CN218387267U - 逆变桥模块、电器部件和电器 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种逆变桥模块、电器部件和电器，逆变桥模块包括：多个桥臂电路，每个桥臂电路设有绝缘栅双极型晶体管，且绝缘栅双极型晶体管的栅极与对应的驱动端之间连接第一门级驱动电阻以及第二门级驱动电阻，第一门级驱动电阻与第二门级驱动电阻并联，第一门级驱动电阻大于第二门级驱动电阻的电阻值；每个第二门级驱动电阻连接一个第一开关元件，用于在逆变桥模块的输出功率大于预设功率时，控制对应的第二门级驱动电阻与驱动端之间断开连接。本申请中，逆变桥模块既能降低逆变桥的电磁干扰，也能满足节能要求。

Description

逆变桥模块、电器部件和电器

技术领域

本申请涉及交流电技术领域，尤其涉及一种逆变桥模块、电器部件和电器。

背景技术

随着人们生活水平的提高，家庭内的电器越来越多。为了避免电力浪费，家庭内一般配置的是节能减排的电器。变频压缩机可以根据电器的实际工况运行，避免电器浪费过多的能源。因而电器可以通过变频压缩机进行节能减排。

为了实现变频压缩机的变频工作，需要通过电力电子器件将直流电逆变为频率可调的交流电，再将交流电提供给变频压缩机进行变频工作。逆变桥可以将直流电逆变为交流电。具体的，逆变桥包括多个桥臂电路，每个桥臂电路上设置有IGBT(Insulated GateBipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)，驱动信号对IGBT进行导通和关断，从而通过桥臂电路将直流电逆变为交流电。

为了抑制发送驱动信号的驱动回路的寄生振荡以及降低逆变桥的电磁干扰IGBT与发送驱动信号的驱动端在之间连接门级驱动电阻。对于抑制驱动回路的寄生振荡而言，门级驱动电阻的电阻取值20Ω左右便足够，但20Ω的电阻值对于降低逆变桥的电磁干扰的效果很弱。对此，门级驱动电阻的电阻值会设置的较大，例如，设置为1000Ω。IGBT的损耗占比最高的主要为导通损耗、开关损耗以及反向恢复损耗，增大门极驱动电阻的电阻值虽然能抑制寄生振荡和降低电磁干扰，但也会导致IGBT的开关损耗增大。

虽然门极驱动电阻取值过大会导致IGBT的开关损耗增加，但由于变频压缩机工作在峰值功率的条件下，逆变桥的输出总功率会很大，这种情况下IGBT的开关损耗在输出总功率里占比并不高，所以变频压缩机工作在峰值功率时门级驱动电阻的电阻值大小对逆变桥效率而言影响并不大，即意味着对能效影响也不大。但变频压缩机大部分时间都不会工作在峰值功率条件下，也即逆变桥输出给变频压缩机的功率大部分时间是远低于峰值功率，而在逆变桥低输出功率时，若门极驱动电阻的阻值较大，对能效影响会很大，从而无法满足节能要求。

由上可知，门级驱动电阻的电阻值过小无法降低逆变桥的电磁干扰，门级驱动电阻的电阻值过大则无法满足节能要求，也即降低逆变桥的电磁干扰以及节能要求无法同时被满足。

实用新型内容

本申请提供一种逆变桥模块、电器部件和电器，以克服相关技术中降低逆变桥的电磁干扰以及节能要求无法同时被满足的问题。

多个桥臂电路，每个所述桥臂电路设有绝缘栅双极型晶体管，且所述绝缘栅双极型晶体管的栅极与对应的驱动端之间连接并联的第一门级驱动电阻以及第二门级驱动电阻，所述第一门级驱动电阻与所述第二门级驱动电阻并联，所述第一门级驱动电阻大于所述第二门级驱动电阻的电阻值；

