CN218473374U - 一种双磁路双单元扬声器 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种双磁路双单元扬声器，包括壳体，壳体内设置有分隔的第一腔室和第二腔室，第一腔室和第二腔室内分别设置有低音振动系统和高音振动系统；壳体内还设置有与低音振动系统配合的低音磁路系统和与高音振动系统配合的高音磁路系统，低音磁路系统包括低音内磁和低音外磁，低音内磁和低音外磁同轴设置，低音外磁为圆环状，低音外磁围绕设置在低音内磁的外周，低音内磁和低音外磁之间形成低音磁间隙，低音内磁和低音外磁的轴向两侧面为磁极面，低音内磁和低音外磁的磁极面的磁性相反；高音磁路系统贴合低音内磁设置。本实用新型采用内磁和外磁的双磁路结构，增加内部磁场，从而增加扬声器的灵敏度。

Description

一种双磁路双单元扬声器

技术领域

本实用新型涉及扬声器结构设计技术领域，尤其是指一种双磁路双单元扬声器。

背景技术

扬声器是生活中常用的一种电子产品，传统的扬声器通常都是设置一个振动系统以及与其配合的磁路系统，这样的情况下，无法同时做到低频和高频都很出色，随着时代的发展，人们对扬声器的品质要求越来越高，希望扬声器能够兼顾低音和高音，因此现有技术对传统的单系统扬声器进行改进，例如：中国专利CN208657067U、CN214481253U、CN207200963U都提出了一种双动圈扬声器，均包括两个振动系统和两个磁路，能够兼容低音和高音。

但是，在实际使用的过程中发现现有的双单元扬声器会出现延迟的情况，经过测试发现，现有的双单元扬声器无论是高音单元还是低音单元的BL值较低，喇叭灵敏度较低，经过研究发现，现有的双单元扬声器的高音单元和低音单元都是单磁路系统，即高音单元只有一个内磁、没有外磁，低音单元只有一个外磁、没有内磁，这样的磁路结构导致了高音单元和低音单元中的磁场都比较弱，从而导致了灵敏度不高的问题。

实用新型内容

为此，本实用新型所要解决的技术问题在于克服现有技术中双单元扬声器中磁场较弱、灵敏度较低的问题，提供一种双磁路双单元扬声器，采用内磁和外磁的双磁路结构，增加内部磁场，从而增加扬声器的灵敏度。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种双磁路双单元扬声器，包括壳体，所述壳体内设置有分隔的第一腔室和第二腔室，所述第一腔室和第二腔室内分别设置有低音振动系统和高音振动系统；所述壳体内还设置有与低音振动系统配合的低音磁路系统和与高音振动系统配合的高音磁路系统；

所述低音磁路系统包括低音内磁和低音外磁，所述低音内磁和低音外磁同轴设置，所述低音外磁为圆环状，所述低音外磁围绕设置在所述低音内磁的外周，所述低音内磁和低音外磁之间形成低音磁间隙，所述低音内磁和低音外磁的轴向两侧面为磁极面，所述低音内磁和低音外磁的磁极面的磁性相反；

所述高音磁路系统贴合所述低音内磁设置。

在本实用新型的一个实施例中，所述低音磁路系统还包括第一低音华司，所述第一低音华司设置在低音外磁与壳体之间。

在本实用新型的一个实施例中，所述第一腔室和第二腔室通过盆架分隔，所述盆架为封闭的T铁，所述盆架包括向所述第一腔室方向突出的凹槽，所述低音内磁和高音磁路系统均设置在所述凹槽中，所述低音内磁靠近低音振动系统设置，所述高音磁路系统靠近高音振动系统设置。

在本实用新型的一个实施例中，所述第一腔室和第二腔室通过盆架和低音内磁组合分隔，所述盆架为带有通孔的T铁，所述低音内磁靠近低音振动系统设置在所述盆架的一侧封堵所述通孔，所述高音磁路系统靠近高音振动系统设置在所述通孔中。

在本实用新型的一个实施例中，所述低音磁路系统还包括第二低音华司，所述第二低音华司设置在所述低音内磁上。

在本实用新型的一个实施例中，所述低音振动系统包括低音膜片和低音音圈，所述低音音圈与所述低音膜片连接，所述低音音圈插入到低音磁间隙中。

在本实用新型的一个实施例中，所述高音磁路系统包括整块高音磁铁和高音华司，所述高音磁铁设置在盆架中，所述高音华司靠近所述高音振动系统，设置在高音磁铁与高音振动系统之间，所述高音磁铁与所述盆架之间形成高音磁间隙。

