CN218848343U - 一种自动化高纯锗谱仪 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及放射性测量技术领域,且公开了一种自动化高纯锗谱仪,包括外屏蔽层,所述外屏蔽层的内壁固定连接有塑料闪烁探测器,所述塑料闪烁探测器的内壁固定连接有镉吸收层,所述镉吸收层的内壁固定连接有内铅环,所述内铅环的内壁固定连接有铜内衬,所述铜内衬的内壁固定连接有环形探测器,所述环形探测器的内设有主探测器,所述环形探测器的外壁固定连接有两个第一光电倍增管。本实用新型能够在开启合盖前,展开延伸杆和遮光布,利用遮光布对进入设备内的强光进行遮挡,避免强光进入到设备内对探测器造成损坏的问题和能够在不需要对光线进行遮挡时,对伸杆和遮光布进行遮挡收集。
Description
技术领域
本实用新型涉及放射性测量技术领域,尤其涉及一种自动化高纯锗谱仪。
背景技术
γ射线能量为几十KeV到MeV的能量范围内,半导体探测器、闪烁晶体探测器测得的能谱中,康普顿坪的面积往往比较大,给复杂谱的解析增加了难度。较低能量的γ射线的全能峰会叠加在高能γ能谱的康普顿坪上,由于坪上技术的统计涨落,从而大大影响了低能量γ射线全能峰面积测量的精度,或有可能根本寻找不到低能γ射线的全能峰。放射性测量的本底水平直接影响其探测下限,宇宙射线及环境中的天然放射性核素均会增加全谱的积分本底水平。
现有的高纯锗谱仪在使用时,需要在塞子探测器和环形探测器的表面设置遮光膜层以达到避免塞子探测器和环形探测器直接接触光源或者接触过强光源造成损坏的目的,但是遮光膜只能够遮挡正向罩设的光线,而且遮光膜在长时间使用后会老化,影响遮光效果,而操作人员在使用时很难判断出遮光膜的遮光效果,从而会使塞子探测器和环形探测器直接接触到强光。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中高纯锗谱仪在使用时,需要在塞子探测器和环形探测器的表面设置遮光膜层以达到避免塞子探测器和环形探测器直接接触光源或者接触过强光源造成损坏的目的,但是遮光膜只能够遮挡正向罩设的光线,而且遮光膜在长时间使用后会老化,影响遮光效果,而操作人员在使用时很难判断出遮光膜的遮光效果,从而会使塞子探测器和环形探测器直接接触到强光的问题,而提出的一种自动化高纯锗谱仪。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
一种自动化高纯锗谱仪,包括外屏蔽层,所述外屏蔽层的内壁固定连接有塑料闪烁探测器,所述塑料闪烁探测器的内壁固定连接有镉吸收层,所述镉吸收层的内壁固定连接有内铅环,所述内铅环的内壁固定连接有铜内衬,所述铜内衬的内壁固定连接有环形探测器,所述环形探测器的内设有主探测器,所述环形探测器的外壁固定连接有两个第一光电倍增管,所述环形探测器的内部开设有空腔且空腔的内壁固定连接有置物台,所述外屏蔽层的上方设有合盖,所述合盖的下侧壁开设有凹槽且凹槽内固定连接有塞子探测器和第二光电倍增管,所述合盖的上侧壁固定连接有分析器和谱分析仪,所述合盖的外壁铰接有多根转杆,所述转杆远离合盖的一端铰接有延伸杆,所述转杆和延伸杆的下端固定连接有同一片遮光布。
优选的,所述延伸杆的上侧固定连接有插筒,所述插筒内插接有插杆,所述转杆的上端固定连接有与插杆相互匹配的固定筒,所述插筒的内壁开设有定位槽且定位槽内插接有定位板,所述定位板和插杆相对一侧的侧壁均固定连接有多个卡齿,所述定位板的上侧壁固定连接有拉杆,所述拉杆的上端伸出定位槽且固定连接有拉板,所述拉板和插筒相对一侧的侧壁固定连接有同一根弹簧。
采用上述技术方案:方便相对固定转杆和延伸杆。
优选的,所述转杆的杆壁固定连接有挂环,所述合盖的上侧壁固定连接有多个连接块,所述连接块的侧壁通过弹力绳固定连接有与挂环相互匹配的挂钩。
采用上述技术方案:能够在不需要对光线进行遮挡时,对伸杆和遮光布进行遮挡收集。
优选的,所述合盖的外壁固定连接有多个支撑架。
采用上述技术方案:能够对转杆的下移范围进行限定。
优选的,所述塞子探测器和环形探测器的上侧壁均贴合有遮光膜层。
采用上述技术方案:能够对塞子探测器和环形探测器进一步进行遮光。
与现有技术相比,本实用新型提供了一种自动化高纯锗谱仪,具备以下有益效果:
