器的SSR。如表1中的对比结果所示,微机电继电器可以实现低导通损耗,快速响应,微型体积和更长的使用寿命。
表1:电磁继电器、固态继电器和微机电继电器对比
属性 电磁继电器 固态继电器 微机电继电器
导通电阻 <20mΩ <100mΩ <20mΩ
开关时间 >20ms >1ms <10us
漏电流 75pA@200V 0.4mA@200V 75pA@200V
使用寿命 <1千万 <1亿 >30亿
实施例6
对一种基于微机电系统器件的智能继电器进行测试,来验证其稳态和开关转换工作的性能。继电器的主功率电路位于电路板正面,并联的MOSFET安装在MEMS开关的背面。
如图3所示,1通道显示MOSFET的栅极电压, 2通道是MEMS开关门信号,3曲线是通过继电器的总负载电流,4曲线是输入和输出端子之间的电压。MOSFET在MEMS开关之前导通,并在MEMS栅极变高之前创建零电压条件。因此,控制信号以预期的方式运行,以保证MOSFET在MEMS开关开启时开启。
实施例7
如图4所示, 200V/2A关断操作可以按照图中预期的方式安全地执行。MOSFET先于MEMS开关导通,保证MEMS开关的关断电压接近0V。继电器中添加了一个缓冲电路,以吸收寄生电感中存储的能量,因此电压和电流的上升下降速度比较缓慢。
实施例8
在1kHz开关模式下进行功率循环测试,继电器在轻载条件下经受住了100万次开关转换。测试证明了继电器的可靠性。此特性同样使快速过电流保护成为可能:当检测到过电流时,MEMS开关可在20us内关闭。图5所示为过流保护程序中的波形,一旦负载电流达到阈值,MOSFET就会开启,然后MEMS开关在10us内关闭。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种基于微机电系统器件的功率继电器,其特征在于包括控制部分和电源部分,所述电源部分包括MEMS开关和MOSFET,所述MEMS开关与MOSFET并联,将开关过程中的损耗从MEMS开关迁移到了MOSFET,所述MOSFET在MEMS开关的导通和关断转换期间导通,使MEMS开关电压为零电压;所述控制部分用于控制MEMS开关和MOSFET的导通和关断操作;所述控制部分还设置有隔离器与电源部分隔离。
2.根据权利要求1所述的一种基于微机电系统器件的功率继电器,其特征在于所述控制部分设置有5V辅助电压输入。
3.根据权利要求1所述的一种基于微机电系统器件的功率继电器,其特征在于所述隔离器包括功率隔离器和信号隔离器。
4.根据权利要求3所述的一种基于微机电系统器件的功率继电器,其特征在于所述信号隔离器通过控制器与电源3连接。
5.根据权利要求3所述的一种基于微机电系统器件的功率继电器,其特征在于所述功率隔离器与电源部分连接。
6.根据权利要求1所述的一种基于微机电系统器件的功率继电器,其特征在于电源部分还包括有5V电源、10V电源和100V电源,所述5V电源用来驱动控制器实现通断控制逻辑,所述10V电源用来驱动MOSFET,所述100V电源来驱动MEMS开关。
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