CN218298696U - 复振幅动态调制单元和复振幅动态调制器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了提出一种复振幅动态调制单元，包括调制模块，且所述调制模块组成闭环结构的复振幅动态调制单元；还包括：用于向调制模块输入激励信号，改变调制模块的光学性质的激励模块。通过激励模块的控制，可以始终保持至少一个调制模块处于没有被激励的静默态，而其他的调制模块处于被激励的激活态。通过调控这种处理静默态的调制模块的数量、位置等，即可获得不同的开口方向、开口大小的C型分裂环谐振器,甚至得到其他不是C型结构的谐振器。更好的克服了现有纯振幅调制的直流噪声和孪生图像问题和现有纯相位调制所带来的严重散斑噪声问题，实现了复振幅调制具有更高精度和更少噪音的效果。本申请还提供一种复振幅动态调制器。

Description

复振幅动态调制单元和复振幅动态调制器

技术领域

本实用新型属于微电子/光电子技术领域，尤其涉及一种复振幅动态调制单元和复振幅动态调制器。

背景技术

随着微电子技术的发展，信号处理系统需要具备实时操纵的能力，而数字信号处理技术虽然发展迅速，但在实时操纵方面具有很大的局限性。

光学处理系统具备高效的实时调制光场振幅、相位或偏振态空间分布的能力和特有的宽带性能，时间响应快，反应灵敏，驱动功率更低，温度稳定性更好。

物质的光学性质主要是指物质对光线的吸收、反射和折射时所表现的各种性质，以及由物质引起的光线干涉和散射等现象。现有技术往往通过改变物质光学性质来调制所需的光学信息。目前的大多数光场处理系统依赖于液晶空间光调制器，但液晶分子在交流电压下保持固定的偏转角度，当该点图像灰度值改变时，加载电压大小改变，液晶分子偏转至新的角度需要时间，从而限制了图像更高的刷新频率，且空间带宽积小，液晶分子尺寸大导致视场小，具有一定的角度依赖性。

随着纳米加工技术的巨大进步，超表面技术能够实现大量生产准备且具有便携移动的优越性。然而静态的超表面纯相位调制技术存在严重的散斑噪声问题，纯振幅调制又存在直流噪声和孪生图像问题。

理论上复振幅技术可以实现更高精度和减少噪音，但现有的利用V型纳米孔、惠更斯超表面和C型分裂环谐振器如图1等研究结构形状固定，无法实现动态调制，只能通过不同结构的排列组合实现复振幅调制，大规模同步调制非常艰难且振幅调制幅度和相位调制范围都很小。此外，复杂的结构涉及导致光谱带宽相当有限，更是难以与功能材料结合实现独立的相位和振幅动态调制。

实用新型内容

本申请考虑到C型分裂环谐振器制作工艺复杂、成本高，且应用局限性大，基本属于定制性质，提出一种制作工艺简单、可根据实际应用场景灵活调节的复振幅动态调制单元及复振幅调制器。

作为本申请的一方面，本实用新型通过结构设计，结合调制模块的光学调制特性，构建了复振幅动态调制单元。本申请的复振幅动态调制单元至少包括激励模块和两个以上调制模块。

本申请的调制模块可以采用现有的复振幅调制器件的调制元件构成，包括但不限于相变材料调制元件、超表面调制元件等等。诸如此类的调制元件受到类似于电信号的信号激励后，其光学性质改变，即：其对光线的吸收、反射和折射时所表现的各种性质发生改变。因此，本申请的激励模块构成了这种调制模块的开关。另一方面，在不同的激励信号下，调制模块的光学性质也不同，因此，激励模块亦构成了调制模块的档位调节器。

本申请中，两个以上的调制模块组成闭环结构；所述激励模块向调制模块输入激励信号，以改变其光学性质。模块化闭环的结构特性和激励信号动态调控的结合，使得该复振幅动态调制单元具有极大的灵活性。

上述复振幅动态调制单元完全可以实现C型分裂环谐振器的结构优势，以初始态为绝缘相态的单稳态相变材料为例，激励模块向其输入持续的激励信号，即该调制模块处于有信号输入的激励态，在激励态下，其呈现为金属态；一旦停止激励信号输入，相变材料将会自动回归绝缘相态。若均采用这一类调制模块形成本申请闭环的调制单元，通过激励模块仅仅向其中m个调制模块输入激励信号，改变调制模块的光学性质，使其转变为金属态，其中m＜小于调制模块的总数量n，而其他的调制模块处于被没有被激励的静默态(绝缘相态)，形成C型分裂环谐振器。