1、该自动化高纯锗谱仪,通过设置的外屏蔽层、环形探测器、主探测器、第一光电倍增管、置物台、合盖、塞子探测器、第二光电倍增管、分析器、谱分析仪、转杆、延伸杆、遮光布,能够在开启合盖前,展开延伸杆和遮光布,利用遮光布对进入设备内的强光进行遮挡,避免强光进入到设备内对探测器造成损坏的问题。
2、该自动化高纯锗谱仪,通过设置的挂环、连接块、挂钩,能够在不需要对光线进行遮挡时,对伸杆和遮光布进行遮挡收集。
而且该装置中未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现,本实用新型能够在开启合盖前,展开延伸杆和遮光布,利用遮光布对进入设备内的强光进行遮挡,避免强光进入到设备内对探测器造成损坏的问题和能够在不需要对光线进行遮挡时,对伸杆和遮光布进行遮挡收集。
附图说明
图1为本实用新型提出的一种自动化高纯锗谱仪的结构示意图;
图2为图1中A部分的放大示意图;
图3为图1中B部分的放大示意图。
图中:1、外屏蔽层;2、环形探测器;3、主探测器;4、第一光电倍增管;5、置物台;6、合盖;7、塞子探测器;8、第二光电倍增管;9、分析器;10、谱分析仪;11、转杆;12、延伸杆;13、遮光布;14、插筒;15、插杆;16、固定筒;17、定位板;18、卡齿;19、拉杆;20、拉板;21、挂环;22、连接块;23、挂钩;24、支撑架;25、遮光膜层。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。
参照图1-3,一种自动化高纯锗谱仪,包括外屏蔽层1,外屏蔽层1的内壁固定连接有塑料闪烁探测器,塑料闪烁探测器的内壁固定连接有镉吸收层,镉吸收层的内壁固定连接有内铅环,内铅环的内壁固定连接有铜内衬,铜内衬的内壁固定连接有环形探测器2,环形探测器2的内设有主探测器3,环形探测器2的外壁固定连接有两个第一光电倍增管4,环形探测器2的内部开设有空腔且空腔的内壁固定连接有置物台5,外屏蔽层1的上方设有合盖6,合盖6的下侧壁开设有凹槽且凹槽内固定连接有塞子探测器7和第二光电倍增管8,合盖6的上侧壁固定连接有分析器9和谱分析仪10,合盖6的外壁铰接有多根转杆11,转杆11远离合盖6的一端铰接有延伸杆12,转杆11和延伸杆12的下端固定连接有同一片遮光布13。
延伸杆12的上侧固定连接有插筒14,插筒14内插接有插杆15,转杆11的上端固定连接有与插杆15相互匹配的固定筒16,插筒14的内壁开设有定位槽且定位槽内插接有定位板17,定位板17和插杆15相对一侧的侧壁均固定连接有多个卡齿18,定位板17的上侧壁固定连接有拉杆19,拉杆19的上端伸出定位槽且固定连接有拉板20,拉板20和插筒14相对一侧的侧壁固定连接有同一根弹簧,方便相对固定转杆11和延伸杆12,合盖6的外壁固定连接有多个支撑架24,能够对转杆11的下移范围进行限定。
转杆11的杆壁固定连接有挂环21,合盖6的上侧壁固定连接有多个连接块22,连接块22的侧壁通过弹力绳固定连接有与挂环21相互匹配的挂钩23,能够在不需要对光线进行遮挡时,对伸杆和遮光布进行遮挡收集。
塞子探测器7和环形探测器2的上侧壁均贴合有遮光膜层25,能够对塞子探测器7和环形探测器2进一步进行遮光。
本实用新型中,使用时,在开启合盖6前,分离挂钩23和挂环21,使转杆11向下旋转,利用支撑架24对转杆11进行支撑,然后向上旋转延伸杆12到合适的角度,然后按压插杆15,插杆15插入固定筒16内,从而相对固定好转杆11和固定筒16,即可展开遮光布13,避免强光进入到设备内对探测器造成损坏的问题;外屏蔽层1厚11.5cm,用于降低天然放射性核素和次级宇宙射线软成分对塑料闪烁探测器计数率和谱仪本底的影响,塑料闪烁探测器作为反符合屏蔽可抑制宇宙射线μ子成分,还可慢化或热化快中子,镉吸收片作为热中子屏蔽,4π方向包围内铅环,内铅环进一步降低谱仪本底,同时阻止样品发出的γ射线被塑料闪烁探测器探测,铜内衬主要用于屏蔽Pb子体Bi的β射线产生的轫辐射,第一光电倍增管和第二光电倍增管由统一的高压电源供电,输出信号直接相加后经放大器作为反符合信号输入谱分析仪;当高能辐射贯穿主探测器与反符合屏蔽探测器,两个探测器都有信号输出时,后面的电子学反符合线路就会使这些信号不被谱仪记录,从而起到抑制或屏蔽本底信号的作用这种反康普顿反宇宙射线高纯锗谱仪同时实现反康普顿散射和反宇宙射线的功能,进一步提高放射性测量的精度,最大限度的降。
