CN218941328U - 声换能装置及电子设备 - Google Patents

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CN218941328U CN202222863178.1U CN202222863178U CN218941328U CN 218941328 U CN218941328 U CN 218941328U CN 202222863178 U CN202222863178 U CN 202222863178U CN 218941328 U CN218941328 U CN 218941328U
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王磊
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Abstract

提供了一种声换能装置及电子设备。声换能装置包括衬底和压电薄膜,压电薄膜和衬底层叠设置。压电薄膜具有相互连接的连接区和悬臂区,压电薄膜通过连接区与衬底固定连接,悬臂区悬空。悬臂区设置有缝隙结构,缝隙结构与连接区连接。在采用上述结构时,压电薄膜可以通过连接区与衬底固定连接,缝隙结构可以与连接区连接,缝隙结构可以减弱压电薄膜受到的约束,从而压电薄膜的固定方式为低刚度固定方式,这样可以改善压电薄膜作为声学器件振膜的顺性,可以降低压电薄膜的低频谐振频点,实现器件响应频宽向中低频段下潜,提升器件的中低频性能,器件响应频宽得到扩展,覆盖频段较宽,不同频段性能均比较优越。

Description

声换能装置及电子设备
技术领域
本实用新型涉及电子设备技术领域,尤其涉及一种声换能装置及电子设备。
背景技术
微机电系统(micro-electro mechanical system,MEMS)是指尺寸在毫米级或更小的传感器、执行器或者微型系统。利用精密制造方法和能效驱动原理,MEMS在器件小型化进程中体现出比较优异的潜力和效果,可有效降低器件体积。MEMS声换能器是通过MEMS工艺制备,利用压电薄膜在电场作用下振动发声的微型扬声器。MEMS声换能器的体积较小,在耳机、蓝牙眼镜等小型化扬声器场景中具有显著优势。MEMS声换能器的压电薄膜(也称为压电振膜)通常采用刚性压电振膜,由于刚性压电振膜的响应频段在高音频段,导致MEMS声换能器的中低频性能较差,仅能作为高音单元使用,使用局限性较大。
实用新型内容
本实用新型提供了一种声换能装置及电子设备,以提升声换能器的中低频性能。
第一方面,本实用新型提供了一种声换能装置,可以包括衬底和压电薄膜,压电薄膜和衬底可以层叠设置。压电薄膜可以具有相互连接的连接区和悬臂区,压电薄膜可以通过连接区与衬底固定连接,悬臂区可以悬空。悬臂区可以设置有缝隙结构,缝隙结构可以与连接区连接,从而可以减弱压电薄膜受到的约束。
本实用新型提供的技术方案,压电薄膜可以通过连接区与衬底固定连接,缝隙结构可以与连接区连接,缝隙结构可以减弱压电薄膜受到的约束,从而压电薄膜的固定方式为低刚度固定方式,这样可以改善压电薄膜作为声学器件振膜的顺性,可以降低压电薄膜的低频谐振频点,实现器件响应频宽向中低频段下潜,提升器件的中低频性能,器件响应频宽得到扩展,覆盖频段较宽,不同频段性能均比较优越。
在一个具体的可实施方案中,缝隙结构与连接区可以并排设置。使得压电薄膜与衬底的连接长度缩短,可以减弱压电薄膜受到的约束,改善压电薄膜的顺性。
在一个具体的可实施方案中,缝隙结构沿延伸方向与连接区可以具有至少两个连接点。缝隙结构可以将压电薄膜分割成至少两个压电薄膜单元,具体可以将压电薄膜分割出至少一个波形的压电薄膜单元,在提升器件的中低频性能的同时,可以抑制甚至消除器件使用频段的中高频谐振峰,从而改善器件使用频段的中高频平坦度,提升器件整体性能。
在一个具体的可实施方案中,缝隙结构可以包括多个第一缝隙,各个第一缝隙的第一端可以与连接区连接,各个第一缝隙的第二端可以与相邻一个第一缝隙的第二端连接。相似地,缝隙结构可以将压电薄膜分割成至少两个压电薄膜单元,具体可以将压电薄膜分割出至少一个三角形的压电薄膜单元,可以抑制甚至消除器件使用频段的中高频谐振峰,可以改善器件使用频段的中高频平坦度。