每个所述第二门级驱动电阻连接一个第一开关元件，所述第一开关元件用于在所述逆变桥模块的输出功率大于预设功率时，控制对应的第二门级驱动电阻与所述驱动端之间断开连接。

本申请第二方面提供一种电器部件，所述电器部件包括如上所述的逆变桥模块。

本申请第三方面提供一种电器，所述电器包括如上所述的逆变桥模块或电器部件。

本申请提供的逆变桥模块、电器部件和电器，逆变桥模块的中的每个IGBT连接并联的第一门级驱动电阻以及第二门级驱动电阻，第一门级驱动电阻的电阻值大于第二门级驱动电阻的电阻值，且第二门级驱动电阻连接开关元件。在当逆变桥模块的输出功率大于预设功率时，则断开开关元件，使得电阻值较大的第一门级驱动电阻降低逆变桥模块的电磁干扰，而在逆变桥模块的输出功率小于或等于预设功率，并联的第一门级驱动电阻与第二门级驱动电阻的总电阻较小，从而减小逆变桥模块的开关损耗，既能降低逆变桥的电磁干扰，也能满足节能要求。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请提供的逆变桥模块的一结构示意图；

图2为本申请提供的逆变桥模块的另一结构示意图；

图3为本申请提供的逆变桥模块的又一结构示意图；

图4为本申请提供的逆变桥模块的再一结构示意图；

图5为本申请提供的逆变桥模块的还一结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型的优选实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行更加详细的描述。在附图中，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。下面结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应作广义理解，例如，可以使固定连接，也可以是通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或者两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或者位置关系为基于附图的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或者暗示所指的装置或者元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

本实用新型的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本实用新型的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。

此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或显示器不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或显示器固有的其它步骤或单元。

本申请提供一种逆变桥模块。逆变桥模块包括多个桥臂电路，以下以包括三个桥臂电路的逆变桥模块，对本申请的技术方案进行详细说明。需要说明的是，三个桥臂电路的逆变桥模块仅用于举例，本申请中的逆变桥模块包括但不限于三个桥臂电路。

参照图1，逆变桥模块100包括三个桥臂电路，分别为桥臂电路110、桥臂电路120以及桥臂电路130。

每个桥臂电路上设置有绝缘栅双极型集体管。具体的，桥臂电路110设置有绝缘栅双极型晶体管111以及绝缘栅双极型晶体管112；桥臂电路120设置有绝缘栅双极型晶体管121以及绝缘栅双极型晶体管122；桥臂电路130设置有绝缘栅双极型晶体管131以及绝缘栅双极型晶体管132。

每个绝缘栅双极型晶体管的G级(栅极)与对应的驱动端之间连接并联的第一门级驱动电阻以及第二门级驱动电阻，且第一门级驱动电阻的电阻值大于第二门级驱动电阻的电阻值。需要说明的是，第二门级驱动电阻值可设置的较小，且第一门级驱动电阻值设置的较大。例如，第一门级驱动电阻的电阻值可为1000欧，第二门级驱动电阻的电阻值为20欧。驱动端通过第一门级驱动电阻向绝缘栅双极型晶体管的栅极发送驱动信号，使得绝缘栅双极型晶体管导通或者断开。此外，每个第二门级驱动电阻连接一个第一开关元件。在逆变桥模块的输出功率大于预设功率时，第一开关元件断开以控制其连接的第二门级驱动电阻与驱动端断开连接，而在逆变桥模块的输出功率小于或等于预设功率时，第一开关元件导通使得第一门级驱动电阻以及第二门级驱动电阻形成并联的电阻。

参照图1，绝缘栅双极型晶体管111的栅极连接并联的第一门级驱动电阻R1以及第二门级驱动电阻R2，第一门级驱动电阻R1用于向绝缘栅双极型晶体管111传输驱动信号DRVE_HU，且第二门级驱动电阻R2连接第一开关元件113；

绝缘栅双极型晶体管112的栅极连接并联的第一门级驱动电阻R3以及第二门级驱动电阻R4，第一门级驱动电阻R3用于向绝缘栅双极型晶体管112传输驱动信号DRVE_LU，且第二门级驱动电阻R4连接第一开关元件114；

绝缘栅双极型晶体管121的栅极连接并联的第一门级驱动电阻R5以及第二门级驱动电阻R6，第一门级驱动电阻R5用于向绝缘栅双极型晶体管121传输驱动信号DRVE_HV，且第二门级驱动电阻R6连接第一开关元件123；

绝缘栅双极型晶体管122的栅极连接并联的第一门级驱动电阻R7以及第二门级驱动电阻R8，第一门级驱动电阻R7用于向绝缘栅双极型晶体管122传输驱动信号DRVE_LV，且第二门级驱动电阻R8连接第一开关元件124；

