CN218677138U - 功率模块和电子设备 - Google Patents

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周文杰
李正凯
成章明
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Abstract

本实用新型公开了一种功率模块和电子设备,功率模块包括:驱动芯片焊盘;驱动芯片,驱动芯片设置于驱动芯片焊盘;自举芯片焊盘,自举芯片焊盘与驱动芯片焊盘间隔设置,自举芯片焊盘上设置有分隔部,以将自举芯片焊盘分隔成芯片焊接区和导线连接区;自举芯片,自举芯片设置于芯片焊接区;以及导线,导线连接于驱动芯片和导线连接区。由此,通过在自举芯片焊盘上设置分隔部,并且将自举芯片焊盘分隔成芯片焊接区和导线连接区,这样可以防止自举芯片焊接安装时,焊料从芯片焊接区溢出并且流向导线连接区与导线接触,造成导线短路的情况,从而可以提升自举芯片焊接时功率模块的工作安全性。

Description

功率模块和电子设备
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其是涉及一种功率模块和电子设备。
背景技术
在相关技术中,由于功率半导体模块上的驱动芯片焊盘上设置有芯片及与芯片连接的较多导线,在制造功率半导体模块时,为了保证电路通畅,需要将芯片和导线安置在功率半导体模块中靠近的位置,芯片采用焊接的方式固定连接在功率半导体模块上,在此过程中,由于芯片和导线的连接位置较近,使用的焊料极易溢出芯片安装位置,并且流向导线,与导线发生接触,这样会造成功率半导体模块的电路短路,进而会产生安全隐患。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本实用新型提出了一种功率模块,该功率模块可以防止自举芯片焊料溢出。
本实用新型进一步地提出了一种电子设备。
根据本实用新型实施例的功率模块,包括:驱动芯片焊盘;驱动芯片,所述驱动芯片设置于所述驱动芯片焊盘;自举芯片焊盘,所述自举芯片焊盘与所述驱动芯片焊盘间隔设置,所述自举芯片焊盘上设置有分隔部,以将所述自举芯片焊盘分隔成芯片焊接区和导线连接区;自举芯片,所述自举芯片设置于所述芯片焊接区;以及导线,所述导线连接于所述驱动芯片和所述导线连接区。
由此,通过在自举芯片焊盘上设置分隔部,并且将自举芯片焊盘分隔成芯片焊接区和导线连接区,这样可以防止自举芯片焊接安装时,焊料从芯片焊接区溢出并且流向导线连接区与导线接触,造成导线短路的情况,从而可以提升自举芯片焊接时功率模块的工作安全性。
根据本实用新型的一些实施例,分隔部构造为条状的分隔槽。
根据本实用新型的一些实施例,所述驱动芯片焊盘和所述自举芯片焊盘在所述功率模块的宽度方向上间隔设置,所述分隔部在所述功率模块的宽度方向上延伸,以在所述功率模块的长度方向上将所述自举芯片焊盘分隔成芯片焊接区和导线连接区。
根据本实用新型的一些实施例,所述自举芯片焊盘为多个,每个所述自举芯片焊盘上均设置有所述自举芯片,多个所述自举芯片焊盘在所述功率模块的长度方向上间隔设置,在所述功率模块的长度方向上,至少一端的所述自举芯片焊盘的所述导线连接区邻近所述驱动芯片设置。
根据本实用新型的一些实施例,所述自举芯片焊盘包括:第一自举芯片焊盘、第二自举芯片焊盘和第三自举芯片焊盘,所述第二自举芯片焊盘位于所述第一自举芯片焊盘和所述第三自举芯片焊盘之间,所述第一自举芯片焊盘和所述第三自举芯片焊盘的所述导线连接区均邻近所述第二自举芯片焊盘设置,所述第二自举芯片焊盘的所述导线连接区邻近所述第一自举芯片焊盘或所述第三自举芯片焊盘设置。
根据本实用新型的一些实施例,所述功率模块还包括:多个驱动引脚,多个所述驱动引脚均与所述驱动芯片电连接,相邻的两个所述自举芯片焊盘之间设置有一个所述驱动引脚。
根据本实用新型的一些实施例,所述芯片焊接区的表面积大于所述导线连接区的表面积。
根据本实用新型的一些实施例,所述芯片焊接区内设置有通孔,所述通孔位于所述自举芯片远离所述驱动芯片的一侧。
根据本实用新型的一些实施例,所述自举芯片焊盘背离所述驱动芯片焊盘的一侧设置有凹部。
根据本实用新型的电子设备,包括上述的功率模块。
本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1是根据本实用新型实施例的功率模块的示意图;
图2为图1中A区域示意图;
图3为图1中B区域示意图;
图4为图1中C区域示意图;
图5是根据本实用新型实施例的功率模块的局部示意图;
