CN218450622U - 可控硅调光线性led驱动电路 - Google Patents

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范志林
丁炜
周俊
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On Bright Electronics Shanghai Co Ltd
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Abstract

公开了一种可控硅调光线性LED驱动电路,包括输入整流电路和可控硅调光线性LED恒流控制系统,其中:输入整流电路的输入端用于连接交流电源,输出端连接到可控硅调光线性LED恒流控制系统的输入端;可控硅调光线性LED恒流控制系统的输入端连接到输入整流电路的输出端,输出端用于连接LED负载。

Description

可控硅调光线性LED驱动电路
技术领域
本实用新型涉及电路领域,尤其涉及一种可控硅调光线性LED驱动电路。
背景技术
传统的发光二极管(LED)可控硅调光方案都是采用电解电容和电感磁芯器件的开关方案,造成驱动电路体积过大,无法适应球泡、灯丝灯等小体积应用;另一方面,由于系统器件多,系统成本高,无法满足客户对低成本的要求。
实用新型内容
根据本实用新型实施例的可控硅调光线性LED驱动电路,包括输入整流电路和可控硅调光线性LED恒流控制系统,其中:输入整流电路的输入端用于连接交流电源,输出端连接到可控硅调光线性LED恒流控制系统的输入端;可控硅调光线性LED恒流控制系统的输入端连接到输入整流电路的输出端,输出端用于连接LED负载。
根据本实用新型实施例的可控硅调光线性LED驱动电路,无需电感磁芯器件,所以体积较小;另一方面,系统器件少,可以在降低成本的同时满足实际应用需求。
附图说明
从下面结合附图对本实用新型的具体实施方式的描述中可以更好地理解本实用新型,其中:
图1示出了根据本实用新型实施例的可控硅调光线性LED驱动电路的示例电路图。
图2示出了图1所示的控制芯片的示例内部框图。
具体实施方式
下面将详细描述本实用新型的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中,提出了许多具体细节,以便提供对本实用新型的全面理解。但是,对于本领域技术人员来说很明显的是,本实用新型可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本实用新型的示例来提供对本实用新型的更好的理解。本实用新型决不限于下面所提出的任何具体配置,而是在不脱离本实用新型的精神的前提下覆盖了元素和部件的任何修改、替换和改进。在附图和下面的描述中,没有示出公知的结构和技术,以便避免对本实用新型造成不必要的模糊。另外,需要说明的是,这里使用的用语“A与B连接”可以表示“A与B直接连接”也可以表示“A与B经由一个或多个其他元件间接连接”。
鉴于上述问题,提出了根据本实用新型实施例的可控硅调光线性LED驱动电路,其中无需电感磁芯器件,所以体积较小,并且系统器件少,可以在降低成本的同时满足实际应用需求。
图1示出了根据本实用新型实施例的可控硅调光线性LED驱动电路100的示例电路图。如图1所示,可控硅调光线性LED驱动电路100包含输入整流电路102和可控硅调光线性LED恒流控制系统104,其中:输入整流电路102的输入端用于连接交流电源,输出端连接到可控硅调光线性LED恒流控制系统104的输入端;可控硅调光线性LED恒流控制系统104的输入端连接到输入整流电路102的输出端,输出端用于连接LED负载。
如图1所示,在一些实施例中,输入整流电路102包括保险丝电阻F1,整流二极管D1、D2、D3、D4,以及压敏电阻MOV,其中,整流二极管D1、D2、D3、D4用于对输入交流电压进行整流,压敏电阻MOV用于吸收电网浪涌。
如图1所示,在一些实施例中,可控硅调光线性LED恒流控制系统104包括控制芯片U1,并且控制芯片U1包括以下引脚:
-高压供电输入引脚(即,HV引脚),用于为控制芯片U1的内部电路供电;
-可控硅调光器相位检测和高压维持电流输入引脚(即,HVB引脚),用于可控硅调光器相位检测并提供调光器调光时需要的维持电流;-过温降电流设置引脚(即,TH引脚),用于设置过温降电流的温度折返点。
-输出电流设置引脚(即,CS引脚),用于设置可控硅调光线性LED驱动电路100的系统输出电流。
-内部晶体管漏极引脚(即,Drain引脚),用作控制芯片U1内部集成的金属氧化物半导体晶体管(MOSFET,简称MOS管)的漏极,与LED负载的阴极连接。
-芯片基准地引脚(即,GND引脚),用作控制芯片U1的内部电路的基准地。
如图1所示,在一些实施例中,可控硅调光线性LED恒流控制系统104还包括二极管D5,输出电容C1,以及电阻R1、R2、R3、R4,其中,二极管D5用于防止输出电容C1通过控制芯片U1的HVB引脚放电,电阻R1用于限制流过控制芯片U1的HVB引脚的电流,电阻R2用于设置可控硅调光线性LED驱动电路100的系统输出电流,电阻R3用于设置过温降电流的温度折返点,电阻R4用于输出假负载,输出电容C1用于在控制芯片U1内部集成的MOS管处于导通状态时储能并且在控制芯片U1内部集成的MOS管处于关断状态时通过LED回路放电。
图2示出了图1所示的控制芯片U1的示例内部框图。如图2所示,在一些实施例中,控制芯片U1包括:
-供电模块,连接到HV引脚,以经由HV引脚连接到可控硅调光线性LED恒流控制系统104的输入端,用于对经整流高压进行稳压后给芯片内部各模块供电。
-可控硅调光器相位检测和维持电流控制模块,连接到HVB引脚,以经由HVB引脚及其外接电阻R1连接到可控硅调光线性LED恒流控制系统104的输入端,用于基于来自逻辑控制模块的控制信号和来自输出电流检测模块的控制信号来实现可控硅调光器相位检测并产生前沿、后沿调光器需要的不同的维持电流控制。
-过温降电流控制模块,连接到TH引脚,以经由TH引脚及其外接电阻R3连接到电路内部基准地,用于设置过温降电流的温度折返点。这里,可以通过调整电阻R3的阻值大小来设置过温降电流的温度折返点。
-输出电流检测模块,连接到CS引脚,以经由CS引脚及其外接电阻R2连接到电路内部基准地,用于对CS引脚上的平均电压进行采样,并基于采样电压产生用于控制MOS管的栅极电压的控制信号,从而调整系统输出电流。
-逻辑控制模块,用于基于来自过温降电流控制模块的控制信号,分别向可控硅调光器相位检测和维持电流控制模块和恒流控制模块提供不同的控制信号。
-恒流控制模块,用于基于来自逻辑控制模块的控制信号和来自输出电流检测模块的控制信号产生用于控制MOS管的栅极电压的控制信号。
本实用新型可以以其他的具体形式实现,而不脱离其精神和本质特征。当前的实施例在所有方面都被看作是示例性的而非限定性的,本实用新型的范围由所附权利要求而非上述描述定义,并且落入权利要求的含义和等同物的范围内的全部改变都被包括在本实用新型的范围中。

