CN218867914U - 充放电mos泄放回路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了充放电MOS泄放回路，包括：检测电阻，检测电阻连接放电泄放回路，放电泄放回路连接放电开关，放电开关连接充电开关，充电开关连接充电泄放回路。本实用新型的有益效果是：前端驱动电压为0V时，通过泄放MOS管Vgs电压，加速关断MOS管。
Description
技术领域
本实用新型涉及电路技术领域，特别涉及充放电MOS泄放回路。
背景技术
目前，电动车采用锂电池进行供电，锂电池一次过放电情况就会造成电池的永久性损坏，在极端情况下，电池会破裂甚至爆炸。电池在使用中发生短路或负载异常的电池过放，若放电MOS管不能及时关断会造成放电MOS管击穿，从而损坏电池。骑行中刹车电流过大或使用非法的充电器导致电池过充，若充电MOS管不能及时关断也会造成充电MOS管损坏发生充电起火。因此需要过流或短路时关断MOS管。
例如，一种在中国专利文献上公开的“锂电池电压控制装置及使用该装置的测试系统”，其公告号：CN201639327U，其申请日：2010年3月24日，该专利测试锂电池充电电路过程中，控制模块比较锂电池电压与基准电压，并根据锂电池电压与基准电压的比较结果控制功耗电路是否对锂电池进行放电。避免锂电池过充而使锂电池充电电路断开，而造成测试无法进行。以使锂电池充电电路可以持续不间断测试，极大的提升了测试效率，但是存在不能泄放MOS管Vgs电压，加速关断MOS管的问题。
实用新型内容
针对现有技术不能泄放MOS管Vgs电压，加速关断MOS管的不足，本实用新型提出了充放电MOS泄放回路，前端驱动电压为0V时，通过泄放MOS管Vgs电压，加速关断MOS管。
以下是本实用新型的技术方案，充放电MOS泄放回路，包括：检测电阻，检测电阻连接放电泄放回路，放电泄放回路连接放电开关，放电开关连接充电开关，充电开关连接充电泄放回路。
作为优选，检测电阻一端接地，检测电阻为并联的电阻R12和电阻R14。
作为优选，电阻R11、三极管Q4的集电极、电阻R9、稳压二极管D5的阳极、电阻R10和二极管D3的阴极连接检测电阻非接地端，电阻R11另一端连接三极管Q4的基极和二极管D3的阳极，三极管Q4的发射极连接三极管Q2的基极，电阻R9另一端连接三极管Q2的集电极，稳压二极管D5的阴极和电阻R10的另一端连接二极管D3的阴极，三极管Q2的发射极连接二极管D3的阴极，二极管D3的阳极连接电阻R4。
作为优选，电阻R5、电阻R15、MOS管Q8的源极和MOS管Q6的源极连接于电阻R10两端，电阻R5另一端连接MOS管Q6的栅极，电阻R15另一端连接MOS管Q8的栅极，MOS管Q6的漏极连接MOS管Q8的漏极。
作为优选，MOS管Q9的漏极和MOS管Q7的漏极连接MOS管Q6的漏极，MOS管Q9的栅极连接电阻R16，MOS管Q7的栅极连接电阻R6，电阻R6、电阻R16、MOS管Q9的源极和MOS管Q7的源极连接于电阻R13两端。
作为优选，电阻R13、稳压二极管D4的阳极、电阻R7、三极管Q5的集电极和电阻R8连接，电阻R13的另一端和稳压二极管D4的阴极连接二极管D2的阴极，电阻R7的另一端连接三极管Q3的集电极，三极管Q5的发射极连接三极管Q3的基极，三极管Q5的基极和电阻R8的另一端连接二极管D2的阳极，三极管Q3的发射极连接二极管D2的阴极，二极管D2的阳极连接二极管D1的阴极，二极管D1的阳极连接三极管Q1的集电极，三极管Q1的发射极连接电阻R1和电阻R2，三极管Q1的基极连接电阻R2的另一端和电阻R3，电阻R3的另一端接地。