图6是根据本实用新型实施例的功率模块的局部示意图;
图7是根据本实用新型实施例的功率模块的局部示意图;
图8是根据本实用新型实施例的电子设备的局部示意图。
附图标记:
1000、电子设备;
100、功率模块;
10、驱动芯片焊盘;
20、驱动芯片;
30、自举芯片焊盘;31、分隔部;32、芯片焊接区;33、导线连接区;34、第一自举芯片焊盘;35、第二自举芯片焊盘;36、第三自举芯片焊盘;
40、自举芯片;50、导线;60、驱动引脚;70、通孔;80、凹部;90、封装件。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例,参考附图描述的实施例是示例性的,下面详细描述本实用新型的实施例。
下图参考图1-图8描述根据本实用新型实施例的功率模块100,功率模块100可以应用于电子设备1000中。
结合图1-图8所示,本实用新型实施例的功率模块100可以主要包括:驱动芯片焊盘10、驱动芯片20、自举芯片焊盘30、自举芯片40和导线50,其中,驱动芯片20在电子设备1000中一般起驱动作用,可以将输入的弱电信号放大成强电信号,使输入的电信号适合于电子设备1000使用,在本实用新型中,将驱动芯片20设置于驱动芯片焊盘10,驱动芯片焊盘10可以为驱动芯片20提供稳定可靠的安装位置,可以保证驱动芯片20在功率模块100中稳定正常工作。
进一步地,自举芯片焊盘30与驱动芯片焊盘10间隔设置,自举芯片焊盘30上设置有分隔部31,以将自举芯片焊盘30分隔成芯片焊接区32和导线连接区33。具体地,自举芯片焊盘30与驱动芯片焊盘10间隔设置,这样可以保证自举芯片40和驱动芯片20均具有独立可靠的安装位置,可以保证功率模块100在电子设备1000中的正常运行,自举芯片焊盘30上设置有分隔部31,分隔部31可以将自举芯片焊盘30分隔成芯片焊接区32和导线连接区33,自举芯片40设置于芯片焊接区32,导线50连接于驱动芯片20和导线连接区33。
如此设置,不仅可以使自举芯片焊盘30为自举芯片40提供稳定可靠的安装位置,可以使自举芯片焊盘30为导线50提供稳定可靠的连接位置,而且可以将自举芯片焊盘30上的芯片焊接区32和导线连接区33分隔开来,在自举芯片40焊接在芯片焊接区32时,焊接使用的焊料会从芯片焊接区32流出并且四处扩散,分隔部31可以承接流出的焊料,这样可以防止焊料流向导线连接区33与导线50接触,造成导线50发生短路,进而导致功率模块100损坏,这样设置分隔部31可以提升功率模块100的工作安全性和稳定性。
由此,通过在自举芯片焊盘30上设置分隔部31,并且将自举芯片焊盘30分隔成芯片焊接区32和导线连接区33,这样可以防止自举芯片40焊接安装时,焊料从芯片焊接区32溢出并且流向导线连接区33与导线50接触,造成导线50短路的情况,从而可以提升自举芯片40焊接时功率模块100的工作安全性。
结合图2-图4所示,分隔部31构造为条状的分隔槽。具体地,分隔部31主要起到将自举芯片焊盘30上的芯片焊接区32和导线连接区33隔开的作用,将分隔部31设置成条状的分隔槽,分隔槽为条状,可以延伸分隔部31在自举芯片焊盘30上的长度,这样不仅可以保证分隔部31将芯片焊接区32和导线连接区33完全分隔开来,可以有效防止自举芯片40焊接时,焊料流向导线50连接部,而且可以增加分隔部31对焊料的容纳量,可以使分隔部31尽可能多地承接焊料,这样可以有效保证在自举芯片40焊接时,导线50连接部上的导线50正常连接,可以提升功率模块100的电路稳定性。
结合图1所示,驱动芯片焊盘10和自举芯片焊盘30在功率模块100的宽度方向上间隔设置,分隔部31在功率模块100的宽度方向上延伸,以在功率模块100的长度方向上将自举芯片焊盘30分隔成芯片焊接区32和导线连接区33。具体地,驱动芯片焊盘10和自举芯片焊盘30在功率模块100的宽度方向上间隔设置,不仅可以优化驱动芯片焊盘10和自举芯片焊盘30在功率模块100中的结构设置,而且可以便于导线50在功率模块100中的走线和连接,分隔部31在功率模块100的宽度方向上延伸,可以在保证分隔部31分隔焊料有效的同时,缩短分隔部31在自举芯片焊盘30上的加工长度,进而可以缩短分隔部31的加工时长,可以有效提高功率模块100的生产效率。
进一步地,分隔部31在功率模块100的宽度方向上延伸,可以在功率模块100的长度方向上将自举芯片焊盘30分隔成芯片焊接区32和导线连接区33,如此设置,不仅可以便于芯片焊接区32和导线连接区33在自举芯片焊盘30上的位置设置,而且可以使芯片焊接区32便于自举芯片40的焊接操作,可以使导线连接区33便于导线50的连接操作,这样可以增加功率模块100的安装便利性。