除了上述设置缝隙结构的方式以外,还可以采用其他的方式,例如,缝隙结构可以包括多个第二缝隙和至少一个第三缝隙,各个第二缝隙的第一端可以与连接区连接,各个第三缝隙的两端可以分别与相邻两个第二缝隙的第二端连接。相似地,缝隙结构可以将压电薄膜分割成至少两个压电薄膜单元,具体可以将压电薄膜分割出至少一个方形的压电薄膜单元,可以抑制甚至消除器件使用频段的中高频谐振峰,可以改善器件使用频段的中高频平坦度。
此外,为了保证压电薄膜的结构强度,连接区具有相对的第一面和第二面,第一面可以朝向衬底设置,第二面可以固定连接有第一补强件,第一补强件可以与悬臂区固定连接。第一补强件可以提高悬臂区靠近连接区的区域的结构强度。
在一个具体的可实施方案中,悬臂区具有相对的第三面和第四面,第三面可以远离衬底设置,第四面可以固定连接有第二补强件,第二补强件可以与衬底固定连接。第二补强件可以提高悬臂区靠近连接区的区域的结构强度。
在一个具体的可实施方案中,连接区可以为柔性结构体。可以减弱压电薄膜受到的约束,改善压电薄膜作为声学器件振膜的顺性。
在一个具体的可实施方案中,压电薄膜还可以具有柔性区,悬臂区可以通过柔性区与连接区连接,即压电薄膜沿自身长度方向可以依次具有连接区、柔性区和悬臂区,柔性区也可以悬空。相似地,柔性区的设置也可以减弱压电薄膜受到的约束,改善压电薄膜作为声学器件振膜的顺性。
在一个具体的可实施方案中,柔性区具有相对的第五面和第六面,第五面可以远离衬底设置,第五面可以固定连接有第三补强件,第三补强件的一端可以与连接区固定连接,第三补强件的另一端可以与悬臂区固定连接。第三补强件的设置可以提高柔性区的结构强度,还可以避免气流通过柔性区由压电薄膜的一面流向压电薄膜的另一面,从而可以改善声短路问题。
在一个具体的可实施方案中,柔性区具有相对的第五面和第六面,第五面可以远离衬底设置,第六面可以固定连接有第三补强件,第三补强件的一端可以与衬底固定连接,第三补强件的另一端可以与悬臂区固定连接。相似地,第三补强件可以提高柔性区的结构强度,以及可以改善声短路问题。
在具体设置压电薄膜时,压电薄膜和衬底可以在第一方向上层叠设置,衬底可以设置有沿第一方向延伸的通孔;悬臂区可以延伸至通孔所在区域。悬臂区可以实现悬空,从而压电薄膜在电场作用下可以振动发声。
第二方面,本实用新型提供了一种电子设备,包括如前述第一方面中任一可实施方案中的声换能装置。本实用新型提供的技术方案,声换能装置的不同频段性能均比较优越,电子设备的声学表现比较理想。
附图说明
图1为本实用新型实施例提供的声换能装置的俯视结构示意图;
图2为本实用新型实施例提供的声换能装置沿图1中A-A方向的剖视结构示意图;
图3为本实用新型实施例提供的声换能装置的使用效果示意图;
图4为本实用新型另一实施例提供的声换能装置的结构示意图;
图5为本实用新型另一实施例提供的声换能装置的结构示意图;
图6为本实用新型另一实施例提供的声换能装置的结构示意图;
图7为本实用新型另一实施例提供的声换能装置的结构示意图;
图8为本实用新型一种可能的实施例提供的声换能装置的结构示意图;
图9为本实用新型实施例提供的声换能装置的频响收益示意图;
图10为本实用新型一种可能的实施例提供的声换能装置的结构示意图;
图11为本实用新型另一种可能的实施例提供的声换能装置的结构示意图;
图12为本实用新型一种可能的实施例提供的声换能装置的结构示意图;
图13为本实用新型一种可能的实施例提供的声换能装置的结构示意图;
图14为本实用新型另一种可能的实施例提供的声换能装置的结构示意图;
图15为本实用新型实施例提供的声换能装置的一种可能的封装结构示意图。
附图标记:
100-声换能装置;200-外壳;110-衬底;120-压电薄膜;111-通孔;121-连接区;
122-悬臂区;123-缝隙结构;124-压电薄膜单元;125-第一补强件;126-第二补强件;
127-柔性区;128-第三补强件;1231-第一缝隙;1232-第二缝隙;1233-第三缝隙。
具体实施方式
下面将结合附图,对本实用新型实施例进行详细描述。