在C字形谐振器本身的结构优势的基础上，本申请还可以通过调控处于静默态的调制模块的数量，调控开口大小，实现振幅的独立调制；或调控所述静默态的调制模块的位置，调控开口方向，实现相位的独立调制。如此，振幅的独立调制是通过模块化的独立调控即可实现，克服了现有纯振幅调制的直流噪声和孪生图像问题。相位的独立调制是模块化的独立调控即可实现，有效解决了现有纯相位调制所带来的严重散斑噪声问题。

本申请的方案，还适用于多稳态的相变材料。以初始态为晶态的多稳态相变材料为例。激励模块向其输入瞬间的激励信号，即该调制模块处于激励态，在激励态下，其呈现为非晶态①，再进一步输入一激励信号，其呈现为非晶态②，或者再进一步输入一激励信号，其呈现为晶态①；以上非晶态①-非晶态②-晶态①均在信号激励下呈现，为本申请所述的激活态。因此，对于多稳态的相变材料而言，其激活态可以是晶态也可以是非晶态。若均采用这一类调制模块形成本申请闭环的调制单元，通过激励模块仅仅向其中m个调制模块输入激励信号，改变调制模块的光学性质，使其为非晶态，而其他的调制模块处于晶态，形成C型分裂环谐振器(初始态为非晶态的多稳态相变材料同理)。

同理，通过各个调制模块的激励信号控制，可以获得类括号“()”的谐振结构。

本申请所述闭环结构为圆环结构、方环结构、三角环结构或其他任意封闭的环状结构。

由上可知，该复振幅动态调制单元无需设计方位角和张开角各异的结构单元，克服了器件定制的问题，克服了复杂的结构设计导致光谱带宽相当有限，大规模同步调制艰难和振幅调制幅度和相位调制范围小等问题，具有更高光谱带宽，制造和设计更为简单，光场操作更为容易且制备成本更低。进一步地，动态调制是通过激励模块实现，而无需经过复杂的器件结构设计和阵列设计，操作更简单且制造成本更低。

本申请中，各个调制模块的弧长或边长相等或不相等；或各个调制模块的宽度相等或不相等。各个调制模块，尤其是相同的调制模块的拼接，使得机械化制造成为可能，大大提高了器件的制备效率。

本申请中，所述调制模块可以为相变材料层，但不限于此。本领域技术人员应当理解，只要具备信号响应(在某种信号激励下，其光学性质改变)的调制模块，均适用于本申请；当调制模块为相变材料时，所述激励模块包括电信号输出模块和与所述调制模块一一对应的电极，所述电信号输出模块控制所述电极向所述调制模块输入电压，通过电脉冲转变所述相变材料的相态和结晶程度，以此改变其光学性质。如此，单个调制模块的尺寸最小可达百十纳米，各层薄膜厚度最小可达几纳米，远小于液晶空间光调制器尺寸，有效解决了液晶空间光调制器所面临的视场小和液晶串扰等问题。而且，相变材料晶态和非晶态的转变是对调制层施加电脉冲而实现的，微电极将热量和脉冲能量传递给相变材料，相变速度在纳秒级别，能更快响应光调制能力，且调制方法简单，成本低。

本申请中，相变材料具有两种或两种以上相态，极为广泛易得，包括但不限于GST、Sb2S3、GeTe、Sb2Te3、Sb2Te、Ge15Sb85等材料。

基于以上调制单元，动态调制方法如下：通过激励模块向部分调制模块输入激励信号，使得该部分调制模块处于有信号激励的激活态，而部分调制模块处于无信号激励的静默态；通过动态调控激励信号，调控处于静默态下的调制模块的位置和数量，来实现对入射光的复振幅的动态调制。例如，按照前述的方案来控制部分调制模块的状态，获得C字形谐振结构。