结合图1所示,自举芯片焊盘30为多个,每个自举芯片焊盘30上均设置有自举芯片40,多个自举芯片焊盘30在功率模块100的长度方向上间隔设置,在功率模块100的长度方向上,至少一端的自举芯片焊盘30的导线连接区33邻近驱动芯片20设置。具体地,自举芯片焊盘30为多个,每个自举芯片焊盘30上均设置有自举芯片40,这样不仅可以使功率模块100中的自举芯片40数量满足电子设备1000的工作需求,而且可以保证每个自举芯片40在功率模块100中均有稳定独立的安装空间,可以保证自举芯片40在功率模块100中的安装便利性和工作可靠性。
进一步地,多个自举芯片焊盘30在功率模块100的长度方向上间隔设置,这样可以在保证多个自举芯片40同时安装于功率模块100的前提下,防止增加自举芯片焊盘30的宽度,可以提升功率模块100的结构紧凑性,可以提高功率模块100的空间利用率,在功率模块100的长度方向上,至少一端的自举芯片焊盘30的导线连接区33邻近驱动芯片20设置,这样可以使自举芯片焊盘30和驱动芯片焊盘10在宽度方向上间隔设置的前提下,方便导线50连接于驱动芯片20和导线连接区33,如此设置,不仅可以便于导线50的连接操作,而且可以保证功率模块100中的电路连通性,可以使功率模块100正常运行。
结合图2-图4所示,自举芯片焊盘30包括第一自举芯片焊盘34、第二自举芯片焊盘35和第三自举芯片焊盘36,第二自举芯片焊盘35位于第一自举芯片焊盘34和第三自举芯片焊盘36之间,第一自举芯片焊盘34和第三自举芯片焊盘36的导线连接区33均邻近第二自举芯片焊盘35设置,第二自举芯片焊盘35的导线连接区33邻近第一自举芯片焊盘34或第三自举芯片焊盘36设置。具体地,自举芯片焊盘30包括第一自举芯片焊盘34、第二自举芯片焊盘35和第三自举芯片焊盘36,第二自举芯片焊盘35位于第一自举芯片焊盘34和第三自举芯片焊盘36之间,第一自举芯片焊盘34和第三自举芯片焊盘36的导线连接区33均邻近第二自举芯片焊盘35设置,第二自举芯片焊盘35的导线连接区33邻近第一自举芯片焊盘34或第三自举芯片焊盘36设置,如此设置,不仅可以保证第一自举芯片焊盘34、第二自举芯片焊盘35和第三自举芯片焊盘36在功率模块100中的电路连通性,而且可以缩短第一自举芯片焊盘34、第二自举芯片焊盘35和第三自举芯片焊盘36之间的导线50长度,一方面,可以减少导线50的材料消耗,另一方面,这样可以提高导线50连接的效率。
结合图1、图5、图6、图7和图8所示,功率模块100还包括多个驱动引脚60,多个驱动引脚60均与驱动芯片20电连接,相邻的两个自举芯片焊盘30之间设置有一个驱动引脚60。具体地,功率模块100中设置有多个驱动引脚60,驱动引脚60可以为功率模块100与电子设备1000之间的电连接提供接口,多个驱动引脚60均与驱动芯片20电连接,可以保证驱动芯片20与外部设备的电连接可靠性,相邻的两个自举芯片焊盘30之间设置有一个驱动引脚60,可以便于每个自举芯片焊盘30上的自举芯片40与外部设备进行电连接,这样设置,可以保证驱动芯片20和自举芯片40的工作可靠性,进而可以保证功率模块100的工作可靠性。
结合图1-图4所示,芯片焊接区32的表面积大于导线连接区33的表面积。具体地,芯片焊接区32的表面积大于导线连接区33的表面积,如此设置,可以使芯片焊接区32在自举芯片焊盘30上的表面积满足自举芯片40的焊装,可以在保证导线50与自举芯片焊盘30稳定连接的同时,增大自举芯片40和芯片焊接区32的接触面积,可以提升自举芯片40在自举芯片焊盘30上的连接可靠性,这样可以使自举芯片焊盘30的结构设置更加合理,可以便于功率模块100的生产组装。
结合图2-图4所示,芯片焊接区32内设置有通孔70,通孔70位于自举芯片40远离驱动芯片20的一侧。具体地,在本实用新型的实施例中,功率模块100还包括封装件90,驱动芯片焊盘10、驱动芯片20、自举芯片焊盘30、自举芯片40、导线50和驱动引脚60均设置于封装件90内,封装件90内填充有树脂,可以增加功率模块100的结构一体性,芯片焊接区32内设置有通孔70,通孔70位于自举芯片40远离驱动芯片20的一侧,这样可以增大树脂和封装件90之间的结合性,可以防止外部的水或者空气沿着封装件90进入内部,这样可以进一步地提升功率模块100的结构可靠性。