绝缘栅双极型晶体管131的栅极连接并联的第一门级驱动电阻R9以及第二门级驱动电阻R10，第一门级驱动电阻R9用于向绝缘栅双极型晶体管131传输驱动信号DRVE_HW，且第二门级驱动电阻R10连接第一开关元件133；

绝缘栅双极型晶体管132的栅极连接并联的第一门级驱动电阻R11以及第二门级驱动电阻R12，第一门级驱动电阻R11用于向绝缘栅双极型晶体管132传输驱动信号DRVE_LW，且第二门级驱动电阻R12连接第一开关元件134。

在本实施例中，桥臂电路110、桥臂电路120以及桥臂电路130构成并联电路，且桥臂电路110、桥臂电路120以及桥臂电路130均连接直流电源端(未标示)，直流电源端向三个桥臂电路输入VDC(直流母线电压)，且通过DRIVE_HU、DRIVE_HV、DRIVE_HW、DRIVE_LU、DRIVE_LV、DRIVE_LW的驱动信号控制各个绝缘栅双极型晶体管的开导通和断开，使得逆变桥模块100提供三相交流电(U相、V相、W相)，也即输出端140输出三相交流电。其中，桥臂电路110提供U相、桥臂电路120提供V相、桥臂电路130提供W相。

驱动端可以是驱动芯片，驱动芯片的各个引脚各自连接一个第一门级驱动电阻。驱动芯片通过引脚向各个第一门级驱动电阻连接的绝缘栅双极型晶体管发送驱动信号，以控制各个绝缘栅双极型晶体管的导通和断开。

在本实施例中，在当逆变桥模块100的输出功率大于预设功率时，逆变桥模块100的电磁干扰较大，需要降低电磁干扰，则各个第一开关元件断开。由于第一门级驱动电阻的电阻值较大，从而能够满足降低电磁干扰的要求。而在当逆变桥模块100的输出功率小于预设功率，也即逆变桥模块100的输出功率较小时，此时，逆变桥模块100的电磁干扰小，需要降低绝缘栅双极型晶体管的开关损耗，则将各个第一开关元件导通，使得第一门级驱动电阻与第二门级驱动电阻的并联电阻较小，从而减小绝缘栅双极型晶体管的开关损耗，进而满足了节能要求。

进一步的，每个第一开关元件连接或耦合与控制端连接的第二开关元件。第二开关元件可以是光耦原边、三极管、绝缘栅双极型晶体管或场效应晶体管。

参照图2，第一开关元件113耦合第一光耦原边115，且第一开关元件113是光耦副边；

第一开关元件123耦合第一光耦原边125，且第一开关元件123是光耦副边；

第一开关元件133耦合第一光耦原边135，且第一开关元件133是光耦副边；

第一开关元件114的基级连接三极管116的集电极；第一开关元件124的基级连接三极管126的集电极；第一开关元件134的基级连接三极管136的集电极。其中，第一开关元件114、124以及134均为三极管。

需要说明的是，各个第一开关元件均可耦合光耦原边，各个第一开关元件均连接三极管、绝缘栅双极型晶体管或场效应晶体管，部分第一开关元件耦合光耦原边且另外一部分第一开关元件连接的第二开关元件是三极管、绝缘栅双极型晶体管以及场效应晶体管中的任意组合，或者各个第一开关元件连接的第二开关元件是三极管、绝缘栅双极型晶体管以及场效应晶体管中的任意组合。

优选地，由于绝缘栅双极型晶体管111、121以及131的发射极(E)没有连接GND(接地点)，所以绝缘栅双极型晶体管111、121以及131需要隔离驱动，而光耦原边可连接GND，也即第一开关元件可通过隔离驱动，因而第一开关元件113、123以及133耦合光耦原边。而绝缘栅双极型晶体管112、122以及132的发射极(E)可连接GND，则无需隔离驱动，因而第一开关元件114、124以及134连接的第二开关元件选择价格最为便宜的三极管。