进一步地，还包括通过动态调控激励信号，调控激活态下的调制模块的阶次光学常数，来实现对入射光的复振幅的动态调制。

进一步地，所述调制模块为相变材料层；所述激励模块包括电信号输出模块和与所述调制模块一一对应的电极，所述电信号输出模块通过电极向所述调制模块输入电激励，使得调制模块在激活态和静默态之间发生独立的动态转换，或者使得各个调制模块在不同阶次光学常数的激活态下发生动态转换。

基于以上调制单元，本实用新型还提供一种复振幅动态调制器，至少包含上述一个调制单元和其他辅助调制单元。

这里所述的辅助调制单元为：可以对光线产生吸收、反射和折射等作用的光学元件；甚至也可以和本申请的调制模块一样，可以采用现有的复振幅调制器件的调制元件，包括但不限于相变材料调制元件、超表面调制元件等等。诸如此类的调制元件受到类似于电信号的信号激励后，其光学性质改变，即：其对光线的吸收、反射和折射时所表现的各种性质发生改变，这种情况下，辅助调制单元包括了具有光学调控的辅助调制模块和向辅助调制模块输入独立的激励信号，改变辅助调制模块的光学性质的辅助激励模块。

在本申请较为优先的实施例中，辅助调制模块由多个辅助调制子模块组成，例如，多个扇形结构的子模块拼接形成圆饼状的辅助调制模块。

基于以上调制单元，本实用新型还提供一种复振幅动态调制器，由两个或两个以上的调制单元组成。各个调制单元不仅可以互不干扰的独立调制，相邻的调制单元中的调制模块还能通过组合形成特殊的谐振结构。例如，两个相邻的调制单元通过激励模块的控制，组合形成类X结构；例如：两个同心的调制单元的组合、大小不同但中心相同的方形闭环调制单元的组合。

基于以上调制单元，本实用新型还提供一种复振幅动态调制器，由两个或两个以上的调制单元组成和辅助调制单元组成，例如，两个大小不同但中心相同的方形闭环调制单元和方形辅助调制单元的组合。

本实用新型的有益效果在于：本实用新型克服了复杂的结构涉及导致光谱带宽相当有限，大规模同步调制艰难和振幅调制幅度和相位调制范围小等问题，具有更高光谱带宽，制造和设计更为简单，光场操作更为容易且制备成本更低；通过激励模块，可以动态控制各个调制模块即可调整C字方位角以实现振幅独立调制，调整C字张开角以实现相位独立调制，更好的克服了现有纯振幅调制的直流噪声和孪生图像问题和现有纯相位调制所带来的严重散斑噪声问题，实现了复振幅调制具有更高精度和更少噪音的效果。

附图说明

构成本实用新型的一部分的说明书附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1为现有的C型分裂环谐振器复振幅调制单元示意图。

图2为本实用新型中圆环状复振幅动态调制单元的横切面结构示意图。

图3为本实用新型的圆环状复振幅动态调制单元中调制模块横截面结构示意图。

图4为本实用新型的复振幅动态调制单元结构示意图。

图5为本实用新型的复振幅动态调制方法示意图。

图6为本实用新型的复振幅独立振幅调制效果示意图。

图7为本实用新型的复振幅独立相位调制效果示意图。

图8为本实用新型的方环状复振幅动态调制单元的横切面结构示意图。

图9为本实用新型的两个半圆环结构所组成的类X型复振幅动态调制单元横切面结构示意图。

图10为本实用新型的圆心相同，半径不同的圆环状调制单元和圆形辅助调制单元组合而成的复振幅动态调制器的横切面结构示意图。

图11为本实用新型的双圆环复振幅动态调制器的横切面结构示意图。

图12为本实用新型的各调制模块宽度不等的圆环状复振幅动态调制器横切面结构示意图。

图13为本实用新型的控制调制模块结晶程度以实现不同阶次光学常数的圆环状复振幅动态调制器。

图14为本实用新型中相变材料Ge2Sb2Te5(GST)的折射率和消光系数光谱图。

具体实施方式

本实用新型涉及一种复振幅动态调制单元，包括激励模块和两个以上调制模块，且所述调制模块组成闭环；所述激励模块控制调制模块在静默态(不受信号激励)和激活态(不受信号激励)之间切换。