为了方便理解,首先说明本实用新型涉及的声换能装置的应用场景。本实用新型实施例提供的声换能装置可以适配于电子设备,例如,可以应用于移动终端,包括但不限于手机、平板电脑、可穿戴电子设备(如耳机、眼镜、手表及手环)等。本实用新型实施例提供的声换能装置可以封装形成声学单元,用于将电信号转化为声信号。
在相关技术中,MEMS声换能器的压电薄膜,也称为压电振膜,通常采用刚性压电振膜,由于刚性压电振膜的响应频段在高音频段,导致MEMS声换能器的中低频性能较差,仅能作为高音单元使用。实际应用在电子设备上时,通常希望MEMS声换能器可以覆盖尽量宽的频段,即希望MEMS声换能器的使用频段可以尽可能地往中低频段下潜。目前的一些旨在改善中低频的设计方案,中低频下潜有限,而且往往又会带来中高频谐振峰,反倒是影响中高频性能。
基于此,本实用新型实施例提供了一种声换能装置,以提升声换能器的中低频性能。
首先参考图1,图1示出了本实用新型实施例提供的声换能装置的俯视结构示意图。如图1所示,本实用新型实施例提供的声换能装置可以包括衬底110和压电薄膜120。压电薄膜120可以具有相互连接的连接区121和悬臂区122。例如,压电薄膜120沿自身长度方向依次具有连接区121和悬臂区122,连接区121沿压电薄膜120长度方向的尺寸较小,连接区121的面积也较小,相较而言,悬臂区122沿压电薄膜120长度方向的尺寸较大,悬臂区122的面积也较大。例如,连接区121可以为面积较小的方形,悬臂区122可以为面积较大的方形。连接区121可以与衬底110固定连接,实现压电薄膜120与衬底110固定连接。悬臂区122可以悬空,从而压电薄膜120固定在衬底110上可以形成悬臂结构。本实用新型实施例对压电薄膜120的数量不进行限制,图1示例了压电薄膜120为两个的情况,两个压电薄膜120可以对称设置;压电薄膜120也可以为一个或多于两个;当压电薄膜120为多个时,可以采用对称的排布方式,也可以采用环形或其他排布方式,本实用新型实施例对压电薄膜120的排布方式也不进行限制。
图2示出了本实用新型实施例提供的声换能装置沿图1中A-A方向的剖视结构示意图。一并参考图1及图2所示,压电薄膜120和衬底110可以在第一方向上层叠设置。衬底110可以设置有沿第一方向延伸的通孔111,从而衬底110具有空腔。通孔111可以为方形、圆形等多种形状,本实用新型的实施例对此不作限制。具体设置压电薄膜120时,悬臂区122可以延伸至通孔111所在区域,从而压电薄膜120在电场作用下可以振动发声,压电薄膜120可以作为声学单元的振膜使用。
在具体实施中,悬臂区122可以设置有缝隙结构123,缝隙结构123可以与连接区121连接,换言之,缝隙结构123可以延伸至连接区121。
本实用新型实施例提供的声换能装置,压电薄膜120可以通过连接区121与衬底110固定连接,缝隙结构123可以与连接区121连接,缝隙结构123可以减弱压电薄膜120受到的约束,相较于未设置缝隙结构123时,压电薄膜120的固定方式为低刚度固定方式,这样可以改善压电薄膜120作为声学器件振膜的顺性,可以降低压电薄膜120的低频谐振频点,实现器件响应频宽向中低频段下潜,提升器件的中低频性能,整体而言,器件响应频宽得到扩展,覆盖频段较宽,不同频段性能均比较优越。
在具体实施中,衬底110可以采用硅基制成。衬底110可以为圆形或其他形状。压电薄膜120可以采用复合薄膜,例如,压电薄膜120可以包括上下两个导电层,以及位于上下两个导电层之间的压电层。压电薄膜120可以为方形或其他形状。具体制备压电薄膜120时,可以采用半导体蒸镀工艺在衬底110上生长压电薄膜120,实现压电薄膜120和衬底110层叠设置。
在具体实施中,可以将压电薄膜120分割成多个面积较小的压电薄膜单元,各个压电薄膜单元单独与衬底110固定连接,这样在提升器件的中低频性能的同时,可以抑制甚至消除器件使用频段的中高频谐振峰,从而改善器件使用频段的中高频平坦度,提升器件整体性能。
图3示出了本实用新型实施例提供的声换能装置的使用效果示意图。图3中的实线示意了采用刚性压电振膜的某种声换能器的频带情况,图3中的虚线示意了本实用新型实施例提供的声换能装置的频带情况,如图3所示,相较而言,本实用新型实施例提供的声换能装置的低频谐振频点(f0)降低,并且,中高频谐振频点(f1)消失。