在本实施例中，各个第二开关元件连接控制端。控制端可以是变频MCU(Microcontroller Unit，微控制单元)。控制端检测输入至逆变桥模块100的VDC，且检测逆变桥模块100的ISEN(母线电流)，通过VDC以及ISEM计算得到逆变桥模块100的输出功率。具体的，参照图2，经过桥臂电路110、120以及130的总电流为母线电流，母线电流经过采样电阻R13后，被转换为采样电压信号，采样电压信号经过运放模块140后放大，放大后的值即为ISEM,运放模块140再将ISEM传输至连接的控制端。

控制端检测逆变桥模块100的ISEM以及VDC，通过ISEM以及VDC计算逆变桥模块的输出功率。控制端再判断输出功率是否大于预设功率。预设功率为一个较大的功率值，预设功率内置于控制端。

在当输出功率大于预设功率，控制端向光耦原边115、光耦原边125、光耦原边135、三极管116、三极管126以及三极管136发送低电平的控制信号DRIVE；此时，光耦原边115、光耦原边125、光耦原边135、三极管116、三极管126以及三极管136均断开，使得光耦原边115耦合的光耦副边113、光耦原边125耦合的光耦副边123、光耦原边135耦合的光耦副边133、三极管116连接的三极管114、三极管126连接的三极管124、以及三极管136连接的三极管134均断开。需要说明的是，在当输出功率大于预设功率，控制端也可向光耦原边115、光耦原边125、光耦原边135、三极管116、三极管126以及三极管136发送高电平的控制信号DRIVE，使得光耦原边115、光耦原边125、光耦原边135、三极管116、三极管126以及三极管136断开。

在当输出功率小于或等于预设功率，控制端向光耦原边115、光耦原边125、光耦原边135、三极管116、三极管126以及三极管136发送高电平的控制信号DRIVE；此时，光耦原边115、光耦原边125、光耦原边135、三极管116、三极管126以及三极管136均导通，使得光耦原边115耦合的光耦副边113、光耦原边125耦合的光耦副边123、光耦原边135耦合的光耦副边133、三极管116连接的三极管114、三极管126连接的三极管124、以及三极管136连接的三极管134均导通，从而使得第一门级驱动电阻R1与第二门级驱动电阻R2形成并联电阻、第一门级驱动电阻R3与第二门级驱动电阻R4形成并联电阻、第一门级驱动电阻R5与第二门级驱动电阻R6形成并联电阻、第一门级驱动电阻R7与第二门级驱动电阻R8形成并联电阻、第一门级驱动电阻R9与第二门级驱动电阻R10形成并联电阻、且第一门级驱动电阻R11与第二门级驱动电阻R12形成并联电阻。需要说明的是，在当输出功率小于或等于预设功率，控制端也可向光耦原边115、光耦原边125、光耦原边135、三极管116、三极管126以及三极管136发送低电平的控制信号DRIVE，使得光耦原边115、光耦原边125、光耦原边135、三极管116、三极管126以及三极管136导通。

进一步的，每个第二开关元件与控制端之间连接有第一电阻。参照图3，第二开关元件115、125以及135为光耦原边，第二开关元件115、125以及135并联，且第二开关元件115、125以及135连接第一电阻R14，第一电阻R14连接控制端(未标示)，此外，第二开关元件115、125以及135连接GND。

第二开关元件116、126以及136为三极管，则第二开关元件116的基级连接第一电阻R15、第二开关元件126的基级连接第一电阻R16、且第二开关元件136的基级连接第一电阻R17。第一电阻R14、R15、R16、以及R17是限流电阻，用于防止电流过大，避免电流过大导致第二开关元件损坏。

进一步的，若第二开关元件是三极管，则第二开关元件的基级以及发射极连接第二电阻。参照图3，第二开关元件116、126以及136为三极管，则第二开关元件116基级(B)以及发射极(E)连接第二电阻R18、第二开关元件126基级(B)以及发射极(E)连接第二电阻R19、且第二开关元件136基级(B)以及发射极(E)连接第二电阻R20。第二电阻R18、R19以及R20是第二开关元件的基级下拉偏置电阻，第二电阻R18与第一电阻R15分压，使得第二开关元件116的基级电压达到一定值才能够使得第二开关元件116的导通，避免第二开关元件116的误动作。第二电阻R19与第一电阻R16分压，使得第二开关元件126的基级电压达到一定值才能够使得第二开关元件126的导通，避免第二开关元件126的误动作。第二电阻R20与第一电阻R17分压，使得第二开关元件136的基级电压达到一定值才能够使得第二开关元件136的导通，避免第二开关元件136的误动作。