基于该复振幅动态调制单元可以实现动态调制，解决了结构形状固定，无法实现动态调制,大规模同步调制非常艰难,振幅调制幅度和相位调制范围小且光谱带宽相当有限等问题。无需设计方位角和张开角各异，具有更高光谱带宽，制造和设计更为简单，光场操作更为容易且制备成本更低，更关键的是，实现了便于操作的复振幅动态调制技术；本实用新型还提供了一种复振幅动态调制器，包含上述一个环状调制单元，通过这种调制单元组合所形成的谐振结构具有广范围和更高精度的振幅和相位调制。本实用新型为实现时间响应快，反应灵敏，驱动功率更低，温度稳定性更好的光学处理系统大规模商业化应用打下了深厚基础。

本实用新型的目的，特点和优点将通过以下实施例进行阐述，值得说明的是，该实施例仅为本实用新型技术中的典型范例，凡采取等同替换或等效变换而形成的技术方案，均为本实用新型要求保护的范围内。

需要说明的是：本申请所述的调制模块，可以是块体结构或薄膜结构等，通过外界改变其光学性质。在无信号激励时，其处于静默态，其对光的调制仅仅基于其本身的光学特性发生光学作用；而在有信号激励下，其处于激活态，可以进一步调控光的散射、干涉和衍射等，从而改变光的振幅和相位等信息。作为本领域公知常识，可以采用的材料为金属、半导体和聚合物等，如Au、VO₂、Sb₂S₃等。

本申请所述的占空位为处于静默态的调制模块所占的位置，每个占空位至少包含一个调制模块。

实施例1

本实施例中，采用如图3所述的调制模块拼接成如图4～5所述的复振幅调制单元。采用激励模块控制所述调制模块的状态。本实施例中，调制模块为薄膜状的相变材料层Ge2Sb2Te5，厚度为200nm，相变材料晶态和非晶态下的折射率和消光系数光谱图如图12所示；激励模块包括位于调制模块上下两侧的电极ITO(30nm)，以及电信号输出模块，如图2所示，电信号输出模块控制电极向调制模块输入电压，各个电极相互独立，电极之间不发生热/电串扰，使得各个调制模块在晶态和非晶态之间发生独立的动态转换。

如图4～5所示，该圆环形复振幅调制单元由8个独立的调制模块首尾相接紧密排列而成，如图4所示，外层圆半径r为35μm，圆环宽度w为5μm,张开角α为45°，方位角θ为67.5°。

如图5所示，8个独立的调制模块依次标号为1，2，3，4，5，6，7，8，构成为圆环状结构。假定初始状态调制模块1中的相变材料为晶态，而其余单元的相变材料为非晶态，实现独立振幅调制只需将调制模块8中的相变材料调制为晶态(激活态)和调制模块1中的相变材料调制为非晶态(激活态)，其余单元相变材料保持非晶态不变(静默态)，使得C字方位角θ改变，而张开角α不变；实现独立相位调制只需将调制模块8和1和2中的相变材料调制为晶态，其中调制模块8和2处于激活态，其余单元相变材料保持非晶态不变(静默态)，使得C字张开角α改变，而方位角θ保持不变，从而实现相位和振幅的独立调制；现动态调制是通过施加不同脉冲宽度和脉冲数量的电压给底部电极使调制模块层的相变材料发生相态变化或产生不同结晶程度，相变速度达至30ns，相态之间的转变次数达到5000次以上，具有更快响应速度且调控方法简单，成本低。

由此，本实施例在很大程度上降低了制备工艺难度，节省了大量的时间和制作成本，且调制范围广，能够简单的通过控制相变材料的相态(静默态和激活态)和结晶程度(不同程度的激活态)实现了振幅0-1和相位0-2π全范围的独立动态调制，其不同结晶程度下振幅独立调制效果示意图如图6所示，不同结晶程度下相位独立调制效果示意图如图7所示，可以预见的是，在合适的波长下，改变该器件结构中相变材料的结晶程度将会有若干能级的独立振幅和相位调制，可以直接通过控制电压实现光场调制，而无需经过复杂的器件结构设计和阵列设计，操作更简单且制造成本更低，同时具有更高精度和更少噪音的效果。

基于相变材料特性，本领域可以预见，任意具有晶态和非晶态的相变材料，包括但不限于GST、Sb₂S₃、GeTe、Sb₂Te₃、Sb₂Te、Ge₁₅Sb₈₅等，可在大多数环境下完成光场调制，适用范围广。