在本实用新型的一个实施例中，所述高音振动系统包括高音膜片和高音音圈，所述高音音圈与所述高音膜片连接，所述高音音圈拆入到高音磁间隙中。

在本实用新型的一个实施例中，所述高音磁路系统包括高音内磁和高音外磁，所述高音内磁和高音外磁同轴设置，所述高音外磁为圆环状，所述高音外磁围绕设置在所述高音内磁的外周，所述高音内磁和高音外磁间隔设置或贴合设置，所述高音内磁和高音外磁之间形成磁力线，所述高音内磁和高音外磁的轴向两侧面为磁极面，所述高音内磁和高音外磁的磁极面的磁性相反。

在本实用新型的一个实施例中，所述高音振动系统包括高音膜片和高音音圈，所述高音音圈为扁平状结构贴敷在与所述高音膜片上，所述高音音圈设置在高音内磁和高音外磁的上方。

本实用新型的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：

本实用新型所述的双磁路双单元扬声器，改变现有的双单元扬声器中低音单元只有一个外磁的单磁路结构，设置低音磁路系统包括同轴间隔设置的低音内磁和低音外磁，在低音内磁和低音外磁之间形成低音磁间隙，设置低音内磁和低音外磁的磁极面的磁性相反，从而在低音磁间隙之间形成磁场线，相比于单磁路结构产生的磁场更强，从而能够提高扬声器低音单元的灵敏度；

并且，将高音磁路系统贴合所述低音内磁设置，通过低音内磁对高音磁路系统进行补强，使高音磁路系统中产生的磁场更强，从而也能够提高扬声器高音单元的灵敏度。

附图说明

为了使本实用新型的内容更容易被清楚的理解，下面根据本实用新型的具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明，其中

图1是本实用新型的双磁路双单元扬声器实施例1的结构示意图；

图2是本实用新型的双磁路双单元扬声器实施例1的爆炸结构示意图；

图3是本实用新型的双磁路双单元扬声器实施例2的结构示意图；

图4是本实用新型的双磁路双单元扬声器实施例3的结构示意图；

图5是本实用新型的双磁路双单元扬声器实施例3的爆炸结构示意图；

图6是本实用新型的双磁路双单元扬声器实施例4的结构示意图；

说明书附图标记说明：1、壳体；2、低音膜片；3、低音音圈；4、第一低音华司；5、低音外磁；6、低音内磁；7、盆架；8、高音磁铁；81、高音外磁；82、高音内磁；9、高音华司；10、高音音圈；11、高音膜片；12、第二低音华司。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本实用新型并能予以实施，但所举实施例不作为对本实用新型的限定。

实施例1

参照图1和图2所示，本实用新型的双磁路双单元扬声器，包括壳体1，所述壳体1，所述壳体1上设置有第一出音孔和第二出音孔，所述壳体内设置有分隔的第一腔室和第二腔室，所述第一出音孔将第一腔室与外界连通，所述第二出音孔将第二腔室与外界连通，通过第一出音孔和第二出音孔将声音传出；

在所述第一腔室和第二腔室内分别设置有低音振动系统和高音振动系统；所述壳体1内还设置有与低音振动系统配合的低音磁路系统和与高音振动系统配合的高音磁路系统，其中，磁路系统自身会产生磁场，当振动系统中有电流通过时，也会产生随电流变化的磁场，这一磁场与磁路系统产生的磁场发生相互作用力，通过相互作用力使振动系统振动起来，从而产生了与原音频信号相同的波形，发出与原音频信号相同的声音，其中所述低音振动系统和高音振动系统会分别发出低音和高音；

在本实施例中，为了增强磁路系统，设置所述低音磁路系统包括低音内磁6和低音外磁5，所述低音内磁6和低音外磁5同轴设置，所述低音内磁6为圆柱状，所述低音外磁5为圆环状，所述低音外磁5围绕设置在所述低音内磁6的外周，所述低音内磁6和低音外磁5之间形成低音磁间隙，设置所述低音内磁6和低音外磁5的轴向两侧面为磁极面，所述低音内磁6和低音外磁5的磁极面的磁性相反，从而在低音磁间隙之间形成磁场线，相比于单磁路结构产生的磁场更强，从而能够提高扬声器低音单元的灵敏度；

并且，在本实施例中，设置所述高音磁路系统贴合所述低音内磁6，通过低音内磁6对高音磁路系统进行补强，使高音磁路系统中产生的磁场更强，从而也能够提高扬声器高音单元的灵敏度。