图4示出了本实用新型另一实施例提供的声换能装置的结构示意图,图4示例了压电薄膜120为一个的情况。如图4所示,在一种可能的实施方式中,缝隙结构123可以包括多个第二缝隙1232和至少一个第三缝隙1233,各个第二缝隙1232的第一端可以与连接区121连接,各个第三缝隙1233的两端可以分别与相邻两个第二缝隙1232的第二端连接。例如,第二缝隙1232的形状可以为直线状,各个第二缝隙1232的第一端可以与连接区121连接,且各个第二缝隙1232可以垂直于连接区121设置,各个第三缝隙1233的两端可以分别与相邻两个第二缝隙1232的第二端连接,从而一个第三缝隙1233和相邻两个第二缝隙1232可以形成n形结构,可以将压电薄膜120分割出一个方形的压电薄膜单元124,依此类推,多个第三缝隙1233和多个第二缝隙1232可以将压电薄膜120分割出多个方形的压电薄膜单元124。图4示例了缝隙结构123将压电薄膜120分割出一个方形的压电薄膜单元124的情况。当多个第三缝隙1233和多个第二缝隙1232形成多个n形结构时,各个n形结构可以依次相连设置,可以将压电薄膜120分割出多个依次相邻分布的方形的压电薄膜单元124;或者,各个n形结构可以相互间隔设置,可以将压电薄膜120分割出多个相互间隔分布的方形的压电薄膜单元124;或者,一部分n形结构可以依次相连设置,另一部分n形结构可以相互间隔设置,可以将压电薄膜120分割出多个方形的压电薄膜单元124,这些方形的压电薄膜单元124中的一部分依次相邻分布,另一部分相互间隔分布。
图5示出了本实用新型另一实施例提供的声换能装置的结构示意图。图5中的标号可以参考图4中的相同标号。如图5所示,在另一种可能的实施方式中,缝隙结构123可以包括多个第一缝隙1231,各个第一缝隙1231的第一端可以与连接区121连接,各个第一缝隙1231的第二端可以与相邻一个第一缝隙1231的第二端连接。例如,第一缝隙1231的形状可以为直线状,相邻两个第一缝隙1231中的每个第一缝隙1231的第一端可以与连接区121连接,且每个第一缝隙1231可以与连接区121呈夹角设置,这两个第一缝隙1231的第二端可以相互连接,从而相邻两个第一缝隙1231可以形成v形结构,可以将压电薄膜120分割出一个三角形的压电薄膜单元124,依此类推,多个第一缝隙1231可以将压电薄膜120分割出多个三角形的压电薄膜单元124。图5示例了缝隙结构123将压电薄膜120分割出一个三角形的压电薄膜单元124的情况。当多个第一缝隙1231形成多个v形结构时,各个v形结构可以依次相连设置,可以将压电薄膜120分割出多个依次相邻分布的三角形的压电薄膜单元124;或者,各个v形结构可以相互间隔设置,可以将压电薄膜120分割出多个相互间隔分布的三角形的压电薄膜单元124;或者,一部分v形结构可以依次相连设置,另一部分v形结构可以相互间隔设置,可以将压电薄膜120分割出多个三角形的压电薄膜单元124,这些三角形的压电薄膜单元124中的一部分依次相邻分布,另一部分相互间隔分布。
图6示出了本实用新型另一实施例提供的声换能装置的结构示意图。图6中的标号可以参考图4中的相同标号。如图6所示,在其他可能的实施方式中,缝隙结构123沿延伸方向与连接区121可以具有至少两个连接点。例如,缝隙结构123的形状可以为波形,波形的缝隙结构123的波谷可以与连接区121连接,缝隙结构123可以具有至少两个波谷,从而,缝隙结构123可以将压电薄膜120分割成至少两个压电薄膜单元124,可以将压电薄膜120分割出至少一个波形的压电薄膜单元124。图6示例了缝隙结构123将压电薄膜120分割出一个波形的压电薄膜单元124的情况。
