CN218920401U - 灶具旋塞阀驱动电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及燃气灶技术领域，尤其是一种灶具旋塞阀驱动电路。灶具旋塞阀驱动电路，第一电解电容正极与第一晶体二极管阴极、第一晶体三极管基极、第三晶体三极管基极和第二电解电容正极连接，第一晶体二极管阳极与预制电源、第二晶体二极管阴极、第一晶体三极管集电极和第二晶体三极管基极连接，第二晶体二极管阳极与第二晶体三极管发射极和第三晶体二极管阴极连接，第三晶体三极管集电极与预制电源和第四晶体三极管基极连接，第四晶体三极管发射极与第二晶体三极管集电极连接。本实用新型的有益之处：采用两个PNP型晶体三极管串联导通进行控制，维持阀驱动电流基本稳定，且阀维持延时也精确。

Description

灶具旋塞阀驱动电路

技术领域

本实用新型涉及燃气灶技术领域，尤其是一种灶具旋塞阀驱动电路。

背景技术

现有的灶具旋塞阀驱动电路中左半部分为点火驱动分流，其中通过二极管D3整流后给电容C16充电，驱动下半桥，下半桥驱动因取自点火振荡分流，随着点火延时长短，电容C16端电压不固定，导致阀维持时间超标，因三极管Q5、Q6原设计初衷为恒流，然而电容C16端压随着消耗电压下降，致使阀电流也下降迅速，则变为非恒定。

发明内容

为了解决上述现有灶具旋塞阀驱动电路阀维持时间超标及电流不恒定的技术问题，本实用新型提供一种灶具旋塞阀驱动电路。

本实用新型的技术方案如下：

灶具旋塞阀驱动电路，包括第一、二电解电容、第一、二、三晶体二极管、第一、二、三、四晶体三极管，所述第一电解电容正极与第一晶体二极管阴极、第一晶体三极管基极、第三晶体三极管基极和第二电解电容正极连接，第一电解电容负极接地，第一晶体二极管阳极与预制电源、第二晶体二极管阴极、第一晶体三极管集电极和第二晶体三极管基极连接，第二晶体二极管阳极与第二晶体三极管发射极和第三晶体二极管阴极连接，第三晶体二极管阳极接地，第一晶体三极管发射极接地，第三晶体三极管集电极与预制电源和第四晶体三极管基极连接，第四晶体三极管发射极与第二晶体三极管集电极连接，第二电解电容负极与第三晶体三极管发射极和第四晶体三极管集电极连接后接地。

所述第一晶体二极管阳极与预制电源之间设有开关。

所述第二电解电容正极与第一晶体三极管基极之间设有第一电阻，第一晶体三极管基极连接第二电阻后接地。

所述第一晶体三极管集电极与第二晶体三极管基极之间设有第三电阻，第二晶体三极管基极与预制电源之间设有第四电阻。

所述第二电解电容正极与第三晶体三极管基极之间设有第五电阻，第三晶体三极管基极连接第六电阻后接地。

所述第三晶体三极管集电极与第四晶体三极管基极之间设有第七电阻，第四晶体三极管基极与预制电源之间设有第八电阻。

所述第三晶体三极管发射极与第四晶体三极管集电极之间设有第九电阻。

所述第一晶体三极管和第三晶体三极管为NPN型晶体三极管。

所述第二晶体三极管和第四晶体三极管为PNP型晶体三极管。

使用本实用新型的技术方案，结构新颖，设计巧妙，采用两个PNP型晶体三极管串联导通进行控制，并配合两个NPN型晶体三极管控制这两个PNP型晶体三极管的导通情况，两个基本类似复合管电流串联，主要是维持阀驱动电流基本稳定，且阀维持延时也精确。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是现有技术中灶具旋塞阀驱动电路的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明。

如图1所示的灶具旋塞阀驱动电路，包括第一、二电解电容EC1、EC2、第一、二、三晶体二极管D1、D2、D3、第一、二、三、四晶体三极管Q1、Q2、Q3、Q4，所述第一电解电容EC1正极与第一晶体二极管D1阴极、第一晶体三极管Q1基极、第三晶体三极管Q3基极和第二电解电容EC2正极连接，第一电解电容EC1负极接地，第一晶体二极管D1阳极与预制电源、第二晶体二极管D2阴极、第一晶体三极管Q1集电极和第二晶体三极管Q2基极连接，第二晶体二极管D2阳极与第二晶体三极管Q2发射极和第三晶体二极管D3阴极连接，第三晶体二极管D3阳极接地，第一晶体三极管Q1发射极接地，第三晶体三极管Q3集电极与预制电源和第四晶体三极管Q4基极连接，第四晶体三极管Q4发射极与第二晶体三极管Q2集电极连接，第二电解电容EC2负极与第三晶体三极管Q3发射极和第四晶体三极管Q4集电极连接后接地。