进一步的，各个第一开关元件集电极以及集电极连接二极管。参照图4，第一开关元件113的集电极(C)连接二极管D1的正极，且第一开关元件113的发射极(E)连接二极管D1的负极；

第一开关元件114的集电极(C)连接二极管D2的正极，且第一开关元件114的发射极(E)连接二极管D2的负极；

第一开关元件123的集电极(C)连接二极管D3的正极，且第一开关元件123的发射极(E)连接二极管D3的负极；

第一开关元件124的集电极(C)连接二极管D4的正极，且第一开关元件124的发射极(E)连接二极管D4的负极；

第一开关元件133的集电极(C)连接二极管D5的正极，且第一开关元件133的发射极(E)连接二极管D5的负极；

第一开关元件134的集电极(C)连接二极管D6的正极，且第一开关元件134的发射极(E)连接二极管D6。

当DRIVE_HU为低电平时，绝缘删双极型集体管111的门级通过第二门级驱动电阻R2以及二极管D1快速放电减小绝缘删双极型集体管111的开关损耗，且二极管D1还能够保护第一开关元件113(光耦副边)的集电极以及发射极不被反向击穿。

当DRIVE_LU为低电平时，绝缘删双极型集体管112的门级通过第二门级驱动电阻R4以及二极管D2快速放电减小绝缘删双极型集体管112的开关损耗，且二极管D2还能够保护第一开关元件114(三极管)的集电极以及发射极不被反向击穿。

当DRIVE_HV为低电平时，绝缘删双极型集体管121的门级通过第二门级驱动电阻R6以及二极管D3快速放电减小绝缘删双极型集体管121的开关损耗，且二极管D3还能够保护第一开关元件123(光耦副边)的集电极以及发射极不被反向击穿。

当DRIVE_LV为低电平时，绝缘删双极型集体管122的门级通过第二门级驱动电阻R8以及二极管D4快速放电减小绝缘删双极型集体管122的开关损耗，且二极管D4还能够保护第一开关元件124(三极管)的集电极以及发射极不被反向击穿。

当DRIVE_HW为低电平时，绝缘删双极型集体管131的门级通过第二门级驱动电阻R10以及二极管D5快速放电减小绝缘删双极型集体管131的开关损耗，且二极管D5还能够保护第一开关元件133(光耦副边)的集电极以及发射极不被反向击穿。

当DRIVE_LW为低电平时，绝缘删双极型集体管132的门级通过第二门级驱动电阻R12以及二极管D6快速放电减小绝缘删双极型集体管132的开关损耗，且二极管D6还能够保护第一开关元件134(三极管)的集电极以及发射极不被反向击穿。

进一步的，第一开关元件以及第二开关元件是三极管，则第一开关元件与该第一开关元件对应的第二开关元件之间连接第三电阻，第三电阻是限流电阻，用于防止第一开关元件的电流过大。参照图5，第一开关元件114、124以及134是三极管，且第二开关元件116、126以及136为三极管，则第一开关元件114与第二开关元件116之间连接第三电阻R21、第一开关元件124与第二开关元件126之间连接第三电阻R22、且第一开关元件134与第二开关元件136之间连接第三电阻R23。具体的，第三电阻R21的一端连接第一开关元件114的基级，且第三电阻R21的另一端连接第二开关元件116的集电极；第三电阻R22的一端连接第一开关元件124的基级，且第三电阻R22的另一端连接第二开关元件126的集电极；第三电阻R23的一端连接第一开关元件134的基级，且第三电阻R24的另一端连接第二开关元件136的集电极。

此外，第一开关元件为三极管，则第一开关元件的基级与发射极连接第四电阻。参照图5，第一开关元件114的发射极(E)与基级(B)连接电阻R24、第一开关元件124的发射极(E)与基级(B)连接电阻R25、且第一开关元件134的发射极(E)与基级(B)连接电阻R26。