图7示出了本实用新型另一实施例提供的声换能装置的结构示意图。如图7所示,作为一种可能的实施例,缝隙结构123与连接区121可以并排设置,即缝隙结构123整体可以与连接区121连接。定义连接区121与悬臂区122交界线的长度为压电薄膜120与衬底110的连接长度,当缝隙结构123整体与连接区121连接时,压电薄膜120与衬底110的连接长度缩短,压电薄膜120受到的约束减弱,压电薄膜120的固定方式为低刚度固定方式,可以改善压电薄膜120的顺性。在一些具体实施中,当连接区121与悬臂区122的交界线为直线时,缝隙结构123的形状可以为直线,缝隙结构123可以与连接区121平行设置,且缝隙结构123可以紧邻连接区121,实现缝隙结构123整体与连接区121连接。图7示例了缝隙结构123的形状为直线的情况。在其他一些具体实施中,当连接区121与悬臂区122的交界线为曲线时,缝隙结构123的形状可以为与交界线形状相似的曲线,从而缝隙结构123可以与连接区121相吻合,实现缝隙结构123整体与连接区121连接。
图8示出了本实用新型一种可能的实施例提供的声换能装置的结构示意图。如图8所示,在具体实施中,可以通过压电薄膜120与衬底110以较窄面积连接的方式实现减弱压电薄膜120受到的约束,具体地,可以通过设置面积较小的连接区121实现减弱压电薄膜120受到的约束,这样压电薄膜120的固定方式也为低刚度固定方式,可以改善压电薄膜120作为声学器件振膜的顺性,降低压电薄膜120的低频谐振频点,实现器件响应频宽向中低频段下潜,提升器件的中低频性能。
图9示出了本实用新型实施例提供的声换能装置的频响收益示意图。图9中的位于上方的图为压电薄膜120与衬底110以较窄面积连接时的频响收益,图9中的位于下方的图为压电薄膜120与衬底110以较宽面积连接时的频响收益,如图9所示,当压电薄膜120与衬底110以较窄面积连接时,频率尖峰向低频移动,器件频响收益较高。
图10示出了本实用新型一种可能的实施例提供的声换能装置的结构示意图。如图10所示,作为一种可能的实施例,可以在悬臂区122的靠近连接区121的区域设置补强件,以提高该区域的结构强度。具体地,补强件可以采用聚合物制成的薄膜。在一种具体实施中,连接区121具有相对的第一面和第二面,第一面朝向衬底110设置,第二面可以固定连接有第一补强件125,第一补强件125可以与悬臂区122固定连接,即第一补强件125可以同时与连接区121和悬臂区122固定连接。具体实施时,第一补强件125的形状可以与连接区121和悬臂区122的交界线形状相匹配。
图11示出了本实用新型另一种可能的实施例提供的声换能装置的结构示意图。如图11所示,在另一种具体实施中,悬臂区122具有相对的第三面和第四面,第三面远离衬底110设置,第四面可以固定连接有第二补强件126,第二补强件126可以与衬底110固定连接,即第二补强件126可以同时与悬臂区122和衬底110固定连接。具体实施时,第二补强件126的形状可以与衬底110边缘的延伸形状相匹配。
图12示出了本实用新型一种可能的实施例提供的声换能装置的结构示意图。如图12所示,作为一种可能的实施例,连接区121可以为柔性结构体,这样也可以减弱压电薄膜120受到的约束,压电薄膜120的固定方式也为低刚度固定方式,可以改善压电薄膜120作为声学器件振膜的顺性,降低压电薄膜120的低频谐振频点,实现器件响应频宽向中低频段下潜,提升器件的中低频性能。具体实施时,连接区121可以采用弹簧结构。
图13示出了本实用新型一种可能的实施例提供的声换能装置的结构示意图。如图13所示,作为一种可能的实施例,压电薄膜120还可以具有柔性区127,悬臂区122可以通过柔性区127与连接区121连接,即压电薄膜120沿自身长度方向可以依次具有连接区121、柔性区127和悬臂区122,柔性区127也可以悬空。柔性区127的设置也可以减弱压电薄膜120受到的约束,压电薄膜120的固定方式也为低刚度固定方式,可以改善压电薄膜120作为声学器件振膜的顺性,降低压电薄膜120的低频谐振频点,实现器件响应频宽向中低频段下潜,提升器件的中低频性能。具体实施时,柔性区127可以采用弹簧结构。此时,连接区121也可以采用弹簧结构,以进一步提升器件的中低频性能。
在一种具体实施中,柔性区127具有相对的第五面和第六面,第五面远离衬底110设置,第五面可以固定连接有第三补强件128,第三补强件128的一端向连接区121延伸且与连接区121固定连接,第三补强件128的另一端向悬臂区122延伸且与悬臂区122固定连接。第三补强件128的设置可以提高柔性区127的结构强度,还可以避免气流通过柔性区127由压电薄膜120的一面流向压电薄膜120的另一面,改善声短路问题。