优选地，所述第一晶体二极管D1阳极与预制电源之间设有开关SW1。

优选地，所述第二电解电容EC2正极与第一晶体三极管Q1基极之间设有第一电阻R1，第一晶体三极管Q1基极连接第二电阻R2后接地。

优选地，所述第一晶体三极管Q1集电极与第二晶体三极管Q2基极之间设有第三电阻R3，第二晶体三极管Q2基极与预制电源之间设有第四电阻R4。

优选地，所述第二电解电容EC2正极与第三晶体三极管Q3基极之间设有第五电阻R5，第三晶体三极管Q3基极连接第六电阻R6后接地。

优选地，所述第三晶体三极管Q3集电极与第四晶体三极管Q4基极之间设有第七电阻R7，第四晶体三极管Q4基极与预制电源之间设有第八电阻R8。

优选地，所述第三晶体三极管Q3发射极与第四晶体三极管Q4集电极之间设有第九电阻R9。

优选地，所述第一晶体三极管Q1和第三晶体三极管Q3为NPN型晶体三极管。

优选地，所述第二晶体三极管Q2和第四晶体三极管Q4为PNP型晶体三极管。

如图2所示，现有的灶具旋塞阀驱动电路中左半部分为点火驱动分流，其中通过二极管D3整流后给电容C16充电，驱动下半桥，下半桥驱动因取自点火振荡分流，随着点火延时长短，电容C16端电压不固定，导致阀维持时间超标，因三极管Q5、Q6原设计初衷为恒流，然而电容C16端压随着消耗电压下降，致使阀电流也下降迅速，则变为非恒定，本实用新型设计中采用两个PNP型晶体三极管串联导通进行控制，并配合两个NPN型晶体三极管控制这两个PNP型晶体三极管的导通情况，两个基本类似复合管电流串联，主要是维持阀驱动电流基本稳定，且阀维持延时也精确。

使用时，闭合开关SW1，预置电源的电压将第一晶体二极管D1导通，此时预置电源给第一电解电容EC1和第二电解电容EC2充电，同时第一晶体三极管Q1和第三晶体三极管Q3基极得到高电压导通，第一晶体三极管Q1和第三晶体三极管Q3的导通也使得第二晶体三极管Q2和第四晶体三极管Q4基极得到高电压导通，形成预置电源通过第二晶体三极管Q2和第四晶体三极管Q4后导通的回路，达到驱动用电器的目的，第一电解电容EC1和第二电解电容EC2充电后将对整体电路运行中的电压下降进行补偿，达到精准延时的目的。

应当理解的是，以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不足以限制本实用新型的技术方案，对本领域普通技术人员来说，在本实用新型的精神和原则之内，可以根据上述说明加以增减、替换、变换或改进，而所有这些增减、替换、变换或改进后的技术方案，都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.灶具旋塞阀驱动电路，包括第一、二电解电容（EC1、EC2）、第一、二、三晶体二极管（D1、D2、D3）、第一、二、三、四晶体三极管（Q1、Q2、Q3、Q4），其特征在于：所述第一电解电容（EC1）正极与第一晶体二极管（D1）阴极、第一晶体三极管（Q1）基极、第三晶体三极管（Q3）基极和第二电解电容（EC2）正极连接，第一电解电容（EC1）负极接地，第一晶体二极管（D1）阳极与预制电源、第二晶体二极管（D2）阴极、第一晶体三极管（Q1）集电极和第二晶体三极管（Q2）基极连接，第二晶体二极管（D2）阳极与第二晶体三极管（Q2）发射极和第三晶体二极管（D3）阴极连接，第三晶体二极管（D3）阳极接地，第一晶体三极管（Q1）发射极接地，第三晶体三极管（Q3）集电极与预制电源和第四晶体三极管（Q4）基极连接，第四晶体三极管（Q4）发射极与第二晶体三极管（Q2）集电极连接，第二电解电容（EC2）负极与第三晶体三极管（Q3）发射极和第四晶体三极管（Q4）集电极连接后接地。

2.根据权利要求1所述的灶具旋塞阀驱动电路，其特征在于：所述第一晶体二极管（D1）阳极与预制电源之间设有开关（SW1）。

3.根据权利要求1所述的灶具旋塞阀驱动电路，其特征在于：所述第二电解电容（EC2）正极与第一晶体三极管（Q1）基极之间设有第一电阻（R1），第一晶体三极管（Q1）基极连接第二电阻（R2）后接地。

4.根据权利要求1所述的灶具旋塞阀驱动电路，其特征在于：所述第一晶体三极管（Q1）集电极与第二晶体三极管（Q2）基极之间设有第三电阻（R3），第二晶体三极管（Q2）基极与预制电源之间设有第四电阻（R4）。

5.根据权利要求1所述的灶具旋塞阀驱动电路，其特征在于：所述第二电解电容（EC2）正极与第三晶体三极管（Q3）基极之间设有第五电阻（R5），第三晶体三极管（Q3）基极连接第六电阻（R6）后接地。

6.根据权利要求1所述的灶具旋塞阀驱动电路，其特征在于：所述第三晶体三极管（Q3）集电极与第四晶体三极管（Q4）基极之间设有第七电阻（R7），第四晶体三极管（Q4）基极与预制电源之间设有第八电阻（R8）。

7.根据权利要求1所述的灶具旋塞阀驱动电路，其特征在于：所述第三晶体三极管（Q3）发射极与第四晶体三极管（Q4）集电极之间设有第九电阻（R9）。

8.根据权利要求1所述的灶具旋塞阀驱动电路，其特征在于：所述第一晶体三极管（Q1）和第三晶体三极管（Q3）为NPN型晶体三极管。

9.根据权利要求1所述的灶具旋塞阀驱动电路，其特征在于：所述第二晶体三极管（Q2）和第四晶体三极管（Q4）为PNP型晶体三极管。

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