第四电阻R24、R25以及R26是第一开关元件的基级下拉偏置电阻，第四电阻R24与第三电阻R21分压，使得第一开关元件114的基级电压达到一定值才能够使得第一开关元件114的导通，避免第一开关元件114的误动作。第四电阻R25与第三电阻R22分压，使得第一开关元件124的基级电压达到一定值才能够使得第一开关元件124的导通，避免第一开关元件124的误动作。第四电阻R26与第三电阻R23分压，使得第一开关元件134的基级电压达到一定值才能够使得第一开关元件134的导通，避免第一开关元件134的误动作。

进一步，每个绝缘栅双极型晶体管的栅极以及发射极连接第五电阻。参照图5，绝缘栅双极型晶体管111的栅极(G)以及发射极(E)连接第五电阻R27；

绝缘栅双极型晶体管112的栅极(G)以及发射极(E)连接第五电阻R28；

绝缘栅双极型晶体管121的栅极(G)以及发射极(E)连接第五电阻R29；

绝缘栅双极型晶体管122的栅极(G)以及发射极(E)连接第五电阻R30；

绝缘栅双极型晶体管131的栅极(G)以及发射极(E)连接第五电阻R31；

绝缘栅双极型晶体管132的栅极(G)以及发射极(E)连接第五电阻R32。

第五电阻是绝缘栅双极型晶体管的下拉偏置电阻，在绝缘栅双极型晶体管的栅极悬空时，能够防止绝缘栅双极型晶体管的误动作。

本申请还提供一种电器部件，电器部件包括如上所述的逆变桥模块，逆变桥模块的具体结构参照上述说明，在此不再进行赘述。

进一步的，电器部件还包括有驱动端，驱动端可为驱动芯片。驱动端与逆变桥模块中的每个第一门级驱动电阻连接，且驱动端用于控制第一门级驱动电阻连接的绝缘栅双极型晶体管导通和断开，具体参照上述说明，在此不在进行赘述。

进一步的，电器部件还包括控制端，控制端可为变频MCU。控制端用于检测逆变桥模块的输出功率，且控制端连接逆变桥模块中的各个第二开关元件。控制端检测逆变桥模块的输出功率，以及控制端和各个第二开关元件的连接，具体参照上述说明，在此不再进行赘述。

此外，控制端与驱动端连接，控制端用于向驱动端发送驱动信号，驱动端再将驱动信号发送至连接的第一门级驱动电阻。

参照图2至图5中任一图示，控制端检测逆变桥模块100的ISEM以及VDC，通过ISEM以及VDC计算逆变桥模块的输出功率。控制端再判断输出功率是否大于预设功率。预设功率为一个较大的功率值，预设功率内置于控制端。

在当输出功率大于预设功率，控制端向光耦原边115、光耦原边125、光耦原边135、三极管116、三极管126以及三极管136发送第一控制信号DRIVE；此时，光耦原边115、光耦原边125、光耦原边135、三极管116、三极管126以及三极管136均断开，使得光耦原边115耦合的光耦副边113、光耦原边125耦合的光耦副边123、光耦原边135耦合的光耦副边133、三极管116连接的三极管114、三极管126连接的三极管124、以及三极管136连接的三极管134均断开。

在当输出功率小于或等于预设功率，控制端向光耦原边115、光耦原边125、光耦原边135、三极管116、三极管126以及三极管136发送第二控制信号DRIVE；此时，光耦原边115、光耦原边125、光耦原边135、三极管116、三极管126以及三极管136均导通，使得光耦原边115耦合的光耦副边113、光耦原边125耦合的光耦副边123、光耦原边135耦合的光耦副边133、三极管116连接的三极管114、三极管126连接的三极管124、以及三极管136连接的三极管134均导通，从而使得第一门级驱动电阻R1与第二门级驱动电阻R2形成并联电阻、第一门级驱动电阻R3与第二门级驱动电阻R4形成并联电阻、第一门级驱动电阻R5与第二门级驱动电阻R6形成并联电阻、第一门级驱动电阻R7与第二门级驱动电阻R8形成并联电阻、第一门级驱动电阻R9与第二门级驱动电阻R10形成并联电阻、且第一门级驱动电阻R11与第二门级驱动电阻R12形成并联电阻。需要说明的是，在当输出功率小于或等于预设功率，控制端也可向光耦原边115、光耦原边125、光耦原边135、三极管116、三极管126以及三极管136发送低电平的控制信号DRIVE，使得光耦原边115、光耦原边125、光耦原边135、三极管116、三极管126以及三极管136导通。其中，第一控制信号为低电平的控制信号，则第二控制信号为高电平的控制信号。若第一控制信号为高电平的控制信号，则第二控制信号为低电平的控制信号