Claims (9)

1.一种可控硅调光线性LED驱动电路,其特征在于,包括输入整流电路和可控硅调光线性LED恒流控制系统,其中:
所述输入整流电路的输入端用于连接交流电源,输出端连接到所述可控硅调光线性LED恒流控制系统的输入端;
所述可控硅调光线性LED恒流控制系统的输入端连接到所述输入整流电路的输出端,输出端用于连接LED负载。
2.根据权利要求1所述的可控硅调光线性LED驱动电路,其特征在于,所述可控硅调光线性LED恒流控制系统包括控制芯片。
3.根据权利要求2所述的可控硅调光线性LED驱动电路,其特征在于,所述控制芯片的高压输入供电引脚连接到所述可控硅调光线性LED恒流控制系统的输入端并且用于连接所述LED负载的阳极。
4.根据权利要求2所述的可控硅调光线性LED驱动电路,其特征在于,所述控制芯片的内部晶体管漏极引脚用于连接所述LED负载的阴极。
5.根据权利要求2所述的可控硅调光线性LED驱动电路,其特征在于,所述控制芯片的可控硅调光器相位检测和高压维持电流输入引脚经由第一电阻连接到所述可控硅调光线性LED恒流控制系统的输入端。
6.根据权利要求2所述的可控硅调光线性LED驱动电路,其特征在于,所述控制芯片的输出电流设置引脚经由第二电阻连接到电路内部基准地。
7.根据权利要求2所述的可控硅调光线性LED驱动电路,其特征在于,所述控制芯片的过温降电流设置引脚经由第三电阻连接到电路内部基准地。
8.根据权利要求2所述的可控硅调光线性LED驱动电路,其特征在于,所述可控硅调光线性LED恒流控制系统还包括第四电阻和电容,所述第四电阻和电容并联连接在所述控制芯片的高压输入供电引脚和内部晶体管漏极引脚之间。
9.根据权利要求1所述的可控硅调光线性LED驱动电路,其特征在于,所述输入整流电路包括整流二极管和压敏电阻。
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