以上,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种自动化高纯锗谱仪,包括外屏蔽层(1),其特征在于,所述外屏蔽层(1)的内壁固定连接有塑料闪烁探测器,所述塑料闪烁探测器的内壁固定连接有镉吸收层,所述镉吸收层的内壁固定连接有内铅环,所述内铅环的内壁固定连接有铜内衬,所述铜内衬的内壁固定连接有环形探测器(2),所述环形探测器(2)的内设有主探测器(3),所述环形探测器(2)的外壁固定连接有两个第一光电倍增管(4),所述环形探测器(2)的内部开设有空腔且空腔的内壁固定连接有置物台(5),所述外屏蔽层(1)的上方设有合盖(6),所述合盖(6)的下侧壁开设有凹槽且凹槽内固定连接有塞子探测器(7)和第二光电倍增管(8),所述合盖(6)的上侧壁固定连接有分析器(9)和谱分析仪(10),所述合盖(6)的外壁铰接有多根转杆(11),所述转杆(11)远离合盖(6)的一端铰接有延伸杆(12),所述转杆(11)和延伸杆(12)的下端固定连接有同一片遮光布(13)。
2.根据权利要求1所述的一种自动化高纯锗谱仪,其特征在于,所述延伸杆(12)的上侧固定连接有插筒(14),所述插筒(14)内插接有插杆(15),所述转杆(11)的上端固定连接有与插杆(15)相互匹配的固定筒(16),所述插筒(14)的内壁开设有定位槽且定位槽内插接有定位板(17),所述定位板(17)和插杆(15)相对一侧的侧壁均固定连接有多个卡齿(18),所述定位板(17)的上侧壁固定连接有拉杆(19),所述拉杆(19)的上端伸出定位槽且固定连接有拉板(20),所述拉板(20)和插筒(14)相对一侧的侧壁固定连接有同一根弹簧。
3.根据权利要求1所述的一种自动化高纯锗谱仪,其特征在于,所述转杆(11)的杆壁固定连接有挂环(21),所述合盖(6)的上侧壁固定连接有多个连接块(22),所述连接块(22)的侧壁通过弹力绳固定连接有与挂环(21)相互匹配的挂钩(23)。
4.根据权利要求1所述的一种自动化高纯锗谱仪,其特征在于,所述合盖(6)的外壁固定连接有多个支撑架(24)。
5.根据权利要求1所述的一种自动化高纯锗谱仪,其特征在于,所述塞子探测器(7)和环形探测器(2)的上侧壁均贴合有遮光膜层(25)。
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CN202222744502.8U CN218848343U (zh) | 2022-10-19 | 2022-10-19 | 一种自动化高纯锗谱仪 |
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CN (1) | CN218848343U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116736364A (zh) * | 2023-05-12 | 2023-09-12 | 中国工程物理研究院材料研究所 | 一种中子测量系统本底计数率抑制系统及抑制方法 |
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2022
- 2022-10-19 CN CN202222744502.8U patent/CN218848343U/zh active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN116736364A (zh) * | 2023-05-12 | 2023-09-12 | 中国工程物理研究院材料研究所 | 一种中子测量系统本底计数率抑制系统及抑制方法 |
CN116736364B (zh) * | 2023-05-12 | 2023-12-29 | 中国工程物理研究院材料研究所 | 一种中子测量系统本底计数率抑制系统及抑制方法 |
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