CN218850401U - 一种dc-dc防浪涌保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种DC‑DC防浪涌保护电路，包括电阻R1～R4、电容C1和C4、PMOS管Q1、三极管Q2，电阻R3一端连接电源输入端、另一端分别连接电阻R4、电容C4、三极管Q2的基集，三极管Q2的发射极、电容C4另一端、电阻R4另一端均接地；三极管Q2的集电极分别连接电阻R2和电阻R1，电阻R2另一端分别连接电容C1、PMOS管Q1的栅极G，电阻R1另一端依次连接电容C1另一端、PMOS管Q1的源极S，PMOS管Q1的漏极D连接电源输出端。本电路保障电子产品实现高品质、高寿命的应用。
Description
技术领域
本专利申请属于保护电路技术领域，更具体地说，是涉及一种DC-DC防浪涌保护电路，具有电路简单、适用性高的特点。
背景技术
研发人员在DC-DC电路开发中都会发现，当电源开关或通电瞬间，DC-DC电路都会产生瞬态电流，此时后级电路芯片与MOS管都很难避免浪涌冲击导致损坏的问题，使得电子产品无法实现高品质、高寿命的应用。
实用新型内容
本实用新型需要解决的技术问题是提供一种DC-DC防浪涌保护电路，保障电子产品实现高品质、高寿命的应用。
为了解决上述问题，本实用新型所采用的技术方案是：
一种DC-DC防浪涌保护电路，与DC-DC电路的电源输入端相连，包括电阻R1～R4、电容C1和C4、PMOS管Q1、三极管Q2，电阻R3一端连接电源输入端、另一端分别连接电阻R4、电容C4、三极管Q2的基集，三极管Q2的发射极、电容C4另一端、电阻R4另一端均接地；
三极管Q2的集电极分别连接电阻R2和电阻R1，电阻R2另一端分别连接电容C1、PMOS管Q1的栅极G，电阻R1另一端依次连接电容C1另一端、PMOS管Q1的源极S，PMOS管Q1的漏极D连接电源输出端。
本实用新型技术方案的进一步改进在于：电源输入端连接有电源开关CN1，电源开关CN1连接电阻R3一端。
本实用新型技术方案的进一步改进在于：PMOS管Q1的漏极D通过电容组连接电源输出端，电容组包括并联设置的电容C2、电容C3，电容C2一端接地、另一端接PMOS管Q1的漏极D。
本实用新型技术方案的进一步改进在于：电容C3为极性电容。
本实用新型技术方案的进一步改进在于：PMOS管Q1的型号为中低压型PMOS管。
本实用新型技术方案的进一步改进在于：三极管Q2的型号为2SC9011～9018系列。
由于采用了上述技术方案，本实用新型取得的有益效果是：本产品选用通用的元件，元件数量较少，针对产品研发出高品质高寿命的应用方案，具有电路简单、适用性高的优势。
同时，使用数字示波器、负载仪、功率计、测试系统，对于样品的制作以及检测方面的事项进行检测。本产品研制成功后，可应用于大部分带电源开关或存在拔插的DC-DC电路产品上，能够进一步提高公司产品的品质，进一步提升产品的竞争力。
附图说明
图1为现有的未加入防浪涌保护电路的示意图；
图2为本实用新型的已加入防浪涌保护电路的示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型做进一步详细说明。
现有技术如图1所示，未加入防浪涌保护电路，由于电源开关导通瞬间与电容、DC-DC芯片内部产生瞬态电流，此时电流经过DC-DC芯片再连接到地，此时芯片内部MOS电流过高，从而损坏芯片。
本实用新型公开了一种DC-DC防浪涌保护电路，与DC-DC电路的电源输入端相连，包括电阻R1～R4、电容C1和C4、PMOS管Q1、三极管Q2，电阻R3一端连接电源输入端、另一端分别连接电阻R4、电容C4、三极管Q2的基集，三极管Q2的发射极、电容C4另一端、电阻R4另一端均接地；
三极管Q2的集电极分别连接电阻R2和电阻R1，电阻R2另一端分别连接电容C1、PMOS管Q1的栅极G，电阻R1另一端依次连接电容C1另一端、PMOS管Q1的源极S，PMOS管Q1的漏极D连接电源输出端。
电源输入端连接有电源开关CN1，电源开关CN1连接电阻R3一端。
PMOS管Q1的漏极D通过电容组连接电源输出端，电容组包括并联设置的电容C2、电容C3，电容C2一端接地、另一端接PMOS管Q1的漏极D。
具体的，电容C3为极性电容，PMOS管Q1的型号为中低压型PMOS管，三极管Q2的型号为2SC9011～9018系列。
具体电路参见图2，加入防浪涌保护电路，当电源导通时，电容C1瞬间为短路状态，PMOS管Q1的栅极G与源极S两端电压为高电位，此时Q1处于不导通状态，源漏极(SD)两端阻抗无穷大，电源无输出，由于电源开关CN1未闭合，三极管Q2处于截止状态，PMOS管Q1依然处于不导通状态。
当电源开关CN1闭合时，电压经过电阻R3给予三极管Q2一个高电位(电流)，此时三极管Q2集电极与发射极导通，三极管Q2集电极连接到地，此时电容C1由于充电效应，PMOS管Q1栅极G电压变低，随着电容C1的充电饱和，PMOS管Q1栅极G由原来的高电压变为低电压，从而实现一个缓开机动作，PMOS管SQ1的源极与漏极D导通，此时DC-DC电路电流得到一个线性的缓启动电压，从而杜绝大电流的产生。
图2中，由于DC-DC电路中PMOS管存在缓启动，从而实现DC-DC电路中电压线性提升，从而杜绝大电流的产生。
本电路的思路是最通用的元件，较少的元件。设计完成后，使用数字示波器、负载仪、功率计、测试系统，对于样品的制作以及检测方面的事项进行检测。本产品研制成功后，可应用于大部分带电源开关或存在拔插的DC-DC电路产品上，能够进一步提高公司产品的品质，进一步提升产品的竞争力。
Claims (6)
1.一种DC-DC防浪涌保护电路，与DC-DC电路的电源输入端相连，其特征在于：包括电阻R1～R4、电容C1和C4、PMOS管Q1、三极管Q2，电阻R3一端连接电源输入端、另一端分别连接电阻R4、电容C4、三极管Q2的基集，三极管Q2的发射极、电容C4另一端、电阻R4另一端均接地；
三极管Q2的集电极分别连接电阻R2和电阻R1，电阻R2另一端分别连接电容C1、PMOS管Q1的栅极G，电阻R1另一端依次连接电容C1另一端、PMOS管Q1的源极S，PMOS管Q1的漏极D连接电源输出端。
2.根据权利要求1所述的一种DC-DC防浪涌保护电路，其特征在于：电源输入端连接有电源开关CN1，电源开关CN1连接电阻R3一端。
3.根据权利要求1所述的一种DC-DC防浪涌保护电路，其特征在于：PMOS管Q1的漏极D通过电容组连接电源输出端，电容组包括并联设置的电容C2、电容C3，电容C2一端接地、另一端接PMOS管Q1的漏极D。
4.根据权利要求1所述的一种DC-DC防浪涌保护电路，其特征在于：电容C3为极性电容。
5.根据权利要求1所述的一种DC-DC防浪涌保护电路，其特征在于：PMOS管Q1的型号为中低压型PMOS管。
6.根据权利要求1-5任一项所述的一种DC-DC防浪涌保护电路，其特征在于：三极管Q2的型号为2SC9011～9018系列。
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2022
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