作为优选，电阻R5、电阻R15、电阻R6和电阻R16的阻值为47R。
作为优选，电阻R12和电阻R14的阻值为3mR。
作为优选，电阻R11的阻值为5.1M，电阻R9的阻值为330R，电阻R10的阻值为10M，电阻R4的阻值为1K。
作为优选，电阻R13阻值为1M，电阻R7阻值为330R，电阻R8阻值为5.1M，电阻R1阻值为1K，电阻R2阻值为1M，电阻R3阻值为3M。
本实用新型的有益效果是：前端驱动电压为0V时，通过泄放MOS管Vgs电压，加速关断MOS管。
附图说明
图1充放电MOS泄放回路的总体电路图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。
实施例：如图1所示，充放电MOS泄放回路，包括：检测电阻，检测电阻连接放电泄放回路，放电泄放回路连接放电开关，放电开关连接充电开关，充电开关连接充电泄放回路。
检测电阻为并联的电阻R12和电阻R14，检测电阻一端接地。电阻R12和电阻R14的阻值为3mR，封装为2512。
放电泄放回路中，电阻R11、三极管Q4的集电极、电阻R9、稳压二极管D5的阳极、电阻R10和二极管D3的阴极连接检测电阻非接地端，电阻R11另一端连接三极管Q4的基极和二极管D3的阳极，三极管Q4的发射极连接三极管Q2的基极，电阻R9另一端连接三极管Q2的集电极，稳压二极管D5的阴极和电阻R10的另一端连接二极管D3的阴极，三极管Q2的发射极连接二极管D3的阴极，二极管D3的阳极连接电阻R4。电阻R11的阻值为5.1M，电阻R9的阻值为330R，电阻R10的阻值为10M，电阻R4的阻值为1K。
放电开关中，电阻R5、电阻R15、MOS管Q8的源极和MOS管Q6的源极连接于电阻R10两端，电阻R5另一端连接MOS管Q6的栅极，电阻R15另一端连接MOS管Q8的栅极，MOS管Q6的漏极连接MOS管Q8的漏极。电阻R5和电阻R15的阻值为47R，MOS管Q6和MOS管Q3为开关型MOS管，MOS管Q6和MOS管Q3分别设有二极管。
充电开关中，MOS管Q9的漏极和MOS管Q7的漏极连接MOS管Q6的漏极，MOS管Q9的栅极连接电阻R16，MOS管Q7的栅极连接电阻R6，电阻R6、电阻R16、MOS管Q9的源极和MOS管Q7的源极连接于电阻R13两端。电阻R6和电阻R16的阻值为47R，MOS管Q7和MOS管Q9为开关型MOS管，MOS管Q7和MOS管Q9分别设有二极管。
充电泄放回路中，电阻R13、稳压二极管D4的阳极、电阻R7、三极管Q5的集电极和电阻R8连接，电阻R13的另一端和稳压二极管D4的阴极连接二极管D2的阴极，电阻R7的另一端连接三极管Q3的集电极，三极管Q5的发射极连接三极管Q3的基极，三极管Q5的基极和电阻R8的另一端连接二极管D2的阳极，三极管Q3的发射极连接二极管D2的阴极，二极管D2的阳极连接二极管D1的阴极，二极管D1的阳极连接三极管Q1的集电极，三极管Q1的发射极连接电阻R1和电阻R2，三极管Q1的基极连接电阻R2的另一端和电阻R3，电阻R3的另一端接地。电阻R13阻值为1M，电阻R7阻值为330R，电阻R8阻值为5.1M，电阻R1阻值为1K，电阻R2阻值为1M，电阻R3阻值为3M。
电池过放时，电流是由P-/C-流向B-，经过电阻R12和电阻R14检测到异常关闭放电MOS管Q6和MOS管Q8，即DSG输出0V。由于MOS管的栅极寄生电容影响，控制芯片瞬间输出能力满足不了MOS管快速关断，需要增加放电泄放回路快速关断放电MOS管。放电控制(DSG)输出0V时，三极管Q4导通从而使三极管Q2也导通工作，MOS管Vgs电压通过电阻R9快速泄放到地，当MOS管Vgs电压低于开启电压时关断放电MOS管，保护电池正常工作。