实施例2

本实用新型设计了一种方环状复振幅动态调制单元，其横切面结构示意图如图8所示，具有更高光谱带宽且制造和设计更为简单。

这种方环型的复振幅动态调制单元主要包括电信号输出模块、调制模块(相变材料层)和与调制模块一一对应的电极。其中电极ITO，50nm厚、相变材料层Ge2Sb2Te5，150nm厚。由12个独立的调制模块首尾相接紧密排列而成，每个调制模块的长为为20μm，宽度为5μm。

与C字环调控方式所不同的是，本实施例能够更够实现更宽范围的振幅和相位调制。该方环状复振幅动态调制单元由12个独立的调制模块构成依次标号为1，2，3，4，5，6，7，8，9，10，11，12，所有调制模块的初始状态均为晶态。可以通过调控占空位的大小和位置实现复振幅动态调控，即控制3，4，7，11都为非晶态(激活态)，其余调制模块为晶态(静默态)。利用电信号输出模块施加不同脉冲宽度和脉冲数量的电压给底部电极使调制模块层的相变材料发生相态变化或产生不同结晶程度，具有更快响应速度且调控方法简单，成本低。

实施例3

本实施例采用类似于实施例1的圆环状复振幅调制单元，通过电信号输出模块调控调制模块，得到图9所示的类X型的谐振结构。

这种类X型的谐振结构能够克服现有的X型复振幅调制单元因棒长，交叉角度受限和结构固定所带来的调谐范围有限问题，解决了振幅和相位信息相互串扰等问题且具有更宽光谱调谐范围和更高调控精度。

实施例4

本实施例采用类似于实施例1的圆环状复振幅调制单元与辅助调制单元(扇形9～16组成)组成具有核壳形状的谐振结构，如图10所示。其中，内核部分由8个圆心角为45°的扇形的辅助调制子模块组成大的圆饼结构的辅助调制模块；各个子模块之间也采用分区独立控制，即通过辅助激励模块的控制，各个子模块的静默态和激活态的调控互为独立，互不干涉。

本实施例的设置，更好的克服了现有纯振幅调制的直流噪声和孪生图像问题和现有纯相位调制所带来的严重散斑噪声问题，实现了复振幅调制具有更高精度和更少噪音的效果。

这种复振幅动态调制器由圆环状调制单元和圆形辅助调制单元而成，包含电信号输出模块、调制模块(为相变材料)和与调制模块一一对应的电极。其中电极ITO，45nm厚、相变材料层Sb2Te3，195nm厚。该圆环状调制单元由8个独立的调制模块首尾相接紧密排列而成，分别标号为1，2，3，4，5，6，7，8。外层圆半径r为35μm，圆环宽度w为5μm，所有调制模块的初始状态均为晶态。利用实施例2所提到的复振幅动态调制方法通过电信号输出模块控制4和8为非晶态(激活态)，其余调制模块为晶态(静默态)。该圆形辅助调制单元辅助调制单元也是由8个独立的调制模块紧密排列而成，分别标号为9，10，11，12，13，14，15，16，所有调制模块的初始状态均为晶态。半径r为20μm,其中9和14为非晶态(激活态)，其余调制模块为晶态(静默态)。通过此方式，具有更好的调制效果。

实施例5

本实用新型提出了一种双圆环状复振幅动态调制器，其圆心相同，半径不同，横切面结构示意图如图11所示，能够实现宽范围的复振幅动态调制且具有更高精度和减少噪音的优良效果。

这种复振幅动态调制器为双圆环状复振幅调制器，与实施例1所不同的是，具有更广的调制效果，能够通过控制内外环的方位角和张开角实现独立的振幅和相位调制。该复振幅调制器大圆环和小圆环组成，其中大圆环由8个独立的调制模块首尾相接紧密排列而成，依次标号1，2，3，4，5，6，7，8，所有调制模块的初始状态均为晶态，外层圆半径为60μm，圆环宽度为5μm。小园环也由8个独立的调制模块首尾相接紧密排列而成，依次标号为9，10，11，12，13，14，15，16，所有调制模块的初始状态均为晶态，外层圆半径为35μm，圆环宽度为5μm。通过控制电信号输出模块所提供脉冲宽度和能量，控制大圆环中4和8调制模块及小圆环中9和13调制模块为非晶态(激活态)，其余调制模块为晶态(静默态)，按需调增方位角和张开角，从而能够实现更宽范围且更精密的复振幅调制。