具体地，在本实施例中，为了进一步增强导磁能力，所述低音磁路系统还包括第一低音华司4，所述第一低音华司4靠近所述低音振动系统，设置在低音外磁5与壳体1之间，通过所述第一低音华司4对低音磁路系统中的磁场导向，使磁力线聚集得比较集中，从而进一步增加磁场强度。

在本实施例中，所述第一腔室和第二腔室通过盆架7分隔，所述盆架7为封闭的T铁，所述盆架7作为支撑体，所述盆架7包括向所述第一腔室方向突出的凹槽、与壳体连接的边缘部，所述低音内磁6和高音磁路系统均设置在所述凹槽中，所述低音内磁6靠近低音振动系统设置，所述高音磁路系统靠近高音振动系统设置；

具体地，所述低音振动系统包括低音膜片2和低音音圈3，所述低音音圈3与所述低音膜片2连接，所述低音音圈3插入到低音磁间隙中，所述低音磁路系统在低音磁间隙中会产生磁场，当低音音圈3中有电流通过时，也会产生随电流变化的磁场，这一磁场与低音磁路系统产生的磁场发生相互作用力，通过相互作用力使低音膜片2振动起来，从而产生了与原音频信号相同的波形，发出与原音频信号相同的声音；

具体地，所述高音磁路系统包括整块高音磁铁8和高音华司9，所述高音磁铁8设置在盆架7中，所述高音磁铁8与所述盆架7之间形成高音磁间隙，所述高音华司9靠近所述高音振动系统，设置在高音磁铁8与高音振动系统之间，用于给高音振动系统导磁，高音磁铁8的磁场通过高音华司9进行导向，使磁力线聚集得比较集中，从而增加磁场强度；

具体地，所述高音振动系统包括高音膜片11和高音音圈10，所述高音音圈10与所述高音膜片11连接，所述高音音圈10拆入到高音磁间隙中，所述高音磁路系统在高音磁间隙中会产生磁场，当高音音圈10中有电流通过时，也会产生随电流变化的磁场，这一磁场与高音磁路系统产生的磁场发生相互作用力，通过相互作用力使高音膜片11振动起来，从而产生了与原音频信号相同的波形，发出与原音频信号相同的声音。

实施例2

参照图3所示，本实施例在上述实施例1的基础上，对高音磁路系统和高音振动系统进行改进，其中，低音磁路系统、低音振动系统与实施例1的结构相同，在此不多加赘述；

在本实施例中，设置所述高音磁路系统包括高音内磁82和高音外磁81，所述高音内磁82和高音外磁81同轴设置，所述高音外磁82为圆环状，所述高音外磁81围绕设置在所述高音内磁82的外周，所述高音内磁82和高音外磁81之间形成高音磁间隙，所述高音内磁82和高音外磁81的轴向两侧面为磁极面，所述高音内磁82和高音外磁81的磁极面的磁性相反，将所述高音磁路系统也是设置为双磁路结构，相比于单磁路结构产生的磁场更强，从而能够提高扬声器高音单元的灵敏度；

在其他实施例中，所述高音内磁82和高音外磁81之间也可以贴合设置，不留磁间隙，所述高音内磁82和高音外磁81靠磁铁边缘的倒角形成磁力线。

具体地，在本实施例中，因为高音磁路系统变化，导致磁场线的方向也会发生变化，因此，高音振动系统也会随之改变，所述高音振动系统包括高音膜片11和高音音圈10，所述高音音圈10为扁平状结构贴敷在与所述高音膜片11上，所述高音音圈10设置在所述高音磁间隙的上方，这样设置的高音振动系统整体的高度较低，可以进一步减小扬声器的尺寸。

实施例3

参照图4和图5所示，本实施例在上述实施例1的基础上，对第一腔室和第二腔室的分隔方式进行改变，所述第一腔室和第二腔室通过盆架7和低音内磁6组合分隔，所述高音磁路系统、高音振动系统、低音振动系统与实施例1的结构相同，在此不多加赘述；

具体地，所述盆架7为带有通孔的T铁，所述低音内磁6靠近低音振动系统设置在所述盆架7的一侧封堵所述通孔，所述高音磁路系统靠近高音振动系统设置在所述通孔中，在本实施例中，将低音内磁6设置在所述盆架7外部，可以设置所述低音内磁6的外径尺寸更大，在其他条件不变的情况下，使低音内磁6与低音外磁5之间的磁力更强；