进一步的，电器部件还包括变频压缩机，逆变桥模块的各个桥臂电路连接变频压缩机，使得逆变桥模块向变频压缩机提供多相交流电。例如，参照图1-图5任一图示，输出端140连接变频压缩机，使得逆变桥模块100向变频压缩机提供三相交流电。

本申请还提供一种电器，电器包括如上所述的逆变桥模块或者电器部件。电器可以是具有变频压缩机的电器。例如，电器可以是冰箱、空调等家用电器。

本领域普通技术人员可以理解：实现上述各方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成。前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中。该程序在执行时，执行包括上述各方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (14)

1.一种逆变桥模块，其特征在于，包括：

多个桥臂电路，每个所述桥臂电路设有绝缘栅双极型晶体管，且所述绝缘栅双极型晶体管的栅极与对应的驱动端之间连接第一门级驱动电阻以及第二门级驱动电阻，所述第一门级驱动电阻与所述第二门级驱动电阻并联，所述第一门级驱动电阻大于所述第二门级驱动电阻的电阻值；

每个所述第二门级驱动电阻连接一个第一开关元件，所述第一开关元件用于在所述逆变桥模块的输出功率大于预设功率时，控制对应的第二门级驱动电阻与所述驱动端之间断开连接。

2.根据权利要求1所述的逆变桥模块，其特征在于，每个所述第一开关元件连接或耦合与控制端连接的第二开关元件，所述第二开关元件用于接收所述控制端的控制信号以控制对应的第一开关元件的导通和断开。

3.根据权利要求2所述的逆变桥模块，其特征在于，所述第二开关元件与所述控制端之间连接第一电阻。

4.根据权利要求3所述的逆变桥模块，其特征在于，所述第二开关元件的基级以及发射极连接第二电阻。

5.根据权利要求2所述的逆变桥模块，其特征在于，所述第二开关元件为光耦原边、三极管、绝缘栅双极型晶体管或场效应晶体管。

6.根据权利要求1-5任一项所述的逆变桥模块，其特征在于，所述第一开关元件的集电极以及发射极连接二极管。

7.根据权利要求2-5任一项所述的逆变桥模块，其特征在于，所述第一开关元件与所述第二开关元件为三极管，且所述第一开关元件与所述第一开关元件对应的第二开关元件之间连接第三电阻。

8.根据权利要求7所述的逆变桥模块，其特征在于，所述第一开关元件的基级以及发射极连接第四电阻。

9.根据权利要求1-5任一项所述的逆变桥模块，其特征在于，每个所述绝缘栅双极型晶体管的栅极以及发射极连接第五电阻。

10.一种电器部件，其特征在于，所述电器部件包括如权利要求1-7任一项所述的逆变桥模块。

11.根据权利要求10所述的电器部件，其特征在于，所述电器部件还包括驱动端，所述驱动端与所述逆变桥模块中的每个第一门级驱动电阻连接，所述驱动端用于控制所述第一门级驱动电阻连接的绝缘栅双极型晶体管导通和断开。

12.根据权利要求10所述的电器部件，其特征在于，所述电器部件还包括用于检测所述逆变桥模块的输出功率的控制端，所述控制端连接所述逆变桥模块中的各个第二开关元件，所述控制端在检测到所述逆变桥模块的输出功率大于预设功率时，向所述逆变桥模块的第二开关元件发送第一控制信号以使所述第二开关元件连接或耦合的第一开关元件断开；所述控制端在检测到所述逆变桥模块的输出功率小于或等于预设功率时，向所述第二开关元件发送第二控制信号以使所述第二开关元件连接或耦合的第一开关元件导通。

13.根据权利要求10-12任一项所述的电器部件，其特征在于，所述电器部件还包括变频压缩机，所述逆变桥模块中的各个桥臂电路连接所述变频压缩机。

14.一种电器，其特征在于，所述电器包括如权利要求1-9中任一项所述的逆变桥模块或如权利要求10-13中任一项所述的电器部件。

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