电池过充时，电流是由B-流向P-/C-，经过电阻R12和电阻R14检测到异常关闭充电MOS管Q7和MOS管Q9，即CHG输出0V。由于MOS的栅极寄生电容影响，控制芯片瞬间输出能力满足不了MOS管快速关断，需要增加充电泄放回路快速关断充电MOS管。充电控制(CHG)输出0V时，三极管Q5导通从而使三极管Q3也导通工作，MOS管Vgs电压通过电阻R7快速泄放到充电器的地或负载的负极，当MOS管Vgs电压低于开启电压时关断充电MOS管，保护电池正常工作。
前端驱动电压为0V时，通过泄放MOS管Vgs电压，加速关断MOS管。
Claims (10)
1.充放电MOS泄放回路，其特征在于，包括：检测电阻，检测电阻连接放电泄放回路，放电泄放回路连接放电开关，放电开关连接充电开关，充电开关连接充电泄放回路。
2.根据权利要求1所述的充放电MOS泄放回路，其特征在于，检测电阻一端接地，检测电阻为并联的电阻R12和电阻R14。
3.根据权利要求1或2所述的充放电MOS泄放回路，其特征在于，电阻R11、三极管Q4的集电极、电阻R9、稳压二极管D5的阳极、电阻R10和二极管D3的阴极连接检测电阻非接地端，电阻R11另一端连接三极管Q4的基极和二极管D3的阳极，三极管Q4的发射极连接三极管Q2的基极，电阻R9另一端连接三极管Q2的集电极，稳压二极管D5的阴极和电阻R10的另一端连接二极管D3的阴极，三极管Q2的发射极连接二极管D3的阴极，二极管D3的阳极连接电阻R4。
4.根据权利要求1所述的充放电MOS泄放回路，其特征在于，电阻R5、电阻R15、MOS管Q8的源极和MOS管Q6的源极连接于电阻R10两端，电阻R5另一端连接MOS管Q6的栅极，电阻R15另一端连接MOS管Q8的栅极，MOS管Q6的漏极连接MOS管Q8的漏极。
5.根据权利要求1或2所述的充放电MOS泄放回路，其特征在于，MOS管Q9的漏极和MOS管Q7的漏极连接MOS管Q6的漏极，MOS管Q9的栅极连接电阻R16，MOS管Q7的栅极连接电阻R6，电阻R6、电阻R16、MOS管Q9的源极和MOS管Q7的源极连接于电阻R13两端。
6.根据权利要求1所述的充放电MOS泄放回路，其特征在于，电阻R13、稳压二极管D4的阳极、电阻R7、三极管Q5的集电极和电阻R8连接，电阻R13的另一端和稳压二极管D4的阴极连接二极管D2的阴极，电阻R7的另一端连接三极管Q3的集电极，三极管Q5的发射极连接三极管Q3的基极，三极管Q5的基极和电阻R8的另一端连接二极管D2的阳极，三极管Q3的发射极连接二极管D2的阴极，二极管D2的阳极连接二极管D1的阴极，二极管D1的阳极连接三极管Q1的集电极，三极管Q1的发射极连接电阻R1和电阻R2，三极管Q1的基极连接电阻R2的另一端和电阻R3，电阻R3的另一端接地。
7.根据权利要求1所述的充放电MOS泄放回路，其特征在于，电阻R5、电阻R15、电阻R6和电阻R16的阻值为47R。
8.根据权利要求2所述的充放电MOS泄放回路，其特征在于，电阻R12和电阻R14的阻值为3mR。
9.根据权利要求3所述的充放电MOS泄放回路，其特征在于，电阻R11的阻值为5.1M，电阻R9的阻值为330R，电阻R10的阻值为10M，电阻R4的阻值为1K。
10.根据权利要求6所述的充放电MOS泄放回路，其特征在于，电阻R13阻值为1M，电阻R7阻值为330R，电阻R8阻值为5.1M，电阻R1阻值为1K，电阻R2阻值为1M，电阻R3阻值为3M。
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