结合图1、图2、图3、图5和图8所示,自举芯片焊盘30背离驱动芯片焊盘10的一侧设置有凹部80。具体地,自举芯片焊盘30背离驱动芯片焊盘10的一侧设置有凹部80,可以在保证自举芯片焊盘30于功率模块100中结构稳定的前提下,增加自举芯片40的爬电距离,可以防止功率模块100的表面与外界电导体发生接触时产生爬电现象,进而可以保证功率模块100在工作过程中的安全性和稳定性。
本实用新型实施例中的电子设备1000包括上述的功率模块100,功率模块100中的自举芯片40安装简单,焊接安全性高,可以简化功率模块100的生产工艺,可以提升功率模块100的生产效率,功率模块100应用于电子设备1000中,不仅可以保证电子设备1000的正常驱动和运行,而且可以节约电子设备1000的生产成本,可以高电子设备1000的生产质量。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,本领域的普通技术人员可以理解:在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种功率模块,其特征在于,包括:
驱动芯片焊盘;
驱动芯片,所述驱动芯片设置于所述驱动芯片焊盘;
自举芯片焊盘,所述自举芯片焊盘与所述驱动芯片焊盘间隔设置,所述自举芯片焊盘上设置有分隔部,以将所述自举芯片焊盘分隔成芯片焊接区和导线连接区;
自举芯片,所述自举芯片设置于所述芯片焊接区;以及
导线,所述导线连接于所述驱动芯片和所述导线连接区。
2.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述分隔部构造为条状的分隔槽。
3.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述驱动芯片焊盘和所述自举芯片焊盘在所述功率模块的宽度方向上间隔设置,所述分隔部在所述功率模块的宽度方向上延伸,以在所述功率模块的长度方向上将所述自举芯片焊盘分隔成芯片焊接区和导线连接区。
4.根据权利要求3所述的功率模块,其特征在于,所述自举芯片焊盘为多个,每个所述自举芯片焊盘上均设置有所述自举芯片,多个所述自举芯片焊盘在所述功率模块的长度方向上间隔设置,在所述功率模块的长度方向上,至少一端的所述自举芯片焊盘的所述导线连接区邻近所述驱动芯片设置。
5.根据权利要求4所述的功率模块,其特征在于,所述自举芯片焊盘包括:第一自举芯片焊盘、第二自举芯片焊盘和第三自举芯片焊盘,所述第二自举芯片焊盘位于所述第一自举芯片焊盘和所述第三自举芯片焊盘之间,所述第一自举芯片焊盘和所述第三自举芯片焊盘的所述导线连接区均邻近所述第二自举芯片焊盘设置,所述第二自举芯片焊盘的所述导线连接区邻近所述第一自举芯片焊盘或所述第三自举芯片焊盘设置。
6.根据权利要求4所述的功率模块,其特征在于,还包括:多个驱动引脚,多个所述驱动引脚均与所述驱动芯片电连接,相邻的两个所述自举芯片焊盘之间设置有一个所述驱动引脚。
7.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述芯片焊接区的表面积大于所述导线连接区的表面积。
8.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述芯片焊接区内设置有通孔,所述通孔位于所述自举芯片远离所述驱动芯片的一侧。
9.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述自举芯片焊盘背离所述驱动芯片焊盘的一侧设置有凹部。
10.一种电子设备,其特征在于,包括:权利要求1-9中任一项所述的功率模块。
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CN117673065A (zh) * 2023-11-30 2024-03-08 海信家电集团股份有限公司 智能功率模块和电子设备
WO2024104111A1 (zh) * 2022-11-17 2024-05-23 海信家电集团股份有限公司 功率模块和设备

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024104111A1 (zh) * 2022-11-17 2024-05-23 海信家电集团股份有限公司 功率模块和设备
CN117673065A (zh) * 2023-11-30 2024-03-08 海信家电集团股份有限公司 智能功率模块和电子设备
CN117673065B (zh) * 2023-11-30 2024-05-03 海信家电集团股份有限公司 智能功率模块和电子设备

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