在本实施例中，由于所述低音内磁6设置在盆架7外，可以在所述低音内磁6与低音振动系统之间设置第二低音华司12，所述第二低音华司12靠近所述低音振动系统、设置在所述低音内磁上，通过所述第一低音华司4和第二低音华司12的共同导磁作用，使磁力线聚集得更加集中，从而进一步增加磁场强度。

实施例4

参照图6所示，本实施例结合上述实施例2和实施例3，在实施例1的基础上，对高音磁路系统和高音振动系统进行改进，设置所述高音磁路系统包括高音内磁82和高音外磁81，并且，对第一腔室和第二腔室的分隔方式进行改变，使所述第一腔室和第二腔室通过盆架7和低音内磁6组合分隔，具体地改进方式与实施例2和实施例3相同，在此不多加赘述，通过所述实施例4，为本实用新型的技术方案提供更多的组合可能，进一步完善本实施例的技术方案。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型创造的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种双磁路双单元扬声器，包括壳体，所述壳体内设置有分隔的第一腔室和第二腔室，所述第一腔室和第二腔室内分别设置有低音振动系统和高音振动系统；所述壳体内还设置有与低音振动系统配合的低音磁路系统和与高音振动系统配合的高音磁路系统，其特征在于：

所述低音磁路系统包括低音内磁和低音外磁，所述低音内磁和低音外磁同轴设置，所述低音外磁为圆环状，所述低音外磁围绕设置在所述低音内磁的外周，所述低音内磁和低音外磁之间形成低音磁间隙，所述低音内磁和低音外磁的轴向两侧面为磁极面，所述低音内磁和低音外磁的磁极面的磁性相反；

所述高音磁路系统贴合所述低音内磁设置。

2.根据权利要求1所述的双磁路双单元扬声器，其特征在于：所述低音磁路系统还包括第一低音华司，所述第一低音华司设置在低音外磁与壳体之间。

3.根据权利要求2所述的双磁路双单元扬声器，其特征在于：所述第一腔室和第二腔室通过盆架分隔，所述盆架为封闭的T铁，所述盆架包括向所述第一腔室方向突出的凹槽，所述低音内磁和高音磁路系统均设置在所述凹槽中，所述低音内磁靠近低音振动系统设置，所述高音磁路系统靠近高音振动系统设置。

4.根据权利要求2所述的双磁路双单元扬声器，其特征在于：所述第一腔室和第二腔室通过盆架和低音内磁组合分隔，所述盆架为带有通孔的T铁，所述低音内磁靠近低音振动系统设置在所述盆架的一侧封堵所述通孔，所述高音磁路系统靠近高音振动系统设置在所述通孔中。

5.根据权利要求4所述的双磁路双单元扬声器，其特征在于，所述低音磁路系统还包括第二低音华司，所述第二低音华司设置在所述低音内磁上。

6.根据权利要求1所述的双磁路双单元扬声器，其特征在于：所述低音振动系统包括低音膜片和低音音圈，所述低音音圈与所述低音膜片连接，所述低音音圈插入到低音磁间隙中。

7.根据权利要求3或4所述的双磁路双单元扬声器，其特征在于：所述高音磁路系统包括整块高音磁铁和高音华司，所述高音磁铁设置在盆架中，所述高音华司靠近所述高音振动系统，设置在高音磁铁与高音振动系统之间，所述高音磁铁与所述盆架之间形成高音磁间隙。

8.根据权利要求7所述的双磁路双单元扬声器，其特征在于：所述高音振动系统包括高音膜片和高音音圈，所述高音音圈与所述高音膜片连接，所述高音音圈拆入到高音磁间隙中。

9.根据权利要求3或4所述的双磁路双单元扬声器，其特征在于：所述高音磁路系统包括高音内磁和高音外磁，所述高音内磁和高音外磁同轴设置，所述高音外磁为圆环状，所述高音外磁围绕设置在所述高音内磁的外周，所述高音内磁和高音外磁间隔设置或贴合设置，所述高音内磁和高音外磁之间形成磁力线，所述高音内磁和高音外磁的轴向两侧面为磁极面，所述高音内磁和高音外磁的磁极面的磁性相反。

10.根据权利要求9所述的双磁路双单元扬声器，其特征在于：所述高音振动系统包括高音膜片和高音音圈，所述高音音圈为扁平状结构贴敷在与所述高音膜片上，所述高音音圈设置在高音内磁和高音外磁的上方。

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