图14示出了本实用新型另一种可能的实施例提供的声换能装置的结构示意图。图14中的标号可以参考图13中的相同标号。如图14所示,在另一种具体实施中,柔性区127具有相对的第五面和第六面,第五面远离衬底110设置,第六面固定连接有第三补强件128,第三补强件128的一端向衬底110延伸且与衬底110固定连接,第三补强件128的另一端向悬臂区122延伸且与悬臂区122固定连接。第三补强件128设置在柔性区127的第六面,也可以提高柔性区127的结构强度,以及可以改善声短路问题。
在其他具体实施中,柔性区127的第五面和第六面均可以设置有第三补强件128,即柔性区127相对的两面均可以设置有第三补强件128,以进一步提高柔性区127的结构强度,以及更有效地改善声短路问题。
图15示出了本实用新型实施例提供的声换能装置的一种可能的封装结构示意图。如图15所示,实际应用时,本实用新型实施例提供的声换能装置可以封装形成声学单元,并应用于电子设备。在一种可能的实施方式中,声学单元可以包括声换能装置100、电路板及外壳200等。声换能装置100可以设置在电路板上,并可以由外壳200保护。电路板可以通过引线与电子设备的控制模块连接。外壳200上可以设置有泄气网等。声换能装置100的具体结构和构造可以参照图1、图2、图4至图8、图10至图14中各个实施例所示的具体介绍,这里不再重复赘述。
以上,仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种声换能装置,其特征在于,包括衬底和压电薄膜,所述压电薄膜和所述衬底层叠设置;
所述压电薄膜具有相互连接的连接区和悬臂区,所述压电薄膜通过所述连接区与所述衬底固定连接,所述悬臂区悬空;
所述悬臂区设置有缝隙结构,所述缝隙结构与所述连接区连接。
2.如权利要求1所述的声换能装置,其特征在于,所述缝隙结构与所述连接区并排设置。
3.如权利要求1所述的声换能装置,其特征在于,所述缝隙结构沿延伸方向与所述连接区具有至少两个连接点。
4.如权利要求1所述的声换能装置,其特征在于,所述缝隙结构包括多个第一缝隙,各个所述第一缝隙的第一端与所述连接区连接,各个所述第一缝隙的第二端与相邻一个所述第一缝隙的第二端连接。
5.如权利要求1所述的声换能装置,其特征在于,所述缝隙结构包括多个第二缝隙和至少一个第三缝隙,各个所述第二缝隙的第一端与所述连接区连接,各个所述第三缝隙的两端分别与相邻两个所述第二缝隙的第二端连接。
6.如权利要求1~5任一项所述的声换能装置,其特征在于,所述连接区具有相对的第一面和第二面,所述第一面朝向所述衬底设置,所述第二面固定连接有第一补强件,所述第一补强件与所述悬臂区固定连接。
7.如权利要求1~5任一项所述的声换能装置,其特征在于,所述悬臂区具有相对的第三面和第四面,所述第三面远离所述衬底设置,所述第四面固定连接有第二补强件,所述第二补强件与所述衬底固定连接。
8.如权利要求1~5任一项所述的声换能装置,其特征在于,所述连接区为柔性结构体。
9.如权利要求1~5任一项所述的声换能装置,其特征在于,所述压电薄膜还具有柔性区,所述悬臂区通过所述柔性区与所述连接区连接。
10.如权利要求9所述的声换能装置,其特征在于,所述柔性区具有相对的第五面和第六面,所述第五面远离所述衬底设置,所述第五面固定连接有第三补强件,所述第三补强件的一端与所述连接区固定连接,所述第三补强件的另一端与所述悬臂区固定连接。
11.如权利要求9所述的声换能装置,其特征在于,所述柔性区具有相对的第五面和第六面,所述第五面远离所述衬底设置,所述第六面固定连接有第三补强件,所述第三补强件的一端与所述衬底固定连接,所述第三补强件的另一端与所述悬臂区固定连接。
12.如权利要求1~5任一项所述的声换能装置,其特征在于,所述压电薄膜和所述衬底在第一方向上层叠设置,所述衬底设置有沿所述第一方向延伸的通孔;
所述悬臂区延伸至所述通孔所在区域。
13.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求1~12任一项所述的声换能装置。
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