实施例6

本实用新型提出一种各调制模块宽度不等的圆环状复振幅动态调制器，其横切面结构示意图如图12所示，具有更广的振幅和相位调制范围。

这种各调制模块宽度不等的圆环状复振幅动态调制单元与实施例1所不同的是各个调制模块的宽度不等，从而实现更高精度调制效果，能够通过控制调制模块的宽度、方位角和张开角实现广范围的振幅和相位调制。

该圆环状复振幅动态调制单元由8个独立的调制模块构成依次标号为1，2，3，4，5，6，7，8，所有调制模块的外层圆半径均为35μm，圆环宽度分别为5μm，3μm，7μm，2.5μm，6μm，7μm，4μm，10μm，且所有模块的初始状态均为晶态。可以通过调控占空位的大小和位置实现复振幅动态调控，即通过电激励将调制模块8转换为非晶态(激活态)，其余调制模块仍为晶态(静默态)，具有广的复振幅调制范围，能够实现振幅0-1和相位0-π的全范围调制。

实施例7

本实用新型提出一种控制调制模块结晶程度以实现不同阶次光学常数的圆环状复振幅动态调制器，其横切面结构示意图如图13所示，图中不同颜色程度表示具有不同程度的复振幅调制效果，能够定向改变器件的光学常数，产生多阶次振幅和相位调制，显著提升器件的复振幅调制范围。

与实施例1所不同的是，本实施例还可以通过改变电脉冲数量和宽度改变器件的光学常数。该实施例中的圆环状调制单元(为相变材料Ge2Sb2Te5),由8个独立的调制模块首尾相接紧密排列而成，分别标号为1，2，3，4，5，6，7，8，。外层圆半径r为35μm，圆环宽度w为5μm，所有调制模块的初始状态均为晶态。通过给调制模块7；8；1和2分别施加脉冲宽度为40ns，脉冲数量为10；脉冲宽度为40ns，脉冲数量为20；脉冲宽度为5ns，脉冲数量为10；脉冲宽度为5ns，脉冲数量为20的电激励，使得调制模块7、8、1和2处于非晶态(激活态)，而其余模块仍处于晶态(静默态)。利用脉冲数量和脉冲宽度能够产生不同结晶程度的中间态这一特点，产生入射光的多阶光学常数，从而实现振幅和相位的多阶独立调制。本实用新型利用激励模块的电激励实现了不同阶次的光学常数，相较于改变薄膜厚度等器件制造参数而言，调制方法更为简单，成本较低且具有广的复振幅调制范围。

Claims (10)

1.一种复振幅动态调制单元，其特征在于，包括n个调制模块，且所述调制模块组成闭环结构，n≥2；还包括：用于向调制模块输入激励信号，改变调制模块的光学性质的激励模块。

2.根据权利要求1所述的复振幅动态调制单元，其特征在于，所述闭环结构为圆环结构、方环结构或三角环结构。

3.根据权利要求1所述的复振幅动态调制单元，其特征在于，所述调制模块为相变材料；所述激励模块包括电信号输出模块和与所述调制模块一一对应的电极，向所述调制模块输入电激励；或所述激励模块包括光信号输出模块，向所述调制模块输入光激励；或所述激励模块包括热量输出模块，向所述调制模块输入热量。

4.根据权利要求1所述的复振幅动态调制单元，其特征在于，各个调制模块的弧长或边长相等或不相等；或各个调制模块的宽度相等或不相等。

5.一种复振幅动态调制器，其特征在于，至少包含一个权利要求1所述的调制单元。

6.根据权利要求5所述的调制器，其特征在于，包括两个或两个以上的调制单元，调制单元之间同心排列，或并排排列。

7.根据权利要求5所述的调制器，其特征在于，还包括不具有闭环结构的辅助调制单元。

8.根据权利要求7所述的调制器，其特征在于，所述辅助调制单元包括多个辅助调制模块，和向辅助调制模块输入独立的激励信号，改变辅助调制模块的光学性质的辅助激励模块。

9.根据权利要求8所述的调制器，其特征在于，所述辅助调制模块位于调制单元闭环结构内部。

10.根据权利要求8所述的调制器，其特征在于，所述辅助调制模块由多个辅助调制